ICS650-36
联网& PCI时钟源
描述
该ICS650-36是一种低成本的频率发生器
设计用于支持网络和PCI应用。
使用模拟/数字锁相环（ PLL ）
技术，该器件采用标准的基础
25 MHz的生产模式，廉价晶振输入
四个输出时钟，支持LAN ，PCI和100M
SDRAM的功能。
该设备还具有一个电源关闭功能，该功能
三态时钟输出，并关闭了PLL时
在PDTS引脚被拉低。
特点
封装采用16引脚TSSOP
可在Pb（铅）免费包装
代替多个晶体和振荡器
输入晶体或25 MHz的时钟频率
25 MHz的固定参考电压输出频率
33.3可选输出频率， 33.333 ， 50 ，
66.666 ，100，和125兆赫
40/60占空比
3.3 V工作电压
先进的低功耗CMOS工艺
工业和商业温度范围
框图
VDD
3
S2:0
3
SELECT /
控制
电路
PLL1
CLK1
PLL2
CLK2
PLL3
X1/ICLK
25 MHZ
水晶
输入
X2
水晶
振荡器/
时钟
卜FF器
CLK3
REF
外部电容器
可能需要。
3
GND
PDTS
（所有输出和PLL ）
MDS 650-36
I N T E GRAて维C我R C U I吨 YS T E分秒
●
1
5月25日赛街，加利福尼亚州圣何塞9 5126
●
修订版030206
电话：（ 408 ） 2 97-12 01
●
www.icst.co米
ICS650-36
联网& PCI时钟源
针
数
14
15
16
针
名字
REF
GND
VDD
针
TYPE
产量
动力
动力
引脚说明
附图25 MHz的时钟输出。内部弱上拉下来的时候
三态。
连接到地面。
连接至+3.3 V.
外部元件
去耦电容
对于任何高性能的混合信号IC，该
ICS650-36必须从系统的电源分离
噪音进行优化。
0.01μF的去耦电容必须连接
每个VDD与PCB地平面之间。
这些水晶瓶盖的值（单位为pF ）应该等于
(C
L
-6 pF的）* 2 。在这个方程，C
L
=晶体负载
电容的单位为pF 。例如：对于一个16 pF的晶体
负载电容，每个晶体电容器将是20
pF的〔 （ 16-6 ）×2 = 20 ] 。
PCB布局建议
观察下列准则，以获得最佳的设备
性能和最低的输出相位噪声：
1） 0.01μF去耦电容应
安装在电路板的元件侧靠近
VDD引脚越好。没有通孔，应使用
之间的去耦电容和VDD引脚。该
PCB走线连接到VDD引脚应尽可能的短
可能的话，也应在PCB走线通过地面。
2）外部晶振应安装就在旁边
该设备具有短的走线。 X1和X2的痕迹
不应该被路由成彼此相邻以最小
空间，相反，他们应该分开并远离
其他痕迹。
3 ）将33Ω串联终端电阻（如果需要）
靠近时钟输出，以减少电磁干扰。
4）优化布局之一，在所有组件
电路板的同一侧，通过其他最大限度地减少通孔
信号层。其他信号走线应
离ICS650-36 。这包括信号线
只是在器件下方，或在邻近的层
设备所使用的接地平面层。
系列终端电阻
时钟输出走线超过一英寸应该用系列
终止。以系列终止50Ω迹线（一
常用的走线阻抗） ，放置一个33Ω的电阻
串联在时钟线，尽量靠近时钟输出
销越好。时钟的标称阻抗
输出为20Ω 。
晶体负载电容
该器件晶振连接应包括垫
小电容器从X1到地面和从X2到
地面上。这些电容器用于调节的杂散
电路板的电容相匹配的名义上
所需的晶体负载电容。由于负载
电容只能在此修整增加
过程中，要保持杂散电容到是很重要的
最低用很短的PCB走线（无孔）
晶体和器件之间。水晶电容器
必须从每一个引脚的X1和X2 ，以进行连接
地面上。
MDS 650-36
在TE磨碎 ircuit SYSTE毫秒
●
3
525 王牌街，加利福尼亚州圣何塞9 5126
●
修订版030206
电话：（ 40 8 ） 29 7-120 1
●
瓦特ww.i （C S）吨。 C 0米
ICS650-36
联网& PCI时钟源
绝对最大额定值
上面讲下面列出的收视率可能会导致该ICS650-36永久性损坏。这些评价，
这对于ICS商业额定零件标准值，只是应力额定值。功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件的业务部门所标明
规格是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间可以
影响产品的可靠性。电气参数只能在推荐工作保障
温度范围。
项
电源电压（VDD）
所有输入和输出
工作环境温度（商业）
工作环境温度（工业）
储存温度
结温
焊接温度
-0.5V至7V的
等级
-0.5 V至VDD + 0.5 V
0至+ 70°C
-40至+ 85°C
-65到+ 150°C
125°C
260°C
推荐工作条件
参数
工作环境温度（商业）
工作环境温度（工业）
电源电压（相对于GND测量）
分钟。
0
-40
+3.135
典型值。
马克斯。
+70
+85
单位
°C
°C
V
+3.3
+3.465
MDS 650-36
在TE磨碎 ircuit SYSTE毫秒
●
4
525 王牌街，加利福尼亚州圣何塞9 5126
●
修订版030206
电话：（ 40 8 ） 29 7-120 1
●
瓦特ww.i （C S）吨。 C 0米
ICS650-36
联网& PCI时钟源
描述
该ICS650-36是一种低成本的频率发生器
设计用于支持网络和PCI应用。
使用模拟/数字锁相环（ PLL ）
技术，该器件采用标准的基础
25 MHz的生产模式，廉价晶振输入
四个输出时钟，支持LAN ，PCI和100M
SDRAM的功能。
该设备还具有一个电源关闭功能，该功能
三态时钟输出，并关闭了PLL时
在PDTS引脚被拉低。
特点
封装采用16引脚TSSOP
可在Pb（铅）免费包装
代替多个晶体和振荡器
输入晶体或25 MHz的时钟频率
25 MHz的固定参考电压输出频率
33.3可选输出频率， 33.333 ， 50 ，
66.666 ，100，和125兆赫
40/60占空比
3.3 V工作电压
先进的低功耗CMOS工艺
工业和商业温度范围
框图
VDD
3
S2:0
3
SELECT /
控制
电路
PLL1
CLK1
PLL2
CLK2
PLL3
X1/ICLK
25 MHZ
水晶
输入
X2
水晶
振荡器/
时钟
卜FF器
CLK3
REF
外部电容器
可能需要。
3
GND
PDTS
（所有输出和PLL ）
MDS 650-36
I N T E GRAて维C我R C U I吨 YS T E分秒
●
1
5月25日赛街，加利福尼亚州圣何塞9 5126
●
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电话：（ 408 ） 2 97-12 01
●
www.icst.co米
ICS650-36
联网& PCI时钟源
针
数
14
15
16
针
名字
REF
GND
VDD
针
TYPE
产量
动力
动力
引脚说明
附图25 MHz的时钟输出。内部弱上拉下来的时候
三态。
连接到地面。
连接至+3.3 V.
外部元件
去耦电容
对于任何高性能的混合信号IC，该
ICS650-36必须从系统的电源分离
噪音进行优化。
0.01μF的去耦电容必须连接
每个VDD与PCB地平面之间。
这些水晶瓶盖的值（单位为pF ）应该等于
(C
L
-6 pF的）* 2 。在这个方程，C
L
=晶体负载
电容的单位为pF 。例如：对于一个16 pF的晶体
负载电容，每个晶体电容器将是20
pF的〔 （ 16-6 ）×2 = 20 ] 。
PCB布局建议
观察下列准则，以获得最佳的设备
性能和最低的输出相位噪声：
1） 0.01μF去耦电容应
安装在电路板的元件侧靠近
VDD引脚越好。没有通孔，应使用
之间的去耦电容和VDD引脚。该
PCB走线连接到VDD引脚应尽可能的短
可能的话，也应在PCB走线通过地面。
2）外部晶振应安装就在旁边
该设备具有短的走线。 X1和X2的痕迹
不应该被路由成彼此相邻以最小
空间，相反，他们应该分开并远离
其他痕迹。
3 ）将33Ω串联终端电阻（如果需要）
靠近时钟输出，以减少电磁干扰。
4）优化布局之一，在所有组件
电路板的同一侧，通过其他最大限度地减少通孔
信号层。其他信号走线应
离ICS650-36 。这包括信号线
只是在器件下方，或在邻近的层
设备所使用的接地平面层。
系列终端电阻
时钟输出走线超过一英寸应该用系列
终止。以系列终止50Ω迹线（一
常用的走线阻抗） ，放置一个33Ω的电阻
串联在时钟线，尽量靠近时钟输出
销越好。时钟的标称阻抗
输出为20Ω 。
晶体负载电容
该器件晶振连接应包括垫
小电容器从X1到地面和从X2到
地面上。这些电容器用于调节的杂散
电路板的电容相匹配的名义上
所需的晶体负载电容。由于负载
电容只能在此修整增加
过程中，要保持杂散电容到是很重要的
最低用很短的PCB走线（无孔）
晶体和器件之间。水晶电容器
必须从每一个引脚的X1和X2 ，以进行连接
地面上。
MDS 650-36
在TE磨碎 ircuit SYSTE毫秒
●
3
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●
修订版030206
电话：（ 40 8 ） 29 7-120 1
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联网& PCI时钟源
绝对最大额定值
上面讲下面列出的收视率可能会导致该ICS650-36永久性损坏。这些评价，
这对于ICS商业额定零件标准值，只是应力额定值。功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件的业务部门所标明
规格是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间可以
影响产品的可靠性。电气参数只能在推荐工作保障
温度范围。
项
电源电压（VDD）
所有输入和输出
工作环境温度（商业）
工作环境温度（工业）
储存温度
结温
焊接温度
-0.5V至7V的
等级
-0.5 V至VDD + 0.5 V
0至+ 70°C
-40至+ 85°C
-65到+ 150°C
125°C
260°C
推荐工作条件
参数
工作环境温度（商业）
工作环境温度（工业）
电源电压（相对于GND测量）
分钟。
0
-40
+3.135
典型值。
马克斯。
+70
+85
单位
°C
°C
V
+3.3
+3.465
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在TE磨碎 ircuit SYSTE毫秒
●
4
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●
修订版030206
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QQ：2881677436 复制
