ILD1205T/1206T/1207T
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，双通道，
SOIC - 8封装， 110 °C测量
特点
工作温度 - 55 ° C至
+ 110 °C
双通道耦合器
SOIC - 8表面贴装封装
绝缘测试电压， 4000 V
RMS
兼容双波峰焊，气相
和IR再溢流焊接
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
A1
C2
A3
C4
i179018
8
C
7E
6C
5E
描述
在110℃下的额定ILD1205T / 1206T / 1207T是光学
耦合对同一个砷化镓红外发光二极管
和硅NPN光电晶体管。信号信息，
包括一个DC电平，可以通过设备发送
同时维持电隔离程度高
之间的输入和输出。该ILD1205T / 1206T /
1207T都在一个标准的SOIC - 8小外形
包为表面安装它非常
适用于空间有限的高密度的应用。
除了消除通孔的要求，
这个包符合地表标准
安装的设备。
指定的最低和最高CTR允许
窄公差的电气设计
相邻电路。高BV
首席执行官
70 V给人一种
更高的安全裕度相比，工业
30五标准
订购信息
部分
ILD1205T
ILD1206T
ILD1207T
机构认证
UL认证 - 文件号E52744系统代码Y
CUL - 文件号E52744 ，相当于CSA
公告5A
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
可通过选项1
应用
AC适配器
PLC的
开关电源
DC / DC转换
微处理器的I / O接口
一般阻抗匹配电路
备注
点击率40 ％ - 80％ ， SOIC- 8
CTR 63 - 125 ％ ， SOIC- 8
CTR 100 - 200 ％ ， SOIC- 8
注意：
有关可用选项的更多信息，请参阅选项的信息。
文档编号83599
修订版1.9 ， 20 -APR- 07
如需技术支持，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
www.vishay.com
1
ILD1205T/1206T/1207T
威世半导体
绝对最大额定值
1)
参数
输入
连续正向电流每
通道
峰值反向电压
峰值脉冲电流
功耗
从25° C减免线性
产量
集电极 - 发射极电压
每通道功耗
从25° C减免线性
耦合器
绝缘测试电压
工作温度
总包耗散
环境（ 2个LED + 2探测器，
2个通道）
从25° C减免线性
储存温度
1)
测试条件
符号
价值
单位
I
F
V
R
1.0微秒， 300 PPS
I
FSM
P
DISS
30
6.0
1.0
50
0.5
mA
V
A
mW
毫瓦/°C的
V
mW
毫瓦/°C的
V
RMS
°C
mW
毫瓦/°C的
°C
V
CE
P
DISS
70
125
1.25
T = 1.0秒
V
ISO
T
AMB
P
合计
4000
- 55至+ 110
300
4.0
T
英镑
- 55至+ 150
注意：
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不
隐含在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。暴露在绝对最大
评级的长时间可不利地影响可靠性。
150
120
PHOTOTRANSISTOR
P
总
（ mW）的
90
60
30
0
0
20
40
60
80
100
120
IR - 二极管
17544
环境温度（ ℃）
图1.功耗与环境温度
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2
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威世半导体
电气特性
1)
参数
输入
正向电压
反向电流
电容
产量
集电极 - 发射极漏电流
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 集电极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极电容
耦合器
ILD1205T
直流电流传输比
电容（输入输出）
V
CE
= 5.0 V，I
F
= 10毫安
ILD1206T
ILD1207T
CTR
CTR
CTR
C
IO
40
63
100
0.5
80
125
200
%
%
%
pF
V
CE
= 10 V，I
F
= 0
I
C
= 100 A
I
E
= 10 A
I
F
= 10 mA时，我
C
= 2.5毫安
V
CE
= 0
I
首席执行官
BV
首席执行官
BV
ECO
V
CESAT
C
CE
10
70
7.0
0.4
5.0
50
nA
V
V
V
pF
I
F
= 10毫安
V
R
= 6.0 V
V
R
= 0
V
F
I
R
C
I
1.2
0.1
25
1.55
100
V
A
pF
测试条件
部分
符号
民
典型值。
最大
单位
注意：
1)
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
开关特性
参数
开启时间
打开-O FF时间
测试条件
I
C
= 2.0毫安，R
L
= 100
Ω,
V
CC
= 5.0 V
I
C
= 2.0毫安，R
L
= 100
Ω,
V
CC
= 5.0 V
部分
符号
t
on
t
关闭
分钟。
5.0
4.0
TYPE
最大
单位
s
s
输入
t
on
V
CC
= 5
V
输入
R
L
V
OUT
产量
10
%
50
%
90
%
t
PDON
t
d
t
r
t
PDOFF
t
s
t
关闭
t
r
10
%
50
%
90
%
iild205t_08
图2.开关测试电路
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威世半导体
安全性和绝缘等级
1)
参数
气候分类
（根据IEC 68部分1 ）
污染度
（ DIN VDE 0109 ）
漏电起痕指数
符合DIN IEC112 / VDE 0303
第1部分，ⅢA族按照DIN
VDE 6110 175 399
V
IOTM
V
IORM
电阻，输入到输出
P
SI
I
SI
T
SI
Creeapage
净空
1)
测试条件
部分
符号
分钟。
TYPE
55/110/21
2.0
最大
单位
mm
175
V
IOTM
V
IORM
R
IO
399
6000
560
100
350
150
165
4.0
4.0
V
V
Ω
mW
mA
°C
mm
mm
注意：
按照IEC60747-5-2 ， §7.4.3.8.1 ，这光耦适合于仅在安全评级"safe电insulation" 。遵守
安全等级应以保护电路装置来保证。
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
60
110 °C
IF-正向电流（mA ）
50
50 °C
40
25 °C
30
20
10
0
0.6
19149
30
0 °C
- 55 °C
集电极电流（毫安）
25
20
15
10
5
0
0
1
2
3
IF = 30毫安
IF = 20毫安
IF = 15毫安
IF = 10毫安
IF = 5毫安
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
4
5
6
7
8
9 10
VF-正向电压
(V)
V
CE
(V)
图4. V
CE
与我
C
， （非饱和）
图3.正向电流与正向电压
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威世半导体
集电极到发射极漏电流
ICE0 （ nA的）
10000
1000
1.2
1.1
1.0
I
F
= 10毫安
归
CTR
100
10
1
0.1
0.01
0.001
V
CE
= 40
V
V
CE
= 24
V
V
CE
= 12
V
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
- 55 - 40 - 25 - 10 5 20 35 50 65
80
95 110 125
I
F
= 5毫安
I
F
= 1毫安
归
到我
F
= 10毫安
T
AMB
= 25 °C
- 55 - 40 - 25 - 10 5 20 35 50 65
80
95 110 125
T
AMB
(°C)
图5.集电极到发射极漏电流 -
环境温度
T
AMB
(°C)
标准化的点击率与环境温度
（非饱和，V
CE
= 5 V)
1000
20
18
集电极电流（毫安）
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0.0
0.1
IF = 25毫安
截止频率FCTR （ kHz）的
ILD1205,6
+ 25 °C + 50 °C
0 °C
100
IF = 10毫安
10
V
CE
= 5
V,
T
AMB
= 25 °C
1
0.1
IF = 5毫安
IF = 2毫安
IF = 1毫安
0.2
0.3
0.4
0.5
1.0
10.0
100.0
V
CE
(V)
图6. V
CE
与我
C
（饱和）
IC （MA ）
图8.截止频率（ - 3 dB为单位）与集电极电流
1.2
1.1
1.0
I
F
= 5毫安
I
F
= 10毫安
1000
归
CTR
t
on
, t
关闭
（微秒）
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
100
t
关闭
I
F
= 1毫安
10
归
到我
F
= 10毫安
T
AMB
= 25 °C
1
0.1
1
t
on
10
100
- 55 - 40 - 25 - 10 5 20 35 50 65
80
95 110 125
T
AMB
(°C)
图7.归CTR主场迎战
环境温度（饱和，V
CE
= 0.4 V)
负载阻值（kΩ ）
图9吨
on
, t
关闭
和负载电阻（ 100
Ω
20000
Ω)
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威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，双通道，
SOIC - 8封装， 110 °C测量
特点
工作温度 - 55 ° C至
+ 110 °C
双通道耦合器
SOIC - 8表面贴装封装
绝缘测试电压， 4000 V
RMS
兼容双波峰焊，气相
和IR再溢流焊接
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
A1
C2
A3
C4
i179018
8
C
7E
6C
5E
描述
在110℃下的额定ILD1205T / 1206T / 1207T是光学
耦合对同一个砷化镓红外发光二极管
和硅NPN光电晶体管。信号信息，
包括一个DC电平，可以通过设备发送
同时维持电隔离程度高
之间的输入和输出。该ILD1205T / 1206T /
1207T都在一个标准的SOIC - 8小外形
包为表面安装它非常
适用于空间有限的高密度的应用。
除了消除通孔的要求，
这个包符合地表标准
安装的设备。
指定的最低和最高CTR允许
窄公差的电气设计
相邻电路。高BV
首席执行官
70 V给人一种
更高的安全裕度相比，工业
30五标准
订购信息
部分
ILD1205T
ILD1206T
ILD1207T
机构认证
UL认证 - 文件号E52744系统代码Y
CUL - 文件号E52744 ，相当于CSA
公告5A
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
可通过选项1
应用
AC适配器
PLC的
开关电源
DC / DC转换
微处理器的I / O接口
一般阻抗匹配电路
备注
点击率40 ％ - 80％ ， SOIC- 8
CTR 63 - 125 ％ ， SOIC- 8
CTR 100 - 200 ％ ， SOIC- 8
注意：
有关可用选项的更多信息，请参阅选项的信息。
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威世半导体
绝对最大额定值
1)
参数
输入
连续正向电流每
通道
峰值反向电压
峰值脉冲电流
功耗
从25° C减免线性
产量
集电极 - 发射极电压
每通道功耗
从25° C减免线性
耦合器
绝缘测试电压
工作温度
总包耗散
环境（ 2个LED + 2探测器，
2个通道）
从25° C减免线性
储存温度
1)
测试条件
符号
价值
单位
I
F
V
R
1.0微秒， 300 PPS
I
FSM
P
DISS
30
6.0
1.0
50
0.5
mA
V
A
mW
毫瓦/°C的
V
mW
毫瓦/°C的
V
RMS
°C
mW
毫瓦/°C的
°C
V
CE
P
DISS
70
125
1.25
T = 1.0秒
V
ISO
T
AMB
P
合计
4000
- 55至+ 110
300
4.0
T
英镑
- 55至+ 150
注意：
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不
隐含在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。暴露在绝对最大
评级的长时间可不利地影响可靠性。
150
120
PHOTOTRANSISTOR
P
总
（ mW）的
90
60
30
0
0
20
40
60
80
100
120
IR - 二极管
17544
环境温度（ ℃）
图1.功耗与环境温度
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威世半导体
电气特性
1)
参数
输入
正向电压
反向电流
电容
产量
集电极 - 发射极漏电流
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 集电极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极电容
耦合器
ILD1205T
直流电流传输比
电容（输入输出）
V
CE
= 5.0 V，I
F
= 10毫安
ILD1206T
ILD1207T
CTR
CTR
CTR
C
IO
40
63
100
0.5
80
125
200
%
%
%
pF
V
CE
= 10 V，I
F
= 0
I
C
= 100 A
I
E
= 10 A
I
F
= 10 mA时，我
C
= 2.5毫安
V
CE
= 0
I
首席执行官
BV
首席执行官
BV
ECO
V
CESAT
C
CE
10
70
7.0
0.4
5.0
50
nA
V
V
V
pF
I
F
= 10毫安
V
R
= 6.0 V
V
R
= 0
V
F
I
R
C
I
1.2
0.1
25
1.55
100
V
A
pF
测试条件
部分
符号
民
典型值。
最大
单位
注意：
1)
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
开关特性
参数
开启时间
打开-O FF时间
测试条件
I
C
= 2.0毫安，R
L
= 100
Ω,
V
CC
= 5.0 V
I
C
= 2.0毫安，R
L
= 100
Ω,
V
CC
= 5.0 V
部分
符号
t
on
t
关闭
分钟。
5.0
4.0
TYPE
最大
单位
s
s
输入
t
on
V
CC
= 5
V
输入
R
L
V
OUT
产量
10
%
50
%
90
%
t
PDON
t
d
t
r
t
PDOFF
t
s
t
关闭
t
r
10
%
50
%
90
%
iild205t_08
图2.开关测试电路
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威世半导体
安全性和绝缘等级
1)
参数
气候分类
（根据IEC 68部分1 ）
污染度
（ DIN VDE 0109 ）
漏电起痕指数
符合DIN IEC112 / VDE 0303
第1部分，ⅢA族按照DIN
VDE 6110 175 399
V
IOTM
V
IORM
电阻，输入到输出
P
SI
I
SI
T
SI
Creeapage
净空
1)
测试条件
部分
符号
分钟。
TYPE
55/110/21
2.0
最大
单位
mm
175
V
IOTM
V
IORM
R
IO
399
6000
560
100
350
150
165
4.0
4.0
V
V
Ω
mW
mA
°C
mm
mm
注意：
按照IEC60747-5-2 ， §7.4.3.8.1 ，这光耦适合于仅在安全评级"safe电insulation" 。遵守
安全等级应以保护电路装置来保证。
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
60
110 °C
IF-正向电流（mA ）
50
50 °C
40
25 °C
30
20
10
0
0.6
19149
30
0 °C
- 55 °C
集电极电流（毫安）
25
20
15
10
5
0
0
1
2
3
IF = 30毫安
IF = 20毫安
IF = 15毫安
IF = 10毫安
IF = 5毫安
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
4
5
6
7
8
9 10
VF-正向电压
(V)
V
CE
(V)
图4. V
CE
与我
C
， （非饱和）
图3.正向电流与正向电压
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修订版1.9 ， 20 -APR- 07
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威世半导体
集电极到发射极漏电流
ICE0 （ nA的）
10000
1000
1.2
1.1
1.0
I
F
= 10毫安
归
CTR
100
10
1
0.1
0.01
0.001
V
CE
= 40
V
V
CE
= 24
V
V
CE
= 12
V
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
- 55 - 40 - 25 - 10 5 20 35 50 65
80
95 110 125
I
F
= 5毫安
I
F
= 1毫安
归
到我
F
= 10毫安
T
AMB
= 25 °C
- 55 - 40 - 25 - 10 5 20 35 50 65
80
95 110 125
T
AMB
(°C)
图5.集电极到发射极漏电流 -
环境温度
T
AMB
(°C)
标准化的点击率与环境温度
（非饱和，V
CE
= 5 V)
1000
20
18
集电极电流（毫安）
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0.0
0.1
IF = 25毫安
截止频率FCTR （ kHz）的
ILD1205,6
+ 25 °C + 50 °C
0 °C
100
IF = 10毫安
10
V
CE
= 5
V,
T
AMB
= 25 °C
1
0.1
IF = 5毫安
IF = 2毫安
IF = 1毫安
0.2
0.3
0.4
0.5
1.0
10.0
100.0
V
CE
(V)
图6. V
CE
与我
C
（饱和）
IC （MA ）
图8.截止频率（ - 3 dB为单位）与集电极电流
1.2
1.1
1.0
I
F
= 5毫安
I
F
= 10毫安
1000
归
CTR
t
on
, t
关闭
（微秒）
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
100
t
关闭
I
F
= 1毫安
10
归
到我
F
= 10毫安
T
AMB
= 25 °C
1
0.1
1
t
on
10
100
- 55 - 40 - 25 - 10 5 20 35 50 65
80
95 110 125
T
AMB
(°C)
图7.归CTR主场迎战
环境温度（饱和，V
CE
= 0.4 V)
负载阻值（kΩ ）
图9吨
on
, t
关闭
和负载电阻（ 100
Ω
20000
Ω)
文档编号83599
修订版1.9 ， 20 -APR- 07
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