ISO721M-EP
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SLLS882 - 2008年6月
3.3 V / 5 V高速数字隔离器
1
特点
控制基线
- 一个大会网站
- 一个试验场
- 一个制作网站
扩展温度性能
-55 ° C至125°C
增强递减制造源
（ DMS ）支持
增强型产品更改通知
资质谱系
(1)
4000-V
（峰值）
隔离
- UL 1577 ， IEC 60747-5-2 （ VDE 0884 ，第2版）
IEC 61010-1
- 50 KV / μs的瞬态抗扰度典型
23
信号速率0 Mbps至150 Mbps的
- 低传播延迟
- 低脉冲偏差（脉宽失真）
低功耗休眠模式
高电磁抗扰度
低输入电流要求
故障安全输出
简易替换为大多数光电和
磁性隔离器
工业现场总线
- ModBus的
- 现场总线
- 的DeviceNet 数据总线
- 智能分布式系统（ SDS ）
电脑外设接口
伺服控制接口
数据采集
应用
(1)
按照JEDEC和组件认证
行业标准，以确保可靠运行了一个多
扩展级温度范围。这包括，但不限于
到，高加速应力测试（ HAST ）或偏见85/85 ，
温度循环，高压灭菌器或无偏HAST ，
电，债券间的生活，和模塑料
生活。这样的资格测试不应该被看作是
超出规定的证明使用该组件的
性能和环境限制。
描述/订购信息
在ISO721 ， ISO721M ， ISO722和ISO722M的数字隔离器具有逻辑输入和输出缓冲器分离
由一氧化硅（SiO
2
）绝缘屏障。这道屏障可提供高达4000 V.电流隔离用于
与隔离电源配合使用，这些设备防止数据总线或其他电路的噪声电流
从进入本地接地，并干扰或损坏敏感电路。
二进制输入信号进行调节，由电容隔离转换成平衡信号，再分化
屏障。通过隔离屏障，差分比较器接收逻辑转换的信息，然后设置或
复位触发器和输出电路相应。周期性刷新脉冲，跨越障碍，可以确保
输出的适当DC电平。如果这个直流刷新脉冲不超过4接收
s,
输入被假定
供电或者不被积极地驱动，并且在保险电路驱动的输出为逻辑高状态。
1
2
3
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
SDS是霍尼韦尔公司的商标。
DeviceNet是开放设备的商标供应商协会有限公司
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除非另有说明这个文件包含
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
功能图
DC频道
隔离栅
+
_
OSC
+
PWM
V
REF
_
+
滤波器
脉冲宽度
解调
载波检测
POR
ISO722
只
POR
BIAS
IN
输入
+
滤波器
+
_
V
REF
_
+
数据MUX
AC DETECT
3-State
输出缓冲器
EN
OUT
AC频道
电介质和电容器的集成电路内的对称性提供了紧密的电容匹配
并允许在不破坏输出的输入和输出地之间的快速瞬态电压的变化。
小电容以及由此产生的时间常数为快速操作信号发送速率
(2)
从0 Mbps的
（ DC ），以100 Mbps的为ISO721 / ISO722 ， 0 Mbps至150 Mbps的与ISO721M / ISO722M 。
这些设备需要3.3 V的两个电源电压， 5伏，或任何组合。所有的输入都是5V的宽容时，
从3.3 V电源供电，所有输出为4 mA的CMOS 。
在ISO721具有TTL输入阈值和一个噪声滤波器的输入端，以防止高达2纳秒的瞬态脉冲
持续时间不被传递给该装置的输出。
该ISO721M具有CMOS V
CC
/ 2输入阈值，但不具备噪声滤波器和所述额外的传播
延时。在ISO721M的这些特点也为减少抖动操作。
该ISO721M的特点是工作在-55 ° C至125°C的环境温度范围。
(2)
一条线的信号传输速率是电压转变被每秒表示的单元基点（每秒比特）制成的数目。
2
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包
ISO721 ， ISO721M
（ TOP VIEW ）
包
ISO722 ， ISO722M
（ TOP VIEW ）
隔离
V
CC1
1
8
V
CC2
7
EN
6
OUT
5
GND2
IN
2
V
CC1 3
GND1
4
隔离
V
CC1
1
8
V
CC2
7
GND2
6
OUT
5
GND2
IN
2
V
CC1 3
GND1
4
可选项
(1)
产品
(2)
ISO721
(3)
ISO721M
ISO722
(3)
产量
启用
NO
NO
是的
是的
输入
门槛
TTL
CMOS
TTL
CMOS
噪音
滤波器
是的
NO
是的
NO
包
SOIC-8
SOIC-8
SOIC-8
SOIC-8
TOP- SIDE
记号
-
721MEP
-
-
订购数量
-
ISO721MMDREP （卷）
-
-
绿色
无铅
锑/溴免费
ISO722M
(3)
(1)
(2)
(3)
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
包装图纸，热数据和符号可在
www.ti.com/packaging 。
产品预览
法规信息
VDE
根据IEC 60747-5-2认证
文件编号： 40014131
(1)
CSA
根据CSA元器件批准
验收注意事项： CA- 5A
文件号： 1698195
UL
在1577认可
组件识别程序
(1)
文件号： E181974
产品测试
≥
3000 V
RMS
1秒钟符合UL 1577 。
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3
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绝对最大额定值
(1)
单位
V
CC
V
I
I
O
ESD
T
J
(1)
(2)
电源电压
(2)
, V
CC1
, V
CC2
电压IN， OUT ，或EN端
输出电流
静电
放电
人体模型
带电器件模型
JEDEC标准22 ，测试方法A114- C.01
JEDEC标准22项，试验方法C101
所有引脚
-0.5 V至6 V
-0.5 V至6 V
?? 15毫安
± 2千伏
± 1千伏
170°C
最高结温
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只有与设备在这些或超出下"recommended操作指示的任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
除了差分I / O总线电压所有电压值都是相对于网络的接地端子，并且峰值电压值。 VRMS
值未在本手册中列出。
推荐工作条件
民
V
CC
I
OH
I
OL
t
ui
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
T
J
H
电源电压，V
CC1
, V
CC2
高电平输出电流
低电平输出电流
输入脉冲宽度
高电平输入电压（IN， EN）
低电平输入电压（IN ， EN ）
高电平输入电压（IN， EN）
低电平输入电压（IN ， EN ）
结温
ISO72x
ISO72xM
ISO72x
IOS72xM
见热特性表
-4
10
6.67
2
0
0.7 V
CC
0
V
CC
0.8
V
CC
0.3 V
CC
150
1000
ns
V
V
°C
A / M
4.5
3
典型值
最大
5.5
3.6
4
单位
V
mA
符合IEC 61000-4-8和IEC 61000-4-9的外部磁场强度
证明
IEC 60747-5-2绝缘特性
(1)
在推荐工作条件（除非另有说明）
参数
V
IORM
最大工作绝缘电压
经过输入/输出安全性试验小组2/3
V
PR
= V
IORM
× 1.2 ，T = 10秒，
局部放电< 5件
V
PR
输入到输出测试电压
方法一，V
PR
= V
IORM
× 1.6,
类型和T = 10 s的采样测试，
局部放电< 5件
方法B1 ，V
PR
= V
IORM
× 1.875,
100 ％生产测试符合T = 1秒，
局部放电< 5件
V
IOTM
R
S
瞬态过电压
绝缘电阻
污染程度
(1)
气候分类40/125/21
t为60秒
V
IO
= 500 V在T
S
测试条件
特定网络阳离子
560
672
单位
V
V
896
V
1050
4000
>10
9
2
V
V
4
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电气特性： V
CC1
和V
CC2
5 V工作
在推荐工作条件（除非另有说明）
参数
I
CC1
I
CC2
V
OH
V
OL
V
CC1
电源电流
V
CC2
电源电流
高电平输出电压
低电平输出电压
静
25 Mbps的
静
25 Mbps的
测试条件
V
I
= V
CC
或0 V ，无负载
V
I
= V
CC
或0 V ，无负载
V
I
= V
CC
或0 V ，无负载
I
OH
= -4毫安，见
图1
I
OH
= –20
A,
SEE
图1
I
OL
= 4毫安，见
图1
I
OL
= 20
A,
SEE
图1
在2 V
在0.8 V
ISO722 ， ISO722M
EN ，在V
CC
在V
CC
, V
I
= 0.4罪（ 4E6πt ）
V
I
= V
CC
或0 V ，见
图5
25
–10
1
1
50
V
CC
– 0.8
V
CC
– 0.1
民
典型值
0.5
2
8
10
4.6
5
0.2
0
150
10
0.4
0.1
最大
1
4
12
14
单位
mA
mA
V
V
mV
A
A
pF
KV / μs的
V
我（ HYS ）
输入电压滞后
I
IH
I
IL
I
OZ
C
I
CMTI
高层次的输入电流
低电平输入电流
高阻抗输出
当前
输入对地电容
共模瞬态抗扰度
开关特性： V
CC1
和V
CC2
5 V工作
在推荐工作条件（除非另有说明）
参数
t
PLH
t
PHL
t
SK （p）的
t
PLH
t
PHL
t
SK （p）的
t
SK （PP）的
t
r
t
f
t
PHZ
t
PZH
t
PLZ
t
PZL
t
fs
(1)
测试条件
ISO72x
EN为0 V ，
SEE
图1
ISO721M
民
典型值
17
17
0.5
最大
单位
ns
传播延迟，从低到高的电平输出
传播延迟，高到低级别的输出
脉冲偏斜|吨
PHL
– t
PLH
|
传播延迟，从低到高的电平输出
传播延迟，高到低级别的输出
脉冲偏斜|吨
PHL
– t
PLH
|
部分到部分斜
输出信号的上升时间
输出信号的下降时间
睡眠模式的传播延迟
高级别到高mpedance输出
睡眠模式的传播延迟
高阻抗到高的电平输出
睡眠模式的传播延迟
低级别到高阻抗输出
睡眠模式的传播延迟
高阻抗到低电平输出
从输入功率损耗故障安全输出延迟时间
ISO72x
ISO722
ISO722M
SEE
科幻gure 3
EN为0 V ，
SEE
图1
2
2
10
10
0.5
1
1
8
16
16
1
3
ns
ns
ns
s
ns
s
s
SEE
图2
4
8
5
SEE
图4
100 Mbps的NRZ数据输入，参见
图6
100Mbps的无限制位运行长度数据
输入，见
图6
150 Mbps的NRZ数据输入，参见
图6
ISO72xM 150Mbps的无限制位运行长度数据
输入，见
图6
3
2
3
1
2
ns
t
JIT （ PP）
峰对峰的眼图抖动
(1)
t
SK （PP）的
是差的传播延迟时间的两个设备时，两个器件的任何特定网络连接编端子之间的大小
用相同的电源电压下工作，在同一温度下，与具有相同的封装和测试电路。
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ISO721M-EP
5
NVE公司
IL710
高速数字隔离器
特点
· + 5V和+ 3.3V CMOS兼容
· 2 ns典型脉冲宽度失真
· 4 ns典型传播延迟偏斜
· 10 ns典型传播延迟
高速： 100兆位
· 30 KV / μs的典型共模抑制
·三态输出
· 2500V
RMS
隔离（ 1分钟）
· UL1577认证（文件号： E207481 ）
· IEC 61010-1认证（报告＃ 607057 ）
I
SO
L
OOP
工作原理图
电气隔离
V OE
1年
1 OUT
应用
真值表
V
I
L
H
L
H
V
OE
L
L
H
H
V
O
L
H
Z
Z
数字现场总线隔离
复用的数据传输
计算机外设接口
·降噪在高速数字系统
隔离数据接口
逻辑电平转换
订购信息
模型
IL710
套餐类型
8 - PDIP 8 -SOIC
-2
-3
描述
该IL710是CMOS数字隔离器集成在一起NVE公司
专利* Isoloop
技术，这给IL710高速
性能和优异的瞬态抗扰度规范。该
对称磁耦合屏障给出了这样的装置的典型
只有10 ns传播延迟和的2纳秒的脉冲宽度失真
给予IL710任何隔离装置的最佳规格。该
IL710也有一个100波特的数据速率，使之成为世界上最快的
数字隔离器。该IL710非常适合用于分离这类
应用程序作为PROFIBUS ， RS - 485 ， RS-422等，可在
8引脚PDIP和8引脚SOIC封装，规定工作在
温度范围为-40 ° C至+ 100°C 。
IL710-2
一个8 - PDIP封装
IL710-3
一个8 - SOIC封装
IsoLoop
是NVE公司的注册商标。
*美国专利号5831426 ; 6300617及其他
RHOPOINT COMPONENTS
赫斯特绿色， Oxted ，萨里RH8 9AX英国
电话： +44 （ 0 ） 870 608 1188
传真： +44 （ 0 ） 870 241 2255
互联网： www.rhopointcomponents.com
IL710
参数
储存温度
电源电压
输入电压
输入电压
输出电压
输出电流驱动
I
SO
L
OOP
绝对最大额定值
符号
T
S
T
A
V
DD
1,V
DD
2
V
I
V
OE
V
O
I
O
分钟。
-55
-55
-0.5
-0.5
-0.5
-0.5
马克斯。
175
125
7
V
DD
1+0.5
V
DD
2+0.5
V
DD
2+0.5
10
单位
o
C
o
工作环境温度
(1)
C
伏
伏
伏
伏
毫安
o
无铅焊锡温度（ 10秒）
ESD
260
2kV人体模型
C
推荐工作条件
参数
工作环境温度
电源电压
逻辑高输入电压
逻辑低输入电压
输入信号上升和下降时间
符号
T
A
V
DD
1,V
DD
2
V
IH
V
IL
t
IR
,t
IF
分钟。
-40
3.0
2.4
0
马克斯。
100
5.5
V
DD
1
0.8
1
单位
o
C
伏
伏
伏
微秒
绝缘规格
参数
屏障阻抗
爬电距离（外部）
漏电流
240 V
RMS
60Hz
条件
分钟。
7.036 (
PDIP
)
4.026 (
SOIC
)
0.2
典型值。
>10
14
||3
马克斯。
单位
||
pF
mm
μAMPS
封装特性
参数
电容（输入输出）
(5)
热阻
(
PDIP
)
(
SOIC
)
封装功耗
符号
C
I
-
O
θ
JCT
θ
JCT
P
PD
分钟。
典型值。
1.1
150
240
150
马克斯。
单位
pF
o
C / W
o
测试条件
F = 1MHz的
热电偶位于
封装底面中心
C / W
mW
IEC61010-1
TUV证书编号：
分类如表1所示。
模型
IL710-2
IL710-3
污染
度
II
II
材料
组
III
III
最大工作
电压
300 V
RMS
150 V
RMS
套餐类型
8–PDIP
8–SOIC
'
'
B 01 07 44230 001 （ PDIP ）
B 01 07 44230 002 （ SOIC ）
UL 1577
组件识别程序。文件＃ E207481
额定2500Vrms的1分钟。
2
RHOPOINT COMPONENTS
赫斯特绿色， Oxted ，萨里RH8 9AX英国
电话： +44 （ 0 ） 870 608 1188
传真： +44 （ 0 ） 870 241 2255
互联网： www.rhopointcomponents.com
IL710
电气规格
电气规格均TMIN至TMAX ，除非另有说明。
参数
符号
3.3伏Specifiations
DC特定网络阳离子
分钟。
典型值。马克斯。
输入静态电源电流
I
DD
1
4.5
7
输出静态电源电流
I
DD
2
2.2
3.3
逻辑输入电流
逻辑高输出电压
逻辑低输出电压
交换特定网络阳离子
MaximumData率
脉冲宽度
传播延迟
输入到输出（高到低）
传播延迟
输入到输出（从低到高）
传播延迟启用到输出
（高到高阻抗）
传播延迟启用到输出
（从低到高阻抗）
传播延迟启用到输出
（高阻抗高）
传播延迟启用到输出
（高阻抗低）
脉冲宽度失真
(2)
传播延迟偏斜
(3)
输出上升时间（ 10-90 ％ ）
输出下降时间（ 10-90 ％ ）
共模瞬变
免疫力（输出逻辑高电平或
逻辑低）
(4)
PW
t
PHL
t
PLH
t
PHZ
t
PLZ
t
PZH
t
PZL
t
PSK
t
R
t
F
| CMH |
20
| CML |
30
20
30
KV / μs的
VCM = 300V
I
I
V
OH
V
OL
-10
10
V
DD
2-0.1 V
DD
2
0.8*V
DD
2
V
DD
2-0.5
0
0.1
0.5
0.8
100
10
12
12
3
3
3
3
2
4
2
2
18
18
5
5
5
5
3
6
4
4
110
其它5伏特规格
分钟。
典型值。
马克斯。
6
10
4
-10
V
DD
2-0.1 V
DD
2
0.8*V
DD
2 V
DD
2-0.5
0
0.5
100
10
10
10
3
3
3
3
2
4
1
1
15
15
5
5
5
5
3
6
3
3
110
0.1
0.8
5
10
单位
A
mA
A
V
V
测试条件
I
SO
L
OOP
I
O
=-20
A,
V
I
=V
IH
I = -4毫安，V = V
O
I
IH
I
O
= 20
A,
V
I
=V
IL
我= 4毫安， V = V
O
I
IL
兆位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
C
L
= 15 pF的
C
L
= 15 pF的
C
L
= 15 pF的
C
L
= 15 pF的
C
L
= 15 pF的
C
L
= 15 pF的
C
L
= 15 pF的
C
L
= 15 pF的
C
L
= 15 pF的
C
L
= 15 pF的
引脚连接
1
2
3
4
5
6
7
8
V
DD
1
V
I
NC
GND1
GND2
V
O
V
OE
V
DD
2
输入电源
逻辑输入信号
无内部连接
输入电源地
输出电源地
输出逻辑信号
逻辑输出使能*
输出电源
V
DD1
1
H
8 V
DD2
V
I
2
7 V
OE
NC
3
隔离
屏障
6 V
O
*保持低电平内部
GND
1
4
5 GND
2
3
RHOPOINT COMPONENTS
赫斯特绿色， Oxted ，萨里RH8 9AX英国
电话： +44 （ 0 ） 870 608 1188
传真： +44 （ 0 ） 870 241 2255
互联网： www.rhopointcomponents.com
IL710
注意事项：
I
SO
L
OOP
报名须知：
耗电量
IsoLoop
设备实现从低功耗
由它们跨越隔离传输数据的方式
屏障。通过检测输入逻辑的边缘过渡
信号和将这些窄电流脉冲
磁场绕GMR惠斯登创建
桥梁。取决于磁场的方向，
桥使输出比较来切换以下
输入逻辑信号。因为电流脉冲是窄的，
大约为2.5ns宽，功耗是独立的
马克 - 空比，完全取决于频率。这
拥有超过光耦合器，其功率优势明显
耗在很大程度上依赖于它的导通状态和
频率。
每个信道的功率近似为电源电流
IsoLoop
是：
I（输入）= 40 。 F。 1毫安
FMAX
4
哪里
F =工作频率
的fmax = 50 MHz的
电源
我们建议低ESR陶瓷电容是
用于分离的耗材。 10nF的电容应
置于尽可能靠近器件尽可能V之间
DD
1
和GND1 ，以及V之间
DD
2
和GND2 。
在启动信号状态和关机
为了最小化功耗，在输入信号上的
IL710被微分，并锁存输出侧
隔离屏障的重建信号。这可能
导致模糊的输出状态取决于电时，
关机和功率损耗测序。因此，该
设计者应考虑列入一个初始化
信号在其启动电路。
静电放电敏感度
本产品已经过测试，静电敏感度
该限制在规格说明。然而， NVE
建议所有集成电路与处理
适当的照顾，以避免损坏。造成损害的，
处理不当或储存范围可以从
性能下降，完成故障。
1.绝对最大环境工作温度的手段
如果在这些操作的设备将不会受到损坏
条件。它并不能保证性能。
2. PWD定义为|吨
PHL
- t
PLH
| 。 ％ PWD等于
PWD除以脉冲宽度。
3. t
PSK
等于最坏情况差的大小
t
PHL
和/或叔
PLH
将单位之间在25可见
O
C.
4. CM
H
是最大的共模电压的变化率即
可以持续，同时保持V
O
> 0.8 V
DD
2
。厘米
L
is
的最大共模输入电压，可以是
持续的同时保持V
O
< 0.8 V的共模
压摆率适用于上升和下降共同
模电压的边缘。
5.设备被认为是两个终端设备：
针脚1-4短接针脚5-8短接。
4
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赫斯特绿色， Oxted ，萨里RH8 9AX英国
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IL710
时序图
传说
50%
I
SO
L
OOP
V
IN
t
PLH
t
PHL
90%
t
90%
PZL
t
50%
PLZ
V
O
t
PW
t
t
PZH
PHZ
10%
10%
t
F
t
R
V
OE
t
PLH
t
PHL
t
PW
t
PLZ
t
PZH
t
PHZ
t
PZL
t
R
t
F
传输延迟，从低到高
传输延时，高至低
最小脉冲宽度
传输延迟，从低到高阻抗
传输延迟，高阻抗高
传输延迟，高为高阻抗
传输延迟，高阻抗低
上升时间
下降时间
红外线焊接简介
250
PRE升温速率3℃ + 1℃ /-0.5C /秒。
流加热速率2.5
±
0.5℃ /秒。
峰值温度245
最高温度240℃
最高温度230C
200 C
200
温度（ C）
2.5C
±0.5C
/秒
160C
150C
140C
3C+1C /-0.5C
30秒
30秒
焊接时间
200C
100
预加热时间
150C, 90
±30
美国证券交易委员会。
50秒
紧
典型
房间
温度
LOOSE
0
0
50
100
时间（秒）
150
200
250
5
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NVE公司
IL710
高速数字隔离器
特点
· + 5V和+ 3.3V CMOS兼容
· 2 ns典型脉冲宽度失真
· 4 ns典型传播延迟偏斜
· 10 ns典型传播延迟
高速： 100兆位
· 30 KV / μs的典型共模抑制
·三态输出
· 2500V
RMS
隔离（ 1分钟）
· UL1577认证（文件号： E207481 ）
· IEC 61010-1认证（报告＃ 607057 ）
I
SO
L
OOP
工作原理图
电气隔离
V OE
1年
1 OUT
应用
真值表
V
I
L
H
L
H
V
OE
L
L
H
H
V
O
L
H
Z
Z
数字现场总线隔离
复用的数据传输
计算机外设接口
·降噪在高速数字系统
隔离数据接口
逻辑电平转换
订购信息
模型
IL710
套餐类型
8 - PDIP 8 -SOIC
-2
-3
描述
该IL710是CMOS数字隔离器集成在一起NVE公司
专利* Isoloop
技术，这给IL710高速
性能和优异的瞬态抗扰度规范。该
对称磁耦合屏障给出了这样的装置的典型
只有10 ns传播延迟和的2纳秒的脉冲宽度失真
给予IL710任何隔离装置的最佳规格。该
IL710也有一个100波特的数据速率，使之成为世界上最快的
数字隔离器。该IL710非常适合用于分离这类
应用程序作为PROFIBUS ， RS - 485 ， RS-422等，可在
8引脚PDIP和8引脚SOIC封装，规定工作在
温度范围为-40 ° C至+ 100°C 。
IL710-2
一个8 - PDIP封装
IL710-3
一个8 - SOIC封装
IsoLoop
是NVE公司的注册商标。
*美国专利号5831426 ; 6300617及其他
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IL710
参数
储存温度
电源电压
输入电压
输入电压
输出电压
输出电流驱动
I
SO
L
OOP
绝对最大额定值
符号
T
S
T
A
V
DD
1,V
DD
2
V
I
V
OE
V
O
I
O
分钟。
-55
-55
-0.5
-0.5
-0.5
-0.5
马克斯。
175
125
7
V
DD
1+0.5
V
DD
2+0.5
V
DD
2+0.5
10
单位
o
C
o
工作环境温度
(1)
C
伏
伏
伏
伏
毫安
o
无铅焊锡温度（ 10秒）
ESD
260
2kV人体模型
C
推荐工作条件
参数
工作环境温度
电源电压
逻辑高输入电压
逻辑低输入电压
输入信号上升和下降时间
符号
T
A
V
DD
1,V
DD
2
V
IH
V
IL
t
IR
,t
IF
分钟。
-40
3.0
2.4
0
马克斯。
100
5.5
V
DD
1
0.8
1
单位
o
C
伏
伏
伏
微秒
绝缘规格
参数
屏障阻抗
爬电距离（外部）
漏电流
240 V
RMS
60Hz
条件
分钟。
7.036 (
PDIP
)
4.026 (
SOIC
)
0.2
典型值。
>10
14
||3
马克斯。
单位
||
pF
mm
μAMPS
封装特性
参数
电容（输入输出）
(5)
热阻
(
PDIP
)
(
SOIC
)
封装功耗
符号
C
I
-
O
θ
JCT
θ
JCT
P
PD
分钟。
典型值。
1.1
150
240
150
马克斯。
单位
pF
o
C / W
o
测试条件
F = 1MHz的
热电偶位于
封装底面中心
C / W
mW
IEC61010-1
TUV证书编号：
分类如表1所示。
模型
IL710-2
IL710-3
污染
度
II
II
材料
组
III
III
最大工作
电压
300 V
RMS
150 V
RMS
套餐类型
8–PDIP
8–SOIC
'
'
B 01 07 44230 001 （ PDIP ）
B 01 07 44230 002 （ SOIC ）
UL 1577
组件识别程序。文件＃ E207481
额定2500Vrms的1分钟。
2
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IL710
电气规格
电气规格均TMIN至TMAX ，除非另有说明。
参数
符号
3.3伏Specifiations
DC特定网络阳离子
分钟。
典型值。马克斯。
输入静态电源电流
I
DD
1
4.5
7
输出静态电源电流
I
DD
2
2.2
3.3
逻辑输入电流
逻辑高输出电压
逻辑低输出电压
交换特定网络阳离子
MaximumData率
脉冲宽度
传播延迟
输入到输出（高到低）
传播延迟
输入到输出（从低到高）
传播延迟启用到输出
（高到高阻抗）
传播延迟启用到输出
（从低到高阻抗）
传播延迟启用到输出
（高阻抗高）
传播延迟启用到输出
（高阻抗低）
脉冲宽度失真
(2)
传播延迟偏斜
(3)
输出上升时间（ 10-90 ％ ）
输出下降时间（ 10-90 ％ ）
共模瞬变
免疫力（输出逻辑高电平或
逻辑低）
(4)
PW
t
PHL
t
PLH
t
PHZ
t
PLZ
t
PZH
t
PZL
t
PSK
t
R
t
F
| CMH |
20
| CML |
30
20
30
KV / μs的
VCM = 300V
I
I
V
OH
V
OL
-10
10
V
DD
2-0.1 V
DD
2
0.8*V
DD
2
V
DD
2-0.5
0
0.1
0.5
0.8
100
10
12
12
3
3
3
3
2
4
2
2
18
18
5
5
5
5
3
6
4
4
110
其它5伏特规格
分钟。
典型值。
马克斯。
6
10
4
-10
V
DD
2-0.1 V
DD
2
0.8*V
DD
2 V
DD
2-0.5
0
0.5
100
10
10
10
3
3
3
3
2
4
1
1
15
15
5
5
5
5
3
6
3
3
110
0.1
0.8
5
10
单位
A
mA
A
V
V
测试条件
I
SO
L
OOP
I
O
=-20
A,
V
I
=V
IH
I = -4毫安，V = V
O
I
IH
I
O
= 20
A,
V
I
=V
IL
我= 4毫安， V = V
O
I
IL
兆位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
C
L
= 15 pF的
C
L
= 15 pF的
C
L
= 15 pF的
C
L
= 15 pF的
C
L
= 15 pF的
C
L
= 15 pF的
C
L
= 15 pF的
C
L
= 15 pF的
C
L
= 15 pF的
C
L
= 15 pF的
引脚连接
1
2
3
4
5
6
7
8
V
DD
1
V
I
NC
GND1
GND2
V
O
V
OE
V
DD
2
输入电源
逻辑输入信号
无内部连接
输入电源地
输出电源地
输出逻辑信号
逻辑输出使能*
输出电源
V
DD1
1
H
8 V
DD2
V
I
2
7 V
OE
NC
3
隔离
屏障
6 V
O
*保持低电平内部
GND
1
4
5 GND
2
3
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赫斯特绿色， Oxted ，萨里RH8 9AX英国
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传真： +44 （ 0 ） 870 241 2255
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IL710
注意事项：
I
SO
L
OOP
报名须知：
耗电量
IsoLoop
设备实现从低功耗
由它们跨越隔离传输数据的方式
屏障。通过检测输入逻辑的边缘过渡
信号和将这些窄电流脉冲
磁场绕GMR惠斯登创建
桥梁。取决于磁场的方向，
桥使输出比较来切换以下
输入逻辑信号。因为电流脉冲是窄的，
大约为2.5ns宽，功耗是独立的
马克 - 空比，完全取决于频率。这
拥有超过光耦合器，其功率优势明显
耗在很大程度上依赖于它的导通状态和
频率。
每个信道的功率近似为电源电流
IsoLoop
是：
I（输入）= 40 。 F。 1毫安
FMAX
4
哪里
F =工作频率
的fmax = 50 MHz的
电源
我们建议低ESR陶瓷电容是
用于分离的耗材。 10nF的电容应
置于尽可能靠近器件尽可能V之间
DD
1
和GND1 ，以及V之间
DD
2
和GND2 。
在启动信号状态和关机
为了最小化功耗，在输入信号上的
IL710被微分，并锁存输出侧
隔离屏障的重建信号。这可能
导致模糊的输出状态取决于电时，
关机和功率损耗测序。因此，该
设计者应考虑列入一个初始化
信号在其启动电路。
静电放电敏感度
本产品已经过测试，静电敏感度
该限制在规格说明。然而， NVE
建议所有集成电路与处理
适当的照顾，以避免损坏。造成损害的，
处理不当或储存范围可以从
性能下降，完成故障。
1.绝对最大环境工作温度的手段
如果在这些操作的设备将不会受到损坏
条件。它并不能保证性能。
2. PWD定义为|吨
PHL
- t
PLH
| 。 ％ PWD等于
PWD除以脉冲宽度。
3. t
PSK
等于最坏情况差的大小
t
PHL
和/或叔
PLH
将单位之间在25可见
O
C.
4. CM
H
是最大的共模电压的变化率即
可以持续，同时保持V
O
> 0.8 V
DD
2
。厘米
L
is
的最大共模输入电压，可以是
持续的同时保持V
O
< 0.8 V的共模
压摆率适用于上升和下降共同
模电压的边缘。
5.设备被认为是两个终端设备：
针脚1-4短接针脚5-8短接。
4
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时序图
传说
50%
I
SO
L
OOP
V
IN
t
PLH
t
PHL
90%
t
90%
PZL
t
50%
PLZ
V
O
t
PW
t
t
PZH
PHZ
10%
10%
t
F
t
R
V
OE
t
PLH
t
PHL
t
PW
t
PLZ
t
PZH
t
PHZ
t
PZL
t
R
t
F
传输延迟，从低到高
传输延时，高至低
最小脉冲宽度
传输延迟，从低到高阻抗
传输延迟，高阻抗高
传输延迟，高为高阻抗
传输延迟，高阻抗低
上升时间
下降时间
红外线焊接简介
250
PRE升温速率3℃ + 1℃ /-0.5C /秒。
流加热速率2.5
±
0.5℃ /秒。
峰值温度245
最高温度240℃
最高温度230C
200 C
200
温度（ C）
2.5C
±0.5C
/秒
160C
150C
140C
3C+1C /-0.5C
30秒
30秒
焊接时间
200C
100
预加热时间
150C, 90
±30
美国证券交易委员会。
50秒
紧
典型
房间
温度
LOOSE
0
0
50
100
时间（秒）
150
200
250
5
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