IL55B / 56B / MOC8021
威世半导体
光电耦合器，光电复合输出，高增益
特点
高集电极 - 发射极击穿电压，80V
最低
高绝缘电阻， 10
11
典型
标准塑料DIP封装
为改进的COM没有相应的终端连接
共模接口抗扰度
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
A
C
NC
1
2
3
6 NC
5 C
4 E
i179013
e3
Pb
无铅
机构认证
UL1577 ，文件号E52744系统代码H或按J ，
双重保护
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
用于替代芦苇水银继电器与研华
寿命长，高速交换和elimina-的产品关键词
化磁场。
订购信息
部分
IL55B
IL56B
MOC8021
IL55B-X006
IL55B-X009
IL55B-X007
备注
CTR > 500 ％ ， DIP - 6
CTR > 1000 ％ ， DIP - 6
CTR > 1000 ％ ， DIP - 6
CTR > 500 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR > 500 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR > 500 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
描述
该IL5xB和MOC8021光学耦合间隔离
器与一个砷化镓红外发光二极管和硅
光电复合传感器。开关可以实现
同时保持之间的高度隔离
驾驶与负载电路。这些光电耦合器可以
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
峰值反向电压
正向连续电流
功耗
从55°C线性降额
测试条件
符号
V
R
I
F
P
DISS
价值
3.0
60
100
1.33
单位
V
mA
mW
毫瓦/°C的
文档编号83637
修订版1.5 ， 10月26日04
www.vishay.com
1
IL55B / 56B / MOC8021
威世半导体
产量
参数
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 集电极击穿
电压
收集器（负载）电流
功耗
从25° C减免线性
测试条件
符号
BV
首席执行官
BV
ECO
I
C
P
DISS
价值
80
5.0
125
150
2.0
单位
V
V
mA
mW
毫瓦/°C的
耦合器
参数
总功耗
从25° C减免线性
隔离测试电压（间
发射器和检测器被称为
气候标准
23 ℃/ 50 ％ RH ， DIN 50014 ）
爬电距离
净空
跟踪性， III组
（ KC > 600元VDE 110 § 6 ，
表3和DIN 54380 / VDE
0330 ，第1部分
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
储存温度
工作温度
铅焊接时间在260℃
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
SLD
10
12
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
10
°C
°C
美国证券交易委员会。
V
ISO
测试条件
符号
P
合计
价值
250
3.3
5300
单位
mW
毫瓦/°C的
V
RMS
≥
7
≥
7
mm
mm
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
反向电流
电容
测试条件
I
F
= 50毫安
V
R
= 3.0 V
V
R
= 0 V
符号
V
F
I
R
C
O
民
典型值。
1.25
0.1
25
最大
1.5
10
单位
V
A
pF
产量
参数
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 集电极击穿
电压
集电极 - 射极漏泄
当前
测试条件
I
C
= 1.0毫安，我
F
= 0
I
E
= 100
A,
I
F
= 0
V
CE
= 60 V
符号
BV
首席执行官
BV
ECO
I
首席执行官
民
80
5.0
10
1.0
典型值。
最大
单位
V
V
A
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修订版1.5 ， 10月26日04
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威世半导体
光电耦合器，光电复合输出，高增益
特点
高集电极 - 发射极击穿电压，80V
最低
高绝缘电阻， 10
11
典型
标准塑料DIP封装
为改进的COM没有相应的终端连接
共模接口抗扰度
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
A
C
NC
1
2
3
6 NC
5 C
4 E
i179013
e3
Pb
无铅
机构认证
UL1577 ，文件号E52744系统代码H或按J ，
双重保护
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
用于替代芦苇水银继电器与研华
寿命长，高速交换和elimina-的产品关键词
化磁场。
订购信息
部分
IL55B
IL56B
MOC8021
IL55B-X006
IL55B-X009
IL55B-X007
备注
CTR > 500 ％ ， DIP - 6
CTR > 1000 ％ ， DIP - 6
CTR > 1000 ％ ， DIP - 6
CTR > 500 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR > 500 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR > 500 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
描述
该IL5xB和MOC8021光学耦合间隔离
器与一个砷化镓红外发光二极管和硅
光电复合传感器。开关可以实现
同时保持之间的高度隔离
驾驶与负载电路。这些光电耦合器可以
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
峰值反向电压
正向连续电流
功耗
从55°C线性降额
测试条件
符号
V
R
I
F
P
DISS
价值
3.0
60
100
1.33
单位
V
mA
mW
毫瓦/°C的
文档编号83637
修订版1.5 ， 10月26日04
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威世半导体
产量
参数
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 集电极击穿
电压
收集器（负载）电流
功耗
从25° C减免线性
测试条件
符号
BV
首席执行官
BV
ECO
I
C
P
DISS
价值
80
5.0
125
150
2.0
单位
V
V
mA
mW
毫瓦/°C的
耦合器
参数
总功耗
从25° C减免线性
隔离测试电压（间
发射器和检测器被称为
气候标准
23 ℃/ 50 ％ RH ， DIN 50014 ）
爬电距离
净空
跟踪性， III组
（ KC > 600元VDE 110 § 6 ，
表3和DIN 54380 / VDE
0330 ，第1部分
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
储存温度
工作温度
铅焊接时间在260℃
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
SLD
10
12
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
10
°C
°C
美国证券交易委员会。
V
ISO
测试条件
符号
P
合计
价值
250
3.3
5300
单位
mW
毫瓦/°C的
V
RMS
≥
7
≥
7
mm
mm
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
反向电流
电容
测试条件
I
F
= 50毫安
V
R
= 3.0 V
V
R
= 0 V
符号
V
F
I
R
C
O
民
典型值。
1.25
0.1
25
最大
1.5
10
单位
V
A
pF
产量
参数
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 集电极击穿
电压
集电极 - 射极漏泄
当前
测试条件
I
C
= 1.0毫安，我
F
= 0
I
E
= 100
A,
I
F
= 0
V
CE
= 60 V
符号
BV
首席执行官
BV
ECO
I
首席执行官
民
80
5.0
10
1.0
典型值。
最大
单位
V
V
A
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2
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威世半导体
光电耦合器，光电复合输出，高增益
特点
高集电极 - 发射极击穿电压，80V
最低
高绝缘电阻， 10
11
典型
标准塑料DIP封装
为改进的COM没有相应的终端连接
共模接口抗扰度
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
A
C
NC
1
2
3
6 NC
5 C
4 E
i179013
e3
Pb
无铅
机构认证
UL1577 ，文件号E52744系统代码H或按J ，
双重保护
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
用于替代芦苇水银继电器与研华
寿命长，高速交换和elimina-的产品关键词
化磁场。
订购信息
部分
IL55B
IL56B
MOC8021
IL55B-X006
IL55B-X009
IL55B-X007
备注
CTR > 500 ％ ， DIP - 6
CTR > 1000 ％ ， DIP - 6
CTR > 1000 ％ ， DIP - 6
CTR > 500 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR > 500 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR > 500 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
描述
该IL5xB和MOC8021光学耦合间隔离
器与一个砷化镓红外发光二极管和硅
光电复合传感器。开关可以实现
同时保持之间的高度隔离
驾驶与负载电路。这些光电耦合器可以
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
峰值反向电压
正向连续电流
功耗
从55°C线性降额
测试条件
符号
V
R
I
F
P
DISS
价值
3.0
60
100
1.33
单位
V
mA
mW
毫瓦/°C的
文档编号83637
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威世半导体
产量
参数
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 集电极击穿
电压
收集器（负载）电流
功耗
从25° C减免线性
测试条件
符号
BV
首席执行官
BV
ECO
I
C
P
DISS
价值
80
5.0
125
150
2.0
单位
V
V
mA
mW
毫瓦/°C的
耦合器
参数
总功耗
从25° C减免线性
隔离测试电压（间
发射器和检测器被称为
气候标准
23 ℃/ 50 ％ RH ， DIN 50014 ）
爬电距离
净空
跟踪性， III组
（ KC > 600元VDE 110 § 6 ，
表3和DIN 54380 / VDE
0330 ，第1部分
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
储存温度
工作温度
铅焊接时间在260℃
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
SLD
10
12
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
10
°C
°C
美国证券交易委员会。
V
ISO
测试条件
符号
P
合计
价值
250
3.3
5300
单位
mW
毫瓦/°C的
V
RMS
≥
7
≥
7
mm
mm
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
反向电流
电容
测试条件
I
F
= 50毫安
V
R
= 3.0 V
V
R
= 0 V
符号
V
F
I
R
C
O
民
典型值。
1.25
0.1
25
最大
1.5
10
单位
V
A
pF
产量
参数
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 集电极击穿
电压
集电极 - 射极漏泄
当前
测试条件
I
C
= 1.0毫安，我
F
= 0
I
E
= 100
A,
I
F
= 0
V
CE
= 60 V
符号
BV
首席执行官
BV
ECO
I
首席执行官
民
80
5.0
10
1.0
典型值。
最大
单位
V
V
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