日前，Vishay
IL440
威世半导体
光电耦合器，光敏可控硅输出，低输入电流
特点
400和600V阻断电压
5.0毫安最大触发电流
绝缘测试电压， 5300 V
RMS
，T = 1.0秒。
每UL94绝缘材料
引脚兼容光电耦合器
IL440-1 MOC 3051
IL440-2 MOC 3052
IL440-3 MOC3053
IL440-4 MOC 3021
IL440-5 MOC 3022
IL440-6 MOC 3023
A 1
C 2
NC 3
6 MT2
5 NC
4 MT1
i179035
e3
Pb
无铅
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
订购信息
部分
IL440-1
IL440-2
IL440-3
IL440-4
IL440-5
IL440-6
IL440-1X009
IL440-2X006
IL440-3X007
IL440-3X009
IL440-4X007
IL440-4X009
IL440-5X006
备注
15毫安我
FT
, 600 V V
DRM
， DIP - 6
10毫安我
FT
, 600 V V
DRM
， DIP - 6
5.0毫安我
FT
, 600 V V
DRM
， DIP - 6
15毫安我
FT
, 400 V V
DRM
， DIP - 6
10毫安我
FT
, 400 V V
DRM
， DIP - 6
5.0毫安我
FT
, 400 V V
DRM
， DIP - 6
15毫安我
FT
, 600 V V
DRM
， SMD - 6 （选件9 ）
10毫安我
FT
, 600 V V
DRM
， DIP - 6 400万
（选项6 ）
5.0毫安我
FT
, 600 V V
DRM
， SMD - 6 （选项7 ）
5.0毫安我
FT
, 600 V V
DRM
， SMD - 6 （选件9 ）
15毫安我
FT
, 400 V V
DRM
， SMD - 6 （选项7 ）
15毫安我
FT
, 400 V V
DRM
， SMD - 6 （选件9 ）
10毫安我
FT
, 400 V V
DRM
， DIP - 6 400万
（选项6 ）
10毫安我
FT
, 400 V V
DRM
， SMD - 6 （选件9 ）
5.0毫安我
FT
, 400 V V
DRM
， DIP - 6 400万
（选项6 ）
5.0毫安我
FT
, 400 V V
DRM
， SMD - 6 （选项7 ）
5.0毫安我
FT
, 400 V V
DRM
， SMD - 6 （选件9 ）
机构认证
UL1577 ，文件号E52744系统代码H或按J ，
双重保护
CSA 93751
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
BABT / BSI IEC60950 IEC60065
应用
大电流可控硅驱动器
固态继电器
开关小型交流负载
描述
该IL440由砷化镓红外发射器的opti-
美云耦合到一个硅平面双向可控硅芯片与非
零交叉网络。这两个半导体是
组装在一个6脚双列直插式塑料封装。该
输出检测器IL440-1 ，2，3是能够堵塞的
到600伏，允许离线电压控制
高达240 VAC 。该IL440能够处理电流高达
百毫安RMS 。
IL440-5X009
IL440-6X006
IL440-6X007
IL440-6X009
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
文档编号83631
修订版1.5 ， 10月26日04
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1
IL440
威世半导体
日前，Vishay
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
正向电流
浪涌电流
功耗
结温
P.W. < 10
s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
T
j
价值
5.0
60
3.0
100
100
单位
V
mA
A
mW
°C
产量
参数
峰值断态电压
测试条件
部分
IL440-1
IL440-2
IL440-3
IL440-4
IL440-5
IL440-6
开启状态RMS电流
峰值浪涌电流
峰值通态电流
功耗
结温
t
p
≤
10毫秒
t
p
/T = 0.01
≤
100
s
符号
V
DRM
V
DRM
V
DRM
V
DRM
V
DRM
V
DRM
I
D（ RMS）
I
FSM
I
DRM
P
DISS
T
j
价值
600
600
600
400
400
400
100
1.2
2.0
300
125
单位
V
V
V
V
V
V
mA
A
A
mW
°C
耦合器
参数
隔离电压， 1.0秒，每
气候标准23°C / 50 ％
RH ， DIN 50014
爬电距离
净空
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
总功耗
存储温度范围
环境温度
结温
引线焊接温度
2.0毫米的情况下，T < 10秒
R
IO
R
IO
P
合计
T
英镑
T
AMB
T
j
T
SLD
测试条件
符号
V
ISO
价值
5300
单位
V
RMS
≥
7.0
≥
7.0
≥
10
12
≥
10
11
330
- 55至+ 125
- 40至+ 100
100
260
mm
mm
mW
°C
°C
°C
°C
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2
文档编号83631
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日前，Vishay
电气特性
IL440
威世半导体
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
反向电压
结电容
测试条件
I
F
= 50毫安
I
R
= 10
A
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
V
F
V
R
C
j
5.0
50
民
典型值。
1.25
最大
单位
V
V
pF
产量
关闭状态输出端电压（见表1 ）
参数
峰值通态电压
崛起的断态临界速率
电压
测试条件
I
TM
= 100毫安，我
FT
= 30毫安
I
F
= 0, V
S
= 240 V
RMS
I
F
= 30 mA时， V
S
= 60 V
RMS
符号
V
TM
dV
cr
/ DT
dV
CRQ
/ DT
0.13
民
典型值。
1.5
50
0.25
最大
3.0
单位
V
V / μs的
V / μs的
I
FT
和阻断电压选择
1)
BIN号
IL440-1
IL440-2
IL440-3
IL440-4
IL440-5
IL440-6
1)
BV （伏特）最大@我
DRM
±500 nA的
600
600
600
400
400
400
I
FT
最大@ V
T
= 6 V ，R
L
=150
15
10
5.0
15
10
5.0
测试电压必须在0.13伏/微秒的dV / dt额定值应用。
耦合器
参数
保持电流
测试条件
I
F
≥
10毫安，V
S
≥
3.0 V
符号
I
H
民
典型值。
1.0
最大
单位
mA
最高安全评级
（根据DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ） / DIN EN 60747-5-5申请中）见图1
这个光电耦合器适用于仅在安全等级安全的电气隔离。
遵守安全评级，由适当的保护电路来保证。
输入
用于防护隔离设备agains最高安全评级中触电。这必须通过保护性保证
电路中的应用。
参数
正向电压
测试条件
符号
I
S， INPUT
民
典型值。
最大
130
单位
mA
产量
参数
功耗
测试条件
符号
P
S，输出
民
典型值。
最大
300
单位
mW
文档编号83631
修订版1.5 ， 10月26日04
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3
日前，Vishay
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
IL440
威世半导体
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售的业绩和
operatingsystems相对于它们的健康和员工的安全和公众的影响，如
以及它们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前，Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策，以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
日前，Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 67 7131 2423
文档编号83631
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5
日前，Vishay
IL440
威世半导体
光电耦合器，光敏可控硅输出，低输入电流
特点
400和600V阻断电压
5.0毫安最大触发电流
绝缘测试电压， 5300 V
RMS
，T = 1.0秒。
每UL94绝缘材料
引脚兼容光电耦合器
IL440-1 MOC 3051
IL440-2 MOC 3052
IL440-3 MOC3053
IL440-4 MOC 3021
IL440-5 MOC 3022
IL440-6 MOC 3023
A 1
C 2
NC 3
6 MT2
5 NC
4 MT1
i179035
e3
Pb
无铅
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
订购信息
部分
IL440-1
IL440-2
IL440-3
IL440-4
IL440-5
IL440-6
IL440-1X009
IL440-2X006
IL440-3X007
IL440-3X009
IL440-4X007
IL440-4X009
IL440-5X006
备注
15毫安我
FT
, 600 V V
DRM
， DIP - 6
10毫安我
FT
, 600 V V
DRM
， DIP - 6
5.0毫安我
FT
, 600 V V
DRM
， DIP - 6
15毫安我
FT
, 400 V V
DRM
， DIP - 6
10毫安我
FT
, 400 V V
DRM
， DIP - 6
5.0毫安我
FT
, 400 V V
DRM
， DIP - 6
15毫安我
FT
, 600 V V
DRM
， SMD - 6 （选件9 ）
10毫安我
FT
, 600 V V
DRM
， DIP - 6 400万
（选项6 ）
5.0毫安我
FT
, 600 V V
DRM
， SMD - 6 （选项7 ）
5.0毫安我
FT
, 600 V V
DRM
， SMD - 6 （选件9 ）
15毫安我
FT
, 400 V V
DRM
， SMD - 6 （选项7 ）
15毫安我
FT
, 400 V V
DRM
， SMD - 6 （选件9 ）
10毫安我
FT
, 400 V V
DRM
， DIP - 6 400万
（选项6 ）
10毫安我
FT
, 400 V V
DRM
， SMD - 6 （选件9 ）
5.0毫安我
FT
, 400 V V
DRM
， DIP - 6 400万
（选项6 ）
5.0毫安我
FT
, 400 V V
DRM
， SMD - 6 （选项7 ）
5.0毫安我
FT
, 400 V V
DRM
， SMD - 6 （选件9 ）
机构认证
UL1577 ，文件号E52744系统代码H或按J ，
双重保护
CSA 93751
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
BABT / BSI IEC60950 IEC60065
应用
大电流可控硅驱动器
固态继电器
开关小型交流负载
描述
该IL440由砷化镓红外发射器的opti-
美云耦合到一个硅平面双向可控硅芯片与非
零交叉网络。这两个半导体是
组装在一个6脚双列直插式塑料封装。该
输出检测器IL440-1 ，2，3是能够堵塞的
到600伏，允许离线电压控制
高达240 VAC 。该IL440能够处理电流高达
百毫安RMS 。
IL440-5X009
IL440-6X006
IL440-6X007
IL440-6X009
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
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1
IL440
威世半导体
日前，Vishay
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
正向电流
浪涌电流
功耗
结温
P.W. < 10
s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
T
j
价值
5.0
60
3.0
100
100
单位
V
mA
A
mW
°C
产量
参数
峰值断态电压
测试条件
部分
IL440-1
IL440-2
IL440-3
IL440-4
IL440-5
IL440-6
开启状态RMS电流
峰值浪涌电流
峰值通态电流
功耗
结温
t
p
≤
10毫秒
t
p
/T = 0.01
≤
100
s
符号
V
DRM
V
DRM
V
DRM
V
DRM
V
DRM
V
DRM
I
D（ RMS）
I
FSM
I
DRM
P
DISS
T
j
价值
600
600
600
400
400
400
100
1.2
2.0
300
125
单位
V
V
V
V
V
V
mA
A
A
mW
°C
耦合器
参数
隔离电压， 1.0秒，每
气候标准23°C / 50 ％
RH ， DIN 50014
爬电距离
净空
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
总功耗
存储温度范围
环境温度
结温
引线焊接温度
2.0毫米的情况下，T < 10秒
R
IO
R
IO
P
合计
T
英镑
T
AMB
T
j
T
SLD
测试条件
符号
V
ISO
价值
5300
单位
V
RMS
≥
7.0
≥
7.0
≥
10
12
≥
10
11
330
- 55至+ 125
- 40至+ 100
100
260
mm
mm
mW
°C
°C
°C
°C
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2
文档编号83631
修订版1.5 ， 10月26日04
日前，Vishay
电气特性
IL440
威世半导体
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
反向电压
结电容
测试条件
I
F
= 50毫安
I
R
= 10
A
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
V
F
V
R
C
j
5.0
50
民
典型值。
1.25
最大
单位
V
V
pF
产量
关闭状态输出端电压（见表1 ）
参数
峰值通态电压
崛起的断态临界速率
电压
测试条件
I
TM
= 100毫安，我
FT
= 30毫安
I
F
= 0, V
S
= 240 V
RMS
I
F
= 30 mA时， V
S
= 60 V
RMS
符号
V
TM
dV
cr
/ DT
dV
CRQ
/ DT
0.13
民
典型值。
1.5
50
0.25
最大
3.0
单位
V
V / μs的
V / μs的
I
FT
和阻断电压选择
1)
BIN号
IL440-1
IL440-2
IL440-3
IL440-4
IL440-5
IL440-6
1)
BV （伏特）最大@我
DRM
±500 nA的
600
600
600
400
400
400
I
FT
最大@ V
T
= 6 V ，R
L
=150
15
10
5.0
15
10
5.0
测试电压必须在0.13伏/微秒的dV / dt额定值应用。
耦合器
参数
保持电流
测试条件
I
F
≥
10毫安，V
S
≥
3.0 V
符号
I
H
民
典型值。
1.0
最大
单位
mA
最高安全评级
（根据DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ） / DIN EN 60747-5-5申请中）见图1
这个光电耦合器适用于仅在安全等级安全的电气隔离。
遵守安全评级，由适当的保护电路来保证。
输入
用于防护隔离设备agains最高安全评级中触电。这必须通过保护性保证
电路中的应用。
参数
正向电压
测试条件
符号
I
S， INPUT
民
典型值。
最大
130
单位
mA
产量
参数
功耗
测试条件
符号
P
S，输出
民
典型值。
最大
300
单位
mW
文档编号83631
修订版1.5 ， 10月26日04
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3
日前，Vishay
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
IL440
威世半导体
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售的业绩和
operatingsystems相对于它们的健康和员工的安全和公众的影响，如
以及它们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前，Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策，以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
日前，Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 67 7131 2423
文档编号83631
修订版1.5 ， 10月26日04
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5
QQ：2881677436 复制
