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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第113页 > IL31
IL30 / 31 /55 / ILD30 / 31 /55 / ILQ30 /五十五分之三十一
威世半导体
光电耦合器，光电复合输出（单，双，四通道
频道）
单通道
特点
125毫安负载电流额定值
快速上升时间， 10
s
快速的下降时间， 35
s
单，双和四通道
固态可靠性
标准DIP封装
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
A
C
NC
1
2
3
6 B
5 C
4 E
双通道
A
1
C
2
C
3
A
4
8
E
7
C
6
C
5
E
机构认证
UL1577 ，文件号E52744系统代码H或按J ，
双重保护
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
BSI IEC60950 IEC60065
FIMKO
四通道
A 1
C 2
C 3
A 4
A
C
C
5
6
7
16 E
15 C
14 C
13 E
12 E
11 C
10 C
9 E
A 8
描述
该IL30 / IL31 / IL55单， ILD30 / ILD31 / ILD55
双和ILQ30 / ILQ31 / ILQ55四是光学
加上隔离带砷化镓红外但排放
存器和硅光电复合传感器。开关
同时保持了高度的可达到
驱动和负载电路之间的隔离，以无
信道之间的串扰。这些光电耦合器可以
用来替换芦苇和水银继电器
寿命长，高速交换的优点和
消除磁场。
的IL30 / IL31 / IL55相当于MCA230 /
MCA231 / MCA255 。该ILD30 / ILD31 / ILD55是
旨在减少在高板空间要求
密度的应用。
i179011
e3
Pb
无铅
文档编号83621
修订版1.5 ， 10月26日04
www.vishay.com
1
IL30 / 31 /55 / ILD30 / 31 /55 / ILQ30 /五十五分之三十一
威世半导体
订购信息
部分
IL30
IL31
IL55
ILD30
ILD31
ILD55
ILQ30
ILQ31
ILQ55
IL55-X009
ILD30-X009
ILD31-X007
ILD31-X009
ILD55-X007
ILD55-X009
ILQ30-X009
ILQ55-X007
ILQ55-X009
备注
CTR > 100 ％ ，单通道DIP - 6
CTR > 200 ％ ，单通道DIP - 6
CTR > 100 ％ ，单通道DIP - 6
CTR > 100 ％ ，双通道DIP- 8
CTR > 200 ％ ，双通道DIP- 8
CTR > 100 ％ ，双通道DIP- 8
CTR > 100 ％ ，四通道DIP- 16
CTR > 200 ％ ，四通道DIP- 16
CTR > 100 ％ ，四通道DIP- 16
CTR > 100 ％ ，单通道SMD - 6 （选件9 ）
CTR > 100 ％ ，双通道SMD - 8 （选件9 ）
CTR > 200 ％ ，双通道SMD - 8 （选项7 ）
CTR > 200 ％ ，双通道SMD - 8 （选件9 ）
CTR > 100 ％ ，双通道SMD - 8 （选项7 ）
CTR > 100 ％ ，双通道SMD - 8 （选件9 ）
CTR > 100 ％ ，四通道SMD - 16 （可选9 ）
CTR > 100 ％ ，四通道SMD - 16 （选项7 ）
CTR > 100 ％ ，四通道SMD - 16 （可选9 ）
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
（每个通道）
参数
峰值反向电压
正向连续电流
功耗
从25° C减免线性
测试条件
符号
V
RM
I
F
P
DISS
价值
3.0
60
100
1.33
单位
V
mA
mW
毫瓦/°C的
产量
参数
集电极 - 发射极击穿电压
测试条件
部分
IL30
ILD30
ILQ30
IL55
ILD55
ILD55
符号
BV
首席执行官
BV
首席执行官
BV
首席执行官
BV
首席执行官
BV
首席执行官
BV
首席执行官
价值
30
30
30
55
55
55
单位
V
V
V
V
V
V
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2
文档编号83621
修订版1.5 ， 10月26日04
IL30 / 31 /55 / ILD30 / 31 /55 / ILQ30 /五十五分之三十一
威世半导体
参数
收集器（负载）电流
功耗
从25° C减免线性
测试条件
部分
符号
I
C
P
DISS
价值
125
150
2.0
单位
mA
mW
毫瓦/°C的
耦合器
参数
总计封装功耗
测试条件
部分
IL30
IL31
IL55
ILD30
ILD31
ILD55
ILQ30
ILQ31
ILQ55
从25° C减免线性
IL30
IL31
IL55
ILD30
ILD31
ILD55
ILQ30
ILQ31
ILQ55
绝缘测试电压
爬电距离
净空
漏电起痕指数
储存温度
工作温度
铅焊接时间在260℃
T
英镑
T
AMB
V
ISO
符号
P
合计
P
合计
P
合计
P
合计
P
合计
P
合计
P
合计
P
合计
P
合计
价值
250
250
250
400
400
400
500
500
500
3.3
3.3
3.3
5.33
5.33
5.33
6.67
6.67
6.67
5300
≥
7.0
≥
7.0
175
- 55至+ 125
- 55至+ 100
10
°C
°C
美国证券交易委员会。
单位
mW
mW
mW
mW
mW
mW
mW
mW
mW
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
V
RMS
mm
mm
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
砷化镓发射器（每通道）
参数
正向电压
反向电流
电容
测试条件
I
F
= 20毫安
V
R
= 3.0 V
V
R
= 0 V
符号
V
F
I
R
C
O
民
典型值。
1.25
0.1
25
最大
1.5
10
单位
V
A
pF
文档编号83621
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IL30 / 31 /55 / ILD30 / 31 /55 / ILQ30 /五十五分之三十一
威世半导体
产量
每通道
参数
集电极 - 发射极击穿
电压
集电极 - 射极漏泄
当前
集电极 - 发射极电容
测试条件
I
C
= 100
A
V
CE
= 10 V，I
F
= 0
V
CE
= 10 V ， F = 1.0 MHz的
符号
BV
首席执行官
I
首席执行官
C
CE
民
30/55
1.0
3.4
100
典型值。
最大
单位
V
nA
pF
耦合器
参数
集电极 - 发射极饱和
电压
绝缘测试电压
绝缘电阻
电容（输入输出）
R
IO
C
IO
测试条件
I
C
= 50 mA时，我
F
= 50毫安
符号
V
CESAT
5300
10
12
0.5
民
典型值。
0.9
最大
1.0
单位
V
V
RMS
pF
电流传输比
参数
电流传输比
测试条件
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 5.0 V
部分
IL30
IL55
ILD30
ILD55
ILQ30
ILQ55
IL31
ILD31
ILQ31
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
民
100
100
100
100
100
100
200
200
200
典型值。
400
400
400
400
400
400
400
400
400
最大
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
%
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4
文档编号83621
修订版1.5 ， 10月26日04
IL30 / 31 /55 / ILD30 / 31 /55 / ILQ30 /五十五分之三十一
威世半导体
开关特性
参数
上升时间
下降时间
测试条件
V
CC
= 13.5 V，I
F
= 50毫安，R
L
= 100
V
CC
= 13.5 V，I
F
= 50毫安，R
L
= 100
符号
t
r
t
f
民
典型值。
10
35
最大
单位
s
s
典型特性（环境温度Tamb = 25
°C
除非另有规定编）
1.4
VF - 正向电压 - V
10
TA = -55°C
尼斯 - 归一冰
标准化为：
IF = 10毫安
VCE = 5 V
VCE = 5 V
1. 3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
.1
1
TA = 25°C
VCE = 1V
.1
TA = 85°C
.01
1
10
IF - 正向电流 - 毫安
100
iil30_03
.001
.1
10
1
IF - LED电流 - 毫安
100
iil30_01
图1.正向电压与正向电流
图3.归非饱和与饱和集电极
发射极电流与LED电流
1.2
NCTRce - 归CTRce
标准化为：
NICB - 归ICB
10
标准化为：
VCB = 3.5 V
1
IF = 10毫安
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
VCE = 5 V
IF = 10毫安
VCE = 5 V
.1
.01
VCE = 1V
0.0
.1
1
10
100
1000
.001
.1
iil30_04
IF - LED电流 - 毫安
iil30_02
1
10
IF - LED电流 - 毫安
100
图2.归非饱和与饱和CTR
CE
与
LED电流
图4.归集电极基光电流与LED
当前
文档编号83621
修订版1.5 ， 10月26日04
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5
单通道
双通道
特点
电流传输比
IL / ILD / ILQ30 / 55 ， 100 ％以上。
IL / ILD / ILQ31 ， 200 ％以上。
125毫安负载电流额定值
快速上升时间， 10
S
快速下降时间， 35
S
单，双和四通道
固态可靠性
标准DIP封装
美国保险商实验室文件＃ E52744
V
VDE 0884可通过选项1
D E
IL30/31/55
ILD30/31/55
四通道
ILQ30/31/55
光电复合光耦
尺寸以英寸（毫米）
单通道
3
.248 (6.30)
.256 (6.50)
4
5
6
2
1
脚一内径
阳极1
阴极2
NC 3
6 NC
5收藏家
4发射器
.335 (8.50)
.343 (8.70)
.039
(1.00)
分钟。
4°
典型值。
.018 (0.45)
.022 (0.55)
.300 (7.62)
典型值。
.130 (3.30)
.150 (3.81)
18 ° （典型值） 。
0.020 （ 0.051 ）分钟。
.031 (0.80)
.035 (0.90)
.100 （ 2.54 ） （典型值） 。
.010 (.25)
.014 (.35)
.300 (7.62)
.347 (8.82)
.110 (2.79)
.150 (3.81)
描述
该IL30 / 31/ 55 ILD30 / 31/ 55和ILQ30 / 31 / 55顷
光耦合隔离王氏砷化镓
红外发射器和硅光电复合森
感器。切换可以在保持可实现
驱动和之间的高度隔离
加载电路，与信道之间没有串扰。
这些光电耦合器可以被用来代替簧片
和水银继电器，寿命长的优点，
高速交换和消除磁
网络视场。
该Il30 / 55分之31相当于MCA230 / MCA231 /
MCA255 。在ILD30 / 55分之31重新设计，以减少
在高密度应用的电路板空间要求
系统蒸发散。
最大额定值
辐射源
（每个通道）
峰值反向电压........................................ 3 V
连续正向电流......................... 60毫安
25功耗
°
......................... 100毫瓦
25线性降额
°
................... 1.33毫瓦/
°
C
探测器
（每个通道）
集电极 - 发射极击穿电压
IL / D / Q30 ............................................. .......... 30 V
IL / D / Q55 ............................................. .......... 55 V
收集器（负载）电流............................. 125毫安
25功耗
°
C环境........... 150毫瓦
25线性降额
°
..................... 2.0毫瓦/
°
C
包
在总共25封装功耗
°
C
IL30 /五十五分之三十一............................................. ... 250毫瓦
ILD30 /五十五分之三十一............................................. 400毫瓦
ILQ30 /五十五分之三十一............................................. 500毫瓦
25线性降额
°
C
IL30 /五十五分之三十一............................................ 3.3毫瓦/
°
C
ILD30 /五十五分之三十一....................................... 5.33毫瓦/
°
C
ILQ30 /五十五分之三十一....................................... 6.67毫瓦/
°
C
隔离测试电压........................ 5300 VAC
RMS
爬电................................................ 7 mm最小。
间隙............................................... 7毫米分钟。
漏电起痕指数............................. 175
存储温度-55 ...................
°
C至+ 125
°
C
工作温度-55 ................
°
C至+100
°
C
铅焊接时间在260
°
.................... 10秒。
双通道
4
.255 (6.48)
.268 (6.81)
5
6
7
8
3
2
1
脚一内径
阳极1
阴极2
阴极3
阳极4
8发射器
7收藏家
6收藏家
5发射
.379 (9.63)
.390 (9.91)
.030 (.76)
.045 (1.14)
.130 (3.30
.150 (3.81)
0.305 （典型值） 。
（ 7.75 ） （典型值） 。
4°
典型值。
.018 (.46)
.022 (.56)
.030 (.76 )
.040 (1.02)
.100 （ 2.54 ） （典型值） 。
3°–9°
10
°
典型值。
.008 (.20)
.012 (.30)
.115 (2.92)
.135 (3.43)
四通道
阳极1
针
1阴极2
内径阴极3
阳极4
阳极
9
10
11
12
13
14
15
16
5
16发射器
15收藏家
14收藏家
13发射器
12发射器
11收藏家
10收藏家
9发射
8
.240 (6.10)
.260 (6.60)
7
6
5
4
3
2
1
阴极6
阴极7
阳极8
.300 (7.62)
典型值。
.130 (3.30)
.150 (3.81)
.780 (19.81)
.800 (20.32)
.040 (1.02)
.050 (1.27)
.280 (7.11)
.330 (8.38)
.014
(.35)
典型值。
.033 (.84)
典型值。
.048 (1.22)
.052 (1.32)
.034 (.86)
.016 (.41)
.020 (.51)
.020 (.51)
.030 (.76)
.0255 (.65)
典型值。
.100 （ 2.54 ） （典型值） 。
.130 (3.30)
.150 (3.81)
3 ° 9 °
.008 (.20)
.012 (.31)
5–1
电气特性
(T
A
=25
°
C)
符号
砷化镓发射器（每通道）
正向电压
反向电流
电容
检测器（每通道）
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极漏电流
集电极 - 发射极电容
包
电流传输比
IL/D/Q30/55
IL/D/Q31
集电极 - 发射极饱和电压
绝缘测试电压
绝缘电阻
耦合电容
上升时间
下降时间
R
ISOL
C
ISOL
t
R
t
F
CTR
100
200
V
CESAT
5300
10
12
0.5
10
35
400
400
0.9
1.0
%
%
V
VAC
RM
S
分钟。
典型值。
最大..
单位
条件
V
F
I
R
C
O
1.25
0.1
25
1.5
10
V
A
pF
I
F
= 20毫安
V
R
=3.0 V
V
R
=0 V
I
C
=100
A
V
CE
= 10 V，I
F
=0
V
CE
= 10 V ， F = 1兆赫
BV
首席执行官
I
首席执行官
C
CE
30/55
1.0
3.4
100
V
nA
pF
I
F
= 10 mA时， V
CE
=5 V
I
F
= 10 mA时， V
CE
=5 V
I
C
= 50 mA时，我
F
-50毫安
W
pF
s
s
V
CC
= 13.5 V，I
F
-50毫安，
R
L
=100
图1.正向电压与正向电流
1.4
图3归一化不饱和和饱和
集电极 - 发射极电流与LED电流
尼斯 - 归一冰
10归为：
TA = 25°C
IF = 10毫安
1
VCE = 5 V
.1
.01
.001
.1
VCE = 5 V
VF - 正向电压 - V
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
.1
TA = -55°C
TA = 25°C
VCE = 1V
TA = 85°C
1
10
IF - 正向电流 - 毫安
100
1
10
IF - LED电流 - 毫安
100
图2归一化不饱和和饱和
CTRce在T
A
=25
°
与LED电流
1.2
NCTRce - 归CTR
图4.归集电极 - 基光电流
与LED电流
10
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
.1
NICB - 归ICB
标准化为：
VCE = 5 V
IF = 10毫安
TA = 25
°C
1
.1
.01
.001
VCE = 5V
标准化为：
TA = 25°C
VCB = 3.5 V
IF = 10毫安
VCE = 1V
1
10
100
IF - LED电流 - 毫安
1000
.1
1
10
IF - LED电流 - 毫安
100
5–2
IL/D/Q30/31/55
图5. HFE电流增益与基极电流
12000
Vce=5V
HFE-电流增益
10000
8000
6000
4000
2000
0
.01
.1
1
基极电流
10
100
Ta=25°C
Vce=1V
图8.开关波形
I
F
V
O
t
D
t
R
t
PLH
V
TH
=1.5 V
t
F
t
PHL
t
S
图6.从低到高传输延迟与集电极
负载电阻与LED电流
g
TPLH - 低/高传播
延迟 -
s
图9.开关示意图
80 TA = 25 ℃， VCC = 5V
VTH = 1.5 V
60
1K
V
CC
=13.5 V
F = 10千赫，
DF=50%
R
C
V
O
220
40
470
20
100
0
0
5
10
15
IF - LED电流 - 毫安
20
IF = 50毫安
图7.高到低传输延迟与集电极
负载电阻与LED电流
的TPH1 - 高/低传播
延迟 -
s
20
1K
15
TA = 25°C
VCC = 5 V
VTH = 1.5 V
10
5
0
0
5
10
15
IF - LED电流 - 毫安
20
100
5–3
IL/D/Q30/31/55
IL30/IL31/IL55/ILD30/ILD31/ILD55/ILQ30/ILQ31/ILQ55
威世半导体
光电耦合器，光电复合输出
（单，双，四通道）
单通道
特点
125毫安负载电流额定值
A
C
NC
1
2
3
6 B
5 C
4 E
快速上升时间， 10微秒
快速下降时间， 35微秒
单，双和四通道
固态可靠性
标准DIP封装
铅（Pb） -free组件
按照RoHS元器件2002/95 / EC和
WEEE 2002/96 / EC
双通道
A
1
C
2
C
3
A
4
8
E
7
C
6
C
5
E
机构认证
四通道
A 1
C 2
C 3
A
A
C
C
A
i179011
16 E
15 C
14 C
13 E
12 E
11 C
10 C
9 E
UL1577 ，文件号。 E52744系统代号H或按J ，双
保护
DIN EN 60747-5-2 （ VDE 0884 ） / DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
BSI IEC 60950 IEC 60065
FIMKO
4
5
6
7
8
描述
该IL30 / IL31 / IL55单， ILD30 / ILD31 / ILD55双和
ILQ30 / ILQ31 / ILQ55四光耦合隔离器
镓
砷化
红外线
发射器
和
硅
光电复合传感器。开关就可以实现，而
维持驱动和之间的高度隔离
加载电路，与信道之间没有串扰。这些
光电耦合器可用于代替簧片和汞
继电器具有寿命长，高速开关和优势
消除磁场。
的IL30 / IL31 / IL55相当于MCA230 / MCA231 /
MCA255 。该ILD30 / ILD31 / ILD55旨在降低
电路板空间要求高密度应用。
订购信息
部分
IL30
IL31
IL55
ILD30
ILD31
ILD55
ILQ30
ILQ31
ILQ55
IL55-X009
ILD30-X009
ILD31-X007
ILD31-X009
文档编号： 83621
修订版1.6 ， 14日-12月07
备注
CTR > 100 ％ ，单通道DIP - 6
CTR > 200 ％ ，单通道DIP - 6
CTR > 100 ％ ，单通道DIP - 6
CTR > 100 ％ ，双通道DIP- 8
CTR > 200 ％ ，双通道DIP- 8
CTR > 100 ％ ，双通道DIP- 8
CTR > 100 ％ ，四通道DIP- 16
CTR > 200 ％ ，四通道DIP- 16
CTR > 100 ％ ，四通道DIP- 16
CTR > 100 ％ ，单通道SMD - 6 （选件9 ）
CTR > 100 ％ ，双通道SMD - 8 （选件9 ）
CTR > 200 ％ ，双通道SMD - 8 （选项7 ）
CTR > 200 ％ ，双通道SMD - 8 （选件9 ）
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
www.vishay.com
1
IL30/IL31/IL55/ILD30/ILD31/ILD55/ILQ30/ILQ31/ILQ55
威世半导体
订购信息
部分
ILD55-X007
ILD55-X009
ILQ30-X009
ILQ55-X007
ILQ55-X009
备注
CTR > 100 ％ ，双通道SMD - 8 （选项7 ）
CTR > 100 ％ ，双通道SMD - 8 （选件9 ）
CTR > 100 ％ ，四通道SMD - 16 （可选9 ）
CTR > 100 ％ ，四通道SMD - 16 （选项7 ）
CTR > 100 ％ ，四通道SMD - 16 （可选9 ）
光电耦合器，光电复合输出
（单，双，四通道）
记
有关可用选项的更多信息，请参阅选项的信息。
绝对最大额定值
参数
输入
峰值反向电压
正向连续电流
功耗
从25° C减免线性
产量
IL30
ILD30
ILQ30
IL55
ILD55
ILD55
V
RM
I
F
P
DISS
3.0
60
100
1.33
30
30
30
55
55
55
125
150
2.0
250
250
250
400
400
400
500
500
500
3.3
3.3
3.3
5.33
5.33
5.33
6.67
6.67
6.67
5300
≥
7.0
≥
7.0
CTI
T
英镑
175
- 55至+ 125
V
mA
mW
毫瓦/°C的
V
V
V
V
V
V
mA
mW
毫瓦/°C的
mW
mW
mW
mW
mW
mW
mW
mW
mW
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
V
RMS
mm
mm
°C
测试条件
部分
符号
价值
单位
集电极发射极击穿电压
收集器（负载）电流
功耗
从25° C减免线性
耦合器
IL30
IL31
IL55
ILD30
ILD31
ILD55
ILQ30
ILQ31
ILQ55
IL30
IL31
IL55
ILD30
ILD31
ILD55
ILQ30
ILQ31
ILQ55
BV
首席执行官
BV
首席执行官
BV
首席执行官
BV
首席执行官
BV
首席执行官
BV
首席执行官
I
C
P
DISS
总计封装功耗
P
合计
P
合计
P
合计
P
合计
P
合计
P
合计
P
合计
P
合计
P
合计
从25° C减免线性
绝缘测试电压
爬电距离
间隙距离
漏电起痕指数
储存温度
V
ISO
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2
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
文档编号： 83621
修订版1.6 ， 14日-12月07
IL30/IL31/IL55/ILD30/ILD31/ILD55/ILQ30/ILQ31/ILQ55
光电耦合器，光电复合输出
（单，双，四通道）
绝对最大额定值
参数
耦合器
工作温度
铅焊接时间在260℃
T
AMB
- 55至+ 100
10
°C
s
测试条件
部分
符号
价值
单位
威世半导体
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不暗示
在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。置身于绝对最大额定值
的长时间可不利地影响可靠性。
电气特性
参数
输入
正向电压
反向电流
电容
产量
集电极发射极击穿电压
集电极 - 发射极漏电流
集电极 - 发射极电容
耦合器
集电极 - 发射极饱和电压
绝缘测试电压
绝缘电阻
电容（输入输出）
R
IO
C
IO
I
C
= 50 mA时，我
F
= 50毫安
V
CESAT
5300
10
12
0.5
0.9
1.0
V
V
RMS
Ω
pF
I
C
= 100 A
V
CE
= 10 V，I
F
= 0 A
V
CE
= 10 V ， F = 1.0 MHz的
BV
首席执行官
I
首席执行官
C
CE
30/55
1.0
3.4
100
V
nA
pF
I
F
= 20毫安
V
R
= 3.0 V
V
R
= 0 V
V
F
I
R
C
O
1.25
0.1
25
1.5
10
V
A
pF
测试条件
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
电流传输比
参数
测试条件
部分
IL30
IL55
ILD30
ILD55
电流传输比
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 5.0 V
ILQ30
ILQ55
IL31
ILD31
ILQ31
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
分钟。
100
100
100
100
100
100
200
200
200
典型值。
400
400
400
400
400
400
400
400
400
马克斯。
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
%
开关特性
参数
上升时间
下降时间
测试条件
V
CC
= 13.5 V，I
F
= 50毫安，R
L
= 100
Ω
V
CC
= 13.5 V，I
F
= 50毫安，R
L
= 100
Ω
符号
t
r
t
f
分钟。
典型值。
10
35
马克斯。
单位
s
s
文档编号： 83621
修订版1.6 ， 14日-12月07
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3
IL30/IL31/IL55/ILD30/ILD31/ILD55/ILQ30/ILQ31/ILQ55
威世半导体
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
1.4
10
环境温度Tamb = - 55°C
1.2
1.1
1.0
0.9
TAMB =
85
°C
0.8
0.7
0.1
iil30_01
光电耦合器，光电复合输出
（单，双，四通道）
V
F
- 前进
电压
(V)
NICB
-
归
（ ICB ）
1.3
1
归
要：
VCB
= 3.5
V
I
F
= 10毫安
环境温度Tamb = 25°C
0.1
0.01
1
10
100
0.001
0.1
iil30_04
1
10
100
I
F
- 正向电流（mA ）
I
F
- LED电流（mA ）
图。 1 - 正向电压与正向电流
图。 4 - 归集电极基光电流与LED电流
1.2
12000
归
要：
V
CE
= 5
V
I
F
= 10毫安
10000
h
FE
- 电流增益
8000
V
CE
= 1
V
6000
4000
2000
V
CE
= 1
V
0
0.01
iil30_05
V
CE
= 5
V
NCTR
ce
-
归
CTR
ce
1.0
0.8
0.6
V
CE
= 5
V
0.4
0.2
0.0
0.1
1
10
100
1000
0.1
1
基极电流
10
100
iil30_02
I
F
- LED电流（mA ）
图。 2 - 归非饱和与饱和CTR
CE
与
LED电流
图。 5 - H
FE
电流增益与基极电流
10
t
PLH
- 低/高传播
DELAY （微秒）
NI
ce
-
归
I
ce
1
归
要：
I
F
= 10毫安
V
CE
= 5
V
80
V
CE
= 5
V
V
CC
= 5
V
V
th
= 1.5
V
60
1.0 kΩ
V
CE
= 1
V
0.1
40
220
Ω
470
Ω
0.01
20
100
Ω
0
0
5
10
15
20
0.001
0.1
iil30_03
1
10
100
iil30_06
I
F
- LED电流（mA ）
I
F
- LED电流（mA ）
图。 3 - 归非饱和与饱和集电极发射极
电流与LED电流
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4
图。 6 - 从低到高传输延迟与集电极负载
电阻和LED电流
文档编号： 83621
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IL30/IL31/IL55/ILD30/ILD31/ILD55/ILQ30/ILQ31/ILQ55
光电耦合器，光电复合输出
（单，双，四通道）
威世半导体
20
的TPH1 - 高/低传播
延迟 -
s
15
1 kΩ
V
CC
= 5
V
V
th
= 1.5
V
10
100
Ω
5
0
0
iil30_07
5
10
15
20
I
F
- LED电流（mA ）
图。 7 - 高到低传输延迟与集电极负载
电阻和LED电流
I
F
t
D
V
O
t
R
t
PLH
V
TH
= 1.5
V
t
PHL
iil30_08
t
S
t
F
图。 8 - 开关波形
V
CC
= 13.5
V
F = 10 kHz时，
DF = 50
%
R
L
V
O
I
F
= 50μm的
iil30_09
图。 9 - 开关示意图
文档编号： 83621
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IP123V-12
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