RECTRON
半导体
技术规格
IHER801
THRU
IHER805
高效率整流
电压范围为50 400伏特电流8.0安培
特点
*
*
*
*
*
*
低开关噪声
低正向压降
低热阻
高电流能力
高快速开关能力
高浪涌能力
.185(4.7)
.169(4.3)
.134(3.4)
.110(2.8)
ITO-220A
.138(3.5)
.122(3.1)
机械数据
*
*
*
*
*
案例：伊藤220A模压塑料
环氧树脂：设备具有UL可燃性分类94V -O
导语： MIL -STD- 202E方法208C保证
安装位置：任意
重量： 2.24克
.114(2.9)
.098(2.5)
.406(10.3)
.382(9.7)
.04MAX.
(1.0)
.071(1.8)
.055(1.4)
.055(1.4)
.039(1.0)
.035(0.9)
.020(0.5)
.108(2.75)
.091(2.30)
.602(15.3)
.579(14.7)
.154 (3.9)
.138 (3.5)
.531(13.5)
.492(12.5)
.114(2.9)
.098(2.5)
最大额定值和电气特性
25评分
o
C环境温度，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
.031(0.8)
.016 (0.4)
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值
（在T
A
= 25
o
C除非另有说明）
评级
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
o
在T
C
= 75 C
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
典型热阻
典型结电容（注2 ）
工作和存储温度范围
符号
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
R
θ
JC
C
J
T
J
, T
英镑
IHER801
IHER802
IHER803
IHER804
IHER805
单位
伏
伏
伏
安培
安培
0
50
35
50
100
70
100
200
140
200
8.0
200
2.5
40
-55到+ 150
300
210
300
400
280
400
C / W
pF
0
C
电气特性
（在T
A
= 25°C除非另有说明）
特征
最大正向电压在8.0A DC
o
@T
C
= 25 C
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
最大反向恢复时间（注1 ）
注： 1。测试条件：我
F
= 0.5A ，我
R
= -1.0A ，我
RR
=- 0.25A
2.测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
3.后缀“R”为反极性。
@T
C
= 100
o
C
符号
V
F
I
R
TRR
IHER801
IHER802
IHER803
IHER804
IHER805
o
单位
伏
uAmps
纳秒
2003-1
1.0
10
150
50
1.3
额定值和特性曲线（ IHER801 THRU IHER805 ）
平均正向电流（ A）
图。 1 - 典型正向电流降额曲线
10
8
6
4
2
0
0
50
100
外壳温度（
150
)
单相半波
60Hz的感应或
阻性负载
图。 2 - 典型的反向特性
1000
瞬时反向电流， （ UA）
TC = 100
100
10
TC = 25
峰值正向浪涌电流（ A）
图。 3 - 最大非重复正向浪涌电流
225
200
1.0
0.1
175
150
125
100
50
1
2
5
10
20
循环次数在60Hz
50
100
0
8.3ms单半正弦波
（ JEDEC的方法）
20
40
60
80
100 120
140
额定峰值百分比
反向电压， （％）
瞬时正向电流（ A）
图。 4 - 典型正向特性
结电容（PF ）
图。 5 - 典型结电容
200
100
60
40
20
10
6
4
2
1
.1
.2
.4
1.0 2 4
10 20 40 100
反向电压， （V）的
TJ = 25
40
20
10
4
2
1.0
.4
.2
.1
.6
.7
.8
.9
1.0
1.1
1.2
1.3
瞬时正向电压（V）的
TJ=25
脉冲宽度= 300US
1 ％占空比
RECTRON
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