【TRENCHSTOP2nd代系列IKW25N120T2低损耗DuoPack ：IGBT在2ndGEN】,IC型号IKW25N120T2,IKW25N120T2 PDF资料,IKW25N120T2经销商,ic,电子元器件-51电子网

TRENCHSTOP

代系列

IKW25N120T2

低损耗DuoPack ：

IGBT在2

GENERATION

TRENCHSTOP

具有柔软，快速恢复反并联二极管EMCON

短路承受时间 - 为10μs

设计用于：

- 频率转换器

- 不间断电源

TRENCHSTOP

新一代1200 V应用提供：

- 参数分布非常紧凑

- 高耐用性，温度稳定的行为

由于正温度系数易于并联能力

在V

CE （ SAT ）

低EMI

低栅电荷

非常柔软，快速恢复反并联EMCON何二极管

根据JEDEC合格

为目标的应用

无铅镀铅;符合RoHS标准

完整的产品范围和PSpice的模型： http://www.infineon.com/igbt/

TYPE

IKW25N120T2

1200V

25A

CE(sat),Tj=25°C

1.7V

， MAX

175°C

标识代码

K25T1202

包

PG-TO-247-3

最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

DC集电极电流（T

=150°C)

= 25°C

= 110°C

集电极电流脉冲，

受

JMAX

关闭安全工作区

≤

1200V,

≤

175°C

二极管的正向电流（T

=150°C)

= 25°C

= 110°C

二极管脉冲电流，

受

JMAX

栅极 - 发射极电压

短路承受时间

= 15V,

≤

600V,

，开始

≤

175°C

功耗

= 25°C

工作结温

储存温度

焊接温度， 1.6毫米（ 0.063英寸）从案例10秒

波峰焊只，温度对导线只

符号

价值

1200

单位

Cpuls

100

Fpuls

合计

英镑

100

±20

349

-40...+175

-55...+150

260

°C

J- STD- 020和JESD -022

允许短路号： <1000 ;短路的时间： >1s 。

2.1版

九月08

功率半导体

TRENCHSTOP

代系列

热阻

参数

特征

IGBT的热电阻，

结 - 案

二极管热阻

结 - 案

热阻，

结 - 环境

电气特性，

= 25

°C,

除非另有说明

参数

静态特性

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 发射极饱和电压

（ B R ）C （E S）

摹ê

=0 V,

= 5 0 0 A

CE （ SAT ）

摹ê

= 15 V,

=25A

= 25°C

= 150

°C

= 175

°C

二极管的正向电压

摹ê

=0 V,

= 2 5 A

= 25°C

= 150

°C

= 175

°C

栅极 - 发射极阈值电压

零栅极电压集电极电流

GE （日）

CES

=1.0mA,V

权证

摹ê

权证

= 12 00 V

摹ê

=0 V

= 25°C

=150

IKW25N120T2

符号

thJC

thJCD

thJA

条件

马克斯。值

0.43

0.81

单位

K / W

符号

条件

价值

分钟。

1200

5.2

典型值。

1.7

2.1

2.2

1.65

1.7

1.65

5.8

马克斯。

2.2

6.4

单位

13.5

0.4

4.0

200

= 175

°C

栅极 - 发射极漏电流

跨

GES

权证

=0 V,V

摹ê

=20V

权证

=20V,

=25A

功率半导体

2.1版

九月08

TRENCHSTOP

代系列

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电荷

内置发射器电感

（ 0.197英寸）的情况下测得的5毫米

短路集电极电流

C（ SC ）

摹ê

=15V,t

S·C

≤1

C C

= 600 V,

， S T A R吨

= 2 5°C

， S T A R吨

= 1 75

°C

国际空间站

OSS

RSS

门

权证

=25V,

摹ê

=0 V,

f=1MHz

C C

= 96 0 V,

=40A

摹ê

=15V

IKW25N120T2

1600

155

120

150

115

开关特性，电感负载，

=25

°C

参数

IGBT特性

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

开启能量

关闭能源

总开关能量

反并联二极管特性

二极管的反向恢复时间

二极管的反向恢复电荷

二极管的峰值反向恢复电流

秋天反向二极管峰值速率

在恢复电流

RRM

/ DT

= 25°C ,

= 60 0 V ,

=25A,

D I

/ D T =

1050 A / μs的

195

2.05

475

A / μs的

D（上）

D（关闭）

关闭

= 25°C ,

C C

= 60 0 V,

=25A,

摹ê

= 0 /1 5 V,

= 1 6 .4

2 )

= 1 05nH ，

2 )

=39pF

能量损失包括

“尾巴”和二极管

反向恢复。

265

1.55

1.35

2.9

符号

条件

价值

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

允许短路号： <1000 ;短路的时间： >1s 。

漏感

钕杂散电容

由于动态测试电路如图E.

2.1版

九月08

功率半导体

TRENCHSTOP

代系列

开关特性，电感负载，

=175

°C

参数

IGBT特性

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

开启能量

关闭能源

总开关能量

反并联二极管特性

二极管的反向恢复时间

二极管的反向恢复电荷

二极管的峰值反向恢复电流

秋天反向二极管峰值速率

在恢复电流

RRM

/ DT

= 175

°C

= 60 0 V ,

=25A,

D I

/ D T =

1000 A / μs的

D（上）

D（关闭）

关闭

= 175

°C

C C

= 60 0 V,

=25A,

摹ê

= 0 /1 5 V,

= 1 6 .4

1 )

= 1 75nH ，

1 )

=67pF

能量损失包括

“尾巴”和二极管

反向恢复。

符号

条件

IKW25N120T2

价值

分钟。

典型值。

340

164

2.25

2.05

4.3

290

3.65

330

马克斯。

单位

A / μs的

漏感

钕杂散电容

由于动态测试电路如图E.

2.1版

九月08

功率半导体

TRENCHSTOP

代系列

IKW25N120T2

100A

=80°C

=3s

10s

集电极电流

=110°C

集电极电流

80A

10A

50s

150s

500s

60A

40A

20A

0.1A

20ms

10Hz

100Hz

1kHz

10kHz

100kHz

10V

100V

1000V

开关频率

图1.集电极电流的一个函数

开关频率

≤

175°C,

D =

0.5,

= 600V,

= 0/+15V,

= 12)

集热器

发射极电压

图2.安全工作区

= 25°C,

≤175°C;V

=15V)

350W

300W

250W

200W

150W

100W

50W

25°C

50A

集电极电流

功耗

40A

30A

20A

合计

10A

50°C

75°C

100°C

125°C

150°C

25°C

75°C

125°C

外壳温度

图3.最大功耗为

功能外壳温度

≤

175°C)

外壳温度

图4.最大集电极电流为

功能外壳温度

≥

15V,

≤

175°C)

功率半导体

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九月08

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2418+

691

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深圳市银芯龙科技有限公司

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IKW25N120T2

Infineon

19+

1200

只做原装实单申请

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