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18MB流水线
DDR II SIO SRAM
爆2
特点
IDT71P79204
IDT71P79104
IDT71P79804
IDT71P79604
描述
IDT的DDRII
TM
爆两个SIO SRAM是高速同步
异步的存储器具有独立的,双倍数据速率(DDR ) ,读
和写数据端口,通过与每个读或写两个数据项。
使用独立的端口,用于读取和写入数据的访问,简化
系统设计通过省去了双向总线。所有巴士
与DDRII SIO关联是单向的,并且可以被优化
为在非常高的总线速度的信号完整性。内存带宽更高
比DDR SRAM,带有双向数据总线作为独立的读出和
写端口消除周围循环巴士转。独立的读写
接口还能够轻松的深度扩展。每个端口可被选择
independantly用R / W输入所有的SRAM中共享并提供
LD
负载控制信号,用于每个存储体。在DDRII SIO具有可扩展
能够输出阻抗在其数据输出总线和随路时钟,使
用户调整的总线,用于低噪声和高的性能。
在DDRII SIO与复用一个SDR地址总线
读地址和写地址。在读/写和负载控制输入是
在第一个时钟周期的一半接收。字节和半字节写
信号是在时钟周期的两部分同时接收
与数据他们所控制的数据输入总线上。
该DDRII SIO具有回波时钟,向用户提供一个
时钟是精确定时的数据输出,并调谐以匹配
阻抗和信号质量。用户可以使用该回波时钟
数据的下行时钟。回波时钟不再需要的
用户,以产生交替的时钟以精确的定时,定位和
信号质量,以保证数据采集。由于回波时钟
18MB密度( 2Mx8 , 2Mx9 , 1Mx18 , 512kx36 )
单独的,独立的读写数据端口
- 支持并发事务
双回波时钟输出
2字突发所有的SRAM访问
复用地址总线
- 每个时钟周期一个读或一个写请求
DDR (双倍数据速率)数据总线
- 每个时钟两个字突发数据
深度扩展,通过控制逻辑
HSTL ( 1.5V)的输入,能够进行调整以接收从1.4V信号
到1.9V 。
可扩展的输出驱动器
- 可驱动HSTL , 1.8V TTL或1.4V的任何电压等级为1.9V 。
- 输出阻抗可调,从35欧姆到70欧姆
1.8V内核电压(V
DD
)
165球, 1.0mm间距15毫米x17毫米FBGA封装
JTAG接口
功能框图
(Note1)
D
数据
REG
数据
REG
(Note1)
写入驱动器
SA
LD
读/写
BWX
(Note3)
CTRL
逻辑
18M
内存
ARRAY
(Note4)
(Note4)
输出选择
(Note2)
检测放大器
输出REG
添加
REG
(Note2)
写/读DECODE
(Note1)
Q
K
K
C
C
CLK
选择输出控制
CQ
CQ
6432 DRW 16
注意事项:
1 )表示为×8为对x36 36的信号线8的数据信号线,对于×9 9条信号线,对×18 18根信号线,和
2)代表对于x8和×9为对x36 18的地址信号线20的地址信号线,用于×18 19的地址信号线,和。
3 )表示为×9为对x36四条信号线1信号线,对×18 2的信号线,和。上x8的部件,所述
BW
是一种“蚕食写”,并有2
信号线。
4 )表示为×8为对x36 72的信号线16的数据信号线,供×9 18的信号线,对×18 36根信号线,和。
2005年11月
1
2005集成设备技术,公司QDR SRAM的和四倍数据速率RAM中包含的产品由Cypress半导体, IDT ,与美光科技公司开发了一种新的家庭
DSC-6432/01
IDT71P79204 ( 2Mx8位) , 71P79104 ( 2Mx9位) , 71P79804 ( 1Mx18位) 71P79604 ( 512Kx36位)
18 MB DDR II SIO SRAM突发的2
商用和工业温度范围
由驱动数据输出相同的源,所述关系产生
船到数据不显著受电压,温度和
过程中,由于会出现这种情况,如果该时钟是由一个外部产生
源。
在DDR II SIO的所有接口都HSTL ,让速度超越
使用任何形式的TTL接口的SRAM器件。该接口可以是
扩展到更高电压(高达1.9V )与1.8V的系统,如果接口
有必要的。该装置具有V
DDQ
和一个单独的Vref时,允许
用户指定的接口的操作电压,独立的
1.8V的V器件的核心电压
DD
。的输出阻抗控制使
用户调整的驱动力,以适应各种各样的负载,并
传输线。
时钟
该DDRII SIO SRAM具有两套输入时钟信号,即在K ,
K
时钟和C,
C
时钟。此外, DDRII SIO具有输出
“回声”的时钟, CQ ,
CQ 。
在K和
K
时钟是主设备的输入时钟。在K
时钟,用于将时钟的控制信号(LD, R / W和
BWX
or
NWX )
的地址,和该数据的第一个字写入操作过程中破裂。
K
时钟用于时钟的控制信号( BWX或
NWX )
数据的第二个字的写入操作过程中破裂。在K和
K
时钟也用于内部的SRAM进行。在该事件的用户
禁用C和
C
时钟, K和
K
时钟也将被用于时钟
该数据从输出寄存器,并产生回波时钟。
C和
C
时钟可以用于时钟数据输出的输出
在读操作期间注册并产生回波时钟。 C和
C
必须被呈现给定时容差范围内的SRAM中。该
从DDRII串口输出数据将受到密切对准C和
C
输入时,通过使用一个内部的DLL 。当C被呈现给
DDRII SIO SRAM ,该DLL会已经在内部时钟数据
向在该装置的输出同时的到来到达
C
时钟。脉冲串的C和第二数据项也将对应。
单时钟模式
该DDRII SIO SRAM可以与单个时钟对来操作。
C
可以通过把两个信号高,迫使输出被禁用
而被控制,而不是由K和回波时钟
K
时钟。
DLL运行
在DDRII SIO SRAM的输出结构的DLL可以
用于紧密地结合起来输入时钟C和
C
同的输出
数据,产生在两者之间非常紧的公差。可在用户
通过举办禁用DLL
DOFF
低。与该DLL关闭时, C和
C
(或
K和
K
如果C和
C
未使用)会直接时钟的输出寄存器
SRAM中。与该DLL断,会有从传播延迟
时间的时钟进入器件,直到数据出现在输出端。
回波时钟
回波时钟, CQ和
CQ ,
由C生成和
C
(或K,
K
如果C ,
C
被禁用) 。 C的上升沿产生的崛起
边缘的CQ和下降沿
CQ 。
的上升沿
C
产生
的上升沿
CQ
和CQ的下降沿。该方案提高了
回波时钟和意愿的上升沿和下降沿之间的相关性
提高各个信号的占空比。
回波时钟是非常密切的数据对齐,以保证
该回波时钟将维持密切相关的数据,内
公差指定。
读取和写入操作
DDRII SIO器件内部存储突发的两个词作为
一个宽字和词将保留其爆出秩序。没有
能力,以解决在突发的单词的水平,有可能在
DDRII常见的I / O设备。的字节和半字节写信号可以是
用于防止写入到任何单个字节,或组合,以防止
写一阵字( S) 。
读操作是通过持有的读/写控制输入启动
(R / W)的高,负载控制输入(LD)的低和呈递所读取的
地址给地址端口中的K的上升沿,这将锁存
的地址。这些数据将被读取,并会出现在该装置
在指定的时间输出对应于C和
C
时钟。
写操作是通过保持读/写控制输入启动
( R / W)为低电平时,负载控制输入(LD)的低和呈递的写
地址给地址端口中的K的上升沿,这将锁存
的地址。 K上的下一个上升沿,两个的第一个字
字脉冲串必须出现在数据输入总线DQ [X : 0],随着
相应的字节写入或半字节写操作( BWX或
NWX )
输入。对
以下的上升沿
K,
数据写突发下半年将
接受在与所指定的设备的输入( BWX或
NWX )
输入。
输出使
在DDRII SIO SRAM自动启用和禁用Q [ X: 0 ]
输出。当一个有效的读操作过程中,以及数据是存在于
输出,该输出将被启用。如果没有有效数据出现在输出
(读未激活) ,则输出将被禁用(高阻) 。该
随路时钟仍然有效,在任何时候,不能被禁用或开启
关。在上电期间的Q输出会在一个高阻抗
状态。
可编程阻抗
一个外部电阻RQ ,必须连接之间的ZQ引脚
对SRAM和Vss ,以使SRAM中,以调节其输出驱动器阻抗
ANCE 。 RQ的值必须是5倍的预期驱动的价值
阻抗的SRAM。 RQ的允许范围,以保证
具有+/- 10%的公差阻抗匹配是175欧姆之间
而350欧姆,采用V
DDQ
= 1.5V 。的输出阻抗被调整
每1024个时钟周期来校正在电源电压和温漂移
perature 。如果用户希望以驱动SRAM的输出阻抗
到它的最低值,该ZQ引脚可以连接到V
DDQ
.
6.42
2
IDT71P79204 ( 2Mx8位) , 71P79104 ( 2Mx9位) , 71P79804 ( 1Mx18位) 71P79604 ( 512Kx36位)
18 MB DDR II SIO SRAM突发的2
商用和工业温度范围
引脚德网络nitions
符号
引脚功能
描述
数据输入信号,采样K上的上升沿和
K
在有效的写操作时钟
2M ×8 - D [ 7 : 0 ]
2M ×9 - D [ 8 : 0 ]
1M ×18 - D [ 17 : 0 ]
512K ×36 - D [ 35 : 0 ]
字节写选择0 , 1 , 2和3是低电平有效。在上升沿取样在K的上升沿,并再次
边缘
K
在写操作期间的时钟。用于选择哪个字节中当前写入到器件
的写操作部。不写入的字节保持不变。所有的字节写操作被采样的相同
边作为数据。取消选择一个字节写选择将导致数据的相应字节被忽略,
不写入到设备。
2M ×9 -
BW
0
控制的DQ [7 :0]的
1M ×18 -
BW
0
控制的DQ [7 :0]和
BW
1
控制的DQ [17: 9]
512K ×36 -
BW
0
控制的DQ [7 :0] ,
BW
1
控制的DQ [17: 9] ,
BW
2
控制DQ [ 26:18 ]和
BW
3
控制DQ [ 35:27 ]
半字节写选择0和1为低电平有效。只适用于X8位部分,而不是字节写选择。
采样在K的上升沿和
K
在写操作期间的时钟。用于选择其中四位被写入
入的写操作的当前部分中的装置。不写半字节保持不变。所有
半字节写操作被采样的相同边缘的数据。取消一个半字节写选择将导致
数据的相应的半字节被忽略和没有写入到设备。
2M ×8 - NW0控制D [ 3 : 0]
NW1
控制D [ 7:4]
地址输入。地址期间活性读或写操作采样K时钟的上升沿。
数据的输出信号。在读操作期间,这些引脚输出所请求的数据。有效数据被赶出来的
的两个C中的上升沿和
C
在读操作或K和时钟
K
在单时钟工作时
模式。当读取端口取消ED ,Q [X : 0 ]会自动三态。
负荷控制逻辑。采样K的上升沿如果
LD
低, 2字突发读或写操作将
被启动如由R / W输入。如果
LD
为高时的K的上升沿,在正在进行的操作将
完成,但新的操作不会被启动。
读或写控制逻辑。如果
LD
是在钾的上升沿低,在R / W表示是否一个新的操作
应该是一个读或写操作。如果R / W为高电平时,一个读操作将被启动,当R / W为低时,写操作将是
发起。如果
LD
输入为高时的K的上升沿,在R / W输入将被忽略。
正输出时钟输入。 C被结合使用
C
到时钟从设备读取数据。 C和
C
可以一起使用,以校正倾斜的各种装置的飞行时间在板回控制器。看
对于进一步的细节应用实例。
负输出时钟输入。
C
结合使用以C到时钟从设备读取数据。 C和
C
可以一起使用,以校正倾斜的各种装置的飞行时间在板回控制器。看
对于进一步的细节应用实例。
正向输入时钟输入。的K上升沿用于捕获同步输入到装置和驱动
出通过Q数据[X : 0 ]在单时钟模式下。所有访问都在K的上升沿启动
负输入时钟输入。
K
用于捕获同步的输入被提供给该装置并且驱动
出通过Q数据[X : 0 ]在单时钟模式下。
同步回波时钟输出。这些输出的上升沿被紧密地匹配于同步数据
输出,并且可以被用作一个数据有效指示。这些信号可以自由运行,不停止的时候了
输出数据3表示。
输出阻抗匹配输入。此输入用于调整器件输出到系统数据总线
阻抗。 Q [ X: 0 ]输出阻抗设定为0.2× RQ ,其中,RQ是位于ZQ之间的电阻
地面上。另外,该引脚可直接连接到V
DDQ
,这使得最小阻抗模式。
此引脚不能直接连接到GND或悬空。
6432 TBL 02A
D [ X: 0 ]
输入
同步
BW
0
,
BW
1
BW
2
,
BW
3
输入
同步
NW0 NW1
输入
同步
SA
输入
同步
产量
同步
输入
同步
输入
同步
Q [ X: 0 ]
LD
读/写
C
输入时钟
C
输入时钟
K
K
输入时钟
输入时钟
CQ ,
CQ
输出时钟
ZQ
输入
6.42
3
IDT71P79204 ( 2Mx8位) , 71P79104 ( 2Mx9位) , 71P79804 ( 1Mx18位) 71P79604 ( 512Kx36位)
18 MB DDR II SIO SRAM突发的2
商用和工业温度范围
引脚定义继续
符号
引脚功能
描述
DLL关闭。当这种低投入将关闭设备内的DLL 。在AC时序与DLL
关闭将与本数据表中列出的不同。会有增大的传播延迟
从C的发病率和
C
到Q或K和
K
至Q的配置。传播延迟是不是一个测试
参数,但将类似的其它SRAM器件在此速度等级的传播延迟。
TDO引脚用于JTAG 。
TCK引脚用于JTAG 。
TDI引脚用于JTAG 。一个内部电阻会拉TDI到V
DD
当引脚悬空。
TMS引脚用于JTAG 。一个内部电阻将TMS拉至V
DD
当引脚悬空。
无包装内部连接。可连接到任何电压电平。
输入
参考
动力
供应
动力
供应
参考电压输入。用静态的输入设置参考电平为HSTL输入和输出,以及
作为交流电的测量点。
电源输入到该装置的核心。应连接到1.8V电源。
地面的装置。应连接到该系统的地面。
电源,用于该装置的输出。应连接至1.5V的电源为HSTL或
缩放到期望的输出电压。
6432 TBL 02B
DOFF
输入
TDO
TCK
TDI
TMS
NC
V
REF
V
DD
V
SS
V
DDQ
产量
输入
输入
输入
6.42
4
IDT71P79204 ( 2Mx8位) , 71P79104 ( 2Mx9位) , 71P79804 ( 1Mx18位) 71P79604 ( 512Kx36位)
18 MB DDR II SIO SRAM突发的2
商用和工业温度范围
引脚配置IDT71P79204 ( 2M ×8 )
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
CQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
DOFF
NC
NC
NC
NC
NC
NC
TDO
2
V
SS/
SA
(2)
NC
NC
D
4
NC
NC
D
5
V
REF
NC
NC
Q
6
NC
D
7
NC
TCK
3
SA
NC
NC
NC
Q
4
NC
Q
5
V
DDQ
NC
NC
D
6
NC
NC
Q
7
SA
4
读/写
SA
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
SA
SA
5
NW
1
NC
SA
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
SA
SA
SA
6
K
K
SA
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
SA
C
C
7
NC
NW
0
SA
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
SA
SA
SA
8
LD
SA
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
SA
SA
9
SA
NC
NC
NC
NC
NC
NC
V
DDQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
SA
10
V
SS/
SA
(1)
NC
NC
NC
D
2
NC
NC
V
REF
Q
1
NC
NC
NC
NC
NC
TMS
11
CQ
Q
3
D
3
NC
Q
2
NC
NC
ZQ
D
1
NC
Q
0
D
0
NC
NC
TDI
6432 TBL 12
165球FBGA封装引脚
顶视图
注意事项:
1. A10是为36MB扩展地址保留。
2. A2是为72MB扩展地址保留。
6.42
5
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IDT71P79804
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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