IDTQS32XR862
高速CMOS 20位低电阻，高电平有效总线开关
工业温度范围
快速切换
制品
IDTQS32XR862
高速CMOS 20位低
电阻，高电平有效总线开关
与流向排列
产品特点：
增强型N沟道场效应管，没有内在二极管到Vcc
2.5Ω双向开关连接输入输出
零传播延迟，零地反弹
冲钳位二极管上的所有开关和控制销
低电平有效和高电平使能控制
可提供48引脚封装QVSOP
描述：
该QS32XR862提供了两套10高速CMOS ， TTL到
兼容，高电平有效，低电阻总线开关。在非常低的ON
该QS32XR862的电阻（ 2.5Ω ），允许输入被连接到
无需增加传输延迟和不产生额外的输出
地弹噪声。该开关是由独立的活性控制
低使能（ BE ）和高电平有效使能（ BE）为每套控制。
该QS32XR862是理想的，用于切换数字总线以及热插拔
缓冲和5V到3.3V的转换。所述低导的抗性
QS32XR862使得它非常适合PCI热插拔-docking应用。
该QS32XR862的特点是工作在-40 ° C至+ 85°C 。
应用
热交换和热对接（低R
ON
阻力PCI和
紧凑型PCI应用程序）
电压转换（ 5V至3.3V ）
节能
减小电容和隔离
要求低电阻和高有效使应用程序
总线隔离
时钟门控
功能框图
A
0
B
0
A
9
B
9
BE
1
BE
1
A
10
B
10
A
19
B
19
BE
2
BE
2
工业温度范围
1
c
1999集成设备技术有限公司
1999年11月
DSC-5540/-
IDTQS32XR862
高速CMOS 20位低电阻，高电平有效总线开关
工业温度范围
电源特性
符号
I
CCQ
I
CC
I
CCD
参数
静态电源电流
每个控制输入高功率电源电流
(3)
每MHz的动态电源电流
(4)
测试条件
(1)
V
CC
=最大值， BEN = GND或VCC ， F = 0
V
CC
=最大，V
IN
= 3.4V ， F = 0
V
CC
=最大值， A和B引脚开路
控制输入切换，在占空比为50％
典型值。
(2)
0.2
—
—
马克斯。
6
2.5
0.25
单位
A
mA
毫安/ MHz的
注意事项：
1.对于显示为最小值的条件。或最大，在使用直流电气特性规定了相应的值。
2.典型值是在V
CC
= 5.0V ，T
A
= 25°C.
3.每TLL输入驱动（V
IN
= 3.4V ，只控制输入） 。 A和B引脚不利于
ΔIcc 。
4.该电流仅适用于控制输入和表示在特定的频率进行切换内部电容所需的电流。在A
和B输入端不产生显著交流或直流电流，因为他们过渡。此参数是保证，但未经生产测试。
开关特性在工作范围
T
A
= -40 ° C至+ 85°C ，V
CC
= 5.0V ± 10%
C
负载
= 50pF的，R
负载
= 500Ω ，除非另有说明。
符号
t
PLH
t
PHL
t
PZL
t
PZH
t
PLZ
t
PHZ
参数
数据传输延迟
(2,3)
一个向/从Bn的
开关导通延迟
BEN
或以本一/ BN
开关关断延迟
(2)
BEN到一个/ BN
分钟。
(1)
—
1.5
1.5
典型值。
—
—
—
马克斯。
0.12
5.6
4.5
单位
ns
ns
ns
注意事项：
1.最低金额的保证，但未经生产测试。
2.此参数是保证，但未经生产测试。
3.总线开关有助于无传播延迟大于所述开关的导通电阻和负载电容的RC延迟等。时间
常数为单独的开关是0.12ns的对C的顺序的
L
= 50pF的。由于该时间常数比上升小得多和下降的典型时间
的驱动信号，它增加了很少的传播延迟的系统。根据总线开关的传播延迟，在一个系统中使用时，由所确定的
行驶在开关的驱动侧和其上的从动侧的负载相互作用电路。
4
IDTQS32XR862
高速CMOS 20位低电阻，高电平有效总线开关
工业温度范围
订购信息
IDTQS
XXXXX
设备类型
XX
包
X
过程
空白
工业级（-40° C至+ 85°C ）
Q1
QVSOP
32XR862
高速CMOS 20位低电阻，高有效
总线开关与流通引脚排列
公司总部
2975斯坦德路
圣克拉拉， CA 95054
销售：
800-345-7015或408-727-6116
传真： 408-492-8674
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IDT标志，快速切换，并SynchroSwitch注册为Integrated Device Technology ， Inc.的商标。
5
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