1M ×32
CMOS静态RAM模块
集成设备技术有限公司
IDT7MP4120
特点
高密度4MB静态RAM模块
薄型72脚ZIP （ Z形直插立式包装）
或72针的SIMM （单列直插内存模块）
快速存取时间： 20ns的（最大）
表面贴装塑料部件上的环氧
层压板（ FR -4）的基片
单5V （ ± 10 ％ ）电源
多GND引脚和去耦电容的马克西 -
妈妈噪声抗扰度
输入/输出直接TTL兼容
描述
该IDT7MP4120是一个1M ×32静态RAM模块CON-
使用8米x structed上的环氧层压板（ FR-4 ）底物
4静态RAM中的塑料封装。可用性四个芯片
选择线（每个组的二个RAM ）提供了字节
访问。该IDT7MP4120可与存取时间快
为20ns的与最低的功耗。
该IDT7MP4120打包在一个72针的FR-4的邮政编码（ Zig-
字形在网上纵包）或72针的SIMM （单列直插
内存模块）。该ZIP配置允许72引脚为
放置在包装4.05"长和0.365"宽。只有0.60"
高，这种薄型封装非常适合与迷你系统
妈妈板的间距，而SIMM配置允许使用
边缘安装的插座，以确保该模块。
在IDT7MP4120的所有输入和输出为TTL -的COM
从单一5V电源兼容和操作。全asynchro-
理性电路不需要时钟或刷新操作和
提供平等的机会和周期时间的易用性。
四识别引脚（ PD
0
， PD
1
， PD
2
和PD
3
）是亲
vided的应用中的不同密度的版本
模块被使用。在这种方式中，目标系统可以读取
PD的各个层面
0
， PD
1
， PD
2
和PD
3
确定1M
深度。
接触销均镀以100微英寸的镍
覆盖30微英寸的最小选择性的金。
引脚配置
(1)
NC
PD
3
PD
0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
V
CC
A
7
A
8
A
9
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
50
52
54
56
58
60
62
64
66
68
70
72
ZIP ， SIMM
顶视图
注意：
1.销3 ，图4，图6和图7（ PD
0
， PD
1
， PD
2
和PD
3
分别）由读
用户确定了模块的密度。如果PD
0
读GND ， PD
1
读和写
NC ， PD
2
读GND和PD
3
读取的NC ，则该模块有一个1M的深度。
IDT标志是集成设备技术公司的注册商标。
WE
CS
1
CS
3
A
16
GND
I / O
16
I / O
17
I / O
18
I / O
19
A
10
A
11
A
12
A
13
I / O
20
I / O
21
I / O
22
I / O
23
GND
A
19
NC
A
14
1
3
5
7
9
11
13
15
17
19
21
23
25
27
29
31
33
35
37
39
41
43
45
47
49
51
53
55
57
59
61
63
65
67
69
71
NC
PD
2
GND
PD
1
I / O
8
I / O
9
I / O
10
I / O
11
A
0
A
1
A
2
I / O
12
I / O
13
I / O
14
I / O
15
GND
A
15
PD
0 -
GND
PD
1 -
NC
PD
2 -
GND
PD
3 -
NC
功能框图
CS
2
CS
4
A
17
CS
1
CS
2
CS
3
CS
4
A
0
– A
19
20
3
PD
0
= PD
3
OE
I / O
24
I / O
25
I / O
26
I / O
27
A
3
A
4
A
5
V
CC
A
6
I / O
28
I / O
29
I / O
30
I / O
31
A
18
NC
3019 DRW 01
WE
OE
8
1M ×32
内存
8
8
8
I / O
0-7
I / O
8-15
I / O
16-23
I / O
24-31
3019 DRW 02
引脚名称
I / O
0
-I / O
31
A
0
–A
19
数据输入/输出
地址
芯片选择
写使能
OUTPUT ENABLE
深度识别
动力
地
无连接
3019 TBL 01
CS
1–
CS
4
WE
OE
PD
0–
PD
3
V
CC
GND
NC
商业级温度范围
1996
集成设备技术有限公司
1996年9月
DSC-3019/5
7.07
1
QQ：2881677436 复制
