高性能
CMOS总线
收发器
描述：
IDT54/74FCT861A/B
IDT54/74FCT863A/B
集成设备技术有限公司
产品特点：
等效于AMD的Am29861-64双极寄存器
引脚配置/功能，速度和输出驱动器在整个温度
自命电源电压极值
IDT54 / 74FCT861A / 863a的相当于FAST 速
IDT54 / 74FCT861B / 863B比FAST快25 ％
高速对称的双向收发器
I
OL
= 48毫安（商业）和32毫安（军事）
所有输入钳位二极管，用于抑制振铃
CMOS功率水平（ 1mW的典型值。静）
TTL输入和输出电平兼容
兼容CMOS输出电平
大幅降低输入电流水平比AMD的
双极Am29800系列（ 5μA最大）
- 产品在耐辐射和辐射提供
增强版
- 军工产品符合MIL -STD - 883 ， B类
在IDT54 / 74FCT800系列采用了先进的内置
双金属CMOS工艺。
在IDT54 / 74FCT860系列总线收发器提供
高性能的总线接口缓冲宽
数据/地址路径或巴士载校验。该
IDT54 / 74FCT863 9位收发器具有NAND -ED输出
能够获得最大的控制灵活性。
所有的IDT54 / 74FCT800高性能接口
系列是专为高容量负载驱动能力
同时提供低电容总线负载在两个输入端
和输出。所有的输入有钳位二极管，所有输出都
在高im-设计的低电容总线负载
pedance状态。
功能方框图
IDT54/74FCT861
IDT54/74FCT863
T
0
T
1
- T
9
OER
T
0
T
1
- T
8
OER
1
OER
2
R
0
R
1
- R
9
OET
R
0
R
1
- R
8
OET
1
OET
2
2610 DRW 01
产品选择指南
设备
10-Bit
非反相
IDT54/74FCT861
9-Bit
IDT54/74FCT863
IDT标志是集成设备技术，Inc.的注册商标。
FAST是美国国家半导体公司的商标。
军用和商用温度范围
1994
集成设备技术有限公司
1994年4月
DSC-4620/3
7.23
1
IDT54 / 74FCT861A / B ， IDT54 / 74FCT863A / B
高性能CMOS总线收发器
军用和商用温度范围
销刀豆网络gurations
IDT54 / 74FCT861 10位收发器
指数
OER
R
0
R
1
R
2
R
3
R
4
R
5
R
6
R
7
R
8
R
9
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
P24-1,
D24-1,
E24-1
＆放大器;
SO24-2
21
20
19
18
17
16
15
14
13
DIP / CERPACK / SOIC
顶视图
IDT54 / 74FCT863 9位收发器
指数
OER
1
R
0
R
1
R
2
R
3
R
4
R
5
R
6
R
7
R
8
OER
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
P24-1,
D24-1,
E24-1
＆放大器;
SO24-2
21
20
19
18
17
16
15
14
13
R
8
OER
2
GND
NC
OET
1
OET
2
T
8
VCC
T
0
T
1
T
2
T
3
T
4
T
5
T
6
T
7
T
8
OET
2
OET
1
R
2
R
3
R
4
NC
R
5
R
6
R
7
R
1
R
0
OER
NC
VCC
T
0
T
1
4
5
6
7
8
9
10
3
2
1
28 27 26
25
24
23
22
21
20
R
8
R
9
GND
NC
OET
T
9
T
8
LCC
顶视图
VCC
T
0
T
1
T
2
T
3
T
4
T
5
T
6
T
7
T
8
T
9
OET
R
2
R
3
R
4
NC
R
5
R
6
R
7
R
1
R
0
OER
NC
VCC
T
0
T
1
4
5
6
7
8
9
10
3
2
1
28 27 26
25
24
23
22
21
20
L28-1
11
19
12 13 14 15 16 17 18
T
2
T
3
T
4
NC
T
5
T
6
T
7
L28-1
11
19
12 13 14 15 16 17 18
T
2
T
3
T
4
NC
T
5
T
6
T
7
2610 DRW 02
DIP / CERPACK / SOIC
顶视图
LCC
顶视图
逻辑符号
IDT54/74FCT861
IDT54/74FCT863
OET
OET
1
OET
2
10
10
R
T
R
9
9
T
OER
OER
1
OER
2
2610 DRW 03
7.23
2
IDT54 / 74FCT861A / B ， IDT54 / 74FCT863A / B
高性能CMOS总线收发器
军用和商用温度范围
引脚说明
名字
I / O
I
I
I / O
I / O
I
I
I / O
I / O
描述
当低与配合
OET
高
激活接收模式。
当低与配合
OER
高
激活发送模式。
10位接收的输入/输出。
10位发送的输入/输出。
当低与配合
OET
I
高
激活接收模式。
当低与配合
OER
I
高
激活发送模式。
9位接收的输入/输出。
9位发送的输入/输出。
2610 TBL 01
功能表
(1)
IDT54 / 74FCT861 / 863 （非反相）
输入
输出
T
I
不适用
不适用
L
H
X
R
I
不适用
不适用
L
H
Z
T
I
L
H
不适用
不适用
Z
功能
发射
发射
接收
接收
高Z
IDT54/74FCT861
OER
OET
R
I
T
I
OET OER
L
L
H
H
H
H
H
L
L
H
R
I
L
H
不适用
不适用
X
IDT54/74FCT863
OER
I
OET
I
R
I
T
I
注意：
2610 TBL 02
1. H =高电平，L =低， Z =高阻抗， X =无所谓， N / A =不
适用的。
绝对最大额定值
(1)
符号
等级
(2)
V
TERM
端电压
对于
到GND
(3)
V
TERM
端电压
对于
到GND
T
A
操作
温度
T
BIAS
温度
在偏置
T
英镑
存储
温度
P
T
功耗
直流输出电流
I
OUT
广告
军事
单位
-0.5到+7.0 -0.5到+7.0
V
电容
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
C
IN
C
I / O
参数
(1)
输入电容
I / O容量
典型的条件。
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
6
8
马克斯。
10
12
单位
pF
pF
-0.5到V
CC
-0.5到V
CC
V
注意：
2610 TBL 04
1.该参数由特性保证，但未经测试。
0至+70
-55到+125
-55到+125
0.5
120
-55到+125
-65到+135
-65到+150
0.5
120
°C
°C
°C
W
mA
注意事项：
2610 TBL 03
1.强调超过绝对最大上市
额定值可能会导致器件的永久性损坏。这是一个应力
值仅为器件在这些或任何其他功能操作
以上这些条件在此业务部门所标明
规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。无端子电压
可能超过V
CC
以+ 0.5V ，除非另有说明。
2.输入和V
CC
只有终端。
3.输出和仅I / O端子。
7.23
3
IDT54 / 74FCT861A / B ， IDT54 / 74FCT863A / B
高性能CMOS总线收发器
军用和商用温度范围
直流电气在整个工作范围特性
下列条件适用，除非另有规定： V
LC
= 0.2V, V
H
C
= V
CC
– 0.2V
商业：T已
A
= 0 ° C至+ 70 ° C，V
CC
= 5.0V
±
5％ ;军事：T已
A
= -55℃ + 125°C ，V
CC
= 5.0V
±
10%
符号
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
I
IH
I
IL
V
IK
I
OS
V
OH
参数
输入高电平
输入低电平
输入高电流
（除I / O引脚）
输入低电平电流
（除I / O引脚）
输入高电流
（ I / O引脚只）
输入低电平电流
（ I / O引脚只）
钳位二极管电压
短路电流
输出高电压
V
CC
=最小值，我
N
= -18mA
V
CC
=最大。 ，V
O
= GND
V
CC
= 3V, V
IN
= V
LC
或V
HC
, I
OH
= –32A
V
CC
=最小值。
V
IN
= V
IH
或V
IL
V
OL
输出低电压
I
OH
= –300A
I
OH
= -15mA MIL 。
I
OH
= -24mA COM'L 。
V
CC
= 3V, V
IN
= V
LC
或V
HC
, I
OL
= 300A
V
CC
=最小值。
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 300A
I
OL
= 32毫安MIL 。
(5)
I
OL
= 48毫安COM'L 。
(5)
(3)
测试条件
(1)
确保逻辑高电平
保证逻辑低电平
V
CC
=最大。
V
I
= V
CC
V
I
= 2.7V
V
I
= 0.5V
V
I
= GND
V
CC
=最大。
V
I
= V
CC
V
I
= 2.7V
V
I
= 0.5V
V
I
= GND
分钟。
2.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
–75
V
HC
V
HC
2.4
2.4
—
—
—
—
典型值。
(2)
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
–0.7
–120
V
CC
V
CC
4.3
4.3
GND
GND
0.3
0.3
马克斯。
—
0.8
5
5
(4)
单位
V
V
A
A
–5
(4)
–5
15
15
(4)
–15
(4)
–15
–1.2
—
—
—
—
—
V
LC
V
LC(4)
0.5
0.5
V
mA
V
V
注意事项：
2610 TBL 05
1.对于显示为最大的条件。或最小，使用在电气特性适用的设备类型指定适当的值。
2.典型值是在V
CC
= 5.0V ， + 25°C的环境温度和最大负荷。
3.不能有多于一个的输出应在同一时间被短路。短路试验的持续时间应不超过一秒钟。
4.此参数是保证，但未经测试。
5.这是我最大
OL
每个输出值，输出10同时打开。最大总我
OL
（所有输出）是480毫安商业和320毫安
军事。减额我
OL
对于输出人数超过10同时打开。
7.23
4
IDT54 / 74FCT861A / B ， IDT54 / 74FCT863A / B
高性能CMOS总线收发器
军用和商用温度范围
电源特性
V
LC
= 0.2V; V
HC
= V
CC
– 0.2V
符号
I
CC
I
CC
I
CCD
参数
静态功耗
电源电流
静态电源
当前TTL输入高电平
动态电源电流
(4)
测试条件
(1)
V
CC
=最大。
V
IN
≥
V
HC
; V
IN
≤
V
LC
V
CC
=最大。
V
IN
= 3.4V
(3)
V
CC
=最大值，输出打开
OER
or
OET
= GND
一个输入切换
占空比为50％
V
CC
=最大值，输出打开
f
i
= 10MHz时
占空比为50％
V
IN
≥
V
HC
V
IN
≤
V
LC
分钟。
—
—
—
典型值。
(2)
0.2
0.5
0.15
马克斯。
1.5
2.0
0.25
单位
mA
mA
毫安/
兆赫
I
C
总电源电流
(6)
V
IN
≥
V
HC
V
IN
≤
V
LC
（ FCT ）
V
IN
= 3.4V
V
IN
= GND
V
IN
≥
V
HC
V
IN
≤
V
LC
（ FCT ）
V
IN
= 3.4V
V
IN
= GND
—
1.7
4.0
mA
OER
or
OET
= GND
一位切换
V
CC
=最大值，输出打开
f
i
= 2.5MHz的
占空比为50％
—
—
2.0
3.2
5.0
6.5
(5)
OER
or
OET
= GND
八位切换
—
5.2
14.5
(5)
2610 TBL 06
注意事项：
1.对于显示为最大的条件。或最小，使用在电气特性适用的设备类型指定适当的值。
2.典型值是在V
CC
= 5.0V ， + 25 ° C的环境。
3.每TTL驱动输入（V
IN
= 3.4V ） ;所有其他输入在V
CC
或GND 。
4.此参数是不能直接检验的，但导出的总电源计算中使用。
5.值这些条件是我的例子
CC
公式。这些限制保证，但未经测试。
6. I
C
= I
静
+I
输入
+ I
动态
I
C
= I
CC
+
I
CC
D
H
N
T
+ I
CCD
(f
CP
/2 + f
i
N
i
)
I
CC
·静态电流
I
CC
=电源电流为TTL高电平输入（V
IN
= 3.4V)
D
H
=占空比为TTL输入高电平
N
T
=的TTL输入的D号
H
I
CCD
=动态所造成的输入转换对（ HLH或LHL ）电流
f
CP
=时钟频率为注册设备（零非注册设备）
f
i
=输入频率
N
i
输入数=在f
i
所有电流都毫安，所有频率在兆赫。
7.23
5
QQ：2881677436 复制
