高速3.3V 32K ×18
同步PIPELINED
双口静态RAM
产品特点：
x
x
IDT70V9379L
x
x
x
x
真正的双端口存储器单元，可同步
相同的内存位置的访问
高速时钟对数据的访问
- 商业： 7.5 / 9 /为12ns （最大值）
低功耗工作
- IDT70V9379L
主动： 500毫瓦（典型值）。
待机：为1.5mW （典型值）。
流过或流水线输出模式任一端口通过
该
FT /管
引脚
计数器使能和复位功能
双芯片能够允许深度扩展，而不
附加逻辑
x
x
x
x
x
在两个端口全同步操作
- 在所有的控制设置为4ns时钟和为0ns持有，数据和
地址输入
- 数据输入，地址和控制寄存器
- 快速7.5ns的时钟到数据输出的流水线输出模式
- 自定时写允许快速循环时间
- 为12ns周期时间，在83MHz的流水线输出模式的操作
对于单独的上层字节和低字节控制
复用总线和总线匹配的兼容性
LVTTL-兼容，采用3.3V单电源（ ± 0.3V ）电源
工业级温度范围（-40 ° C至+ 85°C ）是
可供选择的速度
采用128引脚薄型四方扁平封装（ TQFP ）
功能框图
R/
W
L
UB
L
CE
0L
R/
W
R
UB
R
CE
0R
CE
1L
LB
L
OE
L
1
0
0/1
1
0
0/1
CE
1R
LB
R
OE
R
FT
/ PIPE
L
0/1
1b 0b
B一
1a 0a
0a 1a
a
b
0b 1b
0/1
FT
/ PIPE
R
I / O
9L
-I / O
17L
I / O
0L
-I / O
8L
I / O
控制
I / O
9R
-I / O
17R
I / O
控制
I / O
0R
-I / O
8R
A
14L
A
0L
CLK
L
计数器/
地址
注册。
内存
ARRAY
计数器/
地址
注册。
A
14R
A
0R
CLK
R
ADS
L
CNTEN
L
CNTRST
L
ADS
R
CNTEN
R
CNTRST
R
4857 DRW 01
2001年1月
1
2000集成设备技术有限公司
DSC-4857/2
IDT70V9379L
高速32K ×18的双端口同步流水线静态RAM
工业和商业温度范围
描述：
该IDT70V9379是一个高速32K ×18位同步
双口RAM 。存储器阵列采用双端口存储器单元
允许任何地址从两个端口同时访问。
在控制，数据和地址输入寄存器，提供最低限度的设置
时间和保持时间。由这种方法所提供的定时纬度允许
系统被设计成具有非常短的周期时间。
与输入数据寄存器， IDT70V9379进行了优化
具有单向或双向的数据流应用在阵阵。一
自动断电功能，通过控制
CE
0
和CE
1,
允许
芯片上的每个端口电路进入一个极低的待机功耗模式。
采用IDT ？的CMOS高性能技术制造，这些
设备通常对功耗仅为500mW的运行。
128
127
126
125
124
123
122
121
120
119
118
117
116
115
114
113
112
111
110
109
108
107
106
105
104
103
A
10R
A
11R
A
12R
A
13R
A
14R
NC
NC
NC
LB
R
UB
R
CE
0R
CE
1R
CNTRST
R
V
CC
GND
读/写
R
OE
R
FT /管
R
GND
I / O
17R
I / O
16R
I / O
15R
I / O
14R
V
CC
V
CC
I / O
13R
引脚配置
(1,2,3)
NC
NC
NC
NC
A
9R
A
8R
A
7R
A
6R
A
5R
A
4R
A
3R
A
2R
A
1R
A
0R
NC
CNTEN
R
CLK
R
ADS
R
GND
V
CC
ADS
L
CLK
L
CNTEN
L
NC
A
0L
A
1L
A
2L
A
3L
A
4L
A
5L
A
6L
A
7L
A
8L
A
9L
NC
NC
NC
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
70V9379PRF
PK-128-1
(4)
128引脚TQFP
顶视图
(5)
A
10L
A
11L
A
12L
A
13L
A
14L
NC
NC
NC
LB
L
UB
L
CE
0L
CE
1L
CNTRST
L
V
CC
GND
读/写
L
OE
L
FT /管
L
GND
I / O
17L
I / O
16L
I / O
15L
I / O
14L
V
CC
GND
I / O
13L
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
102
101
100
99
98
97
96
95
94
93
92
91
90
89
88
87
86
85
84
83
82
81
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
I / O
12R
I / O
11R
GND
NC
I / O
10R
I / O
9R
I / O
8R
I / O
7R
V
CC
I / O
6R
I / O
5R
I / O
4R
GND
I / O
3R
V
CC
I / O
2R
I / O
1R
I / O
0R
GND
V
CC
I / O
0L
I / O
1L
GND
I / O
2L
I / O
3L
GND
I / O
4L
I / O
5L
I / O
6L
I / O
7L
V
CC
I / O
8L
I / O
9L
I / O
10L
NC
V
CC
I / O
11L
I / O
12L
4857 DRW 02
注意事项：
1.所有的Vcc引脚必须连接到电源。
2.所有GND引脚必须接地。
3.包体约为14毫米X 20毫米X 1.4毫米。
4.这个包的代码来引用该包图。
5.本文并不表示实际的部分标记的方向。
6.42
2
IDT70V9379L
高速32K ×18的双端口同步流水线静态RAM
工业和商业温度范围
引脚名称
左侧端口
CE
0L,
CE
1L
读/写
L
OE
L
A
0L
- A
14L
I / O
0L
- I / O
17L
CLK
L
UB
L
LB
L
ADS
L
CNTEN
L
CNTRST
L
FT /管
L
正确的端口
CE
0R,
CE
1R
读/写
R
OE
R
A
0R
- A
14R
I / O
0R
- I / O
17R
CLK
R
UB
R
LB
R
ADS
R
CNTEN
R
CNTRST
R
FT /管
R
V
CC
GND
名字
芯片使
读/写使能
OUTPUT ENABLE
地址
数据输入/输出
时钟
高字节选择
低字节选择
地址选通启用
柜台启用
计数器复位
流通/管道
动力
地
4857 TBL 01
真值表我??读/写使能控制
(1,2,3)
OE
X
X
X
X
X
X
L
L
L
H
CLK
↑
↑
↑
↑
↑
↑
↑
↑
↑
X
CE
0
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
CE
1
X
L
H
H
H
H
H
H
H
H
UB
X
X
H
L
H
L
L
H
L
L
LB
X
X
H
H
L
L
H
L
L
L
读/写
X
X
X
L
L
L
H
H
H
X
高字节
I / O
9-17
高-Z
高-Z
高-Z
数据
IN
高-Z
数据
IN
数据
OUT
高-Z
数据
OUT
高-Z
低字节
I / O
0-8
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
数据
IN
数据
IN
高-Z
数据
OUT
数据
OUT
高-Z
取消选择，关机
取消选择，关机
两个字节取消选择
写字节上仅
写低字节只
写两个字节
读高字节只
读低字节只
阅读两个字节
输出禁用
4857 TBL 02
模式
注意事项：
1. "H" = V
IH ，
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ; = V
白细胞介素，
英寸× ＆ QUOT ; =不在乎。
2.
ADS ， CNTEN ， CNTRST
= X.
3.
OE
是一个异步输入信号。
6.42
3
IDT70V9379L
高速32K ×18的双端口同步流水线静态RAM
工业和商业温度范围
事实表二??地址计数器控制
(1,2,6)
地址
X
An
An
X
前
地址
X
X
Ap
Ap
ADDR
二手
0
An
Ap
AP + 1
CLK
↑
↑
↑
↑
ADS
X
L
(4)
H
H
CNTEN
X
X
H
L
(5)
CNTRST
L
H
H
H
I / O
(3)
D
I / O
(0)
D
I / O
(n)
D
I / O
(p)
模式
台面板R复位到地址0
外部地址装入计数器
外部地址阻止柜台残疾人（AP重复使用）
D
I / O
（P + 1 ）柜台启用，内部地址的产生
4857 TBL 03
注意事项：
1. "H" = V
IH ，
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ; = V
白细胞介素，
英寸× ＆ QUOT ; =不在乎。
2.
CE
0
,
LB ， UB ，
和
OE
= V
IL
; CE
1
和R / W = V
IH
.
3.输出配置流通输出模式;如果输出在流水线模式的数据输出将被一个周期延迟。
4.
ADS
独立于所有其他信号，包括
CE
0
，CE
1
,
UB
和
LB。
5.如果地址计数器进展
CNTEN
= V
IL
在CLK的上升沿，而不管所有其他信号，包括
CE
0
，CE
1
,
UB
和
LB。
6.在加载外部地址（ ADS = V
IL
） ， R / W = V
IH
推荐，以保证数据不被写入任意。
推荐工作
温度和电源电压
(1)
GRADE
广告
产业
环境
温度
(2)
0
O
C至+70
O
C
-40°C至+ 85°C
O
O
建议的直流工作
条件
符号
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
分钟。
3.0
0
2.0V
-0.3
(1)
典型值。
3.3
0
____
马克斯。
3.6
0
V
CC
+0.3V
(2)
0.8
单位
V
V
V
V
4857 TBL 05
GND
0V
0V
VCC
V
CC
3.3V
+
0.3V
3.3V
+
0.3V
4857 TBL 04
GND
V
IH
V
IL
注意事项：
1，工业级温度：特定速度，包和权力联系您
销售网络的CE 。
2.这是参数T
A
。这是"instant on"外壳温度。
____
注意事项：
1. V
IL
> -1.5V脉冲宽度小于10纳秒。
2. V
TERM
一定不能超过V
CC
+0.3V.
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
(2)
电容
(1)
单位
V
等级
端电压
关于
GND
温度
在偏置
存储
温度
直流输出电流
广告
＆放大器;产业
-0.5到+4.6
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MH
Z
)
符号
C
IN
C
OUT
(3)
参数
输入电容
输出电容
条件
(2)
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
马克斯。
9
10
单位
pF
pF
4857 TBL 07
T
BIAS
T
英镑
I
OUT
-55到+125
-55到+150
50
o
C
C
o
mA
4857 TBL 06
注意事项：
1.强调超过绝对最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上的任何其他条件的操作说明
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
2. V
TERM
一定不能超过V
CC
+ 0.3V为周期时间为10ns或25％以上
最大，并且被限制为< 20毫安为Ⅴ的周期
TERM
＆ GT ; V
CC
+ 0.3V.
注意事项：
1.这些参数由器件特性决定的，但不
生产测试。
2. 3DV引用插电容时的输入和输出开关
从0V到3V或3V至0V 。
3. C
OUT
还引用
I / O
.
6.42
4
IDT70V9379L
高速32K ×18的双端口同步流水线静态RAM
工业和商业温度范围
DC电气特性在工作
温度和电源电压范围
(V
CC
= 3.3V ± 0.3V)
70V9379L
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
(1)
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
V
CC
= 3.6V, V
IN
= 0V至V
CC
CE
= V
IH
或CE
1
= V
IL
, V
OUT
= 0V至V
CC
I
OL
= + 4毫安
I
OH
= -4mA
测试条件
分钟。
___
马克斯。
5
5
0.4
___
单位
A
A
V
V
4857 TBL 08
___
___
2.4
注意：
1.在Vcc ＆ LT ; 2.0V输入泄漏是不确定的。
DC电气特性在工作
温度电源电压范围
(3,6)
(V
CC
= 3.3V ± 0.3V)
70V9379L7
Com'l只有
符号
I
CC
参数
工作动态
电流（两个
端口激活）
待机电流
（这两个端口 - TTL
电平输入）
待机
电流（一
端口 - TTL
电平输入）
全备
电流（两个
端口 - CMOS
电平输入）
全备
电流（一
端口 - CMOS
电平输入）
测试条件
CE
L
和
CE
R
= V
IL
,
输出禁用，
f = f
最大
(1)
CE
L
=
CE
R
= V
IH
f = f
最大
(1)
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
= V
IL
和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
= V
IH
(5)
有源端口输出
残疾人，女= F
最大
(1)
这两个端口
CE
L
和
CE
R
＆ GT ; V
CC
- 0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或
V
IN
＆ LT ; 0.2V ， F = 0
(2)
VERSION
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
典型值。
(4)
200
____
70V9379L9
Com'l只有
典型值。
(4)
180
____
70V9379L12
Com'l只有
典型值。
(4)
150
____
马克斯。
310
____
马克斯。
260
____
马克斯。
230
____
单位
mA
I
SB1
65
____
130
____
50
____
100
____
40
____
80
____
mA
I
SB2
140
____
245
____
110
____
190
____
100
____
175
____
mA
I
SB3
0.4
____
3
____
0.4
____
3
____
0.4
____
3
____
mA
I
SB4
Com'l
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
＆ LT ; 0.2V和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
(5)
IND
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或
V
IN
＆ LT ; 0.2V ，主动端口，
输出禁用，女= F
最大
(1)
130
____
235
____
100
____
180
____
90
____
165
____
mA
注意事项：
1.在f = F
最大
，地址和控制线（除输出使能）被循环以1 /吨的最高频率的时钟周期
CYC
使用＆ QUOT ; AC测试条件和QUOT ;在输入
GND水平为3V 。
2， F = 0表示无地址，时钟，控制线变化。仅适用于在输入CMOS电平的待机。
3.端口"A"可能是左或右端口。港口"B"从口"A"相反。
4. VCC = 3.3V ，T
A
= 25℃典型值，而不是生产测试。我
CC DC
（ F = 0 ）= 90毫安（典型值） 。
5.
CE
X
= V
IL
手段
CE
0X
= V
IL
和CE
1X
= V
IH
CE
X
= V
IH
手段
CE
0X
= V
IH
或CE
1X
= V
IL
CE
X
＆ LT ; 0.2V手段
CE
0X
＆ LT ; 0.2V和CE
1X
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
CE
X
＆ GT ; V
CC
- 0.2V手段
CE
0X
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或CE
1X
＆ LT ; 0.2V
英寸× ＆ QUOT ;表示\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;左端口或＆ QUOT ; R QUOT ;为正确的端口。
6.工业级温度：特定速度，包和权力联系您的销售办事处。
4857 TBL 09
6.42
5
QQ：2881677436 复制
