快速CMOS八路
收发器/寄存器
IDT54/74FCT646
IDT54/74FCT646A
IDT54/74FCT646C
集成设备技术有限公司
产品特点：
IDT54 / 74FCT646相当于FAST 速度;
IDT54 / 74FCT646A比FAST快30 ％
IDT54 / 74FCT646C比FAST快40 ％
对于A和B总线独立的寄存器
多路实时和存储的数据
I
OL
= 64毫安（商业）和48毫安（军事）
CMOS功率水平（ 1mW的典型静态）
TTL输入，兼容输出电平
兼容CMOS输出电平
采用24引脚（ 300 mil）的陶瓷浸渍，塑料DIP ， SOIC ，
CERPACK和28引脚LCC
- 产品在耐辐射和辐射提供
增强版
- 军工产品符合MIL -STD - 883 ， B类
描述：
在IDT54 / 74FCT646 / A / C是由总线收发器
与设置为三态的D型触发器和控制电路
直接从数据总线复用的发送数据的全部或
从内部存储寄存器。
在IDT54 / 74FCT646 / A / C利用使能控制（
G
)
和方向（ DIR）的引脚来控制收发器的功能。
提供SAB和SBA控制引脚来选择真正的
时间或存储的数据传送。用于选择电路
控制将消除发生在典型的解码毛刺
之间的过渡期间，多路转换器存储和实
时间数据。低输入电平选择实时数据和
高选择存储的数据。
A或B的数据总线上的数据或两者都可以被存储在
内部的D触发器由低到高的跳变，
适当的时钟引脚（ CPAB或CPBA ），而不管该
选择或使能控制引脚。
功能框图
G
DIR
CPBA
SBA
CPAB
SAB
1 8通道
B REG
1D
C
1
A
1
一个reg
1D
C
1
B
1
TO 7其他渠道
2536 DRW 01
IDT标志是集成设备技术，Inc.的注册商标。
FAST是美国国家半导体公司的注册商标。
军用和商用温度范围
1992
集成设备技术有限公司
1992年5月
DSC-4626/2
7.18
1
IDT54/74FCT646/A/C
快速CMOS八路收发器/寄存器
军用和商用温度范围
销刀豆网络gurations
指数
12
13
A
7
A
8
GND
NC
B
8
B
7
B
6
CPAB
SAB
DIR
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
24
23
22
P24-1,
D24-1,
S024-2
＆放大器;
E24-1
21
20
19
18
17
16
15
14
VCC
CPBA
SBA
G
B
1
B
2
B
3
B
4
B
5
B
6
B
7
B
8
DIR
SAB
CPAB
NC
VCC
CPBA
SBA
4
3
2
1
28 27 26
25
24
23
5
6
7
8
9
10
A
1
A
2
A
3
NC
A
4
A
5
A
6
L28-1
22
21
20
11
19
12 13 14 15 16 17 18
G
B
1
B
2
NC
B
3
B
4
B
5
2536 DRW 02
DIP / SOIC / CERPACK
顶视图
LCC
顶视图
引脚说明
引脚名称
A
1
–A
8
B
1
–B
8
CPAB ， CPBA
SAB ， SBA
DIR ，
G
描述
数据寄存器A输入
数据寄存器B输出
数据寄存器B输入
数据寄存器A输出
时钟脉冲输入
输出数据源选择输入
输出使能输入
2536 TBL 01
逻辑符号
CPAB
SAB
DIR
CPBA
SBA
G
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
B
1
B
2
B
3
B
4
B
5
B
6
B
7
B
8
2536 DRW 06
功能表
(2)
G
H
H
L
L
L
L
输入
DIR
X
X
L
L
H
H
CPAB
H或L
↑
X
X
X
H或L
CPBA
H或L
↑
X
H或L
X
X
SAB
X
X
X
X
L
H
SBA
X
X
L
H
X
X
数据I / O
(1)
A
1
–A
8
输入
产量
输入
B
1
–B
8
输入
输入
产量
操作或功能
IDT54/74FCT646
隔离
商店A和B的数据
实时B数据到总线
存储B数据到总线
实时的数据到B总线
存储在数据到B总线
注意事项：
2536 TBL 02
1.数据输出功能可被使能，或将各种信号的禁用
G
或DIR输入。数据输入功能始终处于启用状态，即在数据
在总线引脚将存储上的时钟输入每低到高的跳变。
2. H =高电平，L =低， X =无所谓，
↑
=低到高的转变。
7.18
2
IDT54/74FCT646/A/C
快速CMOS八路收发器/寄存器
军用和商用温度范围
绝对最大额定值
(1)
符号
等级
(2)
V
TERM
端电压
对于
到GND
(3)
V
TERM
端电压
对于
到GND
T
A
操作
温度
T
BIAS
温度
在偏置
T
英镑
存储
温度
P
T
功耗
I
OUT
直流输出电流
广告
军事
单位
-0.5到+7.0 -0.5到+7.0
V
电容
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
C
IN
C
I / O
参数
(1)
输入电容
I / O容量
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
典型值。马克斯。单位
6
8
10
12
pF
pF
TBL 04
-0.5到V
CC
-0.5到V
CC
V
注意：
2536
1.此参数的测量是在表征，但未经测试。
0至+70
-55到+125
-55到+125
0.5
120
-55到+125
-65到+135
-65到+150
0.5
120
°C
°C
°C
W
mA
注意事项：
2536 TBL 03
1.强调超过绝对最大上市
额定值可能会导致器件的永久性损坏。这是一个应力
值仅为器件在这些或任何其他功能操作
以上这些条件在此业务部门所标明
规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。无端子电压
可能超过V
CC
以+ 0.5V ，除非另有说明。
2.输入和V
CC
只有终端。
3.输出和仅I / O端子。
直流电气在整个工作范围特性
下列条件适用，除非另有规定： V
LC
= 0.2V; V
HC
= V
CC
– 0.2V
商业：T已
A
= 0 ° C至+ 70 ° C，V
CC
= 5.0V
±
5％ ;军事：T已
A
= -55℃ + 125°C ，V
CC
= 5.0V
±
10%
符号
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
I
IH
I
IL
V
IK
I
OS
V
OH
参数
输入高电平
输入低电平
输入高电流
（除I / O引脚）
输入低电平电流
（除I / O引脚）
输入高电流
（ I / O引脚只）
输入低电平电流
（ I / O引脚只）
钳位二极管电压
短路电流
输出高电压
测试条件
(1)
确保逻辑高电平
保证逻辑低电平
V
CC
=最大。
V
I
= V
CC
V
I
= 2.7V
V
I
= 0.5V
V
I
= GND
V
CC
=最大。
V
I
= V
CC
V
I
= 2.7V
V
I
= 0.5V
V
I
= GND
V
CC
=最小值，我
N
= -18mA
V
CC
=最大。
(3)
, V
O
= GND
V
CC
= 3V, V
IN
= V
LC
或V
HC
, I
OH
= –32A
I
OH
= –300A
V
CC
=最小值。
I
OH
= -12mA MIL 。
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= -15mA COM'L 。
V
CC
= 3V, V
IN
= V
LC
或V
HC
, I
OL
= 300A
I
OL
= 300A
V
CC
=最小值。
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 48毫安MIL 。
I
OL
= 64毫安COM'L 。
分钟。
2.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
–60
V
HC
V
HC
2.4
2.4
—
—
—
—
典型值。
(2)
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
–0.7
–120
V
CC
V
CC
4.0
4.0
GND
GND
0.3
0.3
马克斯。
—
0.8
5
5
(4)
–5
(4)
–5
15
15
(4)
–15
(4)
–15
–1.2
—
—
—
—
—
V
LC
V
LC(4)
0.55
0.55
单位
V
V
A
A
V
mA
V
V
OL
输出低电压
V
注意事项：
1.对于显示为最大的条件。或最小，使用在电气特性适用的设备类型指定适当的值。
2.典型值是在V
CC
= 5.0V ， + 25°C的环境温度和最大负荷。
3.不能有多于一个的输出应在同一时间被短路。短路试验的持续时间应不超过一秒钟。
4.此参数是保证，但未经测试。
2536 TBL 05
7.18
4
IDT54/74FCT646/A/C
快速CMOS八路收发器/寄存器
军用和商用温度范围
电源特性
V
LC
= 0.2V; V
HC
= V
CC
– 0.2V
符号
I
CC
I
CC
I
CCD
参数
静态电源电流
静态电源电流
TTL输入高电平
动态电源电流
(4)
测试条件
(1)
V
CC
=最大。
V
IN
≥
V
HC
; V
IN
≤
V
LC
V
CC
=最大。
V
IN
= 3.4V
(3)
V
CC
=最大。
输出打开
G
= DIR = GND
一个输入切换
占空比为50％
V
CC
=最大。
输出打开
f
CP
= 10MHz时
占空比为50％
G
= DIR = GND
一位切换
在网络连接= 5MHz时，
占空比为50％
V
CC
=最大。
输出打开
f
CP
= 10MHz时
占空比为50％
G
= DIR = GND
八位切换
在f
i
= 5MHz时，
占空比为50％
V
IN
≥
V
HC
V
IN
≤
V
LC
分钟。
—
—
—
典型值。
(2)
0.2
0.5
0.15
马克斯。
1.5
2.0
0.25
单位
mA
mA
毫安/ MHz的
I
C
总电源电流
(6)
V
IN
≥
V
HC
V
IN
≤
V
LC
（ FCT ）
V
IN
= 3.4V
V
IN
= GND
—
1.7
4.0
mA
—
2.2
6.0
V
IN
≥
V
HC
V
IN
≤
V
LC
（ FCT ）
V
IN
= 3.4V
V
IN
= GND
—
7.0
12.8
(5)
—
9.2
21.8
(5)
注意事项：
1.对于显示为最大的条件。或最小，使用在电气特性适用的设备类型指定适当的值。
2.典型值是在V
CC
= 5.0V ， + 25 ° C的环境。
3.每TTL驱动输入（V
IN
= 3.4V ） ;所有其他输入在V
CC
或GND 。
4.此参数是不能直接检验的，但导出的总电源计算中使用。
5.值这些条件是我的例子
CC
公式。这些限制保证，但未经测试。
6. I
C
= I
静
+ I
输入
+ I
动态
I
C
= I
CC
+
I
CC
D
H
N
T
+ I
CCD
(f
CP
/2 + f
i
N
i
)
I
CC
·静态电流
I
CC
=电源电流为TTL高电平输入（V
IN
= 3.4V)
D
H
=占空比为TTL输入高电平
N
T
=的TTL输入的D号
H
I
CCD
=动态电流通过输出转换对（ HLH或LHL ）引起的
f
CP
=时钟频率为注册设备（零非注册设备）
f
i
=输入频率
N
i
输入数=在f
i
所有电流都毫安，所有频率在兆赫。
2536 TBL 06
7.18
5
QQ：2881677436 复制
