快速CMOS八路
缓冲器/线路驱动器
集成设备技术有限公司
IDT54/74FCT240/A/C
IDT54/74FCT241/A/C
IDT54/74FCT244/A/C
IDT54/74FCT540/A/C
IDT54/74FCT541/A/C
产品特点：
相当于FAST IDT54 / 74FCT240 / 244分之241 /五百四十一分之五百四十
速度和驱动器
IDT54 / 74FCT240A / 241A / 244A / 540A / 541A快25％
比FAST
IDT54 / 74FCT240C / 241C / 244C / 540C / 541C高达55％
比快更快
I
OL
= 64毫安（商业）和48毫安（军事）
CMOS功率水平（ 1mW的典型值。静）
- 产品在耐辐射和辐射提供
增强版
- 军工产品符合MIL -STD - 883 ， B类
- 符合或超过JEDEC标准规格18
TM
描述：
IDT的八路缓冲器/线路驱动器采用了先进的内置
双金属CMOS工艺。在IDT54 / 74FCT240 / A / C ，
IDT54 / 74FCT241 / A / C和IDT54 / 74FCT244 / A / C设计
要用作存储器和地址驱动器，时钟驱动器
和面向总线的发送器/接收器，它提供了改进的
电路板密度。
在IDT54 / 74FCT540 / A / C和IDT54 / 74FCT541 / A / C是
在功能上与IDT54 / 74FCT240 / A / C和IDT54类似的/
74FCT244 / A / C分别表示不同的是，输入和输出
看跌期权是在封装的相对两侧。该引脚排列
安排使得这些设备作为输出特别有用
微处理器和作为背板驱动程序，允许端口
简化的布局和更大的电路板密度。
功能方框图
2529 CNV * 01-03
OE
A
OE
B
DA
0
OB
0
DA
1
OB
1
DA
2
OB
2
DA
3
OB
3
IDT54/74FCT240
OA
0
DB
0
OA
1
DB
1
OA
2
DB
2
OA
3
DB
3
DA
0
OB
0
DA
1
OB
1
DA
2
OB
2
DA
3
OB
3
IDT54/74FCT241/244
* OE
B
241 ， OE
B
对于244
OE
A
241只
OE
B
*
OA
0
DB
0
OA
1
DB
1
OA
2
DB
2
OA
3
DB
3
D
0
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
IDT54/74FCT540/541
*显示为“ FCT540逻辑图。
“ FCT541是所述非反相的选择。
2606 DWG 01-03
OE
A
OE
B
O
0
*
O
1
*
O
2
*
O
3
*
O
4
*
O
5
*
O
6
*
O
7
*
IDT标志是集成设备技术，Inc.的注册商标。
FAST是美国国家半导体公司的商标。
军用和商用温度范围
1992
集成设备技术有限公司
1992年5月
DSC-4610/3
7.8
1
IDT54/74FCT240/241/244/540/541/A/C
快速CMOS八路缓冲器/线路驱动器
军用和商用温度范围
销刀豆网络gurations
IDT54/74FCT240
OB
0
OE
A
V
CC
OE
A
DA
0
OB
0
DA
1
OB
1
DA
2
OB
2
DA
3
OB
3
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
P20-1
D20-1 16
SO20-2 15
＆放大器;
E20-1 14
13
12
11
17
V
CC
OE
B
OA
0
DB
0
OA
1
DB
1
OA
2
DB
2
OA
3
DB
3
3 2
DA
1
OB
1
DA
2
OB
2
DA
3
4
5
6
7
8
DA
0
指数
1
20 19
18
17
16
15
OE
B
2529 CNV * 04-09
OA
0
DB
0
OA
1
DB
1
OA
2
L20-2
14
9 10 11 12 13
OB
3
GND
DB
3
OA
3
DB
2
DIP / SOIC / CERPACK
顶视图
LCC
顶视图
IDT54/74FCT241/244
OB
0
OE
A
DA
0
OB
0
DA
1
OB
1
DA
2
OB
2
DA
3
OB
3
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
P20-1
D20-1
SO20-2
＆放大器;
E20-1
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
V
CC
OE
B
*
OA
0
DB
0
OA
1
DB
1
OA
2
DB
2
OA
3
DB
3
3 2
DA
1
OB
1
DA
2
OB
2
DA
3
4
5
6
7
8
9 10 11 12 13
L20-2
1
20 19
18
17
16
15
14
OA
0
DB
0
OA
1
DB
1
OA
2
GND
DB
3
OB
3
DA
0
指数
OA
3
OE
A
V
CC
DIP / SOIC / CERPACK
顶视图
* OE
B
241 ，
OE
B
对于244
LCC
顶视图
IDT54/74FCT540/541
OE
A
V
CC
1
OE
A
D
0
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
GND
D
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
19
18
P20-1
D20-1 16
SO20-2 15
＆放大器;
14
E20-1
13
12
11
17
OE
B
O
0
*
O
1
*
O
2
*
O
3
*
O
4
*
O
5
*
O
6
*
O
7
*
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
4
5
6
7
8
3 2
D
0
1
20
V
CC
20 19
18
17
16
15
14
OE
B
指数
DB
2
OE
B
*
O
0
*
O
1
*
O
2
*
O
3
*
O
4
*
L20-2
9 10 11 12 13
GND
O
7
*
O
6
*
D
7
DIP / SOIC / CERPACK
顶视图
*
O
X
540 ，哦
X
对于541
LCC
顶视图
O
5
*
2606 CNV * 04-09
7.8
2
IDT54/74FCT240/241/244/540/541/A/C
快速CMOS八路缓冲器/线路驱动器
军用和商用温度范围
引脚说明
引脚名称
OE
A
,
OE
B
OE
B (1)
DXX
OXX
注意：
1. OE
B
只为241 。
功能表
OE
A
L
L
H
2606 TBL 04
描述
三态输出使能输入（低电平有效）
三态输出使能输入（高电平有效）
输入
输出
输入
(1)
OE
B
OE
B(2)
L
L
H
H
H
L
D
L
H
X
240
H
L
Z
输出
(1)
241 244 540
L
H
Z
L
H
541
L
H
Z
L
Z
H
Z
2606 TBL 05
注意事项：
1. H =高电压电平
X =无关
L =低电压等级
Z =高阻抗
2. OE
B
只为241 。
绝对最大额定值
(1)
符号
等级
(2)
端电压
V
TERM
关于
GND
(3)
端电压
V
TERM
关于
GND
T
A
操作
温度
T
BIAS
温度
在偏置
T
英镑
存储
温度
P
T
功耗
I
OUT
DC输出
当前
广告
军事
-0.5到+7.0 -0.5到+7.0
单位
V
电容
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入
电容
产量
电容
(1)
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
典型值。
6
8
马克斯。
10
12
单位
pF
pF
2606 TBL 02
-0.5到V
CC
-0.5到V
CC
V
0至+70
-55到+125
-55到+125
0.5
120
-55到+125
-65到+135
-65到+150
0.5
120
°
C
°
C
°
C
W
mA
注意：
1.此参数的测量是在表征，但未经测试。
注意事项：
2606 TBL 01
1.强调超过绝对最大上市
额定值可能会导致器件的永久性损坏。这是一个应力
值仅为器件在这些或任何其他功能操作
以上这些条件在此业务部门所标明
规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。无端子电压
可能超过V
CC
以+ 0.5V ，除非另有说明。
2.输入和V
CC
只有终端。
3.输出和仅I / O端子。
7.8
3
IDT54/74FCT240/241/244/540/541/A/C
快速CMOS八路缓冲器/线路驱动器
军用和商用温度范围
直流电气在整个工作范围特性
下列条件适用，除非另有规定： V
LC
= 0.2V; V
HC
= V
CC
– 0.2V
商业：T已
A
= 0 ° C至+ 70 ° C，V
CC
= 5.0V
±
5％ ;军事：T已
A
= -55℃ + 125°C ，V
CC
= 5.0V
±
10%
符号
V
IH
V
IL
I
I H
I
I L
I
OZH
I
OZL
V
IK
I
OS
V
OH
钳位二极管电压
短路电流
输出高电压
V
CC
=最小值，我
N
= -18mA
V
CC
=最大。
(3)
, V
O
= GND
V
CC
= 3V, V
IN
= V
LC
或V
HC
, I
OH
= –32
A
V
CC
=最小值。
V
IN
= V
IH
或V
IL
V
OL
输出低电压
I
OH
= –300
A
I
OH
= -12mA MIL 。
I
OH
= -15mA COM'L 。
V
CC
= 3V, V
IN
= V
LC
或V
HC
, I
OL
= 300
A
V
CC
=最小值。
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 300
A
I
OL
= 48毫安MIL 。
I
OL
= 64毫安COM'L 。
参数
输入高电平
输入低电平
输入高电流
输入低电平电流
关闭状态（高阻）
输出电流
V
CC
=最大。
测试条件
(1)
确保逻辑高电平
保证逻辑低电平
V
CC
=最大。
V
I
= V
CC
V
I
= 2.7V
V
I
= 0.5V
V
I
= GND
V
O
= V
CC
V
O
= 2.7V
V
O
= 0.5V
V
O
= GND
分钟。
2.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
–60
V
HC
V
HC
2.4
2.4
—
—
—
—
典型值。
(2)
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
–0.7
–120
V
CC
V
CC
4.3
4.3
GND
GND
0.3
0.3
马克斯。
—
0.8
5
5
(4)
–5
(4)
–5
10
10
(4)
–10
(4)
–10
–1.2
—
—
—
—
—
V
LC
V
LC(4)
0.55
0.55
2606 TBL 03
单位
V
V
A
A
V
mA
V
V
注意事项：
1.对于显示为最大的条件。或最小，使用在电气特性适用的设备类型指定适当的值。
2.典型值是在V
CC
= 5.0V ， + 25°C的环境温度和最大负荷。
3.不能有多于一个的输出应在同一时间被短路。短路试验的持续时间应不超过一秒钟。
4.此参数是保证，但未经测试。
7.8
4
IDT54/74FCT240/241/244/540/541/A/C
快速CMOS八路缓冲器/线路驱动器
军用和商用温度范围
电源特性
V
LC
= 0.2V; V
HC
= V
CC
– 0.2V
符号
I
CC
I
CC
I
CCD
参数
静态电源电流
静态电源电流
TTL输入高电平
动态电源
当前
(4)
测试条件
(1)
V
CC
=最大。
V
IN
≥
V
HC
; V
IN
≤
V
LC
V
CC
=最大。
V
IN
= 3.4V
(3)
V
CC
=最大。
输出打开
OE
A
=
OE
B
= GND或
OE
A
= GND ，
OE
B
= V
CC
一个输入切换
占空比为50％
V
CC
=最大。
输出打开
科幻= 10MHz时
占空比为50％
OE
A
=
OE
B
= GND或
OE
A
= GND ，
OE
B
= V
CC
一位切换
V
CC
=最大。
输出打开
科幻= 5MHz时，
占空比为50％
OE
A
=
OE
B
= GND或
OE
A
= GND ，
OE
B
= V
CC
八位切换
分钟。
—
—
V
IN
≥
V
HC
V
IN
≤
V
LC
—
典型值。
(2)
0.2
0.5
0.15
马克斯。
1.5
2.0
0.25
单位
mA
mA
毫安/
兆赫
I
C
总电源电流
(6)
V
IN
≥
V
HC
V
IN
≤
V
LC
（ FCT ）
V
IN
= 3.4V
V
IN
= GND
—
1.7
4.0
mA
—
2.0
5.0
V
IN
≥
V
HC
V
IN
≤
V
LC
（ FCT ）
V
IN
= 3.4V
V
IN
= GND
—
3.2
6.5
(5)
—
5.2
14.5
(5)
注意事项：
1.对于显示为最大的条件。或最小，使用在电气特性适用的设备类型指定适当的值。
2.典型值是在V
CC
= 5.0V ， + 25 ° C的环境。
3.每TTL驱动输入（V
IN
= 3.4V ） ;所有其他输入在V
CC
或GND 。
4.此参数是不能直接检验的，但导出的总电源计算中使用。
5.值这些条件是我的例子
CC
公式。这些限制保证，但未经测试。
6. I
C
= I
静
+ I
输入
+ I
动态
I
C
= I
CC
+
I
CC
D
H
N
T
+ I
CCD
(f
CP
/2 + f
i
N
i
)
I
CC
·静态电流
I
CC
=电源电流为TTL高电平输入（V
IN
= 3.4V)
D
H
=占空比为TTL输入高电平
N
T
=的TTL输入的D号
H
I
CCD
=动态所造成的输入转换对（ HLH或LHL ）电流
f
CP
=时钟频率为注册设备（零非注册设备）
f
i
=输入频率
N
i
输入数=在f
i
所有电流都毫安，所有频率在兆赫。
2606 TBL 06
7.8
5
IDT54/74FCT541/A/C
快速CMOS八路缓冲器/线路驱动器
军用和商用温度范围
快速CMOS八路
缓冲器/线路驱动器
IDT54/74FCT541/A/C
产品特点：
IDT54FCT541相当于FAST 速度和驱动
IDT54 / 74FCT541A比快速更快高达25％的
IDT74FCT541C高达55 ％，比快更快
I
OL
= 64毫安（商业）和48毫安（军事）
CMOS功率级（ 1毫瓦典型值静态）
军工产品符合MIL -STD - 883 ， B类
达到或超过JEDEC标准规格18
提供以下套餐：
- 商业： SOIC
- 军事： CERDIP ， LCC
描述：
IDT的八路缓冲器/线路驱动器使用的是先进的双金属建造
CMOS技术。该FCT541被设计为用作存储器
和地址驱动器，时钟驱动器和总线面向发射器/接收器
它提供了改进的电路板密度。该FCT541的功能类似
到FCT244 ，除了输入和输出上的相对两侧
该程序包。这引出线安排使得特别是这些设备
作为输出端口，用于微处理器和作为背板的驱动是有用的，
从而简化布局和更大的电路板密度。
功能框图
OE
A
1
19
OE
B
D
0
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
2
18
O
0
O
1
O
2
O
3
O
4
O
5
O
6
O
7
3
17
4
16
5
15
6
14
7
13
8
12
9
11
IDT标志是集成设备技术，Inc.的注册商标。
军用和商用温度范围
1
2002年6月
DSC-5429/4
2002集成设备技术有限公司
IDT54/74FCT541/A/C
快速CMOS八路缓冲器/线路驱动器
军用和商用温度范围
引脚配置
OE
A
D
0
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
GND
2
3
4
5
6
7
8
9
10
19
18
17
16
15
14
13
12
11
OE
B
O
0
O
1
O
2
O
3
O
4
O
5
O
6
O
7
3
2
1
20
19
18
17
16
15
14
9
10
11
12
13
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
1
D
0
OE
A
1
20
V
CC
指数
OE
B
V
CC
4
5
6
7
8
O
0
O
1
O
2
O
3
O
4
D
7
GND
O
7
O
6
CERDIP / SOIC
顶视图
LCC
顶视图
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
(2)
V
TERM
(3)
T
A
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
等级
端电压
相对于GND
端电压
相对于GND
工作温度
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流
0至+70
-55到+125
-55到+125
0.5
120
-55到+125
-65到+135
-65到+150
0.5
120
°C
°C
°C
W
mA
-0.5到V
CC
-0.5到V
CC
V
广告
-0.5到+7
军事
-0.5到+7
单位
V
引脚说明
引脚名称
OE
A
,
OE
B
Dx
Ox
输入
输出
描述
三态输出使能输入（低电平有效）
功能表
(1)
OE
A
L
L
H
输入
OE
B
L
L
H
Dx
L
H
X
产量
Ox
L
H
Z
注意事项：
1.强调超过绝对最大额定值可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能的操作
该设备在这些或以上的任何其他条件，在操作指示的
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。没有端子电压可能超过
的Vcc以+ 0.5V ，除非另有说明。
2.输入只有Vcc的端子。
3.输出和仅I / O端子。
电容
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
C
IN
C
OUT
参数
(1)
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
典型值。
6
8
马克斯。
10
12
单位
pF
pF
注意：
1. H =高电压电平
X =无关
L =低电压等级
Z =高阻抗
注意：
1.此参数的测量是在表征，但未经测试。
2
O
5
IDT54/74FCT541/A/C
快速CMOS八路缓冲器/线路驱动器
军用和商用温度范围
直流电气在整个工作范围特性
下列条件适用，除非另有规定： V
LC
= 0.2V; V
HC
= V
CC
- 0.2V
商业：T已
A
= 0 ° C至+ 70 ° C，V
CC
= 5.0V ± 5 ％ ，军用：T已
A
= -55 ° C至+ 125°C ，V
CC
= 5.0V ±10%
符号
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
I
OZH
I
OZL
V
IK
I
OS
V
OH
关闭状态（高阻）
输出电流
钳位二极管电压
短路电流
输出高电压
V
CC
=最大。
参数
输入高电平
输入低电平
输入高电流
V
CC
=最大。
输入低电平电流
测试条件
(1)
确保逻辑高电平
保证逻辑低电平
V
I
= V
CC
V
I
= 2.7V
V
I
= 0.5V
V
I
= GND
V
O
= V
CC
V
O
= 2.7V
V
O
= 0.5V
V
O
= GND
分钟。
2
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
–60
V
HC
V
HC
2.4
2.4
—
—
—
—
典型值。
(2)
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
–0.7
–120
V
CC
V
CC
4.3
4.3
GND
GND
0.3
0.3
马克斯。
—
0.8
5
5
(4)
–5
(4)
–5
10
10
(4)
–10
(4)
–10
–1.2
—
—
—
—
—
V
LC
V
LC
(4)
0.55
0.55
A
A
单位
V
V
V
CC
=最小值，我
IN
= -18mA
V
CC
=最大，V
O
= GND
(3)
V
CC
= 3V, V
IN
= V
LC
或V
HC
, I
OH
= –32A
V
CC
=分钟
I
OH
= –300A
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= -12mA MIL
I
OH
= -15mA COM'L
V
CC
= 3V, V
IN
= V
LC
或V
HC
, I
OL
= 300A
V
CC
=分钟
I
OL
= 300A
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 48毫安MIL
I
OL
= 64毫安COM'L
V
mA
V
V
OL
输出低电压
V
注意事项：
1.对于显示为最小值的条件。或最大，用在电气特性适用的设备类型指定适当的值。
2.典型值是在V
CC
= 5.0V ， + 25°C的环境温度和最大负荷。
3.不能有多于一个的输出应在同一时间进行测试。该试验的持续时间应不超过一秒钟。
4.此参数是保证，但不ttested 。
3
IDT54/74FCT541/A/C
快速CMOS八路缓冲器/线路驱动器
军用和商用温度范围
电源特性
V
LC
= 0.2V; V
HC
= V
CC
- 0.2V
符号
I
CC
I
CC
I
CCD
参数
静态电源电流
静态电源电流
TTL输入高电平
动态电源
当前
(4)
测试条件
(1)
V
CC
=最大。
V
IN
≥
V
HC
; V
IN
≤
V
LC
V
CC
=最大。
V
IN
= 3.4V
(3)
V
CC
=最大。
输出打开
OE
A
=
OE
B
= GND或
OE
A
= GND
一个输入切换
占空比为50％
V
CC
=最大。
输出打开
科幻= 10MHz时
占空比为50％
OE
A
=
OE
B
= GND或
OE
A
= GND
一位切换
V
CC
=最大。
输出打开
科幻= 2.5MHz的
占空比为50％
OE
A
=
OE
B
= GND或
OE
A
= GND
八位切换
注意事项：
1.对于显示为最小值的条件。或最大，用在电气特性适用的设备类型指定适当的值。
2.典型值是在V
CC
= 5.0V ， + 25 ° C的环境。
3.每TTL驱动输入; （V
IN
= 3.4V ） 。所有其他输入在V
CC
或GND 。
4.此参数是不能直接检验的，但导出的总电源计算中使用。
5.值对这些条件的实例
I
CC
公式。这些限制保证，但未经测试。
6. I
C
= I
静
+ I
输入
+ I
动态
I
C
= I
CC
+
I
CC
D
H
N
T
+ I
CCD
(f
CP
/2+ f
i
N
i
)
I
CC
·静态电流
I
CC
=电源电流为TTL高电平输入（V
IN
= 3.4V)
D
H
=占空比为TTL输入高电平
N
T
=的TTL输入的D号
H
I
CCD
=动态所造成的输入转换对（ HLH或LHL ）电流
f
CP
=时钟频率为注册设备（零非注册设备）
f
i
=输出频率
N
i
输出数=在f
i
所有电流都毫安，所有频率在兆赫。
分钟。
—
—
典型值。
(2)
0.2
0.5
0.15
马克斯。
1.5
2
0.25
单位
mA
mA
毫安/
兆赫
V
IN
≥
V
HC
V
IN
≤
V
LC
—
I
C
总电源电流
(6)
V
IN
≥
V
HC
V
IN
≤
V
LC
（ FCT ）
V
IN
= 3.4V
V
IN
= GND
V
IN
≥
V
HC
V
IN
≤
V
LC
（ FCT ）
V
IN
= 3.4V
V
IN
= GND
—
1.7
4
mA
—
2
5
—
3.2
6.5
(5)
—
5.2
14.5
(5)
4
快速CMOS八路
缓冲器/线路驱动器
集成设备技术有限公司
IDT54/74FCT240/A/C
IDT54/74FCT241/A/C
IDT54/74FCT244/A/C
IDT54/74FCT540/A/C
IDT54/74FCT541/A/C
产品特点：
相当于FAST IDT54 / 74FCT240 / 244分之241 /五百四十一分之五百四十
速度和驱动器
IDT54 / 74FCT240A / 241A / 244A / 540A / 541A快25％
比FAST
IDT54 / 74FCT240C / 241C / 244C / 540C / 541C高达55％
比快更快
I
OL
= 64毫安（商业）和48毫安（军事）
CMOS功率水平（ 1mW的典型值。静）
- 产品在耐辐射和辐射提供
增强版
- 军工产品符合MIL -STD - 883 ， B类
- 符合或超过JEDEC标准规格18
TM
描述：
IDT的八路缓冲器/线路驱动器采用了先进的内置
双金属CMOS工艺。在IDT54 / 74FCT240 / A / C ，
IDT54 / 74FCT241 / A / C和IDT54 / 74FCT244 / A / C设计
要用作存储器和地址驱动器，时钟驱动器
和面向总线的发送器/接收器，它提供了改进的
电路板密度。
在IDT54 / 74FCT540 / A / C和IDT54 / 74FCT541 / A / C是
在功能上与IDT54 / 74FCT240 / A / C和IDT54类似的/
74FCT244 / A / C分别表示不同的是，输入和输出
看跌期权是在封装的相对两侧。该引脚排列
安排使得这些设备作为输出特别有用
微处理器和作为背板驱动程序，允许端口
简化的布局和更大的电路板密度。
功能方框图
2529 CNV * 01-03
OE
A
OE
B
DA
0
OB
0
DA
1
OB
1
DA
2
OB
2
DA
3
OB
3
IDT54/74FCT240
OA
0
DB
0
OA
1
DB
1
OA
2
DB
2
OA
3
DB
3
DA
0
OB
0
DA
1
OB
1
DA
2
OB
2
DA
3
OB
3
IDT54/74FCT241/244
* OE
B
241 ， OE
B
对于244
OE
A
241只
OE
B
*
OA
0
DB
0
OA
1
DB
1
OA
2
DB
2
OA
3
DB
3
D
0
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
IDT54/74FCT540/541
*显示为“ FCT540逻辑图。
“ FCT541是所述非反相的选择。
2606 DWG 01-03
OE
A
OE
B
O
0
*
O
1
*
O
2
*
O
3
*
O
4
*
O
5
*
O
6
*
O
7
*
IDT标志是集成设备技术，Inc.的注册商标。
FAST是美国国家半导体公司的商标。
军用和商用温度范围
1992
集成设备技术有限公司
1992年5月
DSC-4610/3
7.8
1
IDT54/74FCT240/241/244/540/541/A/C
快速CMOS八路缓冲器/线路驱动器
军用和商用温度范围
销刀豆网络gurations
IDT54/74FCT240
OB
0
OE
A
V
CC
OE
A
DA
0
OB
0
DA
1
OB
1
DA
2
OB
2
DA
3
OB
3
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
P20-1
D20-1 16
SO20-2 15
＆放大器;
E20-1 14
13
12
11
17
V
CC
OE
B
OA
0
DB
0
OA
1
DB
1
OA
2
DB
2
OA
3
DB
3
3 2
DA
1
OB
1
DA
2
OB
2
DA
3
4
5
6
7
8
DA
0
指数
1
20 19
18
17
16
15
OE
B
2529 CNV * 04-09
OA
0
DB
0
OA
1
DB
1
OA
2
L20-2
14
9 10 11 12 13
OB
3
GND
DB
3
OA
3
DB
2
DIP / SOIC / CERPACK
顶视图
LCC
顶视图
IDT54/74FCT241/244
OB
0
OE
A
DA
0
OB
0
DA
1
OB
1
DA
2
OB
2
DA
3
OB
3
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
P20-1
D20-1
SO20-2
＆放大器;
E20-1
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
V
CC
OE
B
*
OA
0
DB
0
OA
1
DB
1
OA
2
DB
2
OA
3
DB
3
3 2
DA
1
OB
1
DA
2
OB
2
DA
3
4
5
6
7
8
9 10 11 12 13
L20-2
1
20 19
18
17
16
15
14
OA
0
DB
0
OA
1
DB
1
OA
2
GND
DB
3
OB
3
DA
0
指数
OA
3
OE
A
V
CC
DIP / SOIC / CERPACK
顶视图
* OE
B
241 ，
OE
B
对于244
LCC
顶视图
IDT54/74FCT540/541
OE
A
V
CC
1
OE
A
D
0
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
GND
D
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
19
18
P20-1
D20-1 16
SO20-2 15
＆放大器;
14
E20-1
13
12
11
17
OE
B
O
0
*
O
1
*
O
2
*
O
3
*
O
4
*
O
5
*
O
6
*
O
7
*
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
4
5
6
7
8
3 2
D
0
1
20
V
CC
20 19
18
17
16
15
14
OE
B
指数
DB
2
OE
B
*
O
0
*
O
1
*
O
2
*
O
3
*
O
4
*
L20-2
9 10 11 12 13
GND
O
7
*
O
6
*
D
7
DIP / SOIC / CERPACK
顶视图
*
O
X
540 ，哦
X
对于541
LCC
顶视图
O
5
*
2606 CNV * 04-09
7.8
2
IDT54/74FCT240/241/244/540/541/A/C
快速CMOS八路缓冲器/线路驱动器
军用和商用温度范围
引脚说明
引脚名称
OE
A
,
OE
B
OE
B (1)
DXX
OXX
注意：
1. OE
B
只为241 。
功能表
OE
A
L
L
H
2606 TBL 04
描述
三态输出使能输入（低电平有效）
三态输出使能输入（高电平有效）
输入
输出
输入
(1)
OE
B
OE
B(2)
L
L
H
H
H
L
D
L
H
X
240
H
L
Z
输出
(1)
241 244 540
L
H
Z
L
H
541
L
H
Z
L
Z
H
Z
2606 TBL 05
注意事项：
1. H =高电压电平
X =无关
L =低电压等级
Z =高阻抗
2. OE
B
只为241 。
绝对最大额定值
(1)
符号
等级
(2)
端电压
V
TERM
关于
GND
(3)
端电压
V
TERM
关于
GND
T
A
操作
温度
T
BIAS
温度
在偏置
T
英镑
存储
温度
P
T
功耗
I
OUT
DC输出
当前
广告
军事
-0.5到+7.0 -0.5到+7.0
单位
V
电容
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入
电容
产量
电容
(1)
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
典型值。
6
8
马克斯。
10
12
单位
pF
pF
2606 TBL 02
-0.5到V
CC
-0.5到V
CC
V
0至+70
-55到+125
-55到+125
0.5
120
-55到+125
-65到+135
-65到+150
0.5
120
°
C
°
C
°
C
W
mA
注意：
1.此参数的测量是在表征，但未经测试。
注意事项：
2606 TBL 01
1.强调超过绝对最大上市
额定值可能会导致器件的永久性损坏。这是一个应力
值仅为器件在这些或任何其他功能操作
以上这些条件在此业务部门所标明
规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。无端子电压
可能超过V
CC
以+ 0.5V ，除非另有说明。
2.输入和V
CC
只有终端。
3.输出和仅I / O端子。
7.8
3
IDT54/74FCT240/241/244/540/541/A/C
快速CMOS八路缓冲器/线路驱动器
军用和商用温度范围
直流电气在整个工作范围特性
下列条件适用，除非另有规定： V
LC
= 0.2V; V
HC
= V
CC
– 0.2V
商业：T已
A
= 0 ° C至+ 70 ° C，V
CC
= 5.0V
±
5％ ;军事：T已
A
= -55℃ + 125°C ，V
CC
= 5.0V
±
10%
符号
V
IH
V
IL
I
I H
I
I L
I
OZH
I
OZL
V
IK
I
OS
V
OH
钳位二极管电压
短路电流
输出高电压
V
CC
=最小值，我
N
= -18mA
V
CC
=最大。
(3)
, V
O
= GND
V
CC
= 3V, V
IN
= V
LC
或V
HC
, I
OH
= –32
A
V
CC
=最小值。
V
IN
= V
IH
或V
IL
V
OL
输出低电压
I
OH
= –300
A
I
OH
= -12mA MIL 。
I
OH
= -15mA COM'L 。
V
CC
= 3V, V
IN
= V
LC
或V
HC
, I
OL
= 300
A
V
CC
=最小值。
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 300
A
I
OL
= 48毫安MIL 。
I
OL
= 64毫安COM'L 。
参数
输入高电平
输入低电平
输入高电流
输入低电平电流
关闭状态（高阻）
输出电流
V
CC
=最大。
测试条件
(1)
确保逻辑高电平
保证逻辑低电平
V
CC
=最大。
V
I
= V
CC
V
I
= 2.7V
V
I
= 0.5V
V
I
= GND
V
O
= V
CC
V
O
= 2.7V
V
O
= 0.5V
V
O
= GND
分钟。
2.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
–60
V
HC
V
HC
2.4
2.4
—
—
—
—
典型值。
(2)
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
–0.7
–120
V
CC
V
CC
4.3
4.3
GND
GND
0.3
0.3
马克斯。
—
0.8
5
5
(4)
–5
(4)
–5
10
10
(4)
–10
(4)
–10
–1.2
—
—
—
—
—
V
LC
V
LC(4)
0.55
0.55
2606 TBL 03
单位
V
V
A
A
V
mA
V
V
注意事项：
1.对于显示为最大的条件。或最小，使用在电气特性适用的设备类型指定适当的值。
2.典型值是在V
CC
= 5.0V ， + 25°C的环境温度和最大负荷。
3.不能有多于一个的输出应在同一时间被短路。短路试验的持续时间应不超过一秒钟。
4.此参数是保证，但未经测试。
7.8
4
IDT54/74FCT240/241/244/540/541/A/C
快速CMOS八路缓冲器/线路驱动器
军用和商用温度范围
电源特性
V
LC
= 0.2V; V
HC
= V
CC
– 0.2V
符号
I
CC
I
CC
I
CCD
参数
静态电源电流
静态电源电流
TTL输入高电平
动态电源
当前
(4)
测试条件
(1)
V
CC
=最大。
V
IN
≥
V
HC
; V
IN
≤
V
LC
V
CC
=最大。
V
IN
= 3.4V
(3)
V
CC
=最大。
输出打开
OE
A
=
OE
B
= GND或
OE
A
= GND ，
OE
B
= V
CC
一个输入切换
占空比为50％
V
CC
=最大。
输出打开
科幻= 10MHz时
占空比为50％
OE
A
=
OE
B
= GND或
OE
A
= GND ，
OE
B
= V
CC
一位切换
V
CC
=最大。
输出打开
科幻= 5MHz时，
占空比为50％
OE
A
=
OE
B
= GND或
OE
A
= GND ，
OE
B
= V
CC
八位切换
分钟。
—
—
V
IN
≥
V
HC
V
IN
≤
V
LC
—
典型值。
(2)
0.2
0.5
0.15
马克斯。
1.5
2.0
0.25
单位
mA
mA
毫安/
兆赫
I
C
总电源电流
(6)
V
IN
≥
V
HC
V
IN
≤
V
LC
（ FCT ）
V
IN
= 3.4V
V
IN
= GND
—
1.7
4.0
mA
—
2.0
5.0
V
IN
≥
V
HC
V
IN
≤
V
LC
（ FCT ）
V
IN
= 3.4V
V
IN
= GND
—
3.2
6.5
(5)
—
5.2
14.5
(5)
注意事项：
1.对于显示为最大的条件。或最小，使用在电气特性适用的设备类型指定适当的值。
2.典型值是在V
CC
= 5.0V ， + 25 ° C的环境。
3.每TTL驱动输入（V
IN
= 3.4V ） ;所有其他输入在V
CC
或GND 。
4.此参数是不能直接检验的，但导出的总电源计算中使用。
5.值这些条件是我的例子
CC
公式。这些限制保证，但未经测试。
6. I
C
= I
静
+ I
输入
+ I
动态
I
C
= I
CC
+
I
CC
D
H
N
T
+ I
CCD
(f
CP
/2 + f
i
N
i
)
I
CC
·静态电流
I
CC
=电源电流为TTL高电平输入（V
IN
= 3.4V)
D
H
=占空比为TTL输入高电平
N
T
=的TTL输入的D号
H
I
CCD
=动态所造成的输入转换对（ HLH或LHL ）电流
f
CP
=时钟频率为注册设备（零非注册设备）
f
i
=输入频率
N
i
输入数=在f
i
所有电流都毫安，所有频率在兆赫。
2606 TBL 06
7.8
5
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