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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第520页 > ISL6310IRZ
ISL6310
数据表
2008年8月7日
FN9209.4
两相降压PWM控制器
大电流集成MOSFET驱动器
该ISL6310是一个两相的PWM控制IC，具有集成
MOSFET驱动器。它提供了一个精确的电压调节
系统用于多个应用，包括但不限于
负载点的高电流低电压的转换器，嵌入式
应用程序和其它通用低压介质
以高电流的应用。功率的积分
MOSFET驱动器到控制器IC标志着一个
从单独的PWM控制器和驱动程序配置
以前的多相产品系列。通过减少
外部零件的数量，这种整合使得成本
和节省空间的电源管理解决方案。
输出电压可以通过使用芯片上的DAC进行编程
或外部精密基准。两位代码的程序
DAC基准电压至4个可能的值（ 0.6V ， 0.9V 1 ，
1.2V和1.5V ） 。一个单位增益差分放大器提供
用于远程电压检测，以弥补任何潜在的
远程和本地之间的差异。输出
电压，也可以通过使用单个外部的偏移
电阻器。一个可选的软化功能也可以实现和
可用于具有较宽松的输出应用被禁用
电压变化的要求或遇到不严重
步负荷。
该ISL6310的独特之处是结合使用两种
DCR和R
DS （ ON）
电流检测。负载线电压
定位和过电流保护的实现
通过不断的电感DCR电流感应，而
r
DS （ ON）
电流传感被用于精确的信道电流
的平衡。使用这两种方法的电流采样利用
每种技术的最好的优点。
该控制器IC的保护功能包括一组
复杂的过电压和过电流保护。
在转换器转动下的过压的结果
ON的MOSFET钳位输出电压的升高和保护
的负载。过压保护输出也被提供给驱动可选
消弧装置。的过电流保护电平被设定
通过一个外部电阻。其它保护功能
包括防止遥控器上的开路
感测输入。结合这些功能提供了先进的
保护输出负载。
特点
集成的多相位电源转换
- 1或2相操作
精确的输出稳压
- 差分远端电压传感
- ± 0.8％的系统精度过热
（对于REF = 0.6V和0.9V ）
- ± 0.5％的系统精度过热
（对于REF = 1.2V和1.5V ）
- 可用的输出电压不超过2.3V
- 可调基准电压偏移
精确的通道电流共享
- 使用丢失更少
DS （ ON）
电流采样
可选的载重线（下垂）编程
- 使用无损耗电感器DCR电流采样
可变栅极驱动偏置 - 5V至12V
内部或外部参考电压设定
- 片内可调固定DAC参考电压
从四个固定参考2 - bit逻辑输入选择
电压（ 0.6V ， 0.9V ， 1.2V ， 1.5V ）
- 参考可以动态地改变
- 可以使用外部基准电压源
过流保护
多层次的过压保护
- OVP引脚驱动可选消弧器件
可选的工作频率高达1.5MHz的阶段
数字软启动
在预偏置负载能够启动
无铅（符合RoHS ）
应用
高电流DDR /芯片组核心电压调节器
高电流，低电压的DC / DC转换器
高电流，低电压FPGA / ASIC DC / DC转换器
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2005年， 2006年， 2008年版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL6310
订购信息
部分
数
ISL6310CRZ * （注）
ISL6310IRZ * （注）
ISL6310EVAL1Z
部分
记号
ISL6310 CRZ
ISL6310 IRZ
评估平台（无铅）
TEMP 。 RANGE
(°C)
0至+70
-40至+85
包
（无铅）
32 Ld的5×5 QFN
32 Ld的5×5 QFN
PKG 。
DWG 。 ＃
L32.5x5
L32.5x5
*添加“ -T ”后缀磁带和卷轴。请参阅TB347对卷筒规格的详细信息。
注意：这些Intersil无铅产品采用塑料包装特殊的无铅材料套，模塑料/晶片的附属材料和100 ％
雾锡板加退火（ E3终止完成，这是符合RoHS标准，既锡铅和无铅焊接操作兼容） 。
Intersil无铅产品分类MSL在达到或超过IPC / JEDEC J无铅要求的无铅峰值回流温度
STD-020.
引脚
ISL6310
（ 32 LD QFN ）
顶视图
UGATE1
25
24 BOOT1
23 PHASE1
22 OVP
33
GND
21 REF1
20 ENLL
19 PHASE2
18 BOOT2
17 UGATE2
9
OCSET
10
ICOMP
11
垂
12
ISUM
13
IREF
14
LGATE2
15
PVCC
16
ISEN2
LGATE1
27
PGOOD
ISEN1
26
REF0
30
DAC
2PH
32
REF
OFST
VCC
COMP
FB
VDIFF
RGND
VSEN
1
2
3
4
5
6
7
8
31
29
FS
28
2
FN9209.4
2008年8月7日
ISL6310
框图
ICOMP DROOP
OCSET
PGOOD
OVP
ENLL
ISEN AMP
ISUM
IREF
100A
OC
0.66V
POWER- ON
RESET
VCC
PVCC
BOOT1
RGND
VSEN
+1V
UGATE1
软启动
x1
x1
和
故障逻辑
门
控制
逻辑
拍摄开启
通过
保护
PHASE1
VDIFF
LGATE1
UVP
0.2V
FS
OVP
时钟和
锯齿
发电机
OVP
BOOT2
UGATE2
∑
+150mV
x 0.82
PWM1
门
控制
逻辑
拍摄开启
通过
保护
PHASE2
LGATE2
REF1
DAC
REF0
DAC
检测
∑
PWM2
第2阶段
2PH
REF
E / A
FB
通道
当前
平衡
1
N
COMP
∑
OFFSET
OFST
通道
当前
SENSE
ISEN1
ISEN2
GND
3
FN9209.4
2008年8月7日
ISL6310
典型应用 - ISL6310
+12V
VDIFF
FB
COMP
PVCC
BOOT1
VSEN
RGND
UGATE1
PHASE1
ISEN1
LGATE1
+5V
2PH
VCC
OFST
FS
DAC
ISL6310
REF
负载
REF1
REF0
OVP
PGOOD
+12V
+12V
GND
BOOT2
UGATE2
PHASE2
ISEN2
LGATE2
ICOMP
ISUM
ENLL
IREF
垂
OCSET
4
FN9209.4
2008年8月7日
ISL6310
绝对最大额定值
电源电压VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至+ 6V
电源电压， PVCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至+ 15V
绝对的启动电压，V
BOOT
。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至GND + 36V
相电压，V
相
。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至15V （ PVCC = 12 ）
GND - 8V （ <400ns ， 20μJ ）至24V （ <200ns ，V
BOOT -PHASE
= 12V)
上层栅极电压，V
UGATE
. . . . V
相
- 0.3V至V
BOOT
+ 0.3V
V
相
- 3.5V （ <100ns脉宽， 2μJ ）到V
BOOT
+ 0.3V
更低的栅极电压，V
LGATE
。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至PVCC + 0.3V
GND - 5V （ <100ns脉宽， 2μJ ）到PVCC + 0.3V
输入，输出或I / O电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至VCC + 0.3V
热信息
热阻
θ
JA
（ ° C / W）
θ
JC
（ ° C / W）
QFN封装（注1 ， 2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
35
5
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ° C至+ 150°C
无铅回流焊温度曲线。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。下面。见链接
http://www.intersil.com/pbfree/Pb-FreeReflow.asp
推荐工作条件
VCC电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 5V
±5%
PVCC电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 5V至12V
±5%
环境温度（ ISL6310CR ， ISL6310CRZ ） 。 。 。 0 ° C至+ 70°C
环境温度（ ISL6310IR ， ISL6310IRZ ） 。 。 。 - 40 ° C至+ 85°C
注意：不要达到或接近上市较长时间的最高收视率运行。暴露于这样的条件可能不利地影响了产品的可靠性和
导致不在保修范围内的故障。
注意事项：
1.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。看
技术简介TB379 。
2.
θ
JC
的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。
电气规格
推荐工作条件，除非另有说明。有MIN和/或最大极限参数
100％测试在+ 25 ℃，除非另有规定。温度限制设立的特性，并
未经生产测试。
测试条件
民
典型值
最大
单位
参数
偏置电源和内部振荡器
输入偏置电源电流
门驱动偏置电流
VCC POR （上电复位）阈值
I
VCC
; ENLL =高
I
PVCC
; ENLL =高，所有的门输出打开，
FSW = 250kHz的
VCC上升
VCC下降
-
-
4.25
3.75
4.25
3.75
-
-
15
1.5
4.38
3.88
4.38
3.88
1.50
66.6
20
3.0
4.50
4.00
4.50
4.00
-
-
mA
mA
V
V
V
V
V
%
PVCC POR （上电复位）阈值
PVCC崛起
PVCC降
振荡器斜坡幅度（注3 ）
最大占空比（注3 ）
管制尺度
ENLL上升阈值
ENLL滞后
COMP关断阈值
参考和DAC
系统精度（ DAC = 0.6V ， 0.9V ）
系统精度（ DAC = 1.2V ， 1.50V ）
DAC输入低电压（ REF0 ， REF1 ）
DAC输入高电压（ REF0 ， REF1 ）
外部参考
OFS灌电流精度（负偏移）
OFS源电流精度（正偏移）
V
P-P
-
-
COMP下降
0.25
0.66
100
0.35
-
-
0.5
V
mV
V
下垂连接到IREF
下垂连接到IREF
-0.8
-0.5
-
0.8
0.6
-
-
-
-
-
50.0
50.0
0.8
0.5
0.4
-
1.75
52.5
52.5
%
%
V
V
V
A
A
R
OFS
=从为30kΩ OFS到VCC
R
OFS
= 10kΩ的从OFS到GND
47.5
47.5
5
FN9209.4
2008年8月7日
ISL6310
数据表
2005年10月19日
FN9209.2
两相降压PWM控制器
大电流集成MOSFET驱动器
该ISL6310是一个两相的PWM控制IC，具有集成
MOSFET驱动器。它提供了一个精确的电压调节
系统用于多个应用，包括但不限于
负载点的高电流低电压的转换器，嵌入式
应用程序和其它通用低压介质
以高电流的应用。功率的积分
MOSFET驱动器到控制器IC标志着一个
从单独的PWM控制器和驱动程序配置
以前的多相产品系列。通过减少
外部零件的数量，这种整合使得成本
和节省空间的电源管理解决方案。
输出电压可以通过使用芯片上的DAC进行编程
或外部精密基准。两位代码的程序
DAC基准电压至4个可能的值（ 0.6V ， 0.9V 1 ，
1.2V和1.5V ） 。一个单位增益差分放大器提供
用于远程电压检测，以弥补任何潜在的
远程和本地之间的差异。输出
电压，也可以通过使用单个外部的偏移
电阻器。一个可选的软化功能也可以实现和
可用于具有较宽松的输出应用被禁用
电压变化的要求或遇到不严重
步负荷。
该ISL6310的独特之处是结合使用两种
DCR和R
DS （ ON）
电流检测。负载线电压
定位和过电流保护的实现
通过不断的电感DCR电流感应，而
r
DS （ ON）
电流传感被用于精确的信道电流
的平衡。使用这两种方法的电流采样利用
每种技术的最好的优点。
该控制器IC的保护功能包括一组
复杂的过电压和过电流保护。
在转换器转动下的过压的结果
ON的MOSFET钳位输出电压的升高和保护
的负载。过压保护输出也被提供给驱动可选
消弧装置。的过电流保护电平被设定
通过一个外部电阻。其它保护功能
包括防止遥控器上的开路
感测输入。结合这些功能提供了先进的
保护输出负载。
特点
集成的多相位电源转换
- 1或2相工作
精确的输出稳压
- 差分远端电压传感
- ± 0.8％的系统精度在整个温度范围
（对于REF = 0.6V和0.9V ）
- ± 0.5％的系统精度在整个温度范围
（对于REF = 1.2V和1.5V ）
- 可用的输出电压不超过2.3V
- 可调基准电压偏移
精确的通道电流共享
- 使用丢失更少
DS （ ON）
电流采样
可选的载重线（下垂）编程
- 使用无损耗电感器DCR电流采样
可变栅极驱动偏置 - 5V至12V
内部或外部参考电压设定
- 片内可调固定DAC参考电压
从四个固定参考2 - bit逻辑输入选择
电压（ 0.6V ， 0.9V ， 1.2V ， 1.5V ）
- 参考可以动态地改变
- 可以使用外部基准电压源
过流保护
多层次的过压保护
- OVP引脚驱动可选消弧器件
可选的工作频率高达1.5MHz的阶段
数字软启动
在预偏置负载能够启动
无铅加退火有（符合RoHS ）
应用
高电流DDR /芯片组核心电压调节器
高电流，低电压的DC / DC转换器
高电流，低电压FPGA / ASIC DC / DC转换器
订购信息
零件号*
ISL6310CRZ （注）
ISL6310IRZ （注）
ISL6310EVAL1
最热
ISL6310CRZ
ISL6310IRZ
评估平台
温度（℃）
0到70
-40到85
包
32 Ld的5×5 QFN （无铅）
32 Ld的5×5 QFN （无铅）
PKG 。 DWG 。 ＃
L32.5x5
L32.5x5
*添加“ -T ”后缀磁带和卷轴。
注： Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅材料制成，模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾锡板
终止完成，这是符合RoHS标准，既锡铅和无铅焊接操作兼容。 Intersil无铅产品MSL
分类，可达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求的无铅峰值回流温度。
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2005.版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL6310
引脚
ISL6310 （ QFN ）
顶视图
UGATE1
25
24 BOOT1
23 PHASE1
22 OVP
33
GND
21 REF1
20 ENLL
19 PHASE2
18 BOOT2
17 UGATE2
9
OCSET
10
ICOMP
11
垂
12
ISUM
13
IREF
14
LGATE2
15
PVCC
16
ISEN2
LGATE1
27
PGOOD
ISEN1
26
REF0
30
DAC
2PH
32
REF
OFST
VCC
COMP
FB
VDIFF
RGND
VSEN
1
2
3
4
5
6
7
8
31
FS
29
28
2
FN9209.2
2005年10月19日
ISL6310
框图
ICOMP DROOP
OCSET
PGOOD
OVP
ENLL
ISEN AMP
ISUM
IREF
100A
OC
0.66V
POWER- ON
RESET
VCC
PVCC
RGND
VSEN
+1V
BOOT1
UGATE1
门
控制
逻辑
拍摄开启
通过
保护
软启动
x1
x1
和
故障逻辑
PHASE1
VDIFF
LGATE1
UVP
0.2V
FS
OVP
时钟和
锯齿
发电机
OVP
BOOT2
UGATE2
门
控制
逻辑
拍摄开启
通过
保护
∑
+150mV
x 0.82
PWM1
PHASE2
LGATE2
REF1
DAC
REF0
DAC
∑
PWM2
第2阶段
检测
2PH
REF
FB
E / A
通道
当前
平衡
1
N
COMP
∑
OFFSET
OFST
通道
当前
SENSE
ISEN1
ISEN2
GND
3
FN9209.2
2005年10月19日
ISL6310
典型应用 - ISL6310
+12V
VDIFF
FB
COMP
PVCC
BOOT1
VSEN
RGND
UGATE1
PHASE1
2PH
VCC
ISEN1
LGATE1
+5V
OFST
FS
DAC
ISL6310
REF
负载
REF1
REF0
OVP
PGOOD
+12V
+12V
GND
BOOT2
UGATE2
PHASE2
ISEN2
LGATE2
ICOMP
ISUM
ENLL
IREF
垂
OCSET
4
FN9209.2
2005年10月19日
ISL6310
绝对最大额定值
电源电压VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至+ 6V
电源电压， PVCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至+ 15V
绝对的启动电压，V
BOOT
。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至GND + 36V
相电压，V
相
。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至15V （ PVCC = 12 ）
GND - 8V （ <400ns ， 20μJ ）至24V （ <200ns ，V
BOOT -PHASE
= 12V)
上层栅极电压，V
UGATE
. . . . V
相
- 0.3V至V
BOOT
+ 0.3V
V
相
- 3.5V （ <100ns脉宽， 2μJ ）到V
BOOT
+ 0.3V
更低的栅极电压，V
LGATE
。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至PVCC + 0.3V
GND - 5V （ <100ns脉宽， 2μJ ）到PVCC + 0.3V
输入，输出或I / O电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至VCC + 0.3V
ESD分类。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 I类JEDEC STD
热信息
热阻
θ
JA
（ ° C / W）
θ
JC
（ ° C / W）
QFN封装（注1 ， 2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
35
5
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
推荐工作条件
VCC电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 5V
±5%
PVCC电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 5V至12V
±5%
环境温度（ ISL6310CR ， ISL6310CRZ ） 。 。 。 。 0 ° C至70℃
环境温度（ ISL6310IR ， ISL6310IRZ ） 。 。 。 。 - 40 ° C至85°C
注意：压力超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的操作章节中所示的任何其他条件不暗示。
注意事项：
1.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。看
技术简介TB379 。
2.
θ
JC
的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。
电气规格
参数
推荐的工作条件，除非另有规定ED 。
测试条件
民
典型值
最大
单位
偏置电源和内部振荡器
输入偏置电源电流
门驱动偏置电流
VCC POR （上电复位）阈值
I
VCC
; ENLL =高
I
PVCC
; ENLL =高，所有的门输出打开，
FSW = 250kHz的
VCC上升
VCC下降
PVCC POR （上电复位）阈值
PVCC崛起
PVCC降
振荡器斜坡幅度（注3 ）
最大占空比（注3 ）
管制尺度
ENLL上升阈值
ENLL滞后
COMP关断阈值
参考和DAC
系统精度（ DAC = 0.6V ， 0.9V ）
系统精度（ DAC = 1.2V ， 1.50V ）
DAC输入低电压（ REF0 ， REF1 ）
DAC输入高电压（ REF0 ， REF1 ）
外部参考（注3 ）
OFS灌电流精度（负偏移）
OFS源电流精度（正偏移）
R
OFS
=从为30kΩ OFS到VCC
R
OFS
= 10kΩ的从OFS到GND
下垂连接到IREF
下垂连接到IREF
-0.8
-0.5
-
0.8
0.6
47.5
47.5
-
-
-
-
-
50.0
50.0
0.8
0.5
0.4
-
1.75
52.5
52.5
%
%
V
V
V
A
A
COMP下降
-
-
0.25
0.66
100
0.35
-
-
0.5
V
mV
V
V
PP
-
-
4.25
3.75
4.25
3.75
-
-
15
1.5
4.38
3.88
4.38
3.88
1.50
66.6
20
3.0
4.50
4.00
4.50
4.00
-
-
mA
mA
V
V
V
V
V
%
5
FN9209.2
2005年10月19日
ISL6310
数据表
2006年12月12日
FN9209.3
两相降压PWM控制器
大电流集成MOSFET驱动器
该ISL6310是一个两相的PWM控制IC，具有集成
MOSFET驱动器。它提供了一个精确的电压调节
系统用于多个应用，包括但不限于
负载点的高电流低电压的转换器，嵌入式
应用程序和其它通用低压介质
以高电流的应用。功率的积分
MOSFET驱动器到控制器IC标志着一个
从单独的PWM控制器和驱动程序配置
以前的多相产品系列。通过减少
外部零件的数量，这种整合使得成本
和节省空间的电源管理解决方案。
输出电压可以通过使用芯片上的DAC进行编程
或外部精密基准。两位代码的程序
DAC基准电压至4个可能的值（ 0.6V ， 0.9V 1 ，
1.2V和1.5V ） 。一个单位增益差分放大器提供
用于远程电压检测，以弥补任何潜在的
远程和本地之间的差异。输出
电压，也可以通过使用单个外部的偏移
电阻器。一个可选的软化功能也可以实现和
可用于具有较宽松的输出应用被禁用
电压变化的要求或遇到不严重
步负荷。
该ISL6310的独特之处是结合使用两种
DCR和R
DS （ ON）
电流检测。负载线电压
定位和过电流保护的实现
通过不断的电感DCR电流感应，而
r
DS （ ON）
电流传感被用于精确的信道电流
的平衡。使用这两种方法的电流采样利用
每种技术的最好的优点。
该控制器IC的保护功能包括一组
复杂的过电压和过电流保护。
在转换器转动下的过压的结果
ON的MOSFET钳位输出电压的升高和保护
的负载。过压保护输出也被提供给驱动可选
消弧装置。的过电流保护电平被设定
通过一个外部电阻。其它保护功能
包括防止遥控器上的开路
感测输入。结合这些功能提供了先进的
保护输出负载。
特点
集成的多相位电源转换
- 1或2相工作
精确的输出稳压
- 差分远端电压传感
- ± 0.8％的系统精度在整个温度范围
（对于REF = 0.6V和0.9V ）
- ± 0.5％的系统精度在整个温度范围
（对于REF = 1.2V和1.5V ）
- 可用的输出电压不超过2.3V
- 可调基准电压偏移
精确的通道电流共享
- 使用丢失更少
DS （ ON）
电流采样
可选的载重线（下垂）编程
- 使用无损耗电感器DCR电流采样
可变栅极驱动偏置 - 5V至12V
内部或外部参考电压设定
- 片内可调固定DAC参考电压
从四个固定参考2 - bit逻辑输入选择
电压（ 0.6V ， 0.9V ， 1.2V ， 1.5V ）
- 参考可以动态地改变
- 可以使用外部基准电压源
过流保护
多层次的过压保护
- OVP引脚驱动可选消弧器件
可选的工作频率高达1.5MHz的阶段
数字软启动
在预偏置负载能够启动
无铅加退火有（符合RoHS ）
应用
高电流DDR /芯片组核心电压调节器
高电流，低电压的DC / DC转换器
高电流，低电压FPGA / ASIC DC / DC转换器
订购信息
零件号*
ISL6310CRZ （注）
ISL6310IRZ （注）
ISL6310EVAL1Z （注）
最热
ISL6310CRZ
ISL6310IRZ
评估平台（无铅）
温度（℃）
0至+70
-40至+85
包
32 Ld的5×5 QFN （无铅）
32 Ld的5×5 QFN （无铅）
PKG 。 DWG 。 ＃
L32.5x5
L32.5x5
*添加“ -T ”后缀磁带和卷轴。
注： Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅材料制成，模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾锡板
终止完成，这是符合RoHS标准，既锡铅和无铅焊接操作兼容。 Intersil无铅产品MSL
分类，可达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求的无铅峰值回流温度。
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
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版权所有Intersil公司美洲2005-2006 。版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL6310
引脚
ISL6310
（ 32 LD QFN ）
顶视图
UGATE1
25
24 BOOT1
23 PHASE1
22 OVP
33
GND
21 REF1
20 ENLL
19 PHASE2
18 BOOT2
17 UGATE2
9
OCSET
10
ICOMP
11
垂
12
ISUM
13
IREF
14
LGATE2
15
PVCC
16
ISEN2
LGATE1
27
PGOOD
ISEN1
26
REF0
30
DAC
2PH
32
REF
OFST
VCC
COMP
FB
VDIFF
RGND
VSEN
1
2
3
4
5
6
7
8
31
29
FS
28
2
FN9209.3
2006年12月12日
ISL6310
框图
ICOMP DROOP
OCSET
PGOOD
OVP
ENLL
ISEN AMP
ISUM
IREF
100A
OC
0.66V
POWER- ON
RESET
VCC
PVCC
BOOT1
RGND
VSEN
+1V
UGATE1
软启动
x1
x1
和
故障逻辑
门
控制
逻辑
拍摄开启
通过
保护
PHASE1
VDIFF
LGATE1
UVP
0.2V
FS
OVP
时钟和
锯齿
发电机
OVP
BOOT2
UGATE2
∑
+150mV
x 0.82
PWM1
门
控制
逻辑
拍摄开启
通过
保护
PHASE2
LGATE2
REF1
DAC
REF0
DAC
检测
∑
PWM2
第2阶段
2PH
REF
E / A
FB
通道
当前
平衡
1
N
COMP
∑
OFFSET
OFST
通道
当前
SENSE
ISEN1
ISEN2
GND
3
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2006年12月12日
ISL6310
典型应用 - ISL6310
+12V
VDIFF
FB
COMP
PVCC
BOOT1
VSEN
RGND
UGATE1
PHASE1
ISEN1
LGATE1
+5V
2PH
VCC
OFST
FS
DAC
ISL6310
REF
负载
REF1
REF0
OVP
PGOOD
+12V
+12V
GND
BOOT2
UGATE2
PHASE2
ISEN2
LGATE2
ICOMP
ISUM
ENLL
IREF
垂
OCSET
4
FN9209.3
2006年12月12日
ISL6310
绝对最大额定值
电源电压VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至+ 6V
电源电压， PVCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至+ 15V
绝对的启动电压，V
BOOT
。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至GND + 36V
相电压，V
相
。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至15V （ PVCC = 12 ）
GND - 8V （ <400ns ， 20μJ ）至24V （ <200ns ，V
BOOT -PHASE
= 12V)
上层栅极电压，V
UGATE
. . . . V
相
- 0.3V至V
BOOT
+ 0.3V
V
相
- 3.5V （ <100ns脉宽， 2μJ ）到V
BOOT
+ 0.3V
更低的栅极电压，V
LGATE
。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至PVCC + 0.3V
GND - 5V （ <100ns脉宽， 2μJ ）到PVCC + 0.3V
输入，输出或I / O电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至VCC + 0.3V
ESD分类。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 I类JEDEC STD
热信息
热阻
θ
JA
（ ° C / W）
θ
JC
（ ° C / W）
QFN封装（注1 ， 2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
35
5
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ° C至+ 150°C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
推荐工作条件
VCC电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 5V
±5%
PVCC电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 5V至12V
±5%
环境温度（ ISL6310CR ， ISL6310CRZ ） 。 。 。 0 ° C至+ 70°C
环境温度（ ISL6310IR ， ISL6310IRZ ） 。 。 。 - 40 ° C至+ 85°C
注意：压力超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的操作章节中所示的任何其他条件不暗示。
注意事项：
1.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。看
技术简介TB379 。
2.
θ
JC
的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。
电气规格
参数
推荐的工作条件，除非另有规定ED 。
测试条件
民
典型值
最大
单位
偏置电源和内部振荡器
输入偏置电源电流
门驱动偏置电流
VCC POR （上电复位）阈值
I
VCC
; ENLL =高
I
PVCC
; ENLL =高，所有的门输出打开，
FSW = 250kHz的
VCC上升
VCC下降
PVCC POR （上电复位）阈值
PVCC崛起
PVCC降
振荡器斜坡幅度（注3 ）
最大占空比（注3 ）
管制尺度
ENLL上升阈值
ENLL滞后
COMP关断阈值
参考和DAC
系统精度（ DAC = 0.6V ， 0.9V ）
系统精度（ DAC = 1.2V ， 1.50V ）
DAC输入低电压（ REF0 ， REF1 ）
DAC输入高电压（ REF0 ， REF1 ）
外部参考（注3 ）
OFS灌电流精度（负偏移）
OFS源电流精度（正偏移）
R
OFS
=从为30kΩ OFS到VCC
R
OFS
= 10kΩ的从OFS到GND
下垂连接到IREF
下垂连接到IREF
-0.8
-0.5
-
0.8
0.6
47.5
47.5
-
-
-
-
-
50.0
50.0
0.8
0.5
0.4
-
1.75
52.5
52.5
%
%
V
V
V
μA
μA
COMP下降
-
-
0.25
0.66
100
0.35
-
-
0.5
V
mV
V
V
P-P
-
-
4.25
3.75
4.25
3.75
-
-
15
1.5
4.38
3.88
4.38
3.88
1.50
66.6
20
3.0
4.50
4.00
4.50
4.00
-
-
mA
mA
V
V
V
V
V
%
5
FN9209.3
2006年12月12日
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