CMOS SuperSync FIFO
8,192 x 18
16,384 x 18
集成设备技术有限公司
IDT72255LA
IDT72265LA
产品特点：
下面的存储组织之间进行选择：
IDT72255LA
8,192 x 18
IDT72265LA
16,384 x 18
与IDT72275 / 72285 SuperSync的FIFO引脚兼容
10ns的读取/写入周期时间（为8ns访问时间）
固定的低第一个字的数据等待时间
自动关闭电源减少待机耗电
主复位清除整个FIFO
部分复位清除数据，但保留可编程
设置
固定，低第一个字的数据重传操作
等待时间
空，满和半满标志信号FIFO状态
可编程几乎空和几乎全部的标志，每
标志可以默认为两个预选偏移1
通过串行或并行方式程序部分的标志
选择IDT标准时间（使用
EF
和
FF
标志）或第一
字告吹时间（使用
OR
和
IR
标志）
输出使能卖出期权数据输出为高阻抗状态
在深度和宽度可轻松扩展
独立的读写时钟（允许读取和
同时写入）
提供64引脚薄型四方扁平封装（ TQFP ）和
64引脚超薄薄型四方扁平封装（ STQFP ）
高性能亚微米CMOS技术
工业级温度范围（ -40 ° C至+ 85°C ），可
描述：
该IDT72255LA / 72265LA格外深，高
速度， CMOS先入先出（ FIFO ）存储器与时钟
读取和写入控制。这些FIFO提供了众多的improve-
ments比以前SuperSync的FIFO ，其中包括以下内容：
的一个时钟输入端与频率的限制
对于其它已被删除。频率
选择引脚（FS）已被除去，从而它不再
需要选择其中的两个时钟输入， RCLK或
WCLK ，是在更高的频率下运行。
通过重传操作所需的周期是固定的，现在
而短。
功能框图
WCLK
D
0
-D
17
输入寄存器
偏移寄存器
/
写控制
逻辑
RAM阵列
8,192 x 18
16,384 x 18
旗
逻辑
/
FWFT / SI
写指针
读指针
读
控制
逻辑
输出寄存器
RESET
逻辑
RCLK
Q
0
-Q
17
SuperSyncFIFO是商标和IDT标志是集成设备技术，Inc.的注册商标。
4670 DRW 01
商用和工业温度范围
2001集成设备技术公司
2001年4月
DSC-4670/1
1
IDT72255LA / 72265LA SUPERSYNC FIFO
8,192 x 18, 16,384 x 18
商用和工业温度范围
描述（续）
第一个字数据潜伏期，从时间第一
字被写入到一个空的FIFO的时间也能被读出，
现在是固定的，短的。 （可变时钟周期盘点
与潜伏期相关的延时发现以前
SuperSync设备已在这SuperSync淘汰
的家庭。 ）
SuperSync的FIFO特别适合于网络，
视频，电信，数据通信和其它
应用程序需要缓存大量数据。
输入端口是由写时钟控制（ WCLK ）输入
和写使能（
文
）输入。数据被写入到FIFO中
在WCLK时的每个上升沿
文
为有效。该
输出端口通过一个读时钟（ RCLK ）输入控制和
读使能（
任
）输入。数据从FIFO中读出的每个
当RCLK的上升沿
任
为有效。输出使能
(
OE
）输入被提供给输出三态控制。
两个RCLK的频率和WCLK信号
可能会发生变化，从0到f
最大
完全独立。那里
上的一个时钟输入端与频率没有限制
对于另一个。
有工作，有两个可能的计时模式
这些器件： IDT标准模式和第一个字告吹
（ FWFT ）模式。
In
IDT标准模式，
写入到一个空的第一个字
FIFO不会出现在数据输出线，除非一个具体的
执行读操作。读操作，它由
激活的
任
并实现上升RCLK边缘，将转向
从内部存储器的数据输出线的字。
In
FWFT模式，
写入到一个空的FIFO中的第一个字是
直接时钟到数据输出线3的转换后，
在RCLK信号。一
任
没有被认定为
存取的第一个字。然而，随后的字写
到FIFO做要求低
任
进行访问。国家
销刀豆网络gurations
FWFT / SI
GND
WCLK
RCLK
V
CC
/
销1
64 63 62 61 60 59 58 57 56 55 54 53 52 51 50 49
1
2
DC
V
CC
GND
D17
D16
D15
D14
D13
D12
D11
D10
D9
D8
D7
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
Q17
Q16
GND
Q15
Q14
V
CC
Q13
Q12
Q11
GND
Q10
Q9
Q8
Q7
Q6
GND
D5
D4
D3
D2
D1
D0
GND
Q0
Q1
GND
Q2
Q3
V
CC
Q4
Q5
D6
/
4670 DRW 02
TQFP （ PN64-1 ，订货代码： PF ）
STQFP （ PP64-1 ，订货代码： TF ）
顶视图
2
IDT72255LA / 72265LA SUPERSYNC FIFO
8,192 x 18, 16,384 x 18
商用和工业温度范围
描述（续）
期间主复位的FWFT / SI输入决定
在使用定时模式。
对于需要更多的数据存储容量比应用
一个FIFO可提供的FWFT计时模式允许
深度扩张链的FIFO串联（即数据
1先进先出的输出端被连接到相应的数据
的下一个输入）。无需外部逻辑是必要的。
这些FIFO有五个标志引脚，
EF
/
OR
（空标志或
输出就绪） ，
FF
/
IR
（满标志或输入就绪） ，
HF
（半满
旗） ，
PAE
（可编程几乎空标志）和
PAF
（亲
可编程几乎满标志） 。该
EF
和
FF
功能
在IDT标准模式中选择。该
IR
和
OR
功能
在FWFT模式中选择。
HF
,
PAE
和
PAF
总是
可以使用，不论定时模式。
PAE
和
PAF
可以独立地进行编程，以切换
在内存中的任何一点。 （见表一和表二）。编程
梅布尔偏移确定标志的开关阈值和能
通过两种方法来加载：并行或串行。两个默认
还提供了偏移设置，从而使
PAE
可以被设置为
在127或1023的位置从空的边界和切换
该
PAF
阈值可设定在从127或1023的位置
完全的边界。这些选择都是用的
LD
在销
主复位。
对于串口编程，
SEN
再加上
LD
每个
上升WCLK的边缘，用于通过加载偏移量寄存器
串行输入（ SI ） 。对于并行编程，
文
一起
同
LD
在WCLK的每个上升沿，用于加载的
通过偏移d个寄存器
n
.
任
再加上
LD
每上升
RCLK的边缘可用来从并行读取的偏移量
Q
n
无论串联或并联补偿负载是否有
被选择。
在主复位（
太太
）发生以下事件：
读出和写入指针被设置到所述第一位置
FIFO。在FWFT引脚选择IDT标准模式或FWFT
模式。该
LD
引脚选择其中的部分标志默认设置
127与并行编程或部分标志默认
1023设置串行编程。该标志是
根据该定时方式和默认偏移更新
选择。
该部分复位（
PRS
）还设置了读取和写入
指针的存储器的第一个位置。然而，该
定时模式，部分标志的编程方法，并默认或
现有部分复位前设定的偏移设置
保持不变。该标志根据更新后
定时模式和有效偏移。
PRS
是用于复位有用
在中期经营，设备重新编程的部分标志时，
将是不希望的。
该重传功能允许将数据从重读
先进先出不止一次。一个低的
RT
在一个上升的输入
RCLK边缘通过设置读促使再送操作
指针的存储器阵列的第一位置。
如果，在任何时间，在FIFO没有积极地执行
操作时，芯片就会自动关机。一旦进入
电源关闭状态下，待机电流消耗
最小化。启动任何操作（通过激活控制
输入）将立即停止设备的功率下降
状态。
该IDT72255LA / 72265LA使用IDT的高捏造
速亚微米CMOS技术。
部分复位（
写时钟（ WCLK ）
写使能（
LOAD （
)
)
)
MASTER RESET （
)
读时钟（ RCLK ）
读使能（
输出使能（
DATA OUT （Q
0
- Q
n
)
IDT
72255LA
72265LA
重传（
)
/
)
)
)
)
DATA IN （D
0
- D
n
)
串行ENABLE （
)
第一个字告吹/串行输入
（ FWFT / SI ）
满标志/ INPUT READY （
可编程几乎满（
/ )
)
空标志/ OUTPUT READY （
可编程几乎空（
半满标志（
)
4670 DRW 03
单8,192 ×18和16,384 ×18同步FIFO图1.框图
3
IDT72255LA / 72265LA SUPERSYNC FIFO
8,192 x 18, 16,384 x 18
商用和工业温度范围
引脚说明
符号
D
0
–D
17
名字
数据输入
主复位
I / O
I
I
描述
数据输入一个18位的总线。
太太
PRS
RT
太太
初始化读写指针到零，并设置输出寄存器
部分复位
I
全零。在主复位时，FIFO被配置为FWFT或IDT
标准模式下，两个可编程标志的默认设置中的一种，和串行或
的偏移设置的并行编程。
PRS
初始化读写指针到零，并设置输出寄存器
全零。在部分复位，现有的模式（ IDT或FWFT ） ，编程
方法（串行或并行） ，以及可编程标志设置都保留。
重发
I
FWFT / SI
WCLK
第一个字秋季
通过/串行输入
写时钟
I
I
写指针，程序设计方法，现有的计时模式或可编程标志
设置。
RT
是有用的，以从FIFO中的第一物理位置重新读取数据。
在主复位，将选择第一个字告吹或IDT标准模式。
主复位后，该引脚用作串行输入负载偏移寄存器
RT
置在RCLK的上升沿将初始化读指针到零，套
该
EF
标志设置为LOW （
OR
为HIGH在FWFT模式）暂时和不干扰
当启用
文
， WCLK的上升沿将数据写入到FIFO和
偏移到并行编程，并且当所述可编程的寄存器
通过启用
SEN
， WCLK的上升沿写入数据的一个比特进
可编程寄存器的串行编程。
文
RCLK
写使能
读时钟
读使能
OUTPUT ENABLE
串行启用
负载
I
I
I
I
I
I
文
使WCLK用于写入数据到FIFO存储器和偏移量寄存器。
当启用
任
， RCLK的上升沿从FIFO读出的数据
存储器和从所述可编程寄存器的偏移量。
任
OE
SEN
LD
DC
不关心
全旗/
输入就绪
空旗/
输出就绪
可编程
几乎满标志
可编程
几乎空标志
半满标志
数据输出
动力
地
I
O
FF
/
IR
EF
/
OR
PAF
PAE
HF
Q
0
–Q
17
V
CC
GND
O
O
O
O
O
1023 ），并判定标志偏移编程方法，串行或并行的。后
主复位时，该引脚允许写，并从偏移寄存器读取。
该引脚必须连接到无论是V
CC
或GND ，必须经过师傅不切换
复位。
在IDT标准模式中，
FF
功能被选择。
FF
指示是否
没有FIFO存储器已满。在FWFT模式中，
IR
功能被选择。
IR
指示是否有可用空间用于写入到FIFO存储器中。
在IDT标准模式中，
EF
功能被选择。
EF
指示是否
不FIFO存储器是空的。在FWFT模式，则
OR
功能被选择。
OR
表示是否存在可用的输出有效数据。
PAF
变低，如果字在FIFO存储器中的数大于
FIFO中减去全部偏移值m ，该值存储在所述的总字容量
全偏移寄存器。有对米两种可能的默认值： 127或1023 。
PAE
变低，如果字在FIFO存储器中的数小于偏移N，
这被存储在空偏移寄存器。有两种可能的默认值
对于n ： 127或1023 。对于n的其它值可被编程到器件中。
HF
表示FIFO存储器是否为多于或少于半满。
数据输出为18位的总线。
+5伏电源引脚。
接地引脚。
任
使RCLK为从FIFO存储器中读出的数据和偏移量寄存器。
OE
控制Q的输出阻抗
n.
SEN
使可编程标志偏移串行加载。
在主复位，
LD
选择或两部分标志默认偏移1 （ 127
4
IDT72255LA / 72265LA SUPERSYNC FIFO
8,192 x 18, 16,384 x 18
商用和工业温度范围
绝对最大额定值
符号
V
TERM
T
英镑
I
OUT
等级
端电压
相对于GND
存储
温度
直流输出电流
Com'l & Ind'l
-0.5到+7.0
-55到+125
-50到+50
单位
V
°C
mA
建议的直流工作条件
符号
参数
V
CC
电源电压
商业/工业
GND
V
IH
V
IL(1)
T
A
T
A
电源电压
输入高电压
商业/工业
输入低电压
商业/工业
工作温度
广告
工作温度
产业
分钟。
4.5
0
2.0
—
0
–40
典型值。
5.0
0
—
—
—
—
马克斯。
5.5
0
—
0.8
70
85
单位
V
V
V
V
°C
°C
注意：
1.强调超过绝对最大额定上市
INGS可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力等级
该器件在这些或任何其他条件只与功能操作
超过上述业务部门所标明的这个规范
不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件为前
往往周期会影响其可靠性。
注意：
1. 1.5V下冲被允许为10ns的每秒一次循环。
DC电气特性
（商业： V
CC
= 5V
±
10%, T
A
= 0 ° C至+ 70°C ;工业： V
CC
= 5V
±
10%, T
A
= -40 ° C至+ 85°C ）
IDT72255LA
IDT72265LA
商业&工业
(1)
t
CLK
= 10 ，15，20纳秒
符号
I
LI
(2)
I
LO
(3)
V
OH
V
OL
I
CC1
(4,5,6)
I
CC2
(4,7)
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出逻辑“1”的电压，I
OH
= -2毫安
输出逻辑“ 0 ”电压，I
OL
= 8毫安
有源电源电流
待机电流
分钟。
–1
–10
2.4
—
—
—
马克斯。
1
10
—
0.4
80
20
单位
A
A
V
V
mA
mA
笔记
:
1.工业温度范围的产品为15ns和20ns的速度等级都可以作为标准设备。
2.测量0.4
≤
V
IN
≤
V
CC
.
3.
OE
≥
V
IH ，
0.4
≤
V
OUT
≤
V
CC.
4.测试与输出禁用（我
OUT
= 0).
5. RCLK和WCLK切换，在20 MHz和数据输入的开关频率为10 MHz 。
6.典型I
CC1
= 15 + 2.1*f
S
+ 0.02*C
L
*f
S
（单位为mA）与V
CC
= 5V ，T
A
= 25 ° C，F
S
= WCLK频率= RCLK频率（以MHz为单位，采用TTL电平）
数据交换在f
S
/2, C
L
=容性负载（单位为pF ） 。
7，所有输入= V
CC
- 0.2V或GND + 0.2V ，除RCLK和WCLK ，这在20 MHz的切换。
电容
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
C
IN
(2)
C
OUT
(1,2)
参数
(1)
输入
电容
产量
电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
10
10
单位
pF
pF
注意事项：
1.输出取消， （
OE
≥
V
IH
).
2.特征值，而不是目前的测试。
5
CMOS SuperSync FIFO
8,192 x 18
16,384 x 18
集成设备技术有限公司
IDT72255LA
IDT72265LA
产品特点：
下面的存储组织之间进行选择：
IDT72255LA
8,192 x 18
IDT72265LA
16,384 x 18
与IDT72275 / 72285 SuperSync的FIFO引脚兼容
10ns的读取/写入周期时间（为8ns访问时间）
固定的低第一个字的数据等待时间
自动关闭电源减少待机耗电
主复位清除整个FIFO
部分复位清除数据，但保留可编程
设置
固定，低第一个字的数据重传操作
等待时间
空，满和半满标志信号FIFO状态
可编程几乎空和几乎全部的标志，每
标志可以默认为两个预选偏移1
通过串行或并行方式程序部分的标志
选择IDT标准时间（使用
EF
和
FF
标志）或第一
字告吹时间（使用
OR
和
IR
标志）
输出使能卖出期权数据输出为高阻抗状态
在深度和宽度可轻松扩展
独立的读写时钟（允许读取和
同时写入）
提供64引脚薄型四方扁平封装（ TQFP ）和
64引脚超薄薄型四方扁平封装（ STQFP ）
高性能亚微米CMOS技术
工业级温度范围（ -40 ° C至+ 85°C ），可
描述：
该IDT72255LA / 72265LA格外深，高
速度， CMOS先入先出（ FIFO ）存储器与时钟
读取和写入控制。这些FIFO提供了众多的improve-
ments比以前SuperSync的FIFO ，其中包括以下内容：
的一个时钟输入端与频率的限制
对于其它已被删除。频率
选择引脚（FS）已被除去，从而它不再
需要选择其中的两个时钟输入， RCLK或
WCLK ，是在更高的频率下运行。
通过重传操作所需的周期是固定的，现在
而短。
功能框图
WCLK
D
0
-D
17
输入寄存器
偏移寄存器
/
写控制
逻辑
RAM阵列
8,192 x 18
16,384 x 18
旗
逻辑
/
FWFT / SI
写指针
读指针
读
控制
逻辑
输出寄存器
RESET
逻辑
RCLK
Q
0
-Q
17
SuperSyncFIFO是商标和IDT标志是集成设备技术，Inc.的注册商标。
4670 DRW 01
商用和工业温度范围
2001集成设备技术公司
2001年4月
DSC-4670/1
1
IDT72255LA / 72265LA SUPERSYNC FIFO
8,192 x 18, 16,384 x 18
商用和工业温度范围
描述（续）
第一个字数据潜伏期，从时间第一
字被写入到一个空的FIFO的时间也能被读出，
现在是固定的，短的。 （可变时钟周期盘点
与潜伏期相关的延时发现以前
SuperSync设备已在这SuperSync淘汰
的家庭。 ）
SuperSync的FIFO特别适合于网络，
视频，电信，数据通信和其它
应用程序需要缓存大量数据。
输入端口是由写时钟控制（ WCLK ）输入
和写使能（
文
）输入。数据被写入到FIFO中
在WCLK时的每个上升沿
文
为有效。该
输出端口通过一个读时钟（ RCLK ）输入控制和
读使能（
任
）输入。数据从FIFO中读出的每个
当RCLK的上升沿
任
为有效。输出使能
(
OE
）输入被提供给输出三态控制。
两个RCLK的频率和WCLK信号
可能会发生变化，从0到f
最大
完全独立。那里
上的一个时钟输入端与频率没有限制
对于另一个。
有工作，有两个可能的计时模式
这些器件： IDT标准模式和第一个字告吹
（ FWFT ）模式。
In
IDT标准模式，
写入到一个空的第一个字
FIFO不会出现在数据输出线，除非一个具体的
执行读操作。读操作，它由
激活的
任
并实现上升RCLK边缘，将转向
从内部存储器的数据输出线的字。
In
FWFT模式，
写入到一个空的FIFO中的第一个字是
直接时钟到数据输出线3的转换后，
在RCLK信号。一
任
没有被认定为
存取的第一个字。然而，随后的字写
到FIFO做要求低
任
进行访问。国家
销刀豆网络gurations
FWFT / SI
GND
WCLK
RCLK
V
CC
/
销1
64 63 62 61 60 59 58 57 56 55 54 53 52 51 50 49
1
2
DC
V
CC
GND
D17
D16
D15
D14
D13
D12
D11
D10
D9
D8
D7
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
Q17
Q16
GND
Q15
Q14
V
CC
Q13
Q12
Q11
GND
Q10
Q9
Q8
Q7
Q6
GND
D5
D4
D3
D2
D1
D0
GND
Q0
Q1
GND
Q2
Q3
V
CC
Q4
Q5
D6
/
4670 DRW 02
TQFP （ PN64-1 ，订货代码： PF ）
STQFP （ PP64-1 ，订货代码： TF ）
顶视图
2
IDT72255LA / 72265LA SUPERSYNC FIFO
8,192 x 18, 16,384 x 18
商用和工业温度范围
描述（续）
期间主复位的FWFT / SI输入决定
在使用定时模式。
对于需要更多的数据存储容量比应用
一个FIFO可提供的FWFT计时模式允许
深度扩张链的FIFO串联（即数据
1先进先出的输出端被连接到相应的数据
的下一个输入）。无需外部逻辑是必要的。
这些FIFO有五个标志引脚，
EF
/
OR
（空标志或
输出就绪） ，
FF
/
IR
（满标志或输入就绪） ，
HF
（半满
旗） ，
PAE
（可编程几乎空标志）和
PAF
（亲
可编程几乎满标志） 。该
EF
和
FF
功能
在IDT标准模式中选择。该
IR
和
OR
功能
在FWFT模式中选择。
HF
,
PAE
和
PAF
总是
可以使用，不论定时模式。
PAE
和
PAF
可以独立地进行编程，以切换
在内存中的任何一点。 （见表一和表二）。编程
梅布尔偏移确定标志的开关阈值和能
通过两种方法来加载：并行或串行。两个默认
还提供了偏移设置，从而使
PAE
可以被设置为
在127或1023的位置从空的边界和切换
该
PAF
阈值可设定在从127或1023的位置
完全的边界。这些选择都是用的
LD
在销
主复位。
对于串口编程，
SEN
再加上
LD
每个
上升WCLK的边缘，用于通过加载偏移量寄存器
串行输入（ SI ） 。对于并行编程，
文
一起
同
LD
在WCLK的每个上升沿，用于加载的
通过偏移d个寄存器
n
.
任
再加上
LD
每上升
RCLK的边缘可用来从并行读取的偏移量
Q
n
无论串联或并联补偿负载是否有
被选择。
在主复位（
太太
）发生以下事件：
读出和写入指针被设置到所述第一位置
FIFO。在FWFT引脚选择IDT标准模式或FWFT
模式。该
LD
引脚选择其中的部分标志默认设置
127与并行编程或部分标志默认
1023设置串行编程。该标志是
根据该定时方式和默认偏移更新
选择。
该部分复位（
PRS
）还设置了读取和写入
指针的存储器的第一个位置。然而，该
定时模式，部分标志的编程方法，并默认或
现有部分复位前设定的偏移设置
保持不变。该标志根据更新后
定时模式和有效偏移。
PRS
是用于复位有用
在中期经营，设备重新编程的部分标志时，
将是不希望的。
该重传功能允许将数据从重读
先进先出不止一次。一个低的
RT
在一个上升的输入
RCLK边缘通过设置读促使再送操作
指针的存储器阵列的第一位置。
如果，在任何时间，在FIFO没有积极地执行
操作时，芯片就会自动关机。一旦进入
电源关闭状态下，待机电流消耗
最小化。启动任何操作（通过激活控制
输入）将立即停止设备的功率下降
状态。
该IDT72255LA / 72265LA使用IDT的高捏造
速亚微米CMOS技术。
部分复位（
写时钟（ WCLK ）
写使能（
LOAD （
)
)
)
MASTER RESET （
)
读时钟（ RCLK ）
读使能（
输出使能（
DATA OUT （Q
0
- Q
n
)
IDT
72255LA
72265LA
重传（
)
/
)
)
)
)
DATA IN （D
0
- D
n
)
串行ENABLE （
)
第一个字告吹/串行输入
（ FWFT / SI ）
满标志/ INPUT READY （
可编程几乎满（
/ )
)
空标志/ OUTPUT READY （
可编程几乎空（
半满标志（
)
4670 DRW 03
单8,192 ×18和16,384 ×18同步FIFO图1.框图
3
IDT72255LA / 72265LA SUPERSYNC FIFO
8,192 x 18, 16,384 x 18
商用和工业温度范围
引脚说明
符号
D
0
–D
17
名字
数据输入
主复位
I / O
I
I
描述
数据输入一个18位的总线。
太太
PRS
RT
太太
初始化读写指针到零，并设置输出寄存器
部分复位
I
全零。在主复位时，FIFO被配置为FWFT或IDT
标准模式下，两个可编程标志的默认设置中的一种，和串行或
的偏移设置的并行编程。
PRS
初始化读写指针到零，并设置输出寄存器
全零。在部分复位，现有的模式（ IDT或FWFT ） ，编程
方法（串行或并行） ，以及可编程标志设置都保留。
重发
I
FWFT / SI
WCLK
第一个字秋季
通过/串行输入
写时钟
I
I
写指针，程序设计方法，现有的计时模式或可编程标志
设置。
RT
是有用的，以从FIFO中的第一物理位置重新读取数据。
在主复位，将选择第一个字告吹或IDT标准模式。
主复位后，该引脚用作串行输入负载偏移寄存器
RT
置在RCLK的上升沿将初始化读指针到零，套
该
EF
标志设置为LOW （
OR
为HIGH在FWFT模式）暂时和不干扰
当启用
文
， WCLK的上升沿将数据写入到FIFO和
偏移到并行编程，并且当所述可编程的寄存器
通过启用
SEN
， WCLK的上升沿写入数据的一个比特进
可编程寄存器的串行编程。
文
RCLK
写使能
读时钟
读使能
OUTPUT ENABLE
串行启用
负载
I
I
I
I
I
I
文
使WCLK用于写入数据到FIFO存储器和偏移量寄存器。
当启用
任
， RCLK的上升沿从FIFO读出的数据
存储器和从所述可编程寄存器的偏移量。
任
OE
SEN
LD
DC
不关心
全旗/
输入就绪
空旗/
输出就绪
可编程
几乎满标志
可编程
几乎空标志
半满标志
数据输出
动力
地
I
O
FF
/
IR
EF
/
OR
PAF
PAE
HF
Q
0
–Q
17
V
CC
GND
O
O
O
O
O
1023 ），并判定标志偏移编程方法，串行或并行的。后
主复位时，该引脚允许写，并从偏移寄存器读取。
该引脚必须连接到无论是V
CC
或GND ，必须经过师傅不切换
复位。
在IDT标准模式中，
FF
功能被选择。
FF
指示是否
没有FIFO存储器已满。在FWFT模式中，
IR
功能被选择。
IR
指示是否有可用空间用于写入到FIFO存储器中。
在IDT标准模式中，
EF
功能被选择。
EF
指示是否
不FIFO存储器是空的。在FWFT模式，则
OR
功能被选择。
OR
表示是否存在可用的输出有效数据。
PAF
变低，如果字在FIFO存储器中的数大于
FIFO中减去全部偏移值m ，该值存储在所述的总字容量
全偏移寄存器。有对米两种可能的默认值： 127或1023 。
PAE
变低，如果字在FIFO存储器中的数小于偏移N，
这被存储在空偏移寄存器。有两种可能的默认值
对于n ： 127或1023 。对于n的其它值可被编程到器件中。
HF
表示FIFO存储器是否为多于或少于半满。
数据输出为18位的总线。
+5伏电源引脚。
接地引脚。
任
使RCLK为从FIFO存储器中读出的数据和偏移量寄存器。
OE
控制Q的输出阻抗
n.
SEN
使可编程标志偏移串行加载。
在主复位，
LD
选择或两部分标志默认偏移1 （ 127
4
IDT72255LA / 72265LA SUPERSYNC FIFO
8,192 x 18, 16,384 x 18
商用和工业温度范围
绝对最大额定值
符号
V
TERM
T
英镑
I
OUT
等级
端电压
相对于GND
存储
温度
直流输出电流
Com'l & Ind'l
-0.5到+7.0
-55到+125
-50到+50
单位
V
°C
mA
建议的直流工作条件
符号
参数
V
CC
电源电压
商业/工业
GND
V
IH
V
IL(1)
T
A
T
A
电源电压
输入高电压
商业/工业
输入低电压
商业/工业
工作温度
广告
工作温度
产业
分钟。
4.5
0
2.0
—
0
–40
典型值。
5.0
0
—
—
—
—
马克斯。
5.5
0
—
0.8
70
85
单位
V
V
V
V
°C
°C
注意：
1.强调超过绝对最大额定上市
INGS可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力等级
该器件在这些或任何其他条件只与功能操作
超过上述业务部门所标明的这个规范
不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件为前
往往周期会影响其可靠性。
注意：
1. 1.5V下冲被允许为10ns的每秒一次循环。
DC电气特性
（商业： V
CC
= 5V
±
10%, T
A
= 0 ° C至+ 70°C ;工业： V
CC
= 5V
±
10%, T
A
= -40 ° C至+ 85°C ）
IDT72255LA
IDT72265LA
商业&工业
(1)
t
CLK
= 10 ，15，20纳秒
符号
I
LI
(2)
I
LO
(3)
V
OH
V
OL
I
CC1
(4,5,6)
I
CC2
(4,7)
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出逻辑“1”的电压，I
OH
= -2毫安
输出逻辑“ 0 ”电压，I
OL
= 8毫安
有源电源电流
待机电流
分钟。
–1
–10
2.4
—
—
—
马克斯。
1
10
—
0.4
80
20
单位
A
A
V
V
mA
mA
笔记
:
1.工业温度范围的产品为15ns和20ns的速度等级都可以作为标准设备。
2.测量0.4
≤
V
IN
≤
V
CC
.
3.
OE
≥
V
IH ，
0.4
≤
V
OUT
≤
V
CC.
4.测试与输出禁用（我
OUT
= 0).
5. RCLK和WCLK切换，在20 MHz和数据输入的开关频率为10 MHz 。
6.典型I
CC1
= 15 + 2.1*f
S
+ 0.02*C
L
*f
S
（单位为mA）与V
CC
= 5V ，T
A
= 25 ° C，F
S
= WCLK频率= RCLK频率（以MHz为单位，采用TTL电平）
数据交换在f
S
/2, C
L
=容性负载（单位为pF ） 。
7，所有输入= V
CC
- 0.2V或GND + 0.2V ，除RCLK和WCLK ，这在20 MHz的切换。
电容
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
C
IN
(2)
C
OUT
(1,2)
参数
(1)
输入
电容
产量
电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
10
10
单位
pF
pF
注意事项：
1.输出取消， （
OE
≥
V
IH
).
2.特征值，而不是目前的测试。
5
QQ：2881677436 复制
