高速3.3V
2K ×8双端口
静态RAM对中断
.eatures
x
IDT71V321S/L
IDT71V421S/L
x
x
高速存取
- 商业：25 /35 / 55ns （最大值）
- 工业：为25ns （最大）
低功耗工作
- IDT71V321 / IDT71V421S
—
主动： 325MW （典型值）。
—
待机： 5毫瓦（典型值）。
- IDT71V321 / V421L
—
主动： 325MW （典型值）。
—
待机：为1mW （典型值）。
两
INT
标志的端口到端口的通信
x
x
x
x
x
x
x
x
MASTER IDT71V321轻松扩展数据总线宽度为16位
使用SLAVE IDT71V421或-更多的位
片口仲裁（只IDT71V321 ）逻辑
忙
在IDT71V321输出标志;
忙
输入的IDT71V421
从任何一个端口完全异步操作
电池备份操作-2V数据保留（L只）
TTL兼容的，采用3.3V单电源供电
可提供52引脚PLCC ， 64引脚TQFP和STQFP
套餐
工业级温度范围（ ？ 40 ° C至+ 85°C ），可
对于选定的速度
.UNCTIONAL框图
OE
L
CE
L
读/写
L
OE
R
CE
R
读/写
R
I / O
0L
- I / O
7L
I / O
控制
忙
L
(1,2)
I / O
0R
-I / O
7R
I / O
控制
忙
R
A
10R
A
0R
(1,2)
A
10L
A
0L
地址
解码器
11
内存
ARRAY
11
地址
解码器
CE
L
OE
L
读/写
L
仲裁
和
打断
逻辑
CE
R
OE
R
读/写
R
INT
L
(2)
INT
R
3026 DRW 01
(2)
注意事项：
1. IDT71V321 （ MASTER ） ：
忙
是输出。 IDT71V421 （ SLAVE ） ：
忙
输入。
2.
忙
和
INT
有图腾柱输出。
2001年8月
1
2001集成设备技术有限公司
DSC-3026/8
IDT71V321/71V421S/L
高速3.3V 2K ×8双端口静态RAM与中断
工业和商业温度范围
描述
该IDT71V321 / IDT71V421是高速2K ×8双端口
静态RAM与内部中断逻辑处理器间通信
系统蒸发散。该IDT71V321被设计为用作一个独立的8位
双端口RAM或作为"MASTER"双端口RAM加上
IDT71V421 "SLAVE"双端口16或更多的位内存体系AP-
褶皱导致全速，无错操作，而不需要
额外的分立逻辑。
该器件提供了独立控制两个独立的端口，
地址，和I / O引脚，其允许独立的，异步访问
用于读或写操作的任何位置在存储器中。自动功率
断特性，通过控制
CE，
允许在每个芯片的电路
端口进入一个极低的待机功耗模式。
采用IDT的CMOS高性能技术制造，这些
设备通常对功耗仅为325MW运行。低功率（L ）
版本提供电池备份的数据保持能力，每个双核
端口通常由2V电池消耗200μW 。
该IDT71V321 / IDT71V421设备均采用52引脚
PLCC ， 64引脚TQFP （薄型四方扁平封装）和64引脚STQFP
（超薄四方扁平封装） 。
销刀豆网络gurations
(1,2,3)
指数
A
1L
A
2L
A
3L
A
4L
A
5L
A
6L
A
7L
A
8L
A
9L
I / O
0L
I / O
1L
I / O
2L
I / O
3L
87 6 5 4 3 2 1 52 51 50 49 48 47
46
45
9
44
10
43
11
42
12
IDT71V321/421J
41
13
J52-1
(4)
40
14
52引脚PLCC
39
15
顶视图
(5)
38
16
37
17
36
18
19
35
20
34
21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33
V
CC
CE
R
读/写
R
忙
R
INT
R
A
10R
OE
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
A
6R
A
7R
A
8R
A
9R
NC
I / O
7R
,
3026 DRW 02
I / O
4L
I / O
5L
I / O
6L
I / O
7L
NC
GND
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
I / O
3R
I / O
4R
I / O
5R
I / O
6R
INT
L
忙
L
读/写
L
CE
L
A
0L
OE
L
A
10L
指数
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
N / C
N / C
A
10L
INT
L
忙
L
读/写
L
CE
L
V
CC
V
CC
CE
R
读/写
R
忙
R
INT
R
A
10R
N / C
N / C
注意事项：
1.所有V
CC
引脚必须连接到电源。
2.所有GND引脚都必须连接到接地电源。
3. J52-1包体约为0.75英寸x 0.75英寸x 0.17英寸
PP64-1包体约为10x10公厘X 1.4毫米。
PN64-1包体约为14毫米X 14毫米X 1.4毫米。
4.这个包的代码来引用该包图。
5.本文并不表示实际的部分标记的方向。
OE
L
A
0L
A
1L
A
2L
A
3L
A
4L
A
5L
A
6L
N / C
A
7L
A
8L
A
9L
N / C
I / O
0L
I / O
1L
I / O
2L
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
IDT71V321 / 421PF或TF
PP64-1
(4)
＆放大器;
PN64-1
(4)
64引脚STQFP
64引脚TQFP
顶视图
(5)
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
OE
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
A
6R
N / C
A
7R
A
8R
A
9R
N / C
N / C
I / O
7R
I / O
6R
I / O
3L
N / C
I / O
4L
I / O
5L
I / O
6L
I / O
7L
N / C
GND
GND
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
I / O
3R
N / C
I / O
4R
I / O
5R
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
3026 DRW 03
2
6.42
IDT71V321/71V421S/L
高速3.3V 2K ×8双端口静态RAM与中断
工业和商业温度范围
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
(2)
等级
端电压
对于
到GND
操作
温度
温度
在偏置
存储
温度
DC输出
当前
广告
＆放大器;产业
-0.5到+4.6
单位
V
推荐工作
温度和电源电压
(1,2)
GRADE
广告
产业
环境
温度
0
O
C至+70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
GND
0V
0V
VCC
3.3V
+
0.3V
3.3V
+
0.3V
3026 TBL 02
T
A
T
BIAS
T
英镑
I
OUT
0至+70
-55到+125
-65到+150
50
°C
o
C
C
o
注意事项：
1.这是参数T
A
。这是"instant on"外壳温度。
2，工业级温度：特定速度，包和权力联系您
销售网络的CE 。
mA
3026 TBL 01
建议的直流工作
条件
符号
V
CC
GND
V
IH
V
IL
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
分钟。
3.0
0
2.0
-0.3
(1)
典型值。
3.3
0
____
____
注意事项：
1.强调超过绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值
该器件在这些或任何其它的条件和功能操作
以上这些表明，在业务部门的规格是不是
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响其可靠性。
2. V
TERM
一定不能超过V
CC
对于周期时间为10ns或超过25％， + 10％
最大，并且被限制为< 20毫安为Ⅴ的周期
TERM
＆ GT ; V
CC
+ 10%.
马克斯。
3.6
0
V
CC
+0.3
(2)
0.8
单位
V
V
V
V
3026 TBL 03
电容
(1)
符号
C
IN
C
OUT
注意事项：
1. V
IL
（分钟） = -1.5V脉冲宽度小于20ns 。
2. V
TERM
不得超过VCC + 0.3V 。
（ TA = + 25 ° C，F = 1.0MHz的） TQ.P只
参数
输入电容
输出电容
条件
(2)
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
马克斯。
9
10
单位
pF
pF
3026 TBL 04
注意事项：
1，这个参数是由器件特性决定的，但不是生产
测试。
2. 3DV引用插电容时的输入和输出信号
从0V切换到3V或3V至0V 。
DC电气特性在工作
温度和电源电压范围
(V
CC
= 3.3V ± 0.3V)
71V321S
71V421S
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
(1)
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
测试条件
V
CC
= 3.6V,
V
IN
= 0V至V
CC
CE
= V
IH
, V
OUT
= 0V至V
CC
V
CC
= 3.6V
I
OL
= 4毫安
I
OH
= -4mA
分钟。
___
71V321L
71V421L
分钟。
___
马克斯。
10
10
0.4
___
马克斯。
5
5
0.4
___
单位
A
A
V
V
3026 TBL 05
___
___
___
___
2.4
2.4
注意：
1. V
CC
< 2.0V输入泄漏是不确定的。
3
6.42
IDT71V321/71V421S/L
高速3.3V 2K ×8双端口静态RAM与中断
工业和商业温度范围
DC电气特性在工作
温度和电源电压范围
(1,2)
(V
CC
= 3.3V ± 0.3V)
71V321X25
71V421X25
Com'l
&工业
符号
I
CC
参数
工作动态
当前
（两个端口均有效）
测试条件
CE
= V
IL
，输出禁用
SEM
= V
IH
f = f
最大
(3)
VERSION
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
典型值。
55
55
55
55
15
15
15
15
25
25
25
25
1.0
0.2
1.0
0.2
25
25
25
25
马克斯。
130
100
150
130
35
20
50
35
75
55
95
75
5
3
10
6
70
55
85
70
71V321X35
71V421X35
Com'l只有
典型值。
55
55
___
71V321X55
71V421X55
Com'l只有
典型值。
55
55
___
马克斯。
125
95
___
马克斯。
115
85
___
单位
mA
I
SB1
待机电流
（这两个端口 - TTL
电平输入）
CE
R
=
CE
L
= V
IH
SEM
R
=
SEM
L
= V
IH
f = f
最大
(3)
15
15
___
35
20
___
15
15
___
35
20
___
mA
I
SB2
待机电流
（单端口 - TTL
电平输入）
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
= V
IL
和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
= V
IH
(5)
活动端口输出禁用，
f=f
最大
(3)
SEM
R
=
SEM
L
= V
IH
这两个端口
CE
L
和
CE
R
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或
V
IN
＆ LT ; 0.2V ， F = 0
(4)
SEM
R
=
SEM
L
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
＆ LT ; 0.2V和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
(5)
SEM
R
=
SEM
L
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
活动端口输出禁用
f = f
最大
(3)
25
25
___
70
50
___
25
25
___
60
40
___
mA
I
SB3
全待机电流
（这两个宝RTS - 所有
CMOS电平输入）
1.0
0.2
___
5
3
___
1.0
0.2
___
5
3
___
mA
I
SB4
全待机电流
（一个端口 - 所有
CMOS电平输入）
25
25
___
65
50
___
25
25
___
55
40
___
mA
3026 TBL 06
注意事项：
部分1号“X”表示额定功率（S或L ） 。
2. V
CC
= 3.3V ，T
A
= + 25°C ，而不是生产测试。我
CCDC
= 70毫安（典型值） 。
3.在f = F
最大
，地址和控制线（除输出使能）被循环以1 /吨的最高频率的读周期
RC
并使用输入电平的"AC测试Conditions"
GND到3V 。
4， F = 0表示无地址或控制线变化。仅适用于在输入CMOS电平的待机。
5.端口"A"可能是左或右端口。港口"B"从口"A"相反。
数据保持特性
（只有L型）
符号
V
DR
I
CCDR
t
CDR
(3)
参数
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
V
CC
= 2
V,
CE
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
Com'l 。
IND 。
测试条件
分钟。
2.0
___
典型值。
___
(1)
马克斯。
0
1500
4000
___
单位
V
A
A
V
V
3026 TBL 07
100
100
___
___
0
t
R
(3)
t
RC
(2)
___
___
注意事项：
1. V
CC
= 2V ，T
A
= + 25°C ，而不是生产测试。
2. t
RC
=读周期时间。
3.此参数由器件特性保证，但未经生产测试。
4
6.42
IDT71V321/71V421S/L
高速3.3V 2K ×8双端口静态RAM与中断
工业和商业温度范围
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升/下降时间
输入定时基准水平
输出参考电平
输出负载
GND到3.0V
5ns
1.5V
1.5V
图1和图2
3026 TBL 08
数据保存波形
数据保持方式
V
DR
≥
2.0V
V
CC
3.0V
t
CDR
3.0V
t
R
CE
V
IH
V
DR
V
IH
3026 DRW 04
,
3.3V
590
数据
OUT
忙
INT
435
数据
OUT
30pF
435
3.3V
590
5pF
3026 DRW 05
图1. AC输出负载测试
图2.输出负载测试
（对于T
HZ
, t
LZ
, t
WZ
和叔
OW
)
*包括范围和夹具。
AC电气特性在
工作温度电源电压范围
(2)
71V321X25
71V421X25
COM 'L
&工业
SYM BOL
读周期
t
RC
t
AA
t
ACE
t
AOE
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
PU
t
PD
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
输出启用访问时间
从地址变更输出保持
输出低-Z时间
(1,2)
输出高阻时间
(1,2)
芯片使能上电时间
(2)
芯片禁用断电时间
(2)
25
____
____
____
____
71V321X35
71V421X35
COM ' l只有
分钟。
马克斯。
71V321X55
71V421X55
COM ' l只有
分钟。
马克斯。
单位
PARAM ETER
分钟。
马克斯。
35
____
____
____
____
55
____
____
____
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
3026 TBL 09
25
25
12
____
____
35
35
20
____
____
55
55
25
____
____
3
0
____
3
0
____
3
0
____
12
____
15
____
30
____
0
____
0
____
0
____
50
50
50
注意事项：
1.转变是从与输出负载测试（图2 ）低或高阻抗电压测量0mV 。
2.这个参数是由设备特性保证，但未经生产测试。
部分数字3 “X”表示额定功率（S或L ） 。
5
6.42
QQ：2880707522 复制
