初步
集成
电路
系统公司
ICS844256
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
-LVDS
F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER W
/I
NTEGRATED
F
ANOUT
B
UFFER
F
EATURES
六LVDS输出
晶体振荡器接口
输出频率范围：为的62.5MHz 622.08MHz的
晶振输入频率范围： 15.625MHz到25.5MHz
RMS相位抖动在125MHz ，使用25MHz晶体
（ 1.875MHz至20MHz ） ： 0.48ps （典型值）
全3.3V或3.3V核心， 2.5V输出电源模式
0 ° C至70 ° C的环境工作温度
可应要求提供工业级温度信息
可在标准和无铅符合RoHS标准
套餐
功能
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
该ICS844256是Crystal至LVDS时钟
合成器/扇出缓冲器设计用于SONET
HiPerClockS
和千兆以太网应用的，并且是
在HiPerClockS 系列高成员
从ICS性能的时钟解决方案。该
输出频率可以通过频率选择来设置
引脚和一个25MHz晶振用于以太网的频率，或
19.44MHz晶振为SONET 。低相位噪声字符
该ICS844256的开创性意义，使其成为这些理想的时钟
苛刻的应用。
IC
S
S
ELECT
F
油膏
T
ABLE
输入
FB_SEL
0
0
0
0
1
1
1
1
N_SEL1
0
0
1
1
0
0
1
1
N_SEL0
0
1
0
1
0
1
0
1
M鸿沟
25
25
25
25
32
32
32
32
DIVIDE
1
2
4
5
1
2
4
8
M / N
25
12.5
6.25
5
32
16
8
4
B
LOCK
D
IAGRAM
Q0
nQ0
PLL_BYPASS
上拉
P
IN
A
SSIGNMENT
V
DDO
V
DDO
nQ2
Q2
nQ1
Q1
nQ0
Q0
PLL_BYPASS
V
DDA
V
DD
FB_SEL
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
Q3
nQ3
Q4
nQ4
Q5
nQ5
N_SEL1
GND
GND
N_SEL0
XTAL_OUT
XTAL_IN
Q1
1
XTAL_IN
XTAL_OUT
OSC
PLL
产量
分频器
nQ1
Q2
nQ2
Q3
nQ3
Q4
nQ4
Q5
nQ5
0
反馈
分频器
FB_SEL
N_SEL1
N_SEL0
下拉
上拉
上拉
ICS844256
24引脚， 300mil的SOIC
7.5毫米X 15.33毫米X 2.3毫米
体包
男包
顶视图
24引脚TSSOP
4.40毫米X 7.8毫米X 0.92毫米
体包
G封装
顶视图
本文提供的初步信息代表了原型或试生产的产物。所提到的特征的基础上
最初的产品特性。集成电路系统公司（ ICS）保留随时更改任何电路或规格的权利
恕不另行通知。
844256AM
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1
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集成
电路
系统公司
ICS844256
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
-LVDS
F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER W
/I
NTEGRATED
F
ANOUT
B
UFFER
TYPE
动力
产量
产量
产量
输入
动力
动力
输入
输入
输入
上拉
描述
输出电源引脚。
差分输出对。 LVDS接口的水平。
差分输出对。 LVDS接口的水平。
差分输出对。 LVDS接口的水平。
PLL和河石英晶体输入，输入到分频器之间进行选择。
当低，选择PLL 。当HIGH ，选择XTAL_IN ， XTAL_OUT 。
LVCMOS / LVTTL接口电平。
模拟电源引脚。
核心供电引脚。
下拉反馈频率选择引脚。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
CR振荡器，石英晶体界面。 XTAL_IN是输入。
XTAL_OUT是输出。
上拉
输出频率选择引脚。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
电源接地。
产量
产量
产量
差分输出对。 LVDS接口的水平。
差分输出对。 LVDS接口的水平。
差分输出对。 LVDS接口的水平。
T
ABLE
1. P
IN
D
ESCRIPTIONS
数
1, 2
3, 4
5, 6
7, 8
9
10
11
12
13,
14
15,
18
16, 17
19, 20
21, 22
23, 24
名字
V
DDO
NQ2 ， Q2
NQ1 ， Q1
nQ0 ， Q0
PLL_BYPASS
V
DDA
V
DD
FB_SEL
XTAL_IN ，
XTAL_OUT
N_SEL0
N_SEL1
GND
nQ5 ， Q5
nQ4 ， Q4
nQ3 ， Q3
注意：
上拉
和
下拉
是指内部输入电阻。见表2 ，引脚特性，为典型值。
T
ABLE
2. P
IN
C
极特
符号
C
IN
R
上拉
R
下拉
参数
输入电容
输入上拉电阻
输入下拉电阻
测试条件
最低
典型
4
51
51
最大
单位
pF
kΩ
kΩ
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F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
-LVDS
F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER W
/I
NTEGRATED
F
ANOUT
B
UFFER
功能
T
ABLE
3. C
RYSTAL
F
油膏
T
ABLE
输入
XTAL （兆赫）
20
20
20
20
21.25
24
24
24
24
25
25
25
25
25.5
15.625
18.5625
18.75
18.75
18.75
18.75
19.44
19.44
19.44
19.44
19.53125
19.53125
19.53125
19.53125
20
FB_SEL
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
N_SEL1
0
0
1
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
1
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
1
N_SEL0
0
1
0
1
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
1
M
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
32
32
32
32
32
32
32
32
32
32
32
32
32
32
32
500
500
500
500
531.25
600
600
60 0
60 0
625
625
625
625
637.5
500
594
600
600
600
600
622.08
622.08
622.08
622.08
62 5
625
625
62 5
640
VCO （兆赫）
N
1
2
4
5
5
1
2
4
5
1
2
4
5
4
8
8
1
2
4
8
1
2
4
8
1
2
4
8
8
输出（兆赫）
500
250
125
100
106.25
600
300
150
120
625
312.5
156.25
125
159.375
62.5
74.25
600
300
150
75
622.08
311.04
155.52
77.76
625
312.5
156.25
78.125
80
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F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
-LVDS
F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER W
/I
NTEGRATED
F
ANOUT
B
UFFER
4.6V
-0.5V到V
DD
+ 0.5V
10mA
15mA
50℃ / W （ 0 LFPM ）
70 ℃/ W（ 0 MPS ）
-65 ℃150 ℃的
注：如果运行条件超出绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这些评价只强调规范。实用
产物在这些条件下或在任何条件操作BE-
彼处那些在上市
DC特性
or
AC Character-
istics
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响产品的可靠性。
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
电源电压，V
DD
输入，V
I
输出，我
O
连续电流
浪涌电流
封装的热阻抗，
θ
JA
24引脚SOIC
24引脚TSSOP
贮藏温度，T
英镑
T
ABLE
4A 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= V
DDA
= V
DDO
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
DD
V
DDA
V
DDO
I
DD
I
DDA
I
DDO
参数
核心供电电压
模拟电源电压
输出电源电压
电源电流
模拟电源电流
输出电源电流
测试条件
最低
3.135
3.135
3.135
典型
3.3
3.3
3. 3
待定
待定
待定
最大
3.465
3.465
3.465
单位
V
V
V
mA
mA
mA
T
ABLE
4B 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= V
DDA
= 3.3V±5%, V
DDO
= 2.5V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
DD
V
DDA
V
DDO
I
DD
I
DDA
I
DDO
参数
核心供电电压
模拟电源电压
输出电源电压
电源电流
模拟电源电流
输出电源电流
测试条件
最低
3.135
3.135
2.375
典型
3.3
3.3
2.5
待定
待定
待定
最大
3.465
3.465
2.625
单位
V
V
V
mA
mA
mA
T
ABLE
4C 。 LVCMOS / LVTTL DC
极特
,
V
DD
= V
DDA
= 3.3V±5%, V
DDO
= 3.3V±5%
OR
2.5V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
IH
V
IL
I
IH
参数
输入高电压
输入低电压
输入高电流
FB_SEL
PLL_BYPASS ，
N_SEL0 ， N_SEL1
FB_SEL
PLL_BYPASS ，
N_SEL0 ， N_SEL1
V
DD
= V
IN
= 3.465V
V
DD
= V
IN
= 3.465V
V
DD
= 3.465V, V
IN
= 0V
V
DD
= 3.465V, V
IN
= 0V
-5
-150
测试条件
最低
2
-0.3
典型
最大
V
DD
+ 0.3
0.8
150
5
单位
V
V
A
A
A
A
I
IL
输入低电平电流
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F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
-LVDS
F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER W
/I
NTEGRATED
F
ANOUT
B
UFFER
测试条件
最低
典型
350
40
1.25
50
最大
单位
mV
mV
V
mV
T
ABLE
4D 。 LVDS DC
极特
,
V
DD
= V
DDA
= V
DDO
= 3.3V ± 5 ％T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
OD
Δ
V
OD
V
OS
Δ
V
OS
参数
差分输出电压
V
OD
幅度变化
失调电压
V
OS
幅度变化
注：请参考参数测量信息的输出信息。
T
ABLE
4E 。 LVDS DC
极特
,
V
DD
= V
DDA
= 3.3V±5%, V
DDO
= 2.5V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
OD
Δ
V
OD
V
OS
Δ
V
OS
参数
差分输出电压
V
OD
幅度变化
失调电压
V
OS
幅度变化
测试条件
最低
典型
待定
待定
待定
待定
最大
单位
mV
mV
V
mV
T
ABLE
5. C
RYSTAL
C
极特
参数
振荡模式
频率
等效串联电阻（ESR ）
旁路电容
驱动电平
注：使用一个18pF之并联谐振CR石英晶体特点。
15.625
测试条件
最低
典型的最大
25.5
50
7
1
单位
兆赫
Ω
pF
mW
基本
844256AM
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QQ：2880707522 复制
