3.3V CMOS静态RAM
1兆欧（ 128K ×8位）
革命引脚
特点
◆
◆
IDT71V124
描述
该IDT71V124是1,048,576位高速静态RAM奥尔加
的发布为128K X 8，它是采用IDT的高性能制造，高
可靠性的CMOS技术。国家的最先进的这种技术，COM的
软硬件就可以为创新的电路设计技术，提供了一个成本
有效的解决方案为高速存储器的需求。 JEDEC的中心
电源/ GND引脚排列降低了噪音的产生，提高了系统的
性能。
该IDT71V124有一个输出使能引脚，以最快的速度运行
7ns的，有地址的访问时间以最快的速度提供15ns的。所有双向
tional输入和IDT71V124的输出是LVTTL兼容并
操作是从一个单一的3.3V电源。完全静态异步
电路被使用;无时钟或刷新所需要的操作。
该IDT71V124封装采用32引脚400密耳的塑料SOJ 。
◆
◆
◆
◆
◆
◆
128K ×8先进的高速CMOS静态RAM
为JEDEC革命性的引出线（中心电源/ GND ）
减少噪音
商用（0 ° C至+ 70 ° C）和工业级（-40° C至
+ 85 ° C）温度选项
平等的机会和周期时间
- 工商： 15 / 20ns的
一个片选加一输出使能引脚
双向输入，并直接输出
LVTTL兼容
通过芯片取消低功耗
可提供32引脚400密耳的塑料SOJ 。
功能框图
A
0
A
16
I / O
0
- I / O
7
O
WE
OE
CS
N N
I
A
吨CE
4S NS
R 5
12 IG
A E
νs的
P L
71 DE
O
ER W
S
D E
B
R N
地址
C
E
1,048,576-BIT
存储阵列
解码器
8
O
F
8
I / O控制
8
控制
逻辑
3484 DRW 01
2000年8月
1
2000集成设备技术有限公司
DSC-3484/05
IDT71V124 ， 3.3V CMOS静态RAM
1兆欧（ 128K ×8位） ，革命引脚
商用和工业温度范围
引脚配置
A
0
A
1
A
2
A
3
CS
I / O
0
I / O
1
V
DD
GND
I / O
2
I / O
3
WE
A
4
A
5
A
6
A
7
1
32
2
31
3
30
4
29
28
5
6 SO32-3 27
26
7
25
8
9
24
10
23
11
22
12
21
13
20
14
19
15
18
16
17
A
16
A
15
A
14
A
13
OE
I / O
7
I / O
6
GND
V
DD
I / O
5
I / O
4
A
12
A
11
A
10
A
9
A
8
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
(2)
T
A
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
等级
与端电压
对于GND
工作温度
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流
价值
-0.5到+4.1
(2)
0至+70
-55到+125
-55到+125
单位
V
o
o
C
C
C
o
SOJ
顶视图
真值表
(1,2)
CS
L
L
L
H
V
HC
(3)
OE
L
X
H
X
X
WE
H
L
H
X
X
I / O
数据
OUT
数据
IN
高-Z
注意事项：
1. H = V
IH
中，L = V
IL
，X =无关。
2. V
LC
= 0.2V, V
HC
= V
DD
–0.2V.
3.其他投入
≥V
HC
or
≤
V
LC
.
电容
符号
C
IN
C
I / O
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的， SOJ包装）
参数
(1)
输入电容
I / O容量
O
N N
I
A
吨CE
4S NS
R 5
12 IG
A E
νs的
P L
71 DE
O
ER W
S
D E
B
R N
3484 DRW 02
注意事项：
1.强调超过绝对最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上的任何其它条件的操作指示的
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响可靠性。
2. V
TERM
一定不能超过V
DD
+ 0.5V.
C
E
0.5
50
W
mA
3484 TBL 02
功能
读数据
写数据
推荐工作
温度和电源电压
GRADE
温度
GND
0V
V
DD
见下文
见下文
3484 TB升02A
输出禁用
广告
产业
0 ° C至+ 70°C
高-Z
取消选择 - 待机（我
SB
)
-40 ° C至+ 85°C
0V
高-Z
取消选择 - 待机（我
SB1
)
3484 TBL 01
建议的直流工作
条件
符号
V
DD
参数
分钟。
3.0
0
典型值。
3.3
0
马克斯。
3.6
0
单位
V
V
V
V
3484 TBL 04
条件
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
注意：
1.该参数由器件特性保证，但不生产
测试。
O
F
马克斯。
8
8
单位
pF
电源电压
地
GND
V
IH
V
IL
pF
输入高电压
输入低电压
2.0
–0.3
(1)
____
____
V
DD
+0.3
0.8
3484 TBL 03
注意：
1. V
IL
（分） = -1V为脉冲宽度小于5ns的，每循环一次。
DC电气特性
(V
DD
= 3.3V ± 10 ％ ，商用和工业温度范围）
IDT71V124
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
测试条件
V
DD
=最大，V
IN
= GND到V
DD
V
DD
=最大，
CS
= V
IH
, V
OUT
= GND到V
DD
I
OL
= 8毫安，V
DD
=最小值。
I
OH
= -8mA ，V
DD
=最小值。
分钟。
___
___
___
马克斯。
5
5
0.4
___
单位
A
A
V
V
3484 TBL 05
2.4
6.42
2
IDT71V124 ， 3.3V CMOS静态RAM
1兆欧（ 128K ×8位） ，革命引脚
商用和工业温度范围
DC电气特性
(1)
(V
DD
= 3.3V ± 10%, V
LC
= 0.2V, V
HC
= V
DD
– 0.2V)
71V124S15
符号
I
CC
I
SB
参数
动态工作电流
CS
＆ LT ; V
IL
，输出打开，V
DD
=最大值，女= F
最大
(2)
待机电源电流（ TTL电平）
CS
＆ GT ; V
IH
，输出打开，V
DD
=最大值，女= F
最大
(2)
全部备用电源电流（ CMOS电平）
CS
＆ GT ; V
HC
，输出打开，V
DD
=最大值， F = 0
(2)
V
IN
＆ LT ; V
LC
或V
IN
＆ GT ; V
HC
Com'l 。
100
35
5
IND 。
120
40
7
71V124S20
Com'l 。
95
30
5
IND 。
115
35
7
单位
mA
mA
mA
I
SB1
注意事项：
1.所有值都最大限度地保证值。
2. f
最大
= 1/t
RC
（所有的地址输入骑自行车在f
最大
)
;
F = 0表示无地址输入线正在发生变化。
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升/下降时间
输入定时基准水平
输出参考电平
AC测试负载
数据
OUT
30pF
O
N N
I
A
吨CE
4S NS
R 5
12 IG
A E
νs的
P L
71 DE
O
ER W
S
D E
B
R N
GND到3.0V
3ns
1.5V
1.5V
参见图1和图2
3484 TBL 07
C
E
3484 TBL 06
3.3V
3.3V
298
216
O
F
3484 DRW 03
298
数据
OUT
5pF*
216
3484 DRW 04
*包括夹具和范围电容。
图1. AC测试负载
图2.交流测试负载
（对于T
CLZ
, t
OLZ
, t
CHZ
, t
OHZ
, t
OW ，
和T
WHZ
)
6.42
3
IDT71V124 ， 3.3V CMOS静态RAM
1兆欧（ 128K ×8位） ，革命引脚
商用和工业温度范围
AC电气特性
符号
读周期
t
RC
t
AA
t
ACS
t
CLZ
(1)
t
CHZ
(1)
t
OE
t
OLZ
(1)
t
OHZ
(1)
t
OH
t
PU
(1)
t
PD
(1)
写周期
t
WC
t
AW
t
CW
t
AS
t
WP
t
WR
t
DW
t
DH
t
OW
(1)
t
WHZ
(1)
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
片选在低Z输出
取消芯片输出高-Z
输出使能到输出有效
参数
(V
DD
= 3.3V ± 10 ％ ，商业和工业范围）
71V124S15
分钟。
马克斯。
71V124S20
分钟。
马克斯。
单位
15
____
____
20
____
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
15
15
____
20
20
____
____
____
3
0
输出使能，以在低Z输出
输出禁用输出高阻
从地址变更输出保持
芯片的选择上电时间
芯片取消掉电时间
写周期时间
地址有效到写结束
片选写的结束
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
数据有效到写结束
数据保持时间
输出写入结束活动
O
N N
I
A
吨CE
4S NS
R 5
12 IG
A E
νs的
P L
71 DE
O
ER W
S
D E
B
R N
____
0
0
C
7
7
____
E
3
0
8
____
8
0
____
5
0
7
4
____
4
0
____
0
____
____
____
15
____
20
15
____
____
20
____
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
3484 TBL 08
12
15
15
0
12
0
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
12
0
15
0
9
0
4
0
写使能在高阻输出
注意：
1.此参数保证与交流负载（图2）器件特性，但不生产测试。
O
F
8
0
____
____
3
0
____
____
5
8
6.42
4
IDT71V124 ， 3.3V CMOS静态RAM
1兆欧（ 128K ×8位） ，革命引脚
商用和工业温度范围
读循环中没有时序波形。 1
(1)
t
RC
地址
t
AA
OE
t
OE
CS
t
OLZ
(5)
(5)
(3)
t
ACS
t
CLZ
数据
OUT
V
CC
我的供应
CC
电流I
SB
读循环中没有时序波形。 2
(1,2,4)
t
RC
地址
数据
OUT
以前的数据
OUT
有效
注意事项：
1.
WE
为高的读周期。
2.设备被连续地选择
CS
是低的。
3.地址必须是之前或重合有效用的后
CS
变为低电平;否则吨
AA
是限制参数。
4.
OE
是低的。
5.转变是从稳态测量± 200mV的。
O
N N
I
A
吨CE
4S NS
R 5
12 IG
A E
νs的
P L
71 DE
O
ER W
S
D E
B
R N
t
PU
t
PD
高阻抗
C
t
CHZ （ 5 ）
数据
OUT
有效
E
t
OHZ （ 5 ）
3484 DRW 05
t
AA
t
OH
t
OH
数据
OUT
有效
3484 DRW 06
O
F
6.42
5
QQ：2880707522 复制
