低功耗3V CMOS SRAM
1兆欧（ 64K ×16位）
集成设备技术有限公司
ADVANCE
信息
IDT71L016
产品特点：
64K ×16组织
宽工作电压范围： 2.7V至3.6V
速度级别：为70ns ， 100ns的
低工作电源： 45毫安（最大值）
低待机功耗： 5μA （最大值）
低电压数据保存： 1.5V （分钟）
采用44引脚TSOP封装
描述：
该IDT71L016是1,048,576位非常低的静态功耗
RAM组织为64K ×16。它是采用IDT的高制作
可靠性的CMOS技术。国家的最先进的这种技术，
结合创新的电路设计技术，提供
低功耗存储器具有成本效益的解决方案的需求。它使用
6个晶体管的存储单元。
该IDT71L016的所有输入和输出信号是LVTTL-
兼容和操作是从一个单一的扩展范围
3.3V电源。这种扩展电压范围使该器件
非常适合于不规则的电池供电应用。
全静态异步电路使用，无需时钟
或刷新操作。
该IDT71L016打包在一个JEDEC标准44针
TSOP II型。
功能框图
OE
产量
启用
卜FF器
A0 - A15
地址
缓冲器
行/列
解码器
I / O 15
芯片
启用
卜FF器
8
高
字节
I / O
卜FF器
8
CS
I / O 8
WE
写
启用
卜FF器
64K ×16
内存
ARRAY
16
SENSE
安培
和
写
DRIVERS
I / O 7
8
低
字节
I / O
卜FF器
8
I / O 0
BHE
字节
启用
缓冲器
BLE
IDT标志是集成设备技术，Inc.的注册商标。
3771 DRW 01
工业和商业温度范围
1997
集成设备技术有限公司
1997年5月
DSC-3771/2
1
IDT71L016
低功耗3V CMOS静态RAM 1 MEG （ 64K ×16位）
商用和工业温度范围
销刀豆网络gurations
A4
A3
A2
A1
A0
CS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
SO44-2
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A5
A6
A7
OE
BHE
BLE
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
V
DD
V
SS
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
WE
I / O 15
I / O 14
I / O 13
I / O 12
V
SS
V
DD
I / O 11
I / O 10
I / O 9
I / O 8
NC
A8
A9
A10
A11
NC
3771 DRW 02
电容
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
C
IN
C
I / O
参数
(1)
输入电容
I / O容量
条件
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
马克斯。
6
7
单位
pF
pF
A15
A14
A13
A12
NC
注意：
3771 TBL 06
1.该参数由器件特性保证，但不是的精良
，减税测试。
TSOP
顶视图
引脚说明
A
0
– A
15
CS
WE
OE
BHE
BLE
地址输入
芯片选择
写使能
OUTPUT ENABLE
高字节使能
低字节使能
数据输入/输出
动力
地
输入
输入
输入
输入
输入
输入
I / O
PWR
GND
3771 TBL 01
I / O
0
- I / O
15
V
DD
V
SS
真值表
(1)
CS
OE
WE
BLE
BHE
I / O
0
-I / O
7
高-Z
数据
OUT
高-Z
数据
OUT
数据
IN
数据
IN
高-Z
高-Z
高-Z
I / O
8
-I / O
15
高-Z
高-Z
数据
OUT
数据
OUT
数据
IN
高-Z
数据
IN
高-Z
高-Z
功能
取消选择 - 待机
低字节读
高字节读
字读
字写
低字节写入
高字节写入
输出禁用
输出禁用
3771 TBL 02
H
L
L
L
L
L
L
L
L
X
L
L
L
X
X
X
H
X
X
H
H
H
L
L
L
H
X
X
L
H
L
L
L
H
X
H
X
H
L
L
L
H
L
X
H
注意：
1.H = V
IH
中，L = V
IL
，X =无关。
2
IDT71L016
低功耗3V CMOS静态RAM 1 MEG （ 64K ×16位）
商用和工业温度范围
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
(2)
V
TERM
(3)
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
等级
与端电压
对于V
SS
与端电压
对于V
SS
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流
Com'l 。和Ind'l 。
-0.5到+4.6
-0.5到V
DD
+0.5V
-55到+125
-55到+125
1.0
20
单位
V
V
°C
°C
W
mA
推荐工作
温度和电源电压
GRADE
广告
产业
温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
SS
0V
0V
V
DD
2.7V至3.6V
2.7V至3.6V
3771 TBL 04
建议的直流工作
条件
符号
V
DD
V
SS
V
IH
V
IL
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
分钟。
2.7
0
2.0
–0.3
(2)
典型值。
3.0
0
—
—
马克斯。
3.6
0
V
DD
+0.3
(1)
注意事项：
3771 TBL 03
1.强调超过绝对最大上市
额定值可能会导致器件的永久性损坏。这是一个应力
值仅为器件在这些或任何其他功能操作
以上这些条件在此业务部门所标明
规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
2. V
DD
只有终端。
3.输入，输出和I / O端子; 4.6V最大。
单位
V
V
V
V
0.8
注意：
3771 TBL 05
1. V
IH
（最大值） - V
DD
+ 1.5V为脉冲宽度小于5ns的，每秒一次循环。
2. V
IL
（分） = -1.5V为脉冲宽度小于5ns的，每循环一次。
DC电气特性
V
DD
= 2.7V至3.6V ，商用和工业温度范围
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OH
V
OL
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
测试条件
V
DD
=最大，V
IN
= V
SS
到V
DD
V
DD
=最大，
CS
= V
IH
, V
OUT
= V
SS
到V
DD
I
OH
= -1mA ，V
DD
=最小值。
I
OL
= 2毫安，V
DD
=最小值。
分钟。
—
—
2.4
—
马克斯。
1
1
—
0.4
单位
A
A
V
V
3771 TBL 07
DC电气特性
(1, 2)
V
DD
= 2.7 3.6V ，V
LC
= 0.2V, V
HC
= V
DD
-0.2V ，商用和工业温度范围
符号
I
CC2
参数
动态工作电流
CS
测试条件
= V
LC
，输出打开，
-70 NS
NS -100
V
DD
= 3.6V ，女= F
最大
(3)
典型值。
(5)
—
—
—
-40到85°C
0至70℃
40°C
25°C
—
—
—
—
马克斯。
45
35
10
10
5
2
1
单位
mA
I
CC
I
SB1
静态工作电流
待机电源电流
CS
= V
LC
，输出打开，
(4)
WE
= V
HC
, V
DD
= 3.6V ， F = 0
= V
HC
，输出打开，
mA
A
CS
V
DD
= 3.6V
注意事项：
1.所有值都最大限度地保证值。
2.输入低电压和高电压电平0.2V和V
DD
分别为-0.2V所有测试。
3. f
最大
= 1/t
RC
（所有的地址输入骑自行车在f
最大
).
4， F = 0表示无地址输入线正在发生变化。
5.典型的条件是V
DD
= 3.0V和规定的温度。
3771 TBL 08
3
IDT71L016
低功耗3V CMOS静态RAM 1 MEG （ 64K ×16位）
商用和工业温度范围
数据保持特性在所有温度范围
(V
LC
= 0.2V, V
HC
= V
DD
- 0.2V)
符号
V
DR
I
CCDR
t
CDR(3)
t
R(3)
参数
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
CS
测试条件
—
≥
V
HC
分钟。
1.5
—
0
t
RC(2)
典型值。
(1)
—
<1
—
—
马克斯。
—
5
—
—
单位
V
A
ns
ns
3771 TBL 09
注意事项：
1. T
A
= +25°C.
2. t
RC
=读周期时间。
3.此参数是由设备特性保证，但未经生产测试。
低V
DD
数据保存波形
数据
保留
模式
V
DD
t
CDR
CS
2.7V
V
DR
≥
1.5V
V
IH
2.7V
t
R
V
IH
3771 DRW 05
V
DR
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升/下降时间
输入定时基准水平
输出参考电平
AC测试负载
GND到2.5V
3ns
1.5V
1.5V
见图1
3771 TBL 09
AC测试负载
V
DD
3070
数据
OUT
50pF*
3150
3771 DRW 04
*包括夹具和范围电容。
图1. AC测试负载
4
IDT71L016
低功耗3V CMOS静态RAM 1 MEG （ 64K ×16位）
商用和工业温度范围
AC电气特性
(V
DD
= 2.7 3.6V ，全温度范围）
71L016L70
符号
读周期
t
RC
t
AA
t
ACS
t
CLZ(1)
t
CHZ(1)
t
OE
t
OLZ(1)
t
OHZ(1)
t
OH
t
BE
t
BLZ(1)
t
BHZ(1)
写周期
t
WC
t
AW
t
CW
t
BW
t
AS
t
WR
t
WP
t
DW
t
DH
t
OW(1)
t
WHZ(1)
写周期时间
地址有效到写结束
芯片选择低到结束写入的
字节使能低到结束写入的
地址建立时间
从写结束地址保持
把脉冲宽度
数据有效到写结束
数据保持时间
写使能高到输出中低Z
写使能在高阻低到输出
70
65
65
65
0
0
55
30
0
5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
25
100
80
80
80
0
0
70
40
0
5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
30
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
3771 TBL 10
71L016L100
分钟。
100
—
—
10
—
—
5
—
15
—
5
—
马克斯。
—
100
100
—
30
50
—
30
—
50
—
30
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
芯片选择低输出在低Z
芯片选择高到输出的高阻
输出使能低到输出有效
输出使能低-Z低到输出
输出使能高到输出的高阻
从地址变更输出保持
字节使能低到输出有效
字节使能在低Z低到输出
字节使能高到输出的高阻
分钟。
70
—
—
10
—
—
5
—
10
—
5
—
马克斯。
—
70
70
—
25
35
—
25
—
35
—
25
注意：
1.该参数由器件特性保证，但未经生产测试。
读循环中没有时序波形。 1
(1,2,3)
t
RC
地址
t
AA
t
OH
数据
OUT
以前的数据
OUT
有效
t
OH
数据
OUT
有效
3771 DRW 06
注意事项：
1.
WE
为高的读周期。
2.设备被连续地选择
CS
是低的。
3.
OE
,
BHE
和
BLE
是低的。
5
