CMOS静态RAM
256K （ 32K ×8位）
集成设备技术有限公司
IDT71256SA70
产品特点：
32K ×8 CMOS静态RAM
平等接入和周期时间
- 商业：为70ns
一个片选加一输出使能引脚
双向数据输入和输出的直接
TTL兼容
通过芯片取消低功耗
提供28引脚30万塑料SOJ ， 28引脚300密耳
塑料DIP ， 28引脚300密耳的TSOP I型和28引脚600
万塑料DIP封装。
描述：
该IDT71256SA是262,144位中速静
RAM组织为32K X 8，它是采用IDT的高制作
性能比较，高可靠性的CMOS技术。这种状态下， OF-
最先进的技术，结合创新的电路设计
技术中，提供了用于您的存储器具有成本效益的解决方案
需要。
在IDT71256SA所有双向输入和输出
TTL兼容和操作是从一个单一5V电源。
全静态异步电路使用，无需时钟
或刷新操作。
该IDT71256SA封装在一个28引脚300密耳整形
SOJ ， 28引脚300密耳的塑料DIP ， 28引脚300密耳的TSOP I型
和28引脚600密耳的塑料DIP封装。
功能框图
A
0
地址
解码器
A
14
262,144位
存储阵列
V
CC
GND
I / O
0
输入
数据
电路
I / O
7
I / O控制
CS
OE
WE
控制
电路
3567 DRW 01
IDT标志是集成设备技术，Inc.的注册商标。
商业级温度范围
1996
集成设备技术有限公司
1996年7月
3567/1
1
IDT71256SA70
CMOS静态RAM 256K （ 32K ×8位）
商业温度范围
引脚配置
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
绝对最大额定值
(1)
符号
28
27
26
25
24
等级
端电压
对于
到GND
操作
温度
温度
在偏置
存储
温度
动力
耗散
DC输出
当前
Com'l 。
-0.5到+7.0
单位
V
V
CC
WE
V
TERM
(2)
SO28-5
P28-1
P28-2
23
22
21
20
19
18
17
16
15
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
T
A
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
0至+70
-55到+125
-55到+125
1.0
50
°C
°C
°C
W
mA
A
10
CS
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
3567 DRW 02
SOJ / DIP
顶视图
OE
22
23
24
25
26
27
28
1
2
3
4
5
6
7
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
A
10
CS
注意事项：
3567 TBL 02
1.强调超过绝对最大上市
额定值可能会导致器件的永久性损坏。这是一个应力
值仅为器件在这些或任何其他功能操作
以上这些条件在此业务部门所标明
规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
A
11
A
9
A
8
A
13
WE
V
CC
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
SO28-8
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
GND
I / O
2
I / O
1
I / O
0
A
0
A
1
A
2
3567 DRW 03
电容
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的， SOJ包装）
符号
C
IN
C
I / O
参数
(1)
输入电容
I / O容量
条件
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
马克斯。
11
11
单位
pF
pF
注意：
3567 TBL 03
1.该参数由器件特性保证，但不是的精良
，减税测试。
TSOP
顶视图
真值表
(1,2)
CS
OE
WE
I / O
数据
OUT
数据
IN
高-Z
高-Z
高-Z
功能
读数据
写数据
输出禁用
取消选择 - 待机（我
SB
)
取消选择 - 待机（我
SB1
)
3567 TBL 04
建议的直流工作
条件
符号
V
CC
GND
V
IH
V
IL
参数
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
分钟。
4.5
0
2.2
–0.5
(1)
典型值。
5.0
0
—
—
马克斯。
5.5
0
V
CC
+0.5
0.8
单位
V
V
V
V
L
L
L
H
V
HC
(3)
L
X
H
X
X
H
L
H
X
X
注意：
3567 TBL 01
1. V
IL
（分） = -1.5V为脉冲宽度小于10ns的，每循环一次。
注意事项：
1. H = V
IH
中，L = V
IL
，X =无关。
2. V
LC
= 0.2V, V
HC
= V
CC
–0.2V.
3.其他投入
≥V
HC
or
≤V
LC
.
DC电气特性
V
CC
= 5.0V
±
10%
IDT71256SA
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
测试条件
V
CC
=最大，V
IN
= GND到V
CC
V
CC
=最大，
CS
= V
IH
, V
OUT
= GND到V
CC
I
OL
= 8毫安，V
CC
=最小值。
I
OH
= -4mA ，V
CC
=最小值。
分钟。
—
—
—
2.4
马克斯。
5
5
0.4
—
单位
A
A
V
V
3567 TBL 05
2
IDT71256SA70
CMOS静态RAM 256K （ 32K ×8位）
商业温度范围
DC电气特性
(1)
(V
CC
= 5.0V
±
10%, V
LC
= 0.2V, V
HC
= V
CC
–0.2V)
71256SA70
符号
I
CC
I
SB
I
SB1
参数
动态工作电流
(2)
CS
≤
V
IL
，输出打开，V
CC
=最大值，女= F
最大
待机电源电流（ TTL电平）
(2)
CS
≥
V
IH
，输出打开，V
CC
=最大值，女= F
最大
待机电源电流（ CMOS电平）
(2)
CS
≥
V
HC
，输出打开，V
CC
=最大值， F = 0
V
IN
≤
V
LC
或V
IN
≥
V
HC
Com'l 。
130
20
15
单位
mA
mA
mA
注意事项：
1.所有值都最大限度地保证值。
2. f
最大
= 1/t
RC
（所有的地址输入骑自行车在f
最大
） ; F = 0表示无地址输入线正在发生变化。
3567 TBL 06
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升/下降时间
输入定时基准水平
输出参考电平
AC测试负载
GND到3.0V
3ns
1.5V
1.5V
参见图1和2
3567 TBL 07
5V
480
数据
OUT
30pF*
255
3567 DRW 04
5V
480
数据
OUT
5pF*
255
3567 DRW 05
*包括夹具和范围电容。
图1. AC测试负载
图2.交流测试负载
（对于T
CLZ
, t
OLZ
, t
CHZ
, t
OHZ
, t
OW ，
和T
WHZ
)
3
IDT71256SA70
CMOS静态RAM 256K （ 32K ×8位）
商业温度范围
AC电气特性
(V
CC
= 5.0V
±
10 ％ ， CommercialTemperature范围只）
71256SA70
符号
读周期
t
RC
t
AA
t
ACS
t
CLZ(2)
t
CHZ
t
OE
t
OLZ
t
OH
t
PU(2)
t
PD(2)
t
WC
t
AW
t
CW
t
AS
t
WP
t
WR
t
DW
t
DH
t
OW(2)
t
WHZ(2)
(2)
(2)
(2)
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
片选在低Z输出
取消芯片输出高-Z
输出使能到输出有效
输出使能，以在低Z输出
输出禁用输出高阻
从地址变更输出保持
芯片的选择上电时间
芯片取消到断电时间
写周期时间
地址有效到写结束
片选写的结束
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
数据有效到写结束
数据保持时间
输出写入结束活动
写使能在高阻输出
分钟。
70
—
—
4
0
—
0
0
3
0
—
70
20
20
0
20
0
13
0
4
0
马克斯。
—
70
70
—
11
11
—
10
—
—
25
—
—
—
—
—
—
—
—
—
11
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
3567 TBL 08
t
OHZ
写周期
注意事项：
1. 0
°
+70
°
只有C温度范围。
2.此参数是保证与交流负载（图2）器件特性，但不生产测试。
读循环中没有时序波形。 1
(1)
t
RC
地址
t
AA
OE
t
OE
CS
t
OLZ
(5)
t
ACS
t
CLZ
数据
OUT
I
CC
I
SB
(5)
(3)
t
OHZ
t
CHZ
(5)
(5)
高阻抗
t
PU
数据
OUT
有效
t
PD
V
CC
供应
当前
3567 DRW 06
4
IDT71256SA70
CMOS静态RAM 256K （ 32K ×8位）
商业温度范围
读循环中没有时序波形。 2
(1,2,4)
t
RC
地址
t
AA
t
OH
数据
OUT
以前的数据
OUT
有效
t
OH
数据
OUT
有效
3567 DRW 07
注意事项：
1.
WE
为高的读周期。
2.设备被连续地选择
CS
是低的。
3.地址必须是之前或重合有效用的后
CS
变为低电平;否则吨
AA
是限制参数。
4.
OE
是低的。
5.转换测量
±200mV
从稳定状态。
写周期NO.1时序波形（
WE
控制时序）
(1,2,3,5)
t
WC
地址
t
AW
CS
t
AS
WE
t
WP(3)
t
WR
t
WHZ
数据
OUT
(4)
(6)
t
OW
高阻抗
t
DW
t
DH
(6)
t
CHZ
(4)
(6)
数据
IN
数据
IN
有效
3567 DRW 08
写周期NO.2时序波形（
CS
控制时序）
(1,2,5)
t
WC
地址
t
AW
CS
t
AS
WE
t
CW
t
WR
t
DW
数据
IN
数据
IN
有效
t
DH
注意事项：
3567 DRW 09
1.
WE
or
CS
必须在所有的地址转换为高。
低重叠期间发生2.写
CS
和一个低
WE
.
3.
OE
连续高。如果在一个
WE
控制的写周期
OE
为低电平，T
WP
必须大于或等于t
WHZ
+ t
DW
允许I / O驱动器打开
断和数据放置在总线上用于所需吨
DW
。如果
OE
是在一个高
WE
控制的写周期，这一要求并不适用，
最小写入脉冲越短指定吨
WP
.
4.在此期间， I / O引脚处于输出状态，并且输入信号必须不被应用。
5.如果
CS
同时发生或之后的低的跳变
WE
低跳变时，输出保持在高阻抗状态。
6.转换测量
±200mV
从稳定状态。
5
QQ：2881677436 复制
