高速3.3V
16K ×16的双端口
静态RAM
.eatures
x
x
x
IDT70V261S/L
x
x
真正的双端口存储器单元，可同步
相同的内存位置的访问
高速存取
- 商业：25 /35 / 55ns （最大值）
- 工业：为25ns （最大）
低功耗工作
- IDT70V261S
主动：为300mW （典型值）。
待机： 3.3mW （典型值）。
- IDT70V261L
主动：为300mW （典型值）。
待机： 660
W（典型值）。
单独的上层字节和低字节控制为多路
x
x
x
x
x
x
x
x
总线兼容性
IDT70V261轻松扩展数据总线宽度为32位或更多
采用主/从选择当级联多
一台设备
M / S = V
IH
为
忙
法师输出标志
M / S = V
IL
为
忙
输入从机上
中断标志
片上的端口仲裁逻辑
全片上硬件支持信号量的信号
端口之间
从任何一个端口完全异步操作
TTL兼容的，单一的3.3V （ ± 0.3V ）电源
采用100引脚TQFP封装，薄型四方扁平封装塑料
工业级温度范围（-40 ° C至+ 85°C ），可
对于选定的速度
.UNCTIONAL框图
读/写
L
UB
L
读/写
R
UB
R
LB
L
CE
L
OE
L
LB
R
CE
R
OE
R
I / O
8L
-I / O
15L
I / O
0L
-I / O
7L
忙
L
(1,2)
I / O
控制
I / O
控制
I / O
8R
-I / O
15R
I / O
0R
-I / O
7R
忙
R
A
13R
A
0R
(1,2)
A
13L
A
0L
地址
解码器
14
内存
ARRAY
14
地址
解码器
CE
L
OE
L
读/写
L
SEM
L
(2)
INT
L
注意事项：
1. （ MASTER ） ：
忙
输出; （ SLAVE ） ：
忙
输入。
2.
忙
和
INT
输出的非三态推挽。
仲裁
打断
SEMAPHORE
逻辑
CE
R
OE
R
读/写
R
SEM
R
(2)
INT
R
3040 DRW 01
M / S
2001年12月
1
DSC-3040/8
2001集成设备技术有限公司
IDT70V261S/L
高速16K ×16的双端口静态RAM与中断
工业和商业温度范围
描述
该IDT70V261是一个高速16K ×16的双端口静态RAM 。该
IDT70V261被设计为用作一个独立的256K位双端口
RAM或作为组合主/从双口RAM为32位 - 或 -
多个单词的系统。采用IDT主/从双口RAM
在32位或更宽的存储器系统的应用程序的结果在全方法
速度，而不需要额外的分立逻辑错误的操作。
该器件提供了独立控制两个独立的端口，
地址和I / O引脚，允许自主，异步访问
读或写操作的任何位置在存储器中。自动断电
功能通过控制
CE
允许片上电路，每个端口的输入
非常低的待机功耗模式。
采用IDT ？的CMOS高性能技术制造，这些
设备通常对功耗仅为300mW的运行。
该IDT70V261封装在一个100引脚薄型四方扁平封装。
销刀豆网络gurations
(1,2,3)
12/11/01
N / C
N / C
N / C
N / C
I / O
10L
I / O
11L
I / O
12L
I / O
13L
GND
I / O
14L
I / O
15L
V
CC
GND
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
V
CC
I / O
3R
I / O
4R
I / O
5R
I / O
6R
N / C
N / C
N / C
N / C
1
2
3
4
5
6
7
8
9
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81 80 79 78 77 76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
I / O
9L
I / O
8L
I / O
7L
I / O
6L
I / O
5L
I / O
4L
I / O
3L
I / O
2L
GND
I / O
1L
I / O
0L
OE
L
V
CC
读/写
L
SEM
L
CE
L
UB
L
LB
L
A
13L
A
12L
A
11L
A
10L
A
9L
A
8L
A
7L
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
指数
IDT70V261PF
PN100-1
(4)
100引脚TQFP
顶视图
(5)
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
25
26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50
N / C
N / C
N / C
A
6L
A
5L
A
4L
A
3L
A
2L
A
1L
A
0L
INT
L
忙
L
GND
M / S
忙
R
INT
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
N / C
N / C
N / C
3040 DRW 02
,
注意事项：
1.所有V
CC
引脚必须连接到电源。
2.所有GND引脚都必须连接到接地电源。
3.包体约为14毫米X 14毫米X 1.4毫米。
4.这个包的代码来引用该包图。
5.本文并不表示实际的部分标记的方向。
I / O
7R
I / O
8R
I / O
9R
I / O
10R
I / O
11R
I / O
12R
I / O
13R
I / O
14R
GND
I / O
15R
OE
R
读/写
R
GND
SEM
R
CE
R
UB
R
LB
R
A
13R
A
12R
A
11R
A
10R
A
9R
A
8R
A
7R
A
6R
引脚名称
左侧端口
CE
L
读/写
L
OE
L
A
0L
- A
13L
I / O
0L
- I / O
15L
SEM
L
UB
L
LB
L
忙
L
CE
R
读/写
R
OE
R
A
0R
- A
13R
I / O
0R
- I / O
15R
SEM
R
UB
R
LB
R
忙
R
M / S
V
CC
GND
正确的端口
芯片使能
读/写使能
OUTPUT ENABLE
地址
数据输入/输出
信号灯启用
高字节选择
低字节选择
忙标志
主机或从机选择
动力
地
3040 TBL 01
名字
6.42
2
IDT70V261S/L
高速16K ×16的双端口静态RAM与中断
工业和商业温度范围
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
(2)
等级
端电压
对于
到GND
温度
在偏置
存储
温度
DC输出
当前
广告
＆放大器;产业
-0.5到+4.6
单位
V
最大工作温度
与电源电压
(1)
GRADE
环境温度
广告
0
O
C至+70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
0V
0V
3.3V
+
0.3
3.3V
+
0.3
3040 TBL 05
GND
VCC
T
BIAS
T
英镑
I
OUT
-55到+125
-65到+150
50
o
C
C
产业
o
注意事项：
1.这是参数T
A
。这是"instant on"外壳温度。
mA
3040 TBL 04
注意事项：
1.强调超过绝对最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上在标明的任何其他条件的操作
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
2. V
TERM
不得超过VCC + 0.3V为周期时间为10ns或25％以上
最大，并且被限制为< 20毫安为Ⅴ的周期
TERM
> VCC + 0.3V 。
建议的直流工作
条件
(2)
符号
V
CC
GND
V
IH
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
分钟。
3.0
0
2.2
-0.3
(1)
典型值。
3.3
0
____
____
马克斯。
3.6
0
V
CC
+0.3
(2)
0.8
单位
V
V
V
V
3040 TBL 06
电容
(1)
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
(2)
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
马克斯。
9
10
单位
pF
pF
3040 TBL 07
V
IL
注意事项：
1. V
IL
> -1.5V脉冲宽度小于10ns的。
2. V
TERM
不得超过VCC + 0.3V 。
注意事项：
1，这个参数是由器件特性决定的，但不是生产
测试。 TQFP封装。
2. 3DV表示插电容量时的输入和输出信号
从0V切换到3V或3V至0V 。
DC电气特性在工作
温度和电源电压范围
(V
CC
= 3.3V ± 0.3v)
70V261S
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
(1)
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
测试条件
V
CC
= 3.6V, V
IN
= 0V至V
CC
CE
= V
IH
, V
OUT
= 0V至V
CC
I
OL
= + 4毫安
I
OH
= -4mA
分钟。
___
70V261L
分钟。
___
马克斯。
10
10
0.4
___
马克斯。
5
5
0.4
___
单位
A
A
V
V
3040 TBL 08
___
___
___
___
2.4
2.4
注意：
1. V
CC
= 2.0V ，输入泄漏是不确定的。
6.42
4
IDT70V261S/L
高速16K ×16的双端口静态RAM与中断
工业和商业温度范围
DC电气特性在工作
温度和电源电压范围
(1)
(V
CC
= 3.3V ± 0.3V)
70V261X25
Com'l
&工业
符号
I
CC
参数
工作动态
当前
（两个端口均有效）
测试条件
CE
= V
IL
，输出禁用
SEM
= V
IH
f = f
最大
(3)
VERSION
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
典型值。
(2)
100
100
100
100
14
12
14
12
50
50
50
50
1.0
0.2
1.0
0.2
60
60
60
60
马克斯。
170
140
200
185
30
24
60
50
95
85
130
105
6
3
6
3
90
80
125
90
70V261X35
Com'l只有
典型值。
(2)
90
90
____
____
70V261X55
Com'l只有
典型值。
(2)
90
90
____
____
马克斯。
140
120
____
____
马克斯。
140
120
____
____
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
I
SB1
待机电流
（这两个端口 - TTL
电平输入）
CE
R
=
CE
L
= V
IH
SEM
R
=
SEM
L
= V
IH
f = f
最大
(3)
12
10
____
____
30
24
____
____
12
10
____
____
30
24
____
____
I
SB2
待机电流
（单端口 - TTL
电平输入）
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
= V
IL
和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
= V
IH
(5)
活动端口输出禁用，
f=f
最大
(3)
SEM
R
=
SEM
L
= V
IH
这两个端口
CE
L
和
CE
R
＆ GT ; V
CC
- 0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或
V
IN
＆ LT ; 0.2V ， F = 0
(4)
SEM
R
=
SEM
L
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
＆ LT ; 0.2V和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
(5)
SEM
R
=
SEM
L
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
活动端口输出禁用，
f = f
最大
(3)
45
45
____
____
87
75
____
____
45
45
____
____
87
75
____
____
I
SB3
全待机电流
（这两个端口 -
CMOS电平输入）
1.0
0.2
____
____
6
3
____
____
1.0
0.2
____
____
6
3
____
____
I
SB4
全待机电流
（单端口 -
CMOS电平输入）
55
55
____
____
85
74
____
____
55
55
____
____
85
74
____
____
注意事项：
部分1号“X”表示额定功率（S或L ）
2. V
CC
= 3.3V ，T
A
= + 25°C ，而不是生产测试。我
CCDC
= 80毫安（典型值）。
3.在f = F
最大
,
地址和控制线（除输出使能）被循环以1 /吨的最高频率的读周期
RC ，
并使用“AC测试条件”的输入电平
GND为3V 。
4， F = 0表示无地址或控制线变化。
5.端口"A"可能是左或右端口。港口"B"从口"A"相反。
3040 TBL 09
5
6.42
高速3.3V
16K ×16的双端口
静态RAM
.eatures
x
x
x
IDT70V261S/L
x
x
真正的双端口存储器单元，可同步
相同的内存位置的访问
高速存取
- 商业：25 /35 / 55ns （最大值）
- 工业：为25ns （最大）
低功耗工作
- IDT70V261S
主动：为300mW （典型值）。
待机： 3.3mW （典型值）。
- IDT70V261L
主动：为300mW （典型值）。
待机： 660
W（典型值）。
单独的上层字节和低字节控制为多路
x
x
x
x
x
x
x
x
总线兼容性
IDT70V261轻松扩展数据总线宽度为32位或更多
采用主/从选择当级联多
一台设备
M / S = V
IH
为
忙
法师输出标志
M / S = V
IL
为
忙
输入从机上
中断标志
片上的端口仲裁逻辑
全片上硬件支持信号量的信号
端口之间
从任何一个端口完全异步操作
TTL兼容的，单一的3.3V （ ± 0.3V ）电源
采用100引脚TQFP封装，薄型四方扁平封装塑料
工业级温度范围（-40 ° C至+ 85°C ），可
对于选定的速度
.UNCTIONAL框图
读/写
L
UB
L
读/写
R
UB
R
LB
L
CE
L
OE
L
LB
R
CE
R
OE
R
I / O
8L
-I / O
15L
I / O
0L
-I / O
7L
忙
L
(1,2)
I / O
控制
I / O
控制
I / O
8R
-I / O
15R
I / O
0R
-I / O
7R
忙
R
A
13R
A
0R
(1,2)
A
13L
A
0L
地址
解码器
14
内存
ARRAY
14
地址
解码器
CE
L
OE
L
读/写
L
SEM
L
(2)
INT
L
注意事项：
1. （ MASTER ） ：
忙
输出; （ SLAVE ） ：
忙
输入。
2.
忙
和
INT
输出的非三态推挽。
仲裁
打断
SEMAPHORE
逻辑
CE
R
OE
R
读/写
R
SEM
R
(2)
INT
R
3040 DRW 01
M / S
2001年12月
1
DSC-3040/8
2001集成设备技术有限公司
IDT70V261S/L
高速16K ×16的双端口静态RAM与中断
工业和商业温度范围
描述
该IDT70V261是一个高速16K ×16的双端口静态RAM 。该
IDT70V261被设计为用作一个独立的256K位双端口
RAM或作为组合主/从双口RAM为32位 - 或 -
多个单词的系统。采用IDT主/从双口RAM
在32位或更宽的存储器系统的应用程序的结果在全方法
速度，而不需要额外的分立逻辑错误的操作。
该器件提供了独立控制两个独立的端口，
地址和I / O引脚，允许自主，异步访问
读或写操作的任何位置在存储器中。自动断电
功能通过控制
CE
允许片上电路，每个端口的输入
非常低的待机功耗模式。
采用IDT ？的CMOS高性能技术制造，这些
设备通常对功耗仅为300mW的运行。
该IDT70V261封装在一个100引脚薄型四方扁平封装。
销刀豆网络gurations
(1,2,3)
12/11/01
N / C
N / C
N / C
N / C
I / O
10L
I / O
11L
I / O
12L
I / O
13L
GND
I / O
14L
I / O
15L
V
CC
GND
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
V
CC
I / O
3R
I / O
4R
I / O
5R
I / O
6R
N / C
N / C
N / C
N / C
1
2
3
4
5
6
7
8
9
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81 80 79 78 77 76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
I / O
9L
I / O
8L
I / O
7L
I / O
6L
I / O
5L
I / O
4L
I / O
3L
I / O
2L
GND
I / O
1L
I / O
0L
OE
L
V
CC
读/写
L
SEM
L
CE
L
UB
L
LB
L
A
13L
A
12L
A
11L
A
10L
A
9L
A
8L
A
7L
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
指数
IDT70V261PF
PN100-1
(4)
100引脚TQFP
顶视图
(5)
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
25
26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50
N / C
N / C
N / C
A
6L
A
5L
A
4L
A
3L
A
2L
A
1L
A
0L
INT
L
忙
L
GND
M / S
忙
R
INT
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
N / C
N / C
N / C
3040 DRW 02
,
注意事项：
1.所有V
CC
引脚必须连接到电源。
2.所有GND引脚都必须连接到接地电源。
3.包体约为14毫米X 14毫米X 1.4毫米。
4.这个包的代码来引用该包图。
5.本文并不表示实际的部分标记的方向。
I / O
7R
I / O
8R
I / O
9R
I / O
10R
I / O
11R
I / O
12R
I / O
13R
I / O
14R
GND
I / O
15R
OE
R
读/写
R
GND
SEM
R
CE
R
UB
R
LB
R
A
13R
A
12R
A
11R
A
10R
A
9R
A
8R
A
7R
A
6R
引脚名称
左侧端口
CE
L
读/写
L
OE
L
A
0L
- A
13L
I / O
0L
- I / O
15L
SEM
L
UB
L
LB
L
忙
L
CE
R
读/写
R
OE
R
A
0R
- A
13R
I / O
0R
- I / O
15R
SEM
R
UB
R
LB
R
忙
R
M / S
V
CC
GND
正确的端口
芯片使能
读/写使能
OUTPUT ENABLE
地址
数据输入/输出
信号灯启用
高字节选择
低字节选择
忙标志
主机或从机选择
动力
地
3040 TBL 01
名字
6.42
2
IDT70V261S/L
高速16K ×16的双端口静态RAM与中断
工业和商业温度范围
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
(2)
等级
端电压
对于
到GND
温度
在偏置
存储
温度
DC输出
当前
广告
＆放大器;产业
-0.5到+4.6
单位
V
最大工作温度
与电源电压
(1)
GRADE
环境温度
广告
0
O
C至+70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
0V
0V
3.3V
+
0.3
3.3V
+
0.3
3040 TBL 05
GND
VCC
T
BIAS
T
英镑
I
OUT
-55到+125
-65到+150
50
o
C
C
产业
o
注意事项：
1.这是参数T
A
。这是"instant on"外壳温度。
mA
3040 TBL 04
注意事项：
1.强调超过绝对最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上在标明的任何其他条件的操作
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
2. V
TERM
不得超过VCC + 0.3V为周期时间为10ns或25％以上
最大，并且被限制为< 20毫安为Ⅴ的周期
TERM
> VCC + 0.3V 。
建议的直流工作
条件
(2)
符号
V
CC
GND
V
IH
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
分钟。
3.0
0
2.2
-0.3
(1)
典型值。
3.3
0
____
____
马克斯。
3.6
0
V
CC
+0.3
(2)
0.8
单位
V
V
V
V
3040 TBL 06
电容
(1)
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
(2)
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
马克斯。
9
10
单位
pF
pF
3040 TBL 07
V
IL
注意事项：
1. V
IL
> -1.5V脉冲宽度小于10ns的。
2. V
TERM
不得超过VCC + 0.3V 。
注意事项：
1，这个参数是由器件特性决定的，但不是生产
测试。 TQFP封装。
2. 3DV表示插电容量时的输入和输出信号
从0V切换到3V或3V至0V 。
DC电气特性在工作
温度和电源电压范围
(V
CC
= 3.3V ± 0.3v)
70V261S
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
(1)
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
测试条件
V
CC
= 3.6V, V
IN
= 0V至V
CC
CE
= V
IH
, V
OUT
= 0V至V
CC
I
OL
= + 4毫安
I
OH
= -4mA
分钟。
___
70V261L
分钟。
___
马克斯。
10
10
0.4
___
马克斯。
5
5
0.4
___
单位
A
A
V
V
3040 TBL 08
___
___
___
___
2.4
2.4
注意：
1. V
CC
= 2.0V ，输入泄漏是不确定的。
6.42
4
IDT70V261S/L
高速16K ×16的双端口静态RAM与中断
工业和商业温度范围
DC电气特性在工作
温度和电源电压范围
(1)
(V
CC
= 3.3V ± 0.3V)
70V261X25
Com'l
&工业
符号
I
CC
参数
工作动态
当前
（两个端口均有效）
测试条件
CE
= V
IL
，输出禁用
SEM
= V
IH
f = f
最大
(3)
VERSION
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
典型值。
(2)
100
100
100
100
14
12
14
12
50
50
50
50
1.0
0.2
1.0
0.2
60
60
60
60
马克斯。
170
140
200
185
30
24
60
50
95
85
130
105
6
3
6
3
90
80
125
90
70V261X35
Com'l只有
典型值。
(2)
90
90
____
____
70V261X55
Com'l只有
典型值。
(2)
90
90
____
____
马克斯。
140
120
____
____
马克斯。
140
120
____
____
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
I
SB1
待机电流
（这两个端口 - TTL
电平输入）
CE
R
=
CE
L
= V
IH
SEM
R
=
SEM
L
= V
IH
f = f
最大
(3)
12
10
____
____
30
24
____
____
12
10
____
____
30
24
____
____
I
SB2
待机电流
（单端口 - TTL
电平输入）
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
= V
IL
和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
= V
IH
(5)
活动端口输出禁用，
f=f
最大
(3)
SEM
R
=
SEM
L
= V
IH
这两个端口
CE
L
和
CE
R
＆ GT ; V
CC
- 0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或
V
IN
＆ LT ; 0.2V ， F = 0
(4)
SEM
R
=
SEM
L
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
＆ LT ; 0.2V和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
(5)
SEM
R
=
SEM
L
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
活动端口输出禁用，
f = f
最大
(3)
45
45
____
____
87
75
____
____
45
45
____
____
87
75
____
____
I
SB3
全待机电流
（这两个端口 -
CMOS电平输入）
1.0
0.2
____
____
6
3
____
____
1.0
0.2
____
____
6
3
____
____
I
SB4
全待机电流
（单端口 -
CMOS电平输入）
55
55
____
____
85
74
____
____
55
55
____
____
85
74
____
____
注意事项：
部分1号“X”表示额定功率（S或L ）
2. V
CC
= 3.3V ，T
A
= + 25°C ，而不是生产测试。我
CCDC
= 80毫安（典型值）。
3.在f = F
最大
,
地址和控制线（除输出使能）被循环以1 /吨的最高频率的读周期
RC ，
并使用“AC测试条件”的输入电平
GND为3V 。
4， F = 0表示无地址或控制线变化。
5.端口"A"可能是左或右端口。港口"B"从口"A"相反。
3040 TBL 09
5
6.42
