快速
4K X 9DUAL -PORT
静态RAM
产品特点：
x
x
IDT7014S
描述：
的IDT7014是一个高速的4K ×9双端口静态RAM设计
所使用的系统中的片上硬件端口仲裁不
需要的。这部分适合于不依赖高速应用
在繁忙的信号来管理的同时访问。
该IDT7014提供了独立控制两个独立的端口，
地址和I / O引脚，允许自主，异步访问
读或写操作的任何位置在存储器中。参见功能描述。
的IDT7014 utilitizes一9位宽的数据通路以允许奇偶性的
用户的选项。这个功能是在数据通信中特别有用
应用中，有必要使用一个奇偶校验位用于传输/
接收错误检查。
采用IDT的高性能技术，这些双核捏造
端口通常是在最大存取时间上的功耗仅为750MW操作
以最快的速度为12ns 。
该IDT7014封装在一个52引脚PLCC和64引脚薄型四方
扁平封装（ TQFP ） 。
x
x
x
x
x
真正的双端口存储器单元，可同步
读取相同的内存位置
高速存取
- 商业：12 /15/20 / 25ns的（最大）
- 工业：15 /20 / 25ns的（最大）
标准功率运行
- IDT7014S
主动： 750MW （典型值）。
从任何一个端口完全异步操作
TTL兼容;单5V （ ± 10 ％ ）电源
可提供52引脚PLCC和64引脚TQFP
工业级温度范围（ ？ 40 ° C至+ 85°C ），可
对于选定的速度
功能框图
R/
W
L
R/
W
R
OE
L
I / O
0L
- I / O
8L
I / O
控制
I / O
控制
OE
R
I / O
0R
- I / O
8R
A
0L
- A
11L
地址
解码器
内存
ARRAY
地址
解码器
A
0R
- A
11R
2528 DRW 01
2000年3月
1
2000集成设备技术有限公司
DSC 13分之2528
IDT7014S
HIGH -SPEED 4K ×9双口静态RAM
工业和商业温度范围
指数
A
6L
A
7L
A
8L
A
9L
A
10L
A
11L
OE
L
V
CC
R/
W
L
GND
I / O
8L
I / O
7L
I / O
6L
7 6 5 4 3 2
52 51 50 49 48 47
1
46
8
45
9
10
44
43
11
42
12
IDT 7014J
41
13
J52-1
(4)
40
14
39
15
52引脚PLCC
38
16
顶视图
(5)
37
17
36
18
35
19
20
34
21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33
A
5L
A
4L
A
3L
A
2L
A
1L
A
0L
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
A
6R
A
7R
A
8R
A
9R
A
10R
A
11R
OE
R
GND
R/
W
R
GND
I / O
8R
I / O
7R
I / O
6R
I / O
5R
引脚配置
(1,2,3)
I / O
5L
V
CC
I / O
4L
I / O
3L
I / O
2L
I / O
1L
I / O
0L
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
I / O
3R
V
CC
I / O
4R
,
2528 DRW 02
指数
A
6L
A
7L
A
8L
A
9L
A
10L
A
11L
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
A
5L
A
4L
A
3L
A
2L
A
1L
A
0L
N / C
N / C
N / C
N / C
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
OE
L
N / C
V
CC
N / C
R/
W
L
N / C
GND
I / O
8L
I / O
7L
I / O
6L
A
6R
A
7R
A
8R
A
9R
A
10R
A
11R
IDT7014PF
PN64-1
(4)
64引脚TQFP
顶视图
(5)
OE
R
N / C
GND
N / C
R/
W
R
N / C
GND
I / O
8R
I / O
7R
I / O
6R
注意事项：
1.所有V
CC
引脚必须连接到电源。
2.所有GND引脚都必须连接到接地电源。
3. J52-1包体约为0.75英寸x 0.75英寸X 0.17英寸
PN64-1包体约为14毫米X 14毫米X 1.4毫米。
4.这个包的代码来引用该包图。
5.本文不表示的方向实际部件标记
I / O
5L
V
CC
I / O
4L
I / O
3L
I / O
2L
I / O
1L
I / O
0L
GND
GND
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
I / O
3R
V
CC
I / O
4R
I / O
5R
2
2528 DRW 03
IDT7014S/L
HIGH -SPEED 4K ×9双口静态RAM
工业和商业温度范围
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
(2)
等级
端电压
对于
到GND
端电压
温度
在偏置
存储
温度
DC输出
当前
广告
＆放大器;产业
-0.5到+7.0
单位
V
最大工作温度
与电源电压
(1,2)
GRADE
广告
环境
温度
0
O
C至+70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
GND
0V
0V
VCC
5.0V
+
10%
5.0V
+
10%
2528 TBL 02
V
TERM
(2)
T
BIAS
T
英镑
I
OUT
-0.5至+ V
CC
-55到+125
-55到+125
50
V
o
产业
C
C
注意事项：
1.这是参数T
A
.
o
mA
2528 TBL 01
注意事项：
1.强调超过绝对最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上的任何其他条件的操作说明
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
2. V
TERM
必须不超过Vcc的+ 10％的周期时间为10ns或25％以上
最大，并且被限制为< 20毫安为Ⅴ的周期
TERM
＆ GT ; Vcc的+ 10％ 。
建议的直流工作
条件
符号
V
CC
GND
V
IH
V
IL
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
分钟。
4.5
0
2.2
-0.5
(1)
典型值。
5.0
0
____
马克斯。
5.5
0
6.0
(2)
0.8
单位
V
V
V
V
2528 TBL 03
____
注意事项：
1. V
IL
> -1.5V脉冲宽度小于10ns的。
2. V
TERM
必须不超过Vcc的+ 10％ 。
DC电气特性在工作
温度和电源电压范围
(1)
(V
CC
= 5.0V ± 10%)
7014S
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
测试条件
V
CC
= 5.5V, V
IN
= 0V至V
CC
V
OUT
= 0V至V
CC
I
OL
= + 4毫安
I
OH
= -4mA
分钟。
___
___
___
马克斯。
10
10
0.4
___
单位
A
A
V
V
2528 TBL 04
2.4
注意：
1. V
CC
< 2.0V输入泄漏是不确定的。
3
6.42
IDT7014S
HIGH -SPEED 4K ×9双口静态RAM
工业和商业温度范围
DC电气特性在工作
温度和电源电压范围（V
CC
= 5V ± 10%)
7014S12
Com'l只有
符号
I
CC
参数
工作动态
当前
（两个端口均有效）
测试条件
输出打开
f = f
最大
(1)
VERSION
Com'l
IND
S
S
典型值。
160
____
7014S15
Com'l &工业
典型值。
160
160
最大
250
260
2528 TBL 05A
最大
250
____
单位
mA
7014S20
Com'l &工业
符号
I
CC
参数
工作动态
当前
（两个端口均有效）
测试条件
输出打开
f = f
最大
(1)
VERSION
Com'l
IND
S
S
典型值。
155
155
最大
245
260
7014S25
Com'l &工业
典型值。
150
150
马克斯。
240
255
2528 TBL 05B
单位
mA
注意事项：
1.在f = fmax的，地址输入被循环以1 /吨的最大读周期
RC
用GND的"AC测试Conditions"输入电平为3V 。
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升/下降时间
输入定时基准水平
输出参考电平
输出负载
GND到3.0V
为3ns最大。
1.5V
1.5V
图1,2和3中
2528 TBL 06
5V
893
数据
OUT
347
30pF
数据
OUT
347
5V
893
5pF*
2528 DRW 04
2528 DRW 05
图1. AC输出测试负载。
电容
(1)
符号
C
IN
C
OUT
图2.输出负载测试
（对于T
HZ
, t
WZ
和叔
OW
)
*包括范围和夹具。
条件
(2)
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
马克斯。
9
10
单位
pF
pF
2528 TBL 07
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的） TQFP封装
参数
输入电容
输出电容
8
7
6
- 10pF的是I / O容量
这个装置的，和30pF的是
AC测试负载电容
注意事项：
1，这个参数是由器件特性决定的，但不是生产
测试。
2. 3DV引用插电容时的输入和输出信号
从0V SWITH到3V或3V至0V 。
t
AA
（典型， NS ）
5
4
3
2
1
0
-1
20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
电容（pF）
2528 DRW 06
,
图3.典型输出降额（集总电容性负载） 。
4
IDT7014S/L
HIGH -SPEED 4K ×9双口静态RAM
工业和商业温度范围
AC电气特性在
工作温度和电源电压
7014S12
Com'l只有
符号
读周期
t
RC
t
AA
t
AOE
t
OH
t
LZ
t
HZ
读周期时间
地址访问时间
输出启用访问时间
从地址变更输出保持
输出低-Z时间
(1,2)
输出高阻时间
(1,2)
12
____
____
____
7014S15
Com'l &工业
分钟。
马克斯。
单位
参数
分钟。
马克斯。
15
____
____
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
2528 TBL 08A
12
8
____
____
15
8
____
____
3
3
____
3
3
____
7
7
7014S20
Com'l &工业
符号
读周期
t
RC
t
AA
t
AOE
t
OH
t
LZ
t
HZ
读周期时间
地址访问时间
输出启用访问时间
从地址变更输出保持
输出低-Z时间
(1,2)
输出高阻时间
(1,2)
20
____
____
____
7014S25
Com'l &工业
分钟。
马克斯。
单位
参数
分钟。
马克斯。
25
____
____
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
2528 TBL 08B
20
10
____
____
25
12
____
____
3
3
____
3
3
____
9
11
注意事项：
1.转变是从与输出负载测试（图2 ）低或高阻抗电压测量0mV 。
2.此参数由器件特性决定的，但不生产测试。
5
6.42
