CMOS静态RAM
64K （ 16K ×4位）
与输出控制
IDT6198S
IDT6198L
集成设备技术有限公司
产品特点：
高速（平等机会和循环时间）
- 军事： 20/25 /35 / 55分之45 / 70 / 85ns （最大）
- 商业： 15/20 /25 /为35ns （最大值）
输出使能（
OE
）引脚可用于增加系统的灵活性
低功耗
JEDEC兼容的引脚排列
电池备份操作-2V的数据保留（L版本
只）
24引脚CERDIP ，高密度的28引脚无引线芯片载体，
和24引脚SOJ
拥有先进的CMOS技术生产
双向数据输入和输出
- 军工产品符合MIL -STD - 883 ， B类
描述：
该IDT6198是65536位高速静态RAM奥尔加
的发布为16K X 4.它采用IDT制造的高性
曼斯，高可靠性技术的CMOS 。这种先进的，任何─
先进的技术，结合创新的电路设计技
niques ，提供了用于存储器中的成本效益的方法意向
西伯应用。时序参数已被指定为
满足IDT79R3000 RISC proces-的速度要求
感器。
存取时间快15ns的都可用。该IDT6198
提供了一个低功率待机模式，我
SB1
，它被激活
当
CS
变为高电平。这种能力显著降低
系统，同时增强了系统的可靠性。低功率
版本（ L）还提供了电池备份数据保留capa-
相容性，其中的电路的典型功耗只有30μW时
从2V电池供电。
所有的输入和输出为TTL兼容和操作
从单5V电源。
该IDT6198打包在任何一个24针300万CERDIP ，
28引脚无引线芯片载体或24针J-弯小外形集成电路。
军工级产品的制造符合
MIL -STD - 883 ， B类的最新版本，使之成为理想的
适用于军用温度要求苛刻的应用程序的
最高级别的性能和可靠性。
功能框图
A
0
V
CC
GND
65,536-BIT
存储阵列
解码器
A
13
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
列I / O
输入
数据
控制
CS
WE
OE
IDT标志是集成设备技术，Inc.的注册商标。
2987 DRW 01
军用和商用温度范围
1994
集成设备技术有限公司
1994年5月
6.3
DSC-1010/4
1
IDT6198S/L
CMOS静态RAM 64K （ 16K ×4位）
军用和商用温度范围
建议的直流工作
条件
符号
V
CC
GND
V
IH
V
IL
参数
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
分钟。
4.5
0
2.2
–0.5
(1)
推荐工作
温度和电源电压
MAX 。 UNIT
5.5
0
6.0
0.8
V
V
V
V
GRADE
军事
广告
温度
-55 ° C至+ 125°C
0 ° C至+ 70°C
GND
0V
0V
V
CC
5V
±
10%
5V
±
10%
2987 TBL 06
典型值。
5.0
0
—
—
注意：
2987 TBL 05
1. V
IL
（分） = -3.0V为脉冲宽度小于20ns ，每循环一次。
DC电气特性
V
CC
= 5.0V
±
10%
IDT6198S
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
测试条件
V
CC
=最大，
V
IN
= GND到V
CC
V
CC
=最大，
CS
= V
IH ，
V
OUT
= GND到V
CC
I
OL
= 10毫安，V
CC
=最小值。
I
OL
= 8毫安，V
CC
=最小值。
V
OH
输出高电压
I
OH
= -4mA ，V
CC
=最小值。
—
2.4
米尔。
Com'l 。
米尔。
Com'l 。
分钟。
—
—
—
—
马克斯。
10
5
10
5
0.5
0.4
—
IDT6198L
分钟。
—
—
—
—
—
—
2.4
马克斯。
5
2
5
2
0.5
0.4
—
V
2987 TBL 07
单位
A
A
V
DC电气特性
(1)
(V
CC
= 5V
±
10%, V
LC
= 0.2V, V
HC
= V
CC
- 0.2V)
6198S15
6198L15
符号
I
CC1
参数
工作电源
电源电流
CS
= V
IL
，输出打开
V
CC
=最大值， F = 0
(2)
工作动态
当前
CS
= V
IL
，输出打开
V
CC
=最大值，女= F
MAX(2)
备用电源
电流（ TTL电平）
CS
≥
V
IH
, V
CC
=最大，
输出开路，女= F
MAX(2)
全部备用电源
电源电流（ CMOS
级）
CS
≥
V
HC
,
V
CC
=最大，V
IN
≥
V
HC
or
V
IN
≤
V
LC
, f = 0
(2)
6198S20
6198L20
6198S25
6198L25
米尔。
6198S35
6198L35
6198S45
6198L45
米尔。
6198S55/70/85
6198L55/70/85
Com'l 。
米尔。
动力
Com'l 。米尔。 Com'l 。米尔。 Com'l 。
S
L
S
L
S
L
S
L
100
75
135
125
60
45
20
1.5
—
—
—
—
—
—
—
—
100
70
130
115
55
40
15
0.5
105
80
160
130
70
50
25
1.5
100
70
125
105
50
35
15
0.5
Com'l 。米尔。 Com'l 。
单位
mA
105
80
155
120
60
40
20
1.5
100
70
125
105
45
30
15
0.5
105
80
140
115
50
35
20
1.5
—
—
—
—
—
—
—
—
105
80
140
110
50
35
20
1.5
—
—
—
—
—
—
—
—
105
80
140
110
50
35
20
1.5
I
CC2
mA
I
SB
mA
I
SB1
mA
注意事项：
1.所有值都最大限度地保证值。
2.在f = F
最大
地址和数据输入被循环以1 /吨的读周期的最大频率
RC
。 F = 0表示没有输入线发生变化。
2987 TBL 06
6.3
3
IDT6198S/L
CMOS静态RAM 64K （ 16K ×4位）
军用和商用温度范围
AC电气特性
(V
CC
= 5.0V
±
10 ％ ，全温度范围）
6198S15
(1)
6198L15
(1)
6198S20
6198L20
6198S25
6198L25
6198S35
6198L35
6198S45/55
(2)
6198S70/85
(2)
6198L45/55
(2)
6198L70/85
(2)
符号
读周期
t
RC
t
AA
t
ACS
t
CLZ(3)
t
OE
t
OLZ(3)
t
CHZ(3)
t
OHZ(3)
t
OH
t
PU(3)
t
PD(3)
参数
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。
马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。单位
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
片选在低Z输出
输出使能到输出有效
输出使能，以在低Z输出
芯片在高Z选择输出
输出禁用输出高阻
从地址变更输出保持
芯片的选择上电时间
芯片取消到断电时间
15
—
—
5
—
5
2
2
5
0
—
—
15
15
—
8
—
7
7
—
—
15
20
—
—
5
—
5
2
2
5
0
—
—
19
20
—
9
—
8
8
—
—
20
25
—
—
5
—
5
2
2
2
0
—
—
25
25
—
11
—
10
9
—
—
25
35
—
—
5
—
5
2
2
5
0
—
—
35
35
—
18
—
14
15
—
—
35
45/55
—
—
5
—
5
—
—
5
0
—
—
45/55
45/55
—
25/35
—
15/20
15/20
—
—
45/55
70/85
—
—
5
—
5
—
—
5
0
—
—
70/85
70/85
—
45/55
—
25/30
25/30
—
—
70/85
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注意事项：
1. 0 °到+ 70 ° C的温度范围内只。
2， -55 ° C至+ 125 ° C的温度范围内只。
3.此参数是由设备特性保证，但未经生产测试。
2987 TBL 11
读循环中没有时序波形。 1
(1)
t
RC
地址
t
AA
t
OH
OE
t
OE
CS
t
CLZ
数据
OUT
t
OLZ （ 5 ）
t
ACS
(5)
t
OHZ （ 5 ）
t
CHZ （ 5 ）
数据有效
2987 DRW 07
注意事项：
1.
WE
为高的读周期。
2.设备被连续地选择
CS
是低的。
3.地址有效之前或与重合
CS
变为低电平。
4.
OE
是低的。
5.转换测量
±200mV
从稳态电压。
6.3
5
QQ：2880707522 复制
