IS66WV51216ALL
IS66WV51216BLL
8MB低电压，
超低功耗CMOS伪静态RAM
2010年1月
特点
高速存取时间： 55ns
CMOS低功耗运行
- 毫瓦（典型值）的操作
- μW （典型值） CMOS待机
单电源
– 1.7V--1.95V V
dd
(66WV51216ALL)
(70ns)
– 2.5V--3.6V V
dd
（ 66WV51216BLL ） （ 55ns ）
三态输出
为上下字节的数据控制
工业应用温度
无铅可
bit static RAMs organized as 512K words by 16 bits. It is
使用制造
ISSI
的高性能CMOS技术。
这再加上创新的电路高度可靠的工艺
设计技术，得到高性能和低功耗
消费设备。
当
CS1
高（取消），或者当CS2为低
（取消），或者当
CS1
is
低，
CS2是
高
两者
LB
和
UB高，器件处于待机模式
在该功率耗散可以被降低
CMOS输入电平。
易内存扩展，通过使用芯片使能提供
和输出使能输入。该低电平有效写使能
（WE）
同时控制写入和读取的存储器。一
数据字节允许高字节（ UB ）和低字节（ LB ）
访问。
该IS66WV51216ALL / BLL封装在JEDEC
standard 48-pin mini BGA (6mm x 8mm) and 44-Pin TSOP
（ TYPE II ） 。该器件是aslo提供模具销售。
描述
该
ISSI
IS66WV51216ALL / BLL是一个高速，8M
功能框图
A0-A18
解码器
512K ×16
存储阵列
V
DD
GND
I/O0-I/O7
低字节
I/O8-I/O15
高字节
I / O
数据
电路
列I / O
CS2
CS1
OE
WE
UB
LB
控制
电路
2006集成芯片解决方案， Inc.保留所有权利。 ISSI公司保留更改本规范及其产品在任何时候，恕不另行通知。 ISSI不承担任何
因本文所描述的任何信息，产品或服务的应用或使用的法律责任。建议客户获取该设备规范的最新版本依赖于前
任何公开信息及订货产品之前。
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IS66WV51216ALL
IS66WV51216BLL
引脚配置： 512K ×16
48针微型BGA （ 6× 8毫米）
1
2
3
4
5
6
A4
A3
A2
A1
A0
CS1
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
V
DD
GND
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
WE
A16
A15
A14
A13
A12
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A5
A6
A7
OE
UB
LB
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
V
DD
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
A18
A8
A9
A10
A11
A17
44针TSOP （ II型）
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
I / O
8
I / O
9
GND
V
DD
I / O
14
I / O
15
A18
OE
UB
I / O
10
I / O
11
I / O
12
I / O
13
NC
A8
A0
A3
A5
A17
NC
A14
A12
A9
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
A2
CS1
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A11
CS2
I / O
0
I / O
2
V
DD`
GND
I / O
6
I / O
7
NC
引脚说明
A0 - A18地址输入
I/O0-I/O15
数据输入/输出
CS1,
CS2
芯片使能输入
OE
输出使能输入
WE
写使能输入
LB
Lower-byte Control (I/O0-I/O7)
UB
Upper-byte Control (I/O8-I/O15)
NC
无连接
动力
V
dd
GND¤
地
2
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IS66WV51216ALL
IS66WV51216BLL
真值表
模式
未选择
输出禁用
读
写
WE
X
X
X
H
H
H
H
H
L
L
L
CS1
H
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
CS2
X
L
X
H
H
H
H
H
H
H
H
OE
X
X
X
H
H
L
L
L
X
X
X
LB
X
X
H
L
X
L
H
L
L
H
L
UB
X
X
H
X
L
H
L
L
H
L
L
I / O引脚
I/O0-I/O7
I/O8-I/O15
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
d
OUT
高-Z
d
OUT
d
In
高-Z
d
In
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
d
OUT
d
OUT
高-Z
d
In
d
In
V
dd
当前
I
sB
1
, I
sB
2
I
sB
1
, I
sB
2
I
sB
1
, I
sB
2
I
cc
I
cc
I
cc
I
cc
工作范围（V
dd
)
范围
环境温度
(70ns)
(55ns)
(70ns)
广告
产业
汽车
0°C to +70°C
–40°C to +85°C
–40°C to +105°C
1.7V - 1.95V
1.7V - 1.95V
2.5V - 3.6V
2.5V - 3.6V
2.5V-3.6V
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IS66WV51216ALL
IS66WV51216BLL
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
t
BIAS
V
dd
t
英镑
P
t
参数
相对于GND端子电压
高温下偏置
V
dd
与GND
储存温度
功耗
价值
–0.2 to V
dd
+0.3
–40 to +85
–0.2 to +3.8
–65 to +150
1.0
单位
V
°C
V
°C
W
注意：
1. Stress greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may cause permanent damage to the
装置。这是一个额定值，器件运行在超过或任何其他条件
与本规范的业务部门所标明是不是暗示。暴露在绝对最大额定
长时间荷兰国际集团的条件可能会影响其可靠性。
DC电气特性
（以上经营范围）
符号
V
oH
V
oL
V
IH
V
IL
(1)
I
LI
I
Lo
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏
输出泄漏
测试条件
I
oH
=
-0.1 mA
I
oH
=
-1 mA
I
oL
=
0.1 mA
I
oL
=
2.1 mA
V
dd
1.7-1.95V
2.5-3.6V
1.7-1.95V
2.5-3.6V
1.7-1.95V
2.5-3.6V
1.7-1.95V
2.5-3.6V
分钟。
1.4
2.2
—
—
1.4
2.2
–0.2
–0.2
–1
–1
马克斯。
—
—
0.2
0.4
V
dd
+ 0.2
V
dd
+ 0.3
0.4
0.6
1
1
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
GNDベル
V
In
≤
V
dd
GNDベル
V
OUT
≤
V
dd
,
输出禁用
注意事项：
1.
V
IL
（分钟） = -1.0V
对于脉冲宽度小于10纳秒。
4
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电容
(1)
符号
c
In
c
OUT
参数
输入电容
输入/输出电容
条件
V
In
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
8
10
单位
pF
pF
注意：
1. Tested initially and after any design or process changes that may affect these parameters.
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序
和参考电平
输出负载
1.7V-1.95V
（单元）
0.4V to V
dd
-0.2
5 ns
V
REF
See Figures 1 and 2
2.5V-3.6V
（单元）
0.4V to V
dd
-0.3V
5ns
V
REF
See Figures 1 and 2
r1()
R2()
V
REF
V
tm
1.7V - 1.95V
3070
3150
0.9V
1.8V
2.5V - 3.6V
1029
1728
1.4V
2.8V
AC测试负载
R1
VTM
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
VTM
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
R1
图1
图2
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