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IDT6178S
CMOS StaticRAM 16K ( 4K ×4位) CACHE - TAG RAM
军用和商用温度范围
CMOS StaticRAM
16K ( 4K ×4位)
CACHE -TAG RAM
集成设备技术有限公司
IDT6178S
产品特点:
高速地址相匹配的有效时间
- 军事:12 /15/20 / 25ns的
- 商用10 /12/ 15/20 / 25ns的(最大)
高速地址访问时间
- 军事:12 /15/20 / 25ns的
- 商用10 /12/ 15/20 / 25ns的(最大)
低功耗
- IDT6178S
主动:为300mW (典型值)。
拥有先进的CMOS高性能生产
技术
输入和输出TTL兼容
标准22引脚塑料或陶瓷DIP , 24引脚SOJ
军用产品100 %符合MIL -STD- 883 ,
B类
描述:
的IDT6178是一个高速缓存中的地址比较器
选自由16,384位StaticRAM的副系统组织
作为4K X 4.循环时间和地点相匹配的有效相等。
该IDT6178具有一个板载4位比较器
RAM中的内容和当前输入数据进行比较。其结果是
在比赛引脚高电平有效。的匹配销
几个IDT6178s可以交给合作,提供有利的
或确认信号发送到数据高速缓冲存储器或处理器。
该IDT6178采用IDT的高性能无中生有,
高可靠性的CMOS技术。地址,以匹配和
数据来匹配时间快10ns的。
在IDT6178的所有输入和输出为TTL兼容
并且该设备采用单5V电源。
的IDT6178封装在任一个22针, 300密耳厚的塑料
或陶瓷DIP封装或24引脚SOJ 。军工级产品
制造符合MIL-的最新版本
STD- 883 , B级,因此非常适合于军事温
TURE苛刻的应用程序的性能的最高水平
和可靠性。
功能框图
A
0
地址
解码
A
11
16,384-BIT
内存
ARRAY
V
CC
GND
I / O
0
- I / O
3
4
控制I / O
4
WE
OE
CLR
控制
明确
内存
ARRAY
4
比较
4
MATCH
IDT标志是集成设备技术,Inc.的注册商标。
2953 DRW 01
军用和商用温度范围
1994
集成设备技术有限公司
1994年5月
DSC-1059/2
11.1
11.1
1
1
IDT6178S
CMOS StaticRAM 16K ( 4K ×4位) CACHE - TAG RAM
军用和商用温度范围
销刀豆网络gurations
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
DIP
顶视图
A
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
SOJ
顶视图
24
23
22
21
20
S024-4
19
18
17
16
15
14
13
V
CC
A
11
A
10
A
9
A
8
NC
22
21
20
19
P22-1
&放大器;
D22-1
18
17
16
15
14
13
12
V
CC
A
11
A
10
A
9
A
8
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
NC
A
6
A
7
CLR
I / O
3
I / O
2
I / O
1
I / O
0
MATCH
2953 DRW 02
CLR
I / O
3
I / O
2
I / O
1
I / O
0
MATCH
2953 DRW 03
OE
WE
GND
OE
WE
GND
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
等级
对于终端电压
到GND
工作温度
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流
价值
-0.5到+7.0
-55到+125
-65到+135
-65到+150
1.0
50
单位
V
°C
°C
°C
W
mA
引脚说明
A
0
–A
11
I / O
0
-I / O
3
MATCH
地址输入
数据输入/输出
MATCH
写使能
OUTPUT ENABLE
明确
动力
2953 TBL 01
T
A
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
WE
OE
CLR
V
CC
GND
2953 TBL 04
注意:
1.强调超过绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值
该器件在这些或任何其它的条件和功能操作
以上这些表明,在业务部门的这种规范不是
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响可靠性。
推荐工作
温度和电源电压
GRADE
广告
军事
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-55 ° C至+ 125°C
GND
0V
0V
V
CC
5.0V
±
10%
5.0V
±
10%
2953 TBL 02
建议的直流
工作条件
符号
V
CC
GND
V
IH
V
IL
参数
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
分钟。
4.5
0
2.2
(2)
–0.5
(1)
典型值。
5.0
0
马克斯。
5.5
0
6.0
0.8
单位
V
V
V
V
2953 TBL 05
真值表
(1)
注意事项:
1. V
IL
= -3.0V为脉冲宽度小于20ns ,每秒一次循环。
2. V
IH
= 2.5V清晰引脚。
WE
H
L
H
X
OE
H
X
L
X
CLR
H
H
H
L
MATCH
有效
无效
无效
无效
(2)
模式
比赛周期
写周期
读周期
清除周期
2953 TBL 03
电容
(T
A
= 25 ° C,F = 1MHZ )
符号
C
IN
C
I / O
参数
输入电容
I / O容量
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
最大
8
8
单位
pF
pF
注意:
1. H = V
IH
中,L = V
IL
, X =无关。
2.有效的匹配= V
OH
,有效的非匹配= V
OL 。
注意:
2953 TBL 06
1,这个参数是由器件特性决定的,而不是
生产测试。
11.1
2
IDT6178S
CMOS StaticRAM 16K ( 4K ×4位) CACHE - TAG RAM
军用和商用温度范围
DC电气特性
(V
CC
= 5.0V
±
10 % ,全温度范围)
6178S
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
测试条件
V
CC
= 5.5V, V
IN
= 0V至V
CC
分钟。
2.4
2.4
马克斯。
10
10
0.4
0.5
0.4
0.5
单位
A
A
V
V
V
V
V
V
2953 TBL 07
OE
= V
IH
, V
OUT
= 0V至V
CC
I
OL
= 8毫安( I / O
0
- I / O
3
)
I
OL
= 10毫安( I / O
0
- I / O
3
)
I
OL
= 16毫安(匹配)
I
OL
= 20mA下(匹配)
V
OH
输出高电压
I
OH
= -4mA ( I / O
0
- I / O
3
)
I
OH
= -8mA (匹配)
DC电气特性
(V
CC
= 5.0V
±
10 % ,全温度范围)
符号
I
CC1
I
CC2
参数
工作电源电流
输出打开,V
CC
=最大值, F = 0
(2)
Com'l 。
米尔。
6178S10
马克斯。
90
180
6178S12
(1)
马克斯。
90
110
160
180
6178S15
(1)
马克斯。
90
110
140
160
6178S20/25
马克斯。
90
110
140
160
单位
mA
mA
mA
mA
2953 TBL 08
动态工作电流
Com'l 。
(2)
输出打开,V
CC
=最大值,女= F
最大
米尔。
注意事项:
1.军事价值是初步而已。
2. f
最大
= 1/t
RC
只有地址输入循环在f
最大
。 F = 0表示无地址输入变化。
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升/下降时间
输入定时基准水平
输出参考电平
AC测试负载
交流测试负载的匹配周期
GND到3.0V
5ns
1.5V
1.5V
参见图2和3
见图1
2953 TBL 09
+5V
240
MATCH
OUT
128
30pF*
2953 DRW 04
图1. AC测试负载相匹配
+5V
+5V
480
数据
OUT
255
30pF*
数据
OUT
255
480
5pF*
2953 DRW 05
2953 DRW 06
图2.交流测试负载
图3. AC测试负载
(对于T
OLZ
, t
OHZ
, t
WHZ
, t
OW
)
*包括范围和夹具。
11.1
3
IDT6178S
CMOS StaticRAM 16K ( 4K ×4位) CACHE - TAG RAM
军用和商用温度范围
周期说明
比赛周期:
一场比赛周期时发生的所有控制信号
(
OE
,
WE
,
CLR
)为高。此时,供给到数据
在I / O引脚的RAM与存储在所述数据进行比较
指定的地址。该图腾柱匹配输出为高电平
当存在匹配的所有数据比特,并且如果驱动低电平有
不匹配。
写周期:
写周期是常规的,存在的时
WE
低并且
CLR
为高。
OE
可以是高还是低,
因为它是由覆盖
WE
。匹配引脚的状态不
保证,但在当前的实现中它继续
反映所述比较器的输出。匹配引脚变为
期间由于在所指定的数据写入周期高
地址是相同的数据(写入)在该I / O的
RAM中。
6178S10
(1)
符号
比赛周期
t
ADM
t
DAM
t
姆欧
t
OEM
t
MHW
t
WEM
t
MHCLR
t
MHA
t
MHD
地址,以匹配有效
数据输入相匹配的有效
匹配的有效保持
OE
0
0
0
3
3
10
8
10
10
参数
分钟。
马克斯。
读周期:
WE
CLR
高和
OE
低,
该RAM是在一个读周期。匹配引脚的状态不
保证,但在当前的实现中它继续
反映所述比较器的输出。匹配引脚变为
期间由于在所指定的数据读周期高
地址是相同的数据(被读出),在所述的I / O的
内存。
清除周期:
CLR
被声明时,在RAM中的每一位是
清零。如果
OE
为低电平期间明确循环中,RAM
的I / O将被驱动。然而,该数据不一定是
零,即使经过相当长的时间。匹配引脚
启用的,但它的状态不是预测的。
AC电气特性
(V
CC
= 5.0V
±
10 % ,全温度范围)
6178S12
分钟。
0
0
0
3
3
马克斯。
12
11
12
12
6178S15
分钟。
0
0
0
3
3
马克斯。
15
13
15
15
6178S20
分钟。
0
0
0
3
3
马克斯。
20
15
20
20
6178S25
分钟。
0
0
0
3
3
马克斯。
25
15
20
20
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
2953 TBL 10
OE
高到有效匹配
匹配的有效保持
WE
WE
高到有效匹配
匹配的有效保持
CLR
MATCH有效保持发件人地址
MATCH有效保持从数据
注意:
1. 0 ° C至+ 70 ° C的温度范围内只。
MATCH循环的时序波形
(1)
地址
t
ADM
t
MHA
OE
t
OEM
t
姆欧
WE
t
WEM
t
MHW
CLR
t
MHCLR
I / O
1–4
有效的读数据
OUT
有效匹配数据
IN
t
DAM
MATCH
不匹配
MATCH
t
MHD
MATCH有效
MATCH
2953 DRW 07
注意:
1.建议不要让地址和数据输入引脚浮起而MATCH销是有效的。
11.1
4
IDT6178S
CMOS StaticRAM 16K ( 4K ×4位) CACHE - TAG RAM
军用和商用温度范围
AC电气特性
(V
CC
= 5.0V
±
10 % ,全温度范围)
6178S10
(1)
符号
读周期
t
RC
t
AA
t
OE
t
OH
t
OLZ
(2)
t
OHZ
(2)
读周期时间
地址访问时间
输出启用访问时间
从地址变更输出保持
输出使能到输出低- Z时
输出禁止到输出的高阻时间
10
3
2
10
7
6
12
3
2
12
8
7
15
3
2
15
10
9
20/25
3
2
20/25
15
12
ns
ns
ns
ns
ns
ns
2953 TBL 11
6178S12
分钟。
马克斯。
6178S15
分钟。
马克斯。
6178S20/25
分钟。
马克斯。
单位
参数
分钟。
马克斯。
注意事项:
1. 0 ° C至+ 70 ° C的温度范围内只。
2.这个参数保证与交流负载(图3)器件特性,但不生产测试。
读循环中没有时序波形。 1
(1)
t
RC
地址
t
AA
t
OH
OE
t
OLZ
数据
OUT
(3)
t
OE
t
OHZ (3)
数据
OUT
有效
2953 DRW 08
读循环中没有时序波形。 2
(1,2)
t
RC
地址
t
AA
t
OH
数据
OUT
以前的数据
OUT
有效
t
OH
数据
OUT
有效
数据
OUT
有效
2953 DRW 09
注意事项:
1.
WE
为高的读周期。
2.输出使能持续有效,
OE
是低的。
3.转换测量
±200V
从稳定状态。
11.1
5
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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