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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第133页 > ICTE-10C
ICTE5.0 THRU ICTE15C系列
T
RANS
Z
ORB
瞬态电压抑制器
对峙电压 -
5.0 15伏特
峰值脉冲功率 -
1500瓦
特点
机箱样式1.5KE
1.00 (25.4)
分钟。
0.205 (5.207)
0.190 (4.826)
DIA 。
0.375 (9.527)
0.360 (9.146)
塑料包装有保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
玻璃钝化结
用1500W峰值脉冲功率能力
10 / 1000μs波形,重复率(占空比) : 0.05%
出色的钳位能力
低增量浪涌电阻
快速响应时间:通常小于
从0伏特至V 1.0ps
( BR )
为单向
而5.0ns的双向
理想的数据和总线应用
高温焊接保证:
265 ℃/ 10秒0.375"设计(9.5mm )引线长度,
5磅。 (2.3千克)的张力
包括直通1N6385 1N6373
1.00 (25.4)
分钟。
机械数据
案例:
模压塑料多钝化结
终端:
镀轴向引线,每MIL -STD -750焊接的,
方法2026
极性:
对于单向类型的色带表示
阴极,它是posititive根据相对于阳极
TVS正常运行
安装位置:
任何
重量:
0.045盎司, 1.2克
0.042 (1.07)
0.038 (0.958)
DIA 。
尺寸以英寸(毫米)
最大额定值和特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
符号
价值
单位
峰值脉冲功率耗散了
10 / 1000μs波
(注1 ,图1)
稳定状态下的功耗,T
L
= 75°C
在铅长度0.375"设计(9.5mm )
峰值脉冲电流为10 / 1000μs
波形
(注1 ,图3)
峰值正向浪涌电流8.3ms单半
正弦波叠加在额定负荷为单向
只有( JEDEC的方法)
(注2 )
最大正向电压
以100A为单向只
工作结
存储温度范围
注意事项:
(1)非重复性的电流脉冲,每个图3及以上的牛逼降额
A
= 25 ℃,每图。 2
( 2 ) 8.3ms单正弦半波,占空比= 4个脉冲每分钟最高
P
PPM
P
M( AV)在
I
PPM
最低1500
6.5
见表1 & 2
安培
I
FSM
200
安培
V
F
T
J
, T
英镑
3.5
-55到+175
°C
1/21/99
在25 ° C( JEDEC注册的数据)表1电气特性
对峙
电压
V
WM
(伏)
最低
(3)
击穿
电压
在1.0毫安。
V
( BR )
(伏)
最大
反向
泄漏
在V
WM
I
D
(A)
最大
夹紧
电压
在升
PP
= 1.0A
Vc
(伏)
最大
夹紧
电压
在升
PP
= 10A
Vc
(伏)
最大
PEAK
脉冲
当前
I
PP
(安培)
JEDEC
TYPE
一般
半导体
部分
1N6373
(2)
1N6374
1N6375
1N6376
1N6377
ICTE-5
(2)
ICTE-8
ICTE-10
ICTE-12
ICTE-15
5.0
8.0
10.0
12.0
15.0
6.0
9.4
11.7
14.1
17.6
300
25.0
2.0
2.0
2.0
7.1
11.3
13.7
16.1
20.1
7.5
11.5
14.1
16.5
20.6
160
100
90
70
60
电气特性在25° C( JEDEC注册的数据)表2
对峙
电压
V
WM
(伏)
最低
(3)
击穿
电压
在1.0毫安。
V
( BR )
(伏)
最大
反向
泄漏
在V
WM
I
D
(A)
最大
夹紧
电压
在升
PP
= 1A
Vc
(伏)
最大
夹紧
电压
在升
PP
= 10A
Vc
(伏)
最大
PEAK
脉冲
当前
I
PP
(安培)
JEDEC
TYPE
一般
半导体
部分
1N6382
1N6383
1N6384
1N6385
ICTE-8C
ICTE-10C
ICTE-12C
ICTE-15C
8.0
10.0
12.0
15.0
9.4
11.7
14.1
17.6
50.0
2.0
2.0
2.0
11.4
14.1
16.7
20.8
11.6
14.5
17.1
21.4
100
90
70
60
注意事项:
( 1 ) “C”后缀表示双向
( 2 ) ICTE -5和1N6373不可用作双向
(3)所示的最小击穿电压考虑到对多数集成电路电源调节通常指定的±1伏公差
制造商的数据手册。请咨询厂家对于需要降低钳位电压,其中更严格的稳压电源电压采用的设备。
( 4 )钳位因子: 1.33 ,在全罗额定功率; 1.20在50 %额定功率;钳位系数:实际Vc的(钳位电压)的比例在V
( BR )
(击穿电压)
作为测定的特定设备上。
额定值和特性曲线ICTE5.0 THRU ICTE15C系列
峰值脉冲功率(P
PP
)或电流(I
PP
)
降额百分比, %
图。 1 - 额定峰值脉冲功率曲线
100
P
PPM
,峰值脉冲功率,千瓦
不重复
脉冲波形
示于图。 3
T
A
=25°C
图。 2 - 脉冲降额曲线
100
10
75
50
1.0
25
0.1
0.1
s
0
1.0
s
10
s
100
s
1.0ms
10ms
0
25
50
75
100
125 150
175 200
TD ,脉冲宽度,秒。
T
A
,环境温度,℃
图。 4 - 典型结电容
单向式
图。 3 - 脉冲波形
C
J
,路口,电容,PF
脉冲宽度( TD )的定义
因为这地步PEAK
电流衰减到我的50 %
PP
100,000
在测
零偏压
T
A
=25°C
F = 1.0 MHz的
Vsig=50mVp-p
I
PP,
峰值脉冲电流, %I
PP
tr=10sec.
峰值
I
PP
10,000
在测
对峙
电压,V
WM
100
半值 - 我
PP
2
1,000
50
0
10× 1000μs波形定义的R.E.A.
td
0
1.0
2.0
T,时间,ms
3.0
4.0
100 1
1
2
5
10
20
50
100
200
V
( BR )
,击穿电压,伏
2
5
额定值和特性曲线ICTE5.0 THRU ICTE15C系列
图。 5 - 典型结电容
双向型
100,000
C
J
,结电容, pF的
I
FSM
,峰值正向浪涌
当前,安培
在测
零偏压
图。 6 - 最大非重复峰值正向
浪涌电流
200
100
10,000
T
J
=25°C
F = 1.0 MHz的
Vsig=50mVp-p
FOR单向ONLY
8.3ms单半正弦波
( JEDEC的方法)
1,000
在测
对峙
电压
(V
WM
)
10
1
10
循环次数在60赫兹
100
1
10
100 200
100
V
( BR ) ,
击穿电压,伏
图。 7 - 典型特征钳位电压
50
T
A
= 25°C单向ONLY
I
PP
,峰值脉冲电流,
安培
10
ICTE-12
ICTE-5
ICTE-10
ICTE-15
I
CTE-8
1
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
VC,钳位电压,伏
ICTE5.0通ICTE18C , 1N6373 1N6386直通
威世通用半导体
T
RANS
Z
ORB
瞬态电压抑制器
特点
玻璃钝化结
提供单向和双向
1500瓦峰值脉冲功率能力
10/1000微秒波形,重复率(税
周期) :0.01%
出色的钳位能力
非常快的响应时间
低增量浪涌电阻
浸焊260 ° C, 40秒
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
典型应用
使用对电压敏感的电子设备保护
诱发感性负载开关瞬变
和照明的芯片, MOSFET ,传感器的信号线
单位消费,计算机,工业和
电信。
机械数据
案例:
环氧树脂成型机身超过钝化路口
塑封料符合UL 94 V- 0阻燃
等级
底座P / N - E3 - 符合RoHS标准,商用级
底座P / NHE3 - 符合RoHS标准,高可靠性/
汽车级( AEC Q101标准)
终端:
雾锡镀线索,每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E3后缀符合JESD 201级1A晶须试验, HE3
后缀符合JESD 201级2晶须测试
极性:
对于单向类型的色带
端为负极,在双向无标记
类型
机箱样式1.5KE
主要特征
V
WM
P
PPM
P
D
I
FSM
T
J
马克斯。
5.0 V至18 V
1500 W
6.5 W
200 A
175 °C
用于双向应用的器件
对于双向类型,用C后缀(如ICTE - 18C ) 。
电特性的应用中是双向的。
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
峰值脉冲功率耗散与10/1000微秒波形
(1)
(图1)的
峰值脉冲电流具有10/1000微秒
波形
(1)
(图。
3)
符号
P
PPM
I
PPM
P
D
I
FSM
V
F
T
J
, T
英镑
极限
1500
看下表
6.5
200
3.5
- 55 + 175
单位
W
A
W
A
V
°C
在无限散热器在T功耗
L
= 75℃ (图8)的
只有峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波单向
(2)
在100 A最大瞬时正向电压仅为单向
工作结存储温度范围
注意事项:
(1)非重复性的电流脉冲,每个图3及以上的牛逼降额
A
= 25 ℃,每图。 2
( 2 ) 8.3ms单一正弦半波,占空比= 4个脉冲每分钟最高
文档编号: 88356
修订: 21 - OCT- 08
您所在区域内的技术问题,请联系以下之一:
PDD-Americas@vishay.com , PDD-Asia@vishay.com , PDD-Europe@vishay.com
www.vishay.com
1
ICTE5.0通ICTE18C , 1N6373 1N6386直通
威世通用半导体
电气特性( JEDEC注册的数据)
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
JEDEC TYPE
一般
半导体
产品型号
对峙
电压
V
WM
(V)
最低
(3)
击穿
电压
AT 1.0毫安
V
BR
(V)
最大
反向
泄漏
在V
WM
I
D
(A)
最大
夹紧
电压
在我
PP
= 1.0 A
V
C
(V)
最大
夹紧
电压
I
PP
= 10 A
V
C
(V)
最大
PEAK
脉冲
当前
I
PP
(A)
单向类型
1N6373
(2)
1N6374
1N6375
1N6376
1N6377
1N6378
ICTE-5
(2)
ICTE-8
ICTE-10
ICTE-12
ICTE-15
ICTE-18
5.0
8.0
10.0
12.0
15.0
18.0
6.0
9.4
11.7
14.1
17.6
21.2
300
25.0
2.0
2.0
2.0
2.0
7.1
11.3
13.7
16.1
20.1
24.2
7.5
11.5
14.1
16.5
20.6
25.2
160
100
90
70
60
50
双向类型
1N6382
1N6383
1N6384
1N6385
1N6386
注意事项:
( 1 ) “C”后缀表示双向
( 2 ) ICTE -5和1N6373不可用作双向
(3)所示的最小击穿电压考虑到对电力供给调整上通常所指明的±1 V耐压
最集成电路制造商的数据手册。请咨询厂家对于需要降低钳位电压,其中更严格的设备
稳压电源电压采用
( 4 )夹紧因素:在全额定功率1.33 ; 1.20在50 %额定功率;夹紧因子:在实际的V之比
C
(钳位电压)到
V
BR
(击穿电压),为测定特定的设备上
ICTE-8C
ICTE-10C
ICTE-12C
ICTE-15C
ICTE-18C
8.0
10.0
12.0
15.0
18.0
9.4
11.7
14.1
17.6
21.2
50.0
2.0
2.0
2.0
2.0
11.4
14.1
16.7
20.8
24.8
11.6
14.5
17.1
21.4
25.5
100
90
70
60
50
订购信息
(例)
首选的P / N
ICTE-5-E3/54
ICTE-5HE3/54
(1)
注意:
( 1 )汽车级AEC Q101标准
单位重量(g )
0.968
0.968
首选包装代码
54
54
基地数量
1400
1400
配送方式
直径13"纸胶带和卷轴
直径13"纸胶带和卷轴
www.vishay.com
2
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文档编号: 88356
修订: 21 - OCT- 08
ICTE5.0通ICTE18C , 1N6373 1N6386直通
威世通用半导体
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
100
100 000
P
PPM
- 峰值脉冲功率(kW )
C
J
- 结电容(pF )
不重复
脉冲
波形
示于图。 3
T
A
= 25 °C
10
在测
零偏压
10 000
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50 MVP -P
1
1000
测量对峙
电压V
WM
0.1
0.1
s
1.0
s
10
s
100
s
1.0毫秒
10毫秒
100
1.0
10
100
200
t
d
- 脉冲
宽度
(s)
V
BR
- 击穿
电压
(V)
图1.额定峰值脉冲功率曲线
图4.典型结电容单向
峰值脉冲功率(P
PP
)或电流(I
PP
)
降容的百分比,
%
100
100 000
75
C
J
- 结电容(pF )
在测
零偏压
双向型
10 000
不重复
脉冲
波形
示于图。 3
T
A
= 25 °C
50
1000
25
测量对峙
电压V
WM
100
1.0
10
100
200
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
T
J
- 初始温度( ℃)
V
BR
- 击穿
电压
(V)
图2.脉冲功率或电流与初始结温
图5.典型结电容
I
FSM
- 峰值正向浪涌电流( A)
150
I
PPM
- 峰值脉冲电流,
%
I
RSM
t
r
= 10
s
PEAK
价值
I
PPM
T
J
= 25 °C
脉冲
宽度
(t
d
)
被定义为点
哪里
峰值电流
衰减到50
%
PPM
200
T
J
= T
J
马克斯。
8.3
毫秒单一正弦半波
100
100
价值
- I
PP
I
PPM
2
50
10/1000
μs的波形
定义
by
R.E.A.
t
d
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
50
10
1
5
10
50
100
吨 - 时间(ms )
环,在60赫兹的
图3.脉冲波形
图6.最大非重复正向浪涌电流
只有单向
文档编号: 88356
修订: 21 - OCT- 08
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3
ICTE5.0通ICTE18C , 1N6373 1N6386直通
威世通用半导体
50
只有单向
T
A
= 25 °C
8.0
7.0
I
PP
- 峰值脉冲电流( A)
P
D
- 功耗( W)
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
L = 0.375"毫米(9.5毫米)
导线长度
10
ICTE-15
ICTE-18
ICTE-10
ICTE-12
ICTE-8
ICTE-5
1
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
V
C
- 钳位
电压
(V)
T
L
- 焊接温度( ° C)
图7.典型特征钳位电压
图8.功率降额曲线
包装外形尺寸
以英寸(毫米)
机箱样式1.5KE
1.0 (25.4)
分钟。
0.210 (5.3)
0.190 (4.8)
DIA 。
0.375 (9.5)
0.285 (7.2)
1.0 (25.4)
分钟。
0.042 (1.07)
0.038 (0.96)
DIA 。
www.vishay.com
4
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PDD-Americas@vishay.com , PDD-Asia@vishay.com , PDD-Europe@vishay.com
文档编号: 88356
修订: 21 - OCT- 08
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日前,Vishay
放弃
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产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号: 91000
修订: 18 -JUL- 08
www.vishay.com
1
MDE半导体公司
78-150卡莱坦皮科,股210 ,拉昆塔,CA , USA 92253电话: 760-564-8656 传真: 760-564-2414
1-800-831-4881电子邮件: sales@mdesemiconductor.com网址: www.mdesemiconductor.com
ICTE5.0到ICTE15C MPTE -5至MPTE -45
1N6373 1N6381到1N6382和1N6389来
玻璃钝化结瞬态电压抑制器
STANDOFF电压 - 5.0 45.0V
1500瓦峰值功率
特点
塑料包装有保险商实验室
可燃性分类94V-0
玻璃模压塑料封装钝化结
在1ms的1500W浪涌能力
出色的钳位能力
低齐纳inpedance
快速的响应时间:通常小于
从0伏1.0 ps至BV分钟。
典型的IR小于1μA ,高于10V
高温焊接保证:
250 ° C. / 10秒/ 0.375" ,设计(9.5mm )导线
长度, 5磅,( 2.3公斤)张力
包括直通1N6385 1N6373
机械数据
案例: JEDEC DO - 201模压塑料
端子:镀轴向引线,每焊
MIL- STD- 750 ,方法2026
极性:色环表示正端(阴极)
除双极
安装位置:任意
重量: 0.045盎司, 1.2克
最大额定值和特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
等级
在TA = 25 ° C峰值脉冲功率耗散, TP = 1毫秒
(注1 )
符号
P
PPM
I
PPM
价值
最低1500
参照表1
5.0
200
3.5
-55 +175
单位
安培
安培
伏特
°C
对10/1000微秒波形峰值脉冲电流
(注1 )
稳态功耗为
T
L
= 75°C
引线长度0.375" , 9.5毫米
(注2 )
峰值正向浪涌电流8.3ms单正弦半波
叠加在额定负荷,
(JEDEC的方法) (注3)
最大正向电压在100A的
只有单向的
Operatings和存储温度范围
P
M
(AV)
I
FSM
V
F
T
J
, T
英镑
注意事项:
1.非重复性电流脉冲,每个图3及以上每2所示的Ta = 25°C降额。
2.安装在铜焊盘每5所示面积0.8x0.8" ( 20x20mm ) 。
3. 8.3ms单半正弦波,或等效的方波,占空比= 4个脉冲每分钟最多。
认证符合RoHS
UL文件号: E223026
MDE半导体公司
78-150卡莱坦皮科,股210 ,拉昆塔,CA , USA 92253电话: 760-564-8656 传真: 760-564-2414
1-800-831-4881电子邮件: sales@mdesemiconductor.com网址: www.mdesemiconductor.com
ICTE5.0到ICTE15C MPTE -5至MPTE -45
1N6373 1N6381到1N6382和1N6389来
玻璃钝化结瞬态电压抑制器
STANDOFF电压 - 5.0 45.0V
1500瓦峰值功率
最低
反向
最低
最大
夹紧
STANDOFF反向击穿
电压
电压
电压
泄漏
(VC ) @
( VRWM )
VBR @ 1毫安
IR @ VR
Ipp=1A
(V)
(伏)
(A)
(伏)
最大
夹紧
电压
(VC ) @
Ipp=1A
(伏)
最大
PEAK
脉冲
当前
IPP ( A)
产品编号
ICTE-5*
ICTE-8
ICTE-10
ICTE-12
ICTE-15
ICTE-18
ICTE-22
ICTE-36
ICTE-45
ICTE-8C
ICTE-10C
ICTE-12C
ICTE-15C
ICTE-18C
ICTE-22C
ICTE-36C
ICTE-45C
1N6373
1N6374
1N6375
1N6376
1N6377
1N6378
1N6379
1N6380
1N6381
1N6382
1N6383
1N6384
1N6385
1N6386
1N6387
1N6388
1N6389
MPTE-5*
MPTE-8
MPTE-10
MPTE-12
MPTE-15
MPTE-18
MPTE-22
MPTE-36
MPTE-45
MPTE-8C
MPTE-10C
MPTE-12C
MPTE-15C
MPTE-18C
MPTE-22C
MPTE-36C
MPTE-45C
5*
8.0
10.0
12.0
15.0
18.0
22.0
36.0
45.0
8.0
10.0
12.0
15.0
18.0
22.0
36.0
45.0
6.0
9.4
11.7
14.1
17.6
21.2
25.9
42.4
52.9
9.4
11.7
14.1
17.6
21.2
25.9
42.4
52.9
300.0
25.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
50
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
7.1
11.3
13.7
16.1
20.1
24.2
29.8
50.6
63.3
11.4
14.1
16.7
20.8
24.8
30.8
50.6
63.3
7.5
11.5
14.1
16.5
20.6
25.2
32.0
54.3
70.0
11.6
14.5
17.1
21.4
25.5
32.0
54.3
70.0
160.0
100.0
90.0
70.0
60.0
50.0
40.0
23.0
19.0
100.0
90.0
70.0
60.0
50.0
40.0
23.0
19.0
* ICTE -5不处于双向可用。
认证符合RoHS
UL文件号: E223026
后缀“C”表示双向设备。
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