日前，Vishay
IL440
威世半导体
光电耦合器，光敏可控硅输出，低输入电流
特点
400和600V阻断电压
5.0毫安最大触发电流
绝缘测试电压， 5300 V
RMS
，T = 1.0秒。
每UL94绝缘材料
引脚兼容光电耦合器
IL440-1 MOC 3051
IL440-2 MOC 3052
IL440-3 MOC3053
IL440-4 MOC 3021
IL440-5 MOC 3022
IL440-6 MOC 3023
A 1
C 2
NC 3
6 MT2
5 NC
4 MT1
i179035
e3
Pb
无铅
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
订购信息
部分
IL440-1
IL440-2
IL440-3
IL440-4
IL440-5
IL440-6
IL440-1X009
IL440-2X006
IL440-3X007
IL440-3X009
IL440-4X007
IL440-4X009
IL440-5X006
备注
15毫安我
FT
, 600 V V
DRM
， DIP - 6
10毫安我
FT
, 600 V V
DRM
， DIP - 6
5.0毫安我
FT
, 600 V V
DRM
， DIP - 6
15毫安我
FT
, 400 V V
DRM
， DIP - 6
10毫安我
FT
, 400 V V
DRM
， DIP - 6
5.0毫安我
FT
, 400 V V
DRM
， DIP - 6
15毫安我
FT
, 600 V V
DRM
， SMD - 6 （选件9 ）
10毫安我
FT
, 600 V V
DRM
， DIP - 6 400万
（选项6 ）
5.0毫安我
FT
, 600 V V
DRM
， SMD - 6 （选项7 ）
5.0毫安我
FT
, 600 V V
DRM
， SMD - 6 （选件9 ）
15毫安我
FT
, 400 V V
DRM
， SMD - 6 （选项7 ）
15毫安我
FT
, 400 V V
DRM
， SMD - 6 （选件9 ）
10毫安我
FT
, 400 V V
DRM
， DIP - 6 400万
（选项6 ）
10毫安我
FT
, 400 V V
DRM
， SMD - 6 （选件9 ）
5.0毫安我
FT
, 400 V V
DRM
， DIP - 6 400万
（选项6 ）
5.0毫安我
FT
, 400 V V
DRM
， SMD - 6 （选项7 ）
5.0毫安我
FT
, 400 V V
DRM
， SMD - 6 （选件9 ）
机构认证
UL1577 ，文件号E52744系统代码H或按J ，
双重保护
CSA 93751
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
BABT / BSI IEC60950 IEC60065
应用
大电流可控硅驱动器
固态继电器
开关小型交流负载
描述
该IL440由砷化镓红外发射器的opti-
美云耦合到一个硅平面双向可控硅芯片与非
零交叉网络。这两个半导体是
组装在一个6脚双列直插式塑料封装。该
输出检测器IL440-1 ，2，3是能够堵塞的
到600伏，允许离线电压控制
高达240 VAC 。该IL440能够处理电流高达
百毫安RMS 。
IL440-5X009
IL440-6X006
IL440-6X007
IL440-6X009
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
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IL440
威世半导体
日前，Vishay
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
正向电流
浪涌电流
功耗
结温
P.W. < 10
s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
T
j
价值
5.0
60
3.0
100
100
单位
V
mA
A
mW
°C
产量
参数
峰值断态电压
测试条件
部分
IL440-1
IL440-2
IL440-3
IL440-4
IL440-5
IL440-6
开启状态RMS电流
峰值浪涌电流
峰值通态电流
功耗
结温
t
p
≤
10毫秒
t
p
/T = 0.01
≤
100
s
符号
V
DRM
V
DRM
V
DRM
V
DRM
V
DRM
V
DRM
I
D（ RMS）
I
FSM
I
DRM
P
DISS
T
j
价值
600
600
600
400
400
400
100
1.2
2.0
300
125
单位
V
V
V
V
V
V
mA
A
A
mW
°C
耦合器
参数
隔离电压， 1.0秒，每
气候标准23°C / 50 ％
RH ， DIN 50014
爬电距离
净空
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
总功耗
存储温度范围
环境温度
结温
引线焊接温度
2.0毫米的情况下，T < 10秒
R
IO
R
IO
P
合计
T
英镑
T
AMB
T
j
T
SLD
测试条件
符号
V
ISO
价值
5300
单位
V
RMS
≥
7.0
≥
7.0
≥
10
12
≥
10
11
330
- 55至+ 125
- 40至+ 100
100
260
mm
mm
mW
°C
°C
°C
°C
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电气特性
IL440
威世半导体
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
反向电压
结电容
测试条件
I
F
= 50毫安
I
R
= 10
A
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
V
F
V
R
C
j
5.0
50
民
典型值。
1.25
最大
单位
V
V
pF
产量
关闭状态输出端电压（见表1 ）
参数
峰值通态电压
崛起的断态临界速率
电压
测试条件
I
TM
= 100毫安，我
FT
= 30毫安
I
F
= 0, V
S
= 240 V
RMS
I
F
= 30 mA时， V
S
= 60 V
RMS
符号
V
TM
dV
cr
/ DT
dV
CRQ
/ DT
0.13
民
典型值。
1.5
50
0.25
最大
3.0
单位
V
V / μs的
V / μs的
I
FT
和阻断电压选择
1)
BIN号
IL440-1
IL440-2
IL440-3
IL440-4
IL440-5
IL440-6
1)
BV （伏特）最大@我
DRM
±500 nA的
600
600
600
400
400
400
I
FT
最大@ V
T
= 6 V ，R
L
=150
15
10
5.0
15
10
5.0
测试电压必须在0.13伏/微秒的dV / dt额定值应用。
耦合器
参数
保持电流
测试条件
I
F
≥
10毫安，V
S
≥
3.0 V
符号
I
H
民
典型值。
1.0
最大
单位
mA
最高安全评级
（根据DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ） / DIN EN 60747-5-5申请中）见图1
这个光电耦合器适用于仅在安全等级安全的电气隔离。
遵守安全评级，由适当的保护电路来保证。
输入
用于防护隔离设备agains最高安全评级中触电。这必须通过保护性保证
电路中的应用。
参数
正向电压
测试条件
符号
I
S， INPUT
民
典型值。
最大
130
单位
mA
产量
参数
功耗
测试条件
符号
P
S，输出
民
典型值。
最大
300
单位
mW
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3
日前，Vishay
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
IL440
威世半导体
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售的业绩和
operatingsystems相对于它们的健康和员工的安全和公众的影响，如
以及它们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前，Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策，以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
日前，Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 67 7131 2423
文档编号83631
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5
IL440
威世半导体
光电耦合器，光敏可控硅输出，
低输入电流
特点
400 V阻断电压
A 1
C 2
NC
3
6 MT2
5
NC
4 MT1
5.0毫安最大触发电流
隔离测试电压， 5300 V
RMS
，T = 1.0秒
每个UL94绝缘材料
引脚与光电耦合器兼容：
- IL440-4 MOC 3021
- IL440-5 MOC 3022
- IL440-6 MOC 3023
铅（Pb） -free组件
按照RoHS元器件2002/95 / EC和
WEEE 2002/96 / EC
i179035
描述
该IL440由砷化镓红外发射器的光
耦合到一个硅平面双向可控硅芯片与非过零
网络。两个半导体组装在一个6针
双列直插式塑料封装。该IL440能够处理电流
高达100 mA的有效值。
应用
大电流可控硅驱动器
固态继电器
开关小型交流负载
机构认证
UL1577 ，文件号。 E52744系统代号H或按J ，双
保护
CSA 93751
DIN EN 60747-5-2 （ VDE 0884 ） / DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
BAB / BSI IEC 60950 ; IEC 60065
订购信息
部分
IL440-4
IL440-5
IL440-6
IL440-4X007
IL440-4X009
IL440-5X006
IL440-5X009
IL440-6X006
IL440-6X007
IL440-6X009
备注
15毫安我
FT
, 400 V V
DRM
， DIP - 6
10毫安我
FT
, 400 V V
DRM
， DIP - 6
5.0毫安我
FT
, 400 V V
DRM
， DIP - 6
15毫安我
FT
, 400 V V
DRM
， SMD - 6 （选项7 ）
15毫安我
FT
, 400 V V
DRM
， SMD - 6 （选件9 ）
10毫安我
FT
, 400 V V
DRM
， DIP - 6 400万（选项6 ）
10毫安我
FT
, 400 V V
DRM
， SMD - 6 （选件9 ）
5.0毫安我
FT
, 400 V V
DRM
， DIP - 6 400万（选项6 ）
5.0毫安我
FT
, 400 V V
DRM
， SMD - 6 （选项7 ）
5.0毫安我
FT
, 400 V V
DRM
， SMD - 6 （选件9 ）
记
有关可用选项的更多信息，请参阅选项的信息。
文档编号： 83631
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如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
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IL440
威世半导体
光电耦合器，光敏可控硅输出，
低输入电流
绝对最大额定值
(1)
参数
输入
反向电压
正向电流
浪涌电流
功耗
结温
产量
峰值断态电压
开启状态RMS电流
峰值浪涌电流
峰值通态电流
功耗
结温
耦合器
隔离电压， 1.0秒，每标准
气候23 ℃/ 50 ％ RH ， DIN 50014
爬电距离
间隙距离
绝缘电阻
总功耗
存储温度范围
环境温度
结温
引线焊接温度
(2)
测试条件
部分
符号
V
R
I
F
价值
5.0
60
3.0
100
100
400
400
400
100
1.2
2.0
300
125
单位
V
mA
A
mW
°C
V
V
V
mA
A
A
mW
°C
P.W. < 10微秒
I
FSM
P
DISS
T
j
IL440-4
IL440-5
IL440-6
V
DRM
V
DRM
V
DRM
I
D（ RMS）
I
FSM
I
DRM
P
DISS
T
j
V
ISO
t
p
≤
10毫秒
t
p
/T = 0.01
≤
100 s
5300
≥
7.0
≥
7.0
V
RMS
mm
mm
Ω
Ω
mW
°C
°C
°C
°C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
R
IO
R
IO
P
合计
T
英镑
T
AMB
T
j
≥
10
12
330
≥
10
11
- 55至+ 125
- 40至+ 100
100
260
2.0毫米的情况下，T < 10秒
T
SLD
笔记
(1)
T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定。超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。
该设备的功能操作不是在这些或任何其他条件超出那些在这个业务部门给出的暗示
文档。暴露在绝对最大额定值的时间过长可能产生不利影响的可靠性。
(2)
请参阅回流焊温度曲线的表面贴装器件（ SMD ）焊接条件。请参阅波曲线为通过焊接条件
孔器件（ DIP ） 。
电气特性
参数
输入
正向电压
反向电压
结电容
产量
(2)
峰值通态电压
断态电压临界上升率
耦合器
保持电流
I
F
≥
10毫安，V
S
≥
3.0 V
I
H
1.0
mA
笔记
(1)
T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定。最小值和最大值的测试要求。典型值是特征
设备，并且工程评价的结果。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
(2)
断态输出端电压（见表1）。
I
TM
= 100毫安，我
FT
= 30毫安
I
F
= 0, V
S
= 240 V
RMS
I
F
= 30 mA时， V
S
= 60 V
RMS
V
TM
dV
cr
/ DT
dV
CRQ
/ DT
0.13
1.5
50
0.25
3.0
V
V / μs的
V / μs的
I
F
= 50毫安
I
R
= 10
μA
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
F
V
R
C
j
5.0
50
1.25
V
V
pF
测试条件
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
www.vishay.com
2
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
文档编号： 83631
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IL440
光电耦合器，光敏可控硅输出，
低输入电流
威世半导体
I
FT
和阻断电压选择
BIN号
IL440-4
IL440-5
IL440-6
记
测试电压必须在0.13伏/微秒的dV / dt额定值应用。
B
V
（ V）最大，在我
DRM
±500 nA的
400
400
400
I
FT
最大的V
T
= 6 V ，R
L
= 150
Ω
15
10
5.0
最高安全评级
(1)
参数
输入
(2)
正向电压
产量
功耗
P
S，输出
300
mW
笔记
(1)
根据DIN EN 60747-5-2 （ VDE 0884 ） / DIN EN 60747-5-5待定（见图1 ） 。这个光电耦合器适用于安全的电气隔离
仅在安全评级。遵守安全评级，由适当的保护电路来保证。
(2)
用于防护隔离设备agains最高安全评级中触电。这必须通过保护性保证
电路中的应用。
I
S， INPUT
130
mA
测试条件
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
安全性和绝缘等级
参数
气候分类
（根据IEC 68部分1 ）
污染程度
漏电起痕指数
V
IOTM
V
IORM
在25℃时的绝缘电阻
在T绝缘电阻
S
在100℃下的绝缘电阻
局部放电试验电压
P
SO
I
SI
T
SI
间隙距离
爬电距离
间隙距离
爬电距离
标准DIP - 6
标准DIP - 6
400万DIP - 6
400万DIP - 6
7
7
8
8
V
IO
= 500 V
V
IO
= 500 V
V
IO
= 500 V
方法一，
V
pd
= V
IORM
x 1.875
R
IS
R
IS
R
IS
V
pd
DIN VDE 0109
CTI
175
8000
890
≥
≥
10
12
10
9
V
PEAK
V
PEAK
Ω
Ω
Ω
V
PEAK
mW
mA
°C
mm
mm
mm
mm
测试条件
符号
分钟。
典型值。
55/100/21
2
马克斯。
单位
≥
10
11
1669
500
250
175
记
按照IEC60747-5-2 ， § 7.4.3.8.1 ，这是光电耦合器适用于“安全的电气绝缘”只在安全评级。遵守
安全评级，由prodective电路的装置来保证。
文档编号： 83631
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如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
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IL440
威世半导体
光电耦合器，光敏可控硅输出，
低输入电流
包装尺寸
以英寸（毫米）
3
2
1
引脚1号
0.248 (6.30)
0.256 (6.50)
4
5
6
ISO方法A
0.335 (8.50)
0.343 (8.70)
0.039
(1.00)
分钟。
0.048
(0.45)
0.300 (7.62)
典型值。
0.022 (0.55)
0.130 (3.30)
0.150 (3.81)
4°
典型值。
0.031 （ 0.80 ）分。
0.031 (0.80)
0.018 (0.45)
0.022 (0.55)
0.100 （ 2.54 ） TYP 。
i178004
18 °
0.114 (2.90)
0.130 (3.0)
3 ° 9 °
0.010 (0.25)
典型值。
0.300到0.347
（ 7.62至
8.81)
0.035 (0.90)
包装尺寸
以英寸（毫米）
选6
0.407 (10.36)
0.391 (9.96)
0.307 (7.8)
0.291 (7.4)
0.028 (0.7)
分钟。
选7
0.300 (7.62)
典型值。
选择9
0.375 (9.53)
0.395 (10.03 )
0.300 (7.62)
REF 。
0.180 (4.6)
0.160 (4.1) 0.0040 (0.102)
0.0098 (0.249)
0.020 (0.51 )
0.040 (1.02 )
0.315 (8.00)
分钟。
18450
0.315 (8.0)
分钟。
0.014 (0.35)
0.010 (0.25)
0.400 (10.16)
0.430 (10.92)
0.331 (8.4)
分钟。
0.406 (10.3)
马克斯。
0.012 （ 0.30 ） （典型值） 。
15最大。
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4
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
文档编号： 83631
修订版1.6 18 -JAN- 08
IL440
光电耦合器，光敏可控硅输出，
低输入电流
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和操作系统的性能
相对于它们对健康和员工的安全和公众，以及它们对环境的影响。
这是特别令人关注，以控制或消除这些物质排放到该被称为臭氧气氛
消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990年）打算严格限制使用消耗臭氧层物质，并禁止其使用
在未来的十年。不同的国家和国际行动正加紧对这些物质的早期禁令。
日前，Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策，以杜绝使用消耗臭氧层物质的上市
下列文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书分别在伦敦修正案的过渡性物质列表。
2. I级和1990年的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质的环境保护局
（EPA）在美国。
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
日前，Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧层物质的生产和做
不含有此类物质。
威世半导体
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每一个客户应用程序被验证
客户。如买方使用威世半导体产品的任何意外或未经授权的应用程序，买方应
赔偿威世半导体的所有索赔，费用，损失，费用，所产生的直接或间接的任何
人身损害，伤害或死亡的索赔等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
文档编号： 83631
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日前，Vishay
IL440
威世半导体
光电耦合器，光敏可控硅输出，低输入电流
特点
400和600V阻断电压
5.0毫安最大触发电流
绝缘测试电压， 5300 V
RMS
，T = 1.0秒。
每UL94绝缘材料
引脚兼容光电耦合器
IL440-1 MOC 3051
IL440-2 MOC 3052
IL440-3 MOC3053
IL440-4 MOC 3021
IL440-5 MOC 3022
IL440-6 MOC 3023
A 1
C 2
NC 3
6 MT2
5 NC
4 MT1
i179035
e3
Pb
无铅
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
订购信息
部分
IL440-1
IL440-2
IL440-3
IL440-4
IL440-5
IL440-6
IL440-1X009
IL440-2X006
IL440-3X007
IL440-3X009
IL440-4X007
IL440-4X009
IL440-5X006
备注
15毫安我
FT
, 600 V V
DRM
， DIP - 6
10毫安我
FT
, 600 V V
DRM
， DIP - 6
5.0毫安我
FT
, 600 V V
DRM
， DIP - 6
15毫安我
FT
, 400 V V
DRM
， DIP - 6
10毫安我
FT
, 400 V V
DRM
， DIP - 6
5.0毫安我
FT
, 400 V V
DRM
， DIP - 6
15毫安我
FT
, 600 V V
DRM
， SMD - 6 （选件9 ）
10毫安我
FT
, 600 V V
DRM
， DIP - 6 400万
（选项6 ）
5.0毫安我
FT
, 600 V V
DRM
， SMD - 6 （选项7 ）
5.0毫安我
FT
, 600 V V
DRM
， SMD - 6 （选件9 ）
15毫安我
FT
, 400 V V
DRM
， SMD - 6 （选项7 ）
15毫安我
FT
, 400 V V
DRM
， SMD - 6 （选件9 ）
10毫安我
FT
, 400 V V
DRM
， DIP - 6 400万
（选项6 ）
10毫安我
FT
, 400 V V
DRM
， SMD - 6 （选件9 ）
5.0毫安我
FT
, 400 V V
DRM
， DIP - 6 400万
（选项6 ）
5.0毫安我
FT
, 400 V V
DRM
， SMD - 6 （选项7 ）
5.0毫安我
FT
, 400 V V
DRM
， SMD - 6 （选件9 ）
机构认证
UL1577 ，文件号E52744系统代码H或按J ，
双重保护
CSA 93751
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
BABT / BSI IEC60950 IEC60065
应用
大电流可控硅驱动器
固态继电器
开关小型交流负载
描述
该IL440由砷化镓红外发射器的opti-
美云耦合到一个硅平面双向可控硅芯片与非
零交叉网络。这两个半导体是
组装在一个6脚双列直插式塑料封装。该
输出检测器IL440-1 ，2，3是能够堵塞的
到600伏，允许离线电压控制
高达240 VAC 。该IL440能够处理电流高达
百毫安RMS 。
IL440-5X009
IL440-6X006
IL440-6X007
IL440-6X009
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
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IL440
威世半导体
日前，Vishay
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
正向电流
浪涌电流
功耗
结温
P.W. < 10
s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
T
j
价值
5.0
60
3.0
100
100
单位
V
mA
A
mW
°C
产量
参数
峰值断态电压
测试条件
部分
IL440-1
IL440-2
IL440-3
IL440-4
IL440-5
IL440-6
开启状态RMS电流
峰值浪涌电流
峰值通态电流
功耗
结温
t
p
≤
10毫秒
t
p
/T = 0.01
≤
100
s
符号
V
DRM
V
DRM
V
DRM
V
DRM
V
DRM
V
DRM
I
D（ RMS）
I
FSM
I
DRM
P
DISS
T
j
价值
600
600
600
400
400
400
100
1.2
2.0
300
125
单位
V
V
V
V
V
V
mA
A
A
mW
°C
耦合器
参数
隔离电压， 1.0秒，每
气候标准23°C / 50 ％
RH ， DIN 50014
爬电距离
净空
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
总功耗
存储温度范围
环境温度
结温
引线焊接温度
2.0毫米的情况下，T < 10秒
R
IO
R
IO
P
合计
T
英镑
T
AMB
T
j
T
SLD
测试条件
符号
V
ISO
价值
5300
单位
V
RMS
≥
7.0
≥
7.0
≥
10
12
≥
10
11
330
- 55至+ 125
- 40至+ 100
100
260
mm
mm
mW
°C
°C
°C
°C
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2
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日前，Vishay
电气特性
IL440
威世半导体
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
反向电压
结电容
测试条件
I
F
= 50毫安
I
R
= 10
A
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
V
F
V
R
C
j
5.0
50
民
典型值。
1.25
最大
单位
V
V
pF
产量
关闭状态输出端电压（见表1 ）
参数
峰值通态电压
崛起的断态临界速率
电压
测试条件
I
TM
= 100毫安，我
FT
= 30毫安
I
F
= 0, V
S
= 240 V
RMS
I
F
= 30 mA时， V
S
= 60 V
RMS
符号
V
TM
dV
cr
/ DT
dV
CRQ
/ DT
0.13
民
典型值。
1.5
50
0.25
最大
3.0
单位
V
V / μs的
V / μs的
I
FT
和阻断电压选择
1)
BIN号
IL440-1
IL440-2
IL440-3
IL440-4
IL440-5
IL440-6
1)
BV （伏特）最大@我
DRM
±500 nA的
600
600
600
400
400
400
I
FT
最大@ V
T
= 6 V ，R
L
=150
15
10
5.0
15
10
5.0
测试电压必须在0.13伏/微秒的dV / dt额定值应用。
耦合器
参数
保持电流
测试条件
I
F
≥
10毫安，V
S
≥
3.0 V
符号
I
H
民
典型值。
1.0
最大
单位
mA
最高安全评级
（根据DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ） / DIN EN 60747-5-5申请中）见图1
这个光电耦合器适用于仅在安全等级安全的电气隔离。
遵守安全评级，由适当的保护电路来保证。
输入
用于防护隔离设备agains最高安全评级中触电。这必须通过保护性保证
电路中的应用。
参数
正向电压
测试条件
符号
I
S， INPUT
民
典型值。
最大
130
单位
mA
产量
参数
功耗
测试条件
符号
P
S，输出
民
典型值。
最大
300
单位
mW
文档编号83631
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3
日前，Vishay
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
IL440
威世半导体
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售的业绩和
operatingsystems相对于它们的健康和员工的安全和公众的影响，如
以及它们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前，Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策，以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
日前，Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 67 7131 2423
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IL440
威世半导体
光电耦合器，光敏可控硅输出，
低输入电流
特点
400 V阻断电压
A 1
C 2
NC
3
6 MT2
5
NC
4 MT1
5.0毫安最大触发电流
隔离测试电压， 5300 V
RMS
，T = 1.0秒
每个UL94绝缘材料
引脚与光电耦合器兼容：
- IL440-4 MOC 3021
- IL440-5 MOC 3022
- IL440-6 MOC 3023
铅（Pb） -free组件
按照RoHS元器件2002/95 / EC和
WEEE 2002/96 / EC
i179035
描述
该IL440由砷化镓红外发射器的光
耦合到一个硅平面双向可控硅芯片与非过零
网络。两个半导体组装在一个6针
双列直插式塑料封装。该IL440能够处理电流
高达100 mA的有效值。
应用
大电流可控硅驱动器
固态继电器
开关小型交流负载
机构认证
UL1577 ，文件号。 E52744系统代号H或按J ，双
保护
CSA 93751
DIN EN 60747-5-2 （ VDE 0884 ） / DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
BAB / BSI IEC 60950 ; IEC 60065
订购信息
部分
IL440-4
IL440-5
IL440-6
IL440-4X007
IL440-4X009
IL440-5X006
IL440-5X009
IL440-6X006
IL440-6X007
IL440-6X009
备注
15毫安我
FT
, 400 V V
DRM
， DIP - 6
10毫安我
FT
, 400 V V
DRM
， DIP - 6
5.0毫安我
FT
, 400 V V
DRM
， DIP - 6
15毫安我
FT
, 400 V V
DRM
， SMD - 6 （选项7 ）
15毫安我
FT
, 400 V V
DRM
， SMD - 6 （选件9 ）
10毫安我
FT
, 400 V V
DRM
， DIP - 6 400万（选项6 ）
10毫安我
FT
, 400 V V
DRM
， SMD - 6 （选件9 ）
5.0毫安我
FT
, 400 V V
DRM
， DIP - 6 400万（选项6 ）
5.0毫安我
FT
, 400 V V
DRM
， SMD - 6 （选项7 ）
5.0毫安我
FT
, 400 V V
DRM
， SMD - 6 （选件9 ）
记
有关可用选项的更多信息，请参阅选项的信息。
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IL440
威世半导体
光电耦合器，光敏可控硅输出，
低输入电流
绝对最大额定值
(1)
参数
输入
反向电压
正向电流
浪涌电流
功耗
结温
产量
峰值断态电压
开启状态RMS电流
峰值浪涌电流
峰值通态电流
功耗
结温
耦合器
隔离电压， 1.0秒，每标准
气候23 ℃/ 50 ％ RH ， DIN 50014
爬电距离
间隙距离
绝缘电阻
总功耗
存储温度范围
环境温度
结温
引线焊接温度
(2)
测试条件
部分
符号
V
R
I
F
价值
5.0
60
3.0
100
100
400
400
400
100
1.2
2.0
300
125
单位
V
mA
A
mW
°C
V
V
V
mA
A
A
mW
°C
P.W. < 10微秒
I
FSM
P
DISS
T
j
IL440-4
IL440-5
IL440-6
V
DRM
V
DRM
V
DRM
I
D（ RMS）
I
FSM
I
DRM
P
DISS
T
j
V
ISO
t
p
≤
10毫秒
t
p
/T = 0.01
≤
100 s
5300
≥
7.0
≥
7.0
V
RMS
mm
mm
Ω
Ω
mW
°C
°C
°C
°C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
R
IO
R
IO
P
合计
T
英镑
T
AMB
T
j
≥
10
12
330
≥
10
11
- 55至+ 125
- 40至+ 100
100
260
2.0毫米的情况下，T < 10秒
T
SLD
笔记
(1)
T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定。超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。
该设备的功能操作不是在这些或任何其他条件超出那些在这个业务部门给出的暗示
文档。暴露在绝对最大额定值的时间过长可能产生不利影响的可靠性。
(2)
请参阅回流焊温度曲线的表面贴装器件（ SMD ）焊接条件。请参阅波曲线为通过焊接条件
孔器件（ DIP ） 。
电气特性
参数
输入
正向电压
反向电压
结电容
产量
(2)
峰值通态电压
断态电压临界上升率
耦合器
保持电流
I
F
≥
10毫安，V
S
≥
3.0 V
I
H
1.0
mA
笔记
(1)
T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定。最小值和最大值的测试要求。典型值是特征
设备，并且工程评价的结果。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
(2)
断态输出端电压（见表1）。
I
TM
= 100毫安，我
FT
= 30毫安
I
F
= 0, V
S
= 240 V
RMS
I
F
= 30 mA时， V
S
= 60 V
RMS
V
TM
dV
cr
/ DT
dV
CRQ
/ DT
0.13
1.5
50
0.25
3.0
V
V / μs的
V / μs的
I
F
= 50毫安
I
R
= 10
μA
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
F
V
R
C
j
5.0
50
1.25
V
V
pF
测试条件
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
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2
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IL440
光电耦合器，光敏可控硅输出，
低输入电流
威世半导体
I
FT
和阻断电压选择
BIN号
IL440-4
IL440-5
IL440-6
记
测试电压必须在0.13伏/微秒的dV / dt额定值应用。
B
V
（ V）最大，在我
DRM
±500 nA的
400
400
400
I
FT
最大的V
T
= 6 V ，R
L
= 150
Ω
15
10
5.0
最高安全评级
(1)
参数
输入
(2)
正向电压
产量
功耗
P
S，输出
300
mW
笔记
(1)
根据DIN EN 60747-5-2 （ VDE 0884 ） / DIN EN 60747-5-5待定（见图1 ） 。这个光电耦合器适用于安全的电气隔离
仅在安全评级。遵守安全评级，由适当的保护电路来保证。
(2)
用于防护隔离设备agains最高安全评级中触电。这必须通过保护性保证
电路中的应用。
I
S， INPUT
130
mA
测试条件
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
安全性和绝缘等级
参数
气候分类
（根据IEC 68部分1 ）
污染程度
漏电起痕指数
V
IOTM
V
IORM
在25℃时的绝缘电阻
在T绝缘电阻
S
在100℃下的绝缘电阻
局部放电试验电压
P
SO
I
SI
T
SI
间隙距离
爬电距离
间隙距离
爬电距离
标准DIP - 6
标准DIP - 6
400万DIP - 6
400万DIP - 6
7
7
8
8
V
IO
= 500 V
V
IO
= 500 V
V
IO
= 500 V
方法一，
V
pd
= V
IORM
x 1.875
R
IS
R
IS
R
IS
V
pd
DIN VDE 0109
CTI
175
8000
890
≥
≥
10
12
10
9
V
PEAK
V
PEAK
Ω
Ω
Ω
V
PEAK
mW
mA
°C
mm
mm
mm
mm
测试条件
符号
分钟。
典型值。
55/100/21
2
马克斯。
单位
≥
10
11
1669
500
250
175
记
按照IEC60747-5-2 ， § 7.4.3.8.1 ，这是光电耦合器适用于“安全的电气绝缘”只在安全评级。遵守
安全评级，由prodective电路的装置来保证。
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如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
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3
IL440
威世半导体
光电耦合器，光敏可控硅输出，
低输入电流
包装尺寸
以英寸（毫米）
3
2
1
引脚1号
0.248 (6.30)
0.256 (6.50)
4
5
6
ISO方法A
0.335 (8.50)
0.343 (8.70)
0.039
(1.00)
分钟。
0.048
(0.45)
0.300 (7.62)
典型值。
0.022 (0.55)
0.130 (3.30)
0.150 (3.81)
4°
典型值。
0.031 （ 0.80 ）分。
0.031 (0.80)
0.018 (0.45)
0.022 (0.55)
0.100 （ 2.54 ） TYP 。
i178004
18 °
0.114 (2.90)
0.130 (3.0)
3 ° 9 °
0.010 (0.25)
典型值。
0.300到0.347
（ 7.62至
8.81)
0.035 (0.90)
包装尺寸
以英寸（毫米）
选6
0.407 (10.36)
0.391 (9.96)
0.307 (7.8)
0.291 (7.4)
0.028 (0.7)
分钟。
选7
0.300 (7.62)
典型值。
选择9
0.375 (9.53)
0.395 (10.03 )
0.300 (7.62)
REF 。
0.180 (4.6)
0.160 (4.1) 0.0040 (0.102)
0.0098 (0.249)
0.020 (0.51 )
0.040 (1.02 )
0.315 (8.00)
分钟。
18450
0.315 (8.0)
分钟。
0.014 (0.35)
0.010 (0.25)
0.400 (10.16)
0.430 (10.92)
0.331 (8.4)
分钟。
0.406 (10.3)
马克斯。
0.012 （ 0.30 ） （典型值） 。
15最大。
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如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
文档编号： 83631
修订版1.6 18 -JAN- 08
IL440
光电耦合器，光敏可控硅输出，
低输入电流
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和操作系统的性能
相对于它们对健康和员工的安全和公众，以及它们对环境的影响。
这是特别令人关注，以控制或消除这些物质排放到该被称为臭氧气氛
消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990年）打算严格限制使用消耗臭氧层物质，并禁止其使用
在未来的十年。不同的国家和国际行动正加紧对这些物质的早期禁令。
日前，Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策，以杜绝使用消耗臭氧层物质的上市
下列文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书分别在伦敦修正案的过渡性物质列表。
2. I级和1990年的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质的环境保护局
（EPA）在美国。
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
日前，Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧层物质的生产和做
不含有此类物质。
威世半导体
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每一个客户应用程序被验证
客户。如买方使用威世半导体产品的任何意外或未经授权的应用程序，买方应
赔偿威世半导体的所有索赔，费用，损失，费用，所产生的直接或间接的任何
人身损害，伤害或死亡的索赔等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
文档编号： 83631
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