初步
双LVCMOS / LVTTL至差分
2.5V ， 3.3V ， 5V LVPECL多路复用器
ICS853052
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
该ICS853052是一个双LVCMOS / LVTTL ，用于─
差分2.5V ， 3.3V ， 5V LVPECL多路复用器和
HiPerClockS
在HiPerClockS 系列高成员
Perfor来自IDT曼斯时钟解决方案。该
ICS853052有两个可选的单端时钟
输入。单端时钟输入接受LVCMOS或LVTTL
输入电平，并将其转换为2.5V ， 3.3V或5V LVPECL
的水平。在小尺寸8引脚TSSOP封装或8引脚SOIC封装
使该器件非常适合应用在空间，高
高性能和低功耗是非常重要的。
F
EATURES
一个差分2.5V ， 3.3V或5V输出LVPECL
两个可选的LVCMOS / LVTTL时钟输入
输出频率：待定
附加相位抖动， RMS ： 0.06ps （典型值）
传播延迟： 370ps （典型值）
2.5V ， 3.3V或5V工作电源电压
（经营范围为2.375V至5.5V ）
-40 ° C至85°C的工作环境温度
可用两个标准（ RoHS指令5 ）和无铅（ RoHS指令6 ）
套餐
IC
S
B
LOCK
D
IAGRAM
P
IN
A
SSIGNMENT
nc
Da
Db
SEL
Q
nQ
Da
下拉
1
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
Q
nQ
V
EE
ICS853052
8引脚TSSOP封装， 118万
采用3mm x 3mm X 0.95毫米包体
G封装
顶视图
8引脚SOIC ， 150万
3.90毫米X 4.90毫米X 1.37毫米包体
男包
顶视图
Db
下拉
0
SEL
下拉
本文提供的初步信息代表了在预生产的产物。著名的特点是基于最初的产品特性
和/或资格。集成设备技术公司（ IDT ）保留更改任何电路或规格，恕不另行通知。
IDT
/ ICS
2.5V ， 3.3V ， 5V LVPECL多路复用器
1
ICS853052AG REV 。 B 2007年10月24日
ICS853052
双LVCMOS / LVTTL到差分2.5V ， 3.3V ， 5V LVPECL多路复用器
初步
T
ABLE
1. P
IN
D
ESCRIPTIONS
数
1
2, 3
4
5
6, 7
8
名字
nc
DA ， DB
SEL
V
EE
NQ ，Q
V
CC
输入
输入
动力
产量
动力
TYPE
未使用
描述
无连接。
下拉LVCMOS / LVTTL时钟输入。
选择输入引脚。当高，选择大的输入时钟。
当下拉选择低分贝的输入时钟。
单端LVPECL 100H接口电平。
负电源引脚。
差分输出对。 LVPECL接口电平。
正电源引脚。
注意：
下拉
指的是内部的输入电阻。见表2 ，引脚特性，为典型值。
T
ABLE
2. P
IN
C
极特
符号
C
IN
R
下拉
参数
输入电容
输入下拉电阻
测试条件
最低
典型
1
75
最大
单位
pF
kΩ
T
ABLE
3.
SEL
0
1
C
ONTROL
I
NPUT
F
油膏
T
ABLE
输入
选定的源
Db
Da
IDT
/ ICS
2.5V ， 3.3V ， 5V LVPECL多路复用器
2
ICS853052AG REV 。 B 2007年10月24日
ICS853052
双LVCMOS / LVTTL到差分2.5V ， 3.3V ， 5V LVPECL多路复用器
初步
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
电源电压，V
CC
负电源电压，V
EE
输入，V
I
（ LVPECL模式）
输入，V
I
（ ECL模式）
输出，我
O
连续电流
浪涌电流
贮藏温度，T
英镑
6V （ LVPECL模式下，V
EE
= 0)
-6V （ ECL模式下，V
CC
= 0)
-0.5V到V
CC
+ 0.5 V
0.5V至V
EE
- 0.5V
50mA
100mA
-65 ℃150 ℃的
注意：
强调超越绝对最大上市
额定值可能会导致器件永久性损坏。这些
收视率只是强调规范。功能操作
产品在这些条件或超出这些条件的任何上市
在
DC特性
or
AC特性
是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响产品的可靠性。
工作温度范围， TA -40 ° C至+ 85°C
封装的热阻抗，
θ
JA
101.7 ° C / W （0米/秒）， TSSOP
（结到环境）
112.7 ℃/ W（ 0 LFPM ） SOIC
T
ABLE
4A 。 DC
极特
,
V
CC
= 2.5V; V
EE
= 0V
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IH
参数
电源电流
输出高电压;注1
输出低电压;注1
输入高电压，
单端
输入低电压，单端
输入高电流
1.375
0.605
1.275
0.63
民
-40°C
典型值
21
1.475
0.745
1.58
0.88
1.56
0.965
200
20 0
1.425
0.625
1.275
0.63
马X
民
25°C
典型值
21
1.495
0.72
1.57
0.815
1.56
0.965
200
200
1.495
0.64
1.275
0.63
最大
民
85°C
典型值
21
1.53
0.735
1.565
0.83
-0.83
0.965
20 0
最大
单位
mA
V
V
V
V
A
A
输入低电平电流
200
I
IL
输入和输出参数变种Y 1 ： 1结合V
CC
.
注1 ：输出端接50
Ω
到V
CC
- 2V.
T
ABLE
4B 。 DC
极特
,
V
CC
= 3.3V; V
EE
= 0V
符号参数
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IH
电源电流
输出高电压;注1
输出低电压;注1
输入高电压，单端
输入低电压，单端
输入高电流
2175
1405
2075
1355
民
-40°C
典型值
21
2275
1545
2380
1680
2420
1675
200
20 0
2225
1425
2075
1355
最大
民
25°C
典型值
21
2295
1520
2370
1615
2420
1675
200
200
2295
1440
2075
1355
最大
民
85°C
典型值
21
2330
1535
2365
1630
2420
1675
200
最大
单位
mA
mV
mV
mV
mV
A
A
I
IL
输入低电平电流
200
输入和输出参数发生变化1： 1结合V
CC
.
注1 ：输出端接50
Ω
到V
CC
- 2V.
IDT
/ ICS
2.5V ， 3.3V ， 5V LVPECL多路复用器
3
ICS853052AG REV 。 B 2007年10月24日
ICS853052
双LVCMOS / LVTTL到差分2.5V ， 3.3V ， 5V LVPECL多路复用器
初步
T
ABLE
4C 。 DC
极特
,
V
CC
= 5V; V
EE
= 0V
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IH
参数
电源电流
输出高电压;注1
输出低电压;注1
输入高电压，单端
输入低电压，单端
输入高电流
3875
3105
3775
3055
200
200
民
-40°C
典型值
21
3975
3245
4105
3380
4120
3375
4080
3125
3775
3055
200
最大
民
25°C
典型值
21
3925
3220
3995
3315
4120
3375
4070
3140
3775
3055
200
200
最大
民
85°C
典型值
21
3995
3235
4065
3330
4120
3375
200
最大
单位
mA
mV
mV
mV
mV
A
A
输入低电平电流
I
IL
输入和输出参数发生变化1： 1结合V
CC
.
注1 ：输出端接50
Ω
到V
CC
- 2V.
T
ABLE
4D 。 ECL DC
极特
,
V
CC
= 0V; V
EE
= -5.5V
TO
-2.375V
符号
I
EE
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IH
参数
电源电流
输出高电压;注1
输出低电压;注1
输入高电压，单端
输入低电压，单端
输入高电流
-1125
-1895
-1225
-1945
民
-40°C
典型值
21
-1025
-1755
-920
-1620
-880
-1625
20 0
200
-1075
-1875
-1225
-1945
最大
民
25°C
典型值
21
-1005
-1780
-930
-1685
-880
-1625
200
200
-1005
-1860
-1225
-1945
最大
民
85°C
典型值
21
-970
-1765
-935
-1670
-880
-1625
200
最大
单位
mA
mV
mV
mV
mV
A
A
输入低电平电流
200
I
IL
输入和输出参数发生变化1： 1结合V
CC
.
注1 ：输出端接50
Ω
到V
CC
- 2V.
T
ABLE
5. AC - C
极特
,
V
CC
= 0V; V
EE
= -5.5V
TO
-2.375V
OR
V
CC
= 2.375V
TO
5.5V; V
EE
= 0V
符号
f
最大
参数
-40°C
民
典型值
最大
民
25°C
典型值
最大
民
85°C
典型值
待定
待定
待定
待定
待定
待定
最大
单位
GHz的
ps
ps
ps
ps
ps
输出频率
待定
待定
传输延迟，从低到高;
t
PLH
待定
37 0
注1
传输延时，高至低;
待定
37 0
t
PHL
注1
缓冲添加剂相位抖动，
待定
0.06
t
姬吨
RMS ;请参考附加相位
抖动节
V
PP
输入电压摆幅（差分）
待定
待定
产量
t
R
/t
F
20 ％至80％
待定
180
上升/下降时间
所有参数进行测量
≤
1GHz的，除非另有说明。
注1 ：从V测
CC
输入交叉点的差分输出交叉点/ 2 。
IDT
/ ICS
2.5V ， 3.3V ， 5V LVPECL多路复用器
4
ICS853052AG REV 。 B 2007年10月24日
ICS853052
双LVCMOS / LVTTL到差分2.5V ， 3.3V ， 5V LVPECL多路复用器
初步
A
DDITIVE
P
HASE
J
伊特尔
在一个特定的频带内的频谱纯度从偏移
基本相对于基波的功率被称为
该
dBc的相位噪声。
此值通常表示用
相位噪声图，是最常在许多特定的情节
应用程序。相位噪声定义为噪声功率之比
目前在1Hz的乐队在指定从根本上失调
频率与基波的功率值。这个比例是
以分贝（ dBm的）或功率在1Hz的一个比
0
-10
-20
-30
-40
-50
频带中的根本动力。当所需要的偏移量
被指定时，相位噪声被称为
dBc的
值，这只是
是指在dBm的从根本上指定的偏移量。通过
在频域调查抖动，我们得到一个更好的
其效果超过了所需要的应用程序理解
信号的整个时间记录。这在数学上是可能的
计算给定的相位噪声图的预期的误码率。
添加剂相位抖动
@ 155.52MHz
（ 12kHz至20MHz ） = 0.06ps典型
SSB P
HASE
N
OISE
dBc的/ H
Z
-60
-70
-80
-90
-100
-110
-120
-130
-140
-150
-160
-170
-180
100
-190
1k
10k
100k
1M
10M
100M
O
FFSET
F
只读存储器
C
ARRIER
F
Characteristic低频
(H
Z
)
与大多数时序规范，相位噪声测量
有问题。主要问题涉及到的局限性
设备。常的设备的本底噪声是高于
该装置的本底噪声。这上面的说明。该装置
满足所显示的本底噪声，但实际上可以更低。
相位噪声取决于输入信号源和
测量设备。
IDT
/ ICS
2.5V ， 3.3V ， 5V LVPECL多路复用器
5
ICS853052AG REV 。 B 2007年10月24日
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