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初步
集成
电路
系统公司
ICS8430-51
600MH
Z
, L
OW
J
伊特尔
LVCMOS / LVTTL-
TO
-3.3V LVPECL F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
F
EATURES
双路3.3V的差分LVPECL输出
可选晶体振荡器接口
或LVCMOS / LVTTL TEST_CLK
最大输出频率: 600MHz的
晶振输入频率范围: 14MHz至25MHz的
VCO范围:为200MHz的700MHz的
并行或串行接口进行编程计数器
和输出分频器
RMS周期抖动: 2.6ps (典型值)
周期到周期抖动: 17ps (典型值)
3.3V电源电压
0 ° C至70 ° C的环境工作温度
可应要求提供工业级温度信息
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
该ICS8430-51是一种通用的,双输出
水晶至3.3V的差分LVPECL高频
HiPerClockS
合成器和HiPerClockS的成员
家族高性能时钟解决方案
ICS 。该ICS8430-51有一个可选的TEST_CLK
或晶体输入。 VCO的工作频率范围
为200MHz的700MHz的。与FOUT0配置用于将
VCO频率被2 ,输出频率步长小
2MHz的可使用16MHz的晶体或参考时钟来实现。
FOUT1提供了16和180°相移的附加划分。
输出频率高达600MHz的可用编程
串行或并行接口的配置逻辑。低
该ICS8430-51的抖动和频率范围使它成为理想的
时钟发生器对于大多数时钟树的应用。
,&6
B
LOCK
D
IAGRAM
VCO_SEL
XTAL_SEL
TEST_CLK
XTAL1
OSC
XTAL2
÷
16
1
P
IN
A
SSIGNMENT
VCO_SEL
nP_LOAD
XTAL2
M4
M3
M2
M1
M0
32 31 30 29 28 27 26 25
0
M5
M6
M7
M8
N0
N1
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11 12 13 14 15 16
TEST
V
CC
FOUT1
nFOUT1
V
CCO
FOUT0
nFOUT0
V
EE
24
23
22
XTAL1
TEST_CLK
XTAL_SEL
V
CCA
S_LOAD
S-DATA
S_CLOCK
MR
ICS8430-51
21
20
19
18
17
PLL
相位检测器
MR
÷
M
÷
2
S_LOAD
S-DATA
S_CLOCK
nP_LOAD
M0:M8
N0:N2
CON组fi guration
接口
逻辑
VCO
0
÷
N
1
÷16
N2
V
EE
FOUT0
nFOUT0
FOUT1
nFOUT1
TEST
32引脚LQFP
采用7mm x 7mm X 1.4毫米包体
Y封装
顶视图
本文提供的初步信息代表了原型或试生产的产物。所提到的特征是基于初始
产品特性。集成电路系统公司( ICS)保留更改任何电路或规格,恕不另行通知。
8430AY-51
www.icst.com/products/hiperclocks.html
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REV 。 2003年2月11日
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电路
系统公司
ICS8430-51
600MH
Z
, L
OW
J
伊特尔
LVCMOS / LVTTL-
TO
-3.3V LVPECL F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
F
UNCTIONAL
D
ESCRIPTION
注:以下说明操作使用16MHz晶振的功能描述。为有效的PLL环路分频器的值
不同的晶体或输入频率的输入频率特性,表5中,注1所定义。
该ICS8430-51拥有一个完全集成的PLL ,因此无需外部元件设置循环频带 -
宽度。一种并行谐振的基础晶体被用作输入到芯片上的振荡器。振荡器的输出是
由16之前的鉴相器分。用16MHz晶振,这提供了一个1MHz的参考频率。的压控振荡器
PLL工作在200MHz的范围内为700MHz的的。 M个除法器的输出也被加到相位检测器。
相位检测器和M个分频器,通过调整迫使VCO输出频率为2M倍基准频率
VCO控制电压。需要注意的是对于M的某些值(过高或过低)时,PLL将无法实现锁。的输出
压控振荡器由分离器被发送到每个LVPECL输出缓冲器之前,进行缩放。除法器提供了一个50 %的输出占空比。
该ICS8430-51支持两种输入方式,可编程分频器M和N分频器输出的可编程功能。
两个输入的操作模式是并行和串行。
图1
示出了每种模式的时序图。在并行模式中,
该nP_LOAD输入最初是低。在通过N 2输入M 0至M8和N0的数据被直接传递到M分频器
和N输出分频器。在nP_LOAD输入的低电平到高电平跳变时,数据被锁存, M个分遗骸
加载之前nP_LOAD或直至串行事件发生的下一个低的跳变。其结果是, M和N位可以是
硬连线来设置对M分频器和N分频器输出为将上电时会自动出现一个特定的默认状态。
在并行输入模式下操作时,测试输出为低电平。晶体VCO频率之间的关系,
次数M个分频器的定义如下:
值为fXTAL X 2M
FVCO =
16
M值和M 0的通M8的所需的值示于表3B中,可编程的VCO频率函数表。
有效的M值的量, PLL才能实现锁定的16MHz的基准定义为100
M
350.频出是
德网络定义如下:
FOUT = FVCO =值为fXTAL X 2M
N
16
N
发生串行操作时nP_LOAD为高,并S_LOAD低。该移位寄存器是通过采样S-DATA装
比特与S_CLOCK的上升沿。移位寄存器的内容被装入到M个除法器和N个输出分频器
当从低到高的S_LOAD过渡。在M鸿沟和N分频的输出值被锁存在HIGH到LOW
S_LOAD的过渡。如果S_LOAD保持高电平时,在S-DATA的输入数据被直接传递到M分频器和N个输出
分压器上S_CLOCK的每个上升沿。在串行模式可以用来编程M和N比特和测试位T1和T0的。
内部寄存器T0和T1确定的测试输出的状态如下:
T1
0
0
1
1
T0
0
1
0
1
测试输出
S-DATA
M个分频器输出
CMOS的F out
S
ERIAL
L
OADING
S_CLOCK
S-DATA
t
T1
S
T0
H
N2
N1
N0
M8
M7
M6
M5
M4
M3
M2
M1
M0
t
S_LOAD
nP_LOAD
t
S
P
ARALLEL
L
OADING
M0 : M8 , N0 : N2
M,N
nP_LOAD
t
S
t
H
时间
F
IGURE
1. P
ARALLEL
&放大器; S
ERIAL
L
OAD
O
PERATIONS
*注: NULL时间槽必须遵守。
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, L
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LVCMOS / LVTTL-
TO
-3.3V LVPECL F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
TYPE
输入
输入
输入
输入
动力
产量
动力
产量
动力
产量
描述
T
ABLE
1. P
IN
D
ESCRIPTIONS
1, 2, 3,
28, 29, 30
31, 32,
4
5, 6
7
8, 16
9
10
11, 12
13
14, 15
名字
M5, M6, M7,
M0, M1, M2,
M3, M4
M8
N0, N1
N2
V
EE
TEST
V
CC
FOUT1,
nFOUT1
V
CCO
FOUT0,
nFOUT0
下拉M分频器输入。数据锁存低到高的转变
的nP_LOAD输入。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
上拉
下拉确定输出分频值如表3C定义
功能表。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
上拉
负电源引脚。
测试输出是活跃在运行的串行模式。
输出低电平驱动并联模式。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
核心供电引脚。
差分输出,通过16分频移的合成。
3.3V LVPECL接口电平。
输出电源引脚。
差分输出的合成器。 3.3V LVPECL接口电平。
高电平有效复位硕士。当逻辑高电平时,内部分隔
复位造成真正的输出FOUTx走低, INVER特德
17
MR
输入
下拉输出nFOUTx变高。当逻辑低电平时,内部分隔
并输出被使能。 MR的阿瑟化不影响加载
M,N和T的值。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
时钟在串行数据存在于S-DATA输入到移位regiser
18
S_CLOCK
输入
下拉
上S_CLOCK的上升沿。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
移位寄存器的串行输入。取样的上升沿数据
19
S-DATA
输入
下拉
的S_CLOCK 。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
数据控件从移位寄存器转换成分隔。
20
S_LOAD
输入
下拉
LVCMOS / LVTTL接口电平。
21
V
CCA
动力
模拟电源引脚。
晶体振荡器或测试时钟作为PLL的之间进行选择
22
XTAL_SEL
输入
上拉
引用来源。选择HIGH,当XTAL输入。选择
TEST_CLK时低。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
23
TEST_CLK
输入
下拉测试时钟输入。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
24, 25
XTAL1 , XTAL2
输入
晶体振荡器接口。 XTAL1为输入。 XTAL2为输出。
并行加载输入。确定当数据出现在M8 : M0是
26
nP_LOAD
输入
下拉加载到M个分频器,并且当数据存在于N 2 : N 0套
N个输出分频值。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
确定合成器是否处于PLL或旁路模式。
27
VCO_SEL
输入
上拉
LVCMOS / LVTTL接口电平。
注意:
上拉
下拉
是指内部输入电阻。见表2 ,引脚特性,为典型值。
T
ABLE
2. P
IN
C
极特
符号
C
IN
R
上拉
R
下拉
参数
输入电容
输入上拉电阻
输入下拉电阻
51
51
测试条件
最低
典型
最大
4
单位
pF
K
K
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, L
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LVCMOS / LVTTL-
TO
-3.3V LVPECL F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
T
ABLE
3A 。 P
ARALLEL
S
ERIAL
M
ODE
F
油膏
T
ABLE
输入
条件
S_CLOCK
X
X
X
L
L
X
S-DATA
X
X
X
数据
数据
数据
X
数据
复位。强制输出低电平。
上直接传递到M M和N个输入数据
分频器和N分频器的输出。测试输出被拉低。
数据被锁存到输入寄存器和保持加载
到明年LOW过渡,或者直到一个串口事件发生。
串行输入模式。移位寄存器装入数据
S-DATA上S_CLOCK的每个上升沿。
移位寄存器的内容被传递到
M分频器和N分频器的输出。
M分频器和N分频器的输出值被锁存。
并行或串行输入不影响移位寄存器。
S-DATA直接传递到M分频器,它的时钟频率。
X
X
L
L
L
H
MR
H
L
L
L
L
L
L
nP_LOAD
X
L
H
H
H
H
M
X
数据
数据
X
X
X
X
N
X
数据
数据
X
X
X
X
S_LOAD
L
H
X
X
注:L =低
H = HIGH
X =不关心
=上升沿转变
=下降沿
T
ABLE
3B 。 P
ROGRAMMABLE
VCO F
Characteristic低频
F
油膏
T
ABLE
(注1 )
VCO频率
(兆赫)
200
202
204
206
696
M鸿沟
100
101
102
103
348
256
M8
0
0
0
0
1
128
M7
0
0
0
0
0
64
M6
1
1
1
1
1
32
M5
1
1
1
1
0
16
M4
0
0
0
0
1
8
M3
0
0
0
0
1
4
M2
1
1
1
1
1
2
M1
0
0
1
1
0
1
M0
0
1
0
1
0
1
0
698
349
1
0
1
0
1
1
1
0
700
350
1
0
1
0
1
1
1
1
注1 :这M个分频值,并由此产生的频率对应的CR石英晶体或TEST_CLK输入频率
16MHz.
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Z
, L
OW
J
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LVCMOS / LVTTL-
TO
-3.3V LVPECL F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
FOUT0 , nFOUT0输出频率
(兆赫)
最低
最大
100
350
50
25
12.5
200
100
50
25
175
87.5
43.75
600
350
175
87.5
T
ABLE
3C 。 P
ROGRAMMABLE
O
安输出
D
IVIDER
F
油膏
T
ABLE
输入
N2
0
0
0
0
1
1
1
1
N1
0
0
1
1
0
0
1
1
N0
0
1
0
1
0
1
0
1
N分频器值
2
4
8
16
1
2
4
8
nFOUT0
FOUT0
nFOUT1
FOUT1
F
IGURE
2. FOUT
X
T
即时通信
D
IAGRAM
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Characteristic低频
S
YNTHESIZER
F
EATURES
双路3.3V的差分LVPECL输出
可选晶体振荡器接口
或LVCMOS / LVTTL TEST_CLK
最大输出频率: 600MHz的
晶振输入频率范围: 14MHz至25MHz的
VCO范围:为200MHz的700MHz的
并行或串行接口进行编程计数器
和输出分频器
RMS周期抖动: 2.6ps (典型值)
周期到周期抖动: 17ps (典型值)
3.3V电源电压
0 ° C至70 ° C的环境工作温度
可应要求提供工业级温度信息
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
该ICS8430-51是一种通用的,双输出
水晶至3.3V的差分LVPECL高频
HiPerClockS
合成器和HiPerClockS的成员
家族高性能时钟解决方案
ICS 。该ICS8430-51有一个可选的TEST_CLK
或晶体输入。 VCO的工作频率范围
为200MHz的700MHz的。与FOUT0配置用于将
VCO频率被2 ,输出频率步长小
2MHz的可使用16MHz的晶体或参考时钟来实现。
FOUT1提供了16和180°相移的附加划分。
输出频率高达600MHz的可用编程
串行或并行接口的配置逻辑。低
该ICS8430-51的抖动和频率范围使它成为理想的
时钟发生器对于大多数时钟树的应用。
,&6
B
LOCK
D
IAGRAM
VCO_SEL
XTAL_SEL
TEST_CLK
XTAL1
OSC
XTAL2
÷
16
1
P
IN
A
SSIGNMENT
VCO_SEL
nP_LOAD
XTAL2
M4
M3
M2
M1
M0
32 31 30 29 28 27 26 25
0
M5
M6
M7
M8
N0
N1
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11 12 13 14 15 16
TEST
V
CC
FOUT1
nFOUT1
V
CCO
FOUT0
nFOUT0
V
EE
24
23
22
XTAL1
TEST_CLK
XTAL_SEL
V
CCA
S_LOAD
S-DATA
S_CLOCK
MR
ICS8430-51
21
20
19
18
17
PLL
相位检测器
MR
÷
M
÷
2
S_LOAD
S-DATA
S_CLOCK
nP_LOAD
M0:M8
N0:N2
CON组fi guration
接口
逻辑
VCO
0
÷
N
1
÷16
N2
V
EE
FOUT0
nFOUT0
FOUT1
nFOUT1
TEST
32引脚LQFP
采用7mm x 7mm X 1.4毫米包体
Y封装
顶视图
本文提供的初步信息代表了原型或试生产的产物。所提到的特征是基于初始
产品特性。集成电路系统公司( ICS)保留更改任何电路或规格,恕不另行通知。
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TO
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Characteristic低频
S
YNTHESIZER
F
UNCTIONAL
D
ESCRIPTION
注:以下说明操作使用16MHz晶振的功能描述。为有效的PLL环路分频器的值
不同的晶体或输入频率的输入频率特性,表5中,注1所定义。
该ICS8430-51拥有一个完全集成的PLL ,因此无需外部元件设置循环频带 -
宽度。一种并行谐振的基础晶体被用作输入到芯片上的振荡器。振荡器的输出是
由16之前的鉴相器分。用16MHz晶振,这提供了一个1MHz的参考频率。的压控振荡器
PLL工作在200MHz的范围内为700MHz的的。 M个除法器的输出也被加到相位检测器。
相位检测器和M个分频器,通过调整迫使VCO输出频率为2M倍基准频率
VCO控制电压。需要注意的是对于M的某些值(过高或过低)时,PLL将无法实现锁。的输出
压控振荡器由分离器被发送到每个LVPECL输出缓冲器之前,进行缩放。除法器提供了一个50 %的输出占空比。
该ICS8430-51支持两种输入方式,可编程分频器M和N分频器输出的可编程功能。
两个输入的操作模式是并行和串行。
图1
示出了每种模式的时序图。在并行模式中,
该nP_LOAD输入最初是低。在通过N 2输入M 0至M8和N0的数据被直接传递到M分频器
和N输出分频器。在nP_LOAD输入的低电平到高电平跳变时,数据被锁存, M个分遗骸
加载之前nP_LOAD或直至串行事件发生的下一个低的跳变。其结果是, M和N位可以是
硬连线来设置对M分频器和N分频器输出为将上电时会自动出现一个特定的默认状态。
在并行输入模式下操作时,测试输出为低电平。晶体VCO频率之间的关系,
次数M个分频器的定义如下:
值为fXTAL X 2M
FVCO =
16
M值和M 0的通M8的所需的值示于表3B中,可编程的VCO频率函数表。
有效的M值的量, PLL才能实现锁定的16MHz的基准定义为100
M
350.频出是
德网络定义如下:
FOUT = FVCO =值为fXTAL X 2M
N
16
N
发生串行操作时nP_LOAD为高,并S_LOAD低。该移位寄存器是通过采样S-DATA装
比特与S_CLOCK的上升沿。移位寄存器的内容被装入到M个除法器和N个输出分频器
当从低到高的S_LOAD过渡。在M鸿沟和N分频的输出值被锁存在HIGH到LOW
S_LOAD的过渡。如果S_LOAD保持高电平时,在S-DATA的输入数据被直接传递到M分频器和N个输出
分压器上S_CLOCK的每个上升沿。在串行模式可以用来编程M和N比特和测试位T1和T0的。
内部寄存器T0和T1确定的测试输出的状态如下:
T1
0
0
1
1
T0
0
1
0
1
测试输出
S-DATA
M个分频器输出
CMOS的F out
S
ERIAL
L
OADING
S_CLOCK
S-DATA
t
T1
S
T0
H
N2
N1
N0
M8
M7
M6
M5
M4
M3
M2
M1
M0
t
S_LOAD
nP_LOAD
t
S
P
ARALLEL
L
OADING
M0 : M8 , N0 : N2
M,N
nP_LOAD
t
S
t
H
时间
F
IGURE
1. P
ARALLEL
&放大器; S
ERIAL
L
OAD
O
PERATIONS
*注: NULL时间槽必须遵守。
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2
REV 。 2003年2月11日
初步
集成
电路
系统公司
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Z
, L
OW
J
伊特尔
LVCMOS / LVTTL-
TO
-3.3V LVPECL F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
TYPE
输入
输入
输入
输入
动力
产量
动力
产量
动力
产量
描述
T
ABLE
1. P
IN
D
ESCRIPTIONS
1, 2, 3,
28, 29, 30
31, 32,
4
5, 6
7
8, 16
9
10
11, 12
13
14, 15
名字
M5, M6, M7,
M0, M1, M2,
M3, M4
M8
N0, N1
N2
V
EE
TEST
V
CC
FOUT1,
nFOUT1
V
CCO
FOUT0,
nFOUT0
下拉M分频器输入。数据锁存低到高的转变
的nP_LOAD输入。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
上拉
下拉确定输出分频值如表3C定义
功能表。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
上拉
负电源引脚。
测试输出是活跃在运行的串行模式。
输出低电平驱动并联模式。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
核心供电引脚。
差分输出,通过16分频移的合成。
3.3V LVPECL接口电平。
输出电源引脚。
差分输出的合成器。 3.3V LVPECL接口电平。
高电平有效复位硕士。当逻辑高电平时,内部分隔
复位造成真正的输出FOUTx走低, INVER特德
17
MR
输入
下拉输出nFOUTx变高。当逻辑低电平时,内部分隔
并输出被使能。 MR的阿瑟化不影响加载
M,N和T的值。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
时钟在串行数据存在于S-DATA输入到移位regiser
18
S_CLOCK
输入
下拉
上S_CLOCK的上升沿。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
移位寄存器的串行输入。取样的上升沿数据
19
S-DATA
输入
下拉
的S_CLOCK 。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
数据控件从移位寄存器转换成分隔。
20
S_LOAD
输入
下拉
LVCMOS / LVTTL接口电平。
21
V
CCA
动力
模拟电源引脚。
晶体振荡器或测试时钟作为PLL的之间进行选择
22
XTAL_SEL
输入
上拉
引用来源。选择HIGH,当XTAL输入。选择
TEST_CLK时低。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
23
TEST_CLK
输入
下拉测试时钟输入。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
24, 25
XTAL1 , XTAL2
输入
晶体振荡器接口。 XTAL1为输入。 XTAL2为输出。
并行加载输入。确定当数据出现在M8 : M0是
26
nP_LOAD
输入
下拉加载到M个分频器,并且当数据存在于N 2 : N 0套
N个输出分频值。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
确定合成器是否处于PLL或旁路模式。
27
VCO_SEL
输入
上拉
LVCMOS / LVTTL接口电平。
注意:
上拉
下拉
是指内部输入电阻。见表2 ,引脚特性,为典型值。
T
ABLE
2. P
IN
C
极特
符号
C
IN
R
上拉
R
下拉
参数
输入电容
输入上拉电阻
输入下拉电阻
51
51
测试条件
最低
典型
最大
4
单位
pF
K
K
8430AY-51
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3
REV 。 2003年2月11日
初步
集成
电路
系统公司
ICS8430-51
600MH
Z
, L
OW
J
伊特尔
LVCMOS / LVTTL-
TO
-3.3V LVPECL F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
T
ABLE
3A 。 P
ARALLEL
S
ERIAL
M
ODE
F
油膏
T
ABLE
输入
条件
S_CLOCK
X
X
X
L
L
X
S-DATA
X
X
X
数据
数据
数据
X
数据
复位。强制输出低电平。
上直接传递到M M和N个输入数据
分频器和N分频器的输出。测试输出被拉低。
数据被锁存到输入寄存器和保持加载
到明年LOW过渡,或者直到一个串口事件发生。
串行输入模式。移位寄存器装入数据
S-DATA上S_CLOCK的每个上升沿。
移位寄存器的内容被传递到
M分频器和N分频器的输出。
M分频器和N分频器的输出值被锁存。
并行或串行输入不影响移位寄存器。
S-DATA直接传递到M分频器,它的时钟频率。
X
X
L
L
L
H
MR
H
L
L
L
L
L
L
nP_LOAD
X
L
H
H
H
H
M
X
数据
数据
X
X
X
X
N
X
数据
数据
X
X
X
X
S_LOAD
L
H
X
X
注:L =低
H = HIGH
X =不关心
=上升沿转变
=下降沿
T
ABLE
3B 。 P
ROGRAMMABLE
VCO F
Characteristic低频
F
油膏
T
ABLE
(注1 )
VCO频率
(兆赫)
200
202
204
206
696
M鸿沟
100
101
102
103
348
256
M8
0
0
0
0
1
128
M7
0
0
0
0
0
64
M6
1
1
1
1
1
32
M5
1
1
1
1
0
16
M4
0
0
0
0
1
8
M3
0
0
0
0
1
4
M2
1
1
1
1
1
2
M1
0
0
1
1
0
1
M0
0
1
0
1
0
1
0
698
349
1
0
1
0
1
1
1
0
700
350
1
0
1
0
1
1
1
1
注1 :这M个分频值,并由此产生的频率对应的CR石英晶体或TEST_CLK输入频率
16MHz.
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600MH
Z
, L
OW
J
伊特尔
LVCMOS / LVTTL-
TO
-3.3V LVPECL F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
FOUT0 , nFOUT0输出频率
(兆赫)
最低
最大
100
350
50
25
12.5
200
100
50
25
175
87.5
43.75
600
350
175
87.5
T
ABLE
3C 。 P
ROGRAMMABLE
O
安输出
D
IVIDER
F
油膏
T
ABLE
输入
N2
0
0
0
0
1
1
1
1
N1
0
0
1
1
0
0
1
1
N0
0
1
0
1
0
1
0
1
N分频器值
2
4
8
16
1
2
4
8
nFOUT0
FOUT0
nFOUT1
FOUT1
F
IGURE
2. FOUT
X
T
即时通信
D
IAGRAM
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