IXFR16N120P
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
Gi
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
乡镇卫生院
0.15
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 8A
门输入电阻
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
V
DS
= 20V ，我
D
= 8A ，注1
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
7
11
6900
390
48
1.4
35
28
66
35
120
37
47
S
pF
pF
pF
Ω
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.54
° C / W
° C / W
ISOPLUS247 （ IXFR ）大纲
电阻开关时间
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 8A
R
G
= 2Ω （外部）
源极 - 漏极二极管
T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
V
GS
= 0V
重复，脉冲宽度为T有限公司
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0V ，说明1
I
F
= 8A ， -di / DT = 100A / μs的
V
R
= 100V, V
GS
= 0V
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
16
64
1.5
300
0.75
7.5
A
A
V
ns
μC
A
注1 ：脉冲检验，t
≤
300μS ;占空比D
≤
2%.
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT覆盖
4,835,592
由一个或moreof以下美国专利： 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405 B2
6,710,463
6,727,585
7,005,734 B2
6,759,692
7,063,975 B2
6,771,478 B2 7,071,537
7,157,338B2
IXFR16N120P
图。 7.输入导纳
16
14
12
T
J
= 125C
25C
- 40C
图。 8.跨导
18
16
14
T
J
= - 40C
10
8
6
4
2
0
3.5
4.0
4.5
5.0
g
F小号
- 西门子
I
D
- 安培
12
10
8
6
4
2
0
25C
125C
5.5
6.0
6.5
7.0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
V
GS
- 伏特
I
D
- 安培
图。 9.正向电压降
征二极管
50
45
40
35
图。 10.栅极电荷
10
9
8
7
V
DS
= 600V
I
D
= 8A
I
G
= 10毫安
I
S
- 安培
V
GS
- 伏特
T
J
= 125C
T
J
= 25C
30
25
20
15
10
5
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
6
5
4
3
2
1
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100 110 120 130
V
SD
- 伏特
Q
G
- nanocoulombs
图。 11.电容
100,000
图。 12.最大瞬态热
阻抗
1.00
f
= 1兆赫
电容 - 皮法
10,000
西塞
1,000
Z
（日） JC
- C / W
30
35
40
科斯
0.10
100
CRSS
10
0
5
10
15
20
25
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V
DS
- 伏特
脉冲宽度 - 秒
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS REF ： F_16N120P （ 85 ） 08年4月3日-A
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