集成
电路
系统公司
ICS83840
DDR SDRAM MUX
F
EATURES
40低偏斜单端DIMM接口
4 SSTL - 2兼容使能输入
最高开关速度：为3ns
输出偏斜： 120ps （最大）
银行歪斜： 45ps （最大）
r
on
= 8Ω （典型值）
全2.5V供电方式
0 ° C至70 ° C的环境工作温度
引脚与CBTV4010兼容
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
该ICS83840是DDR SDRAM MUX ，是
在HiPerClock S系列高成员
HiPerClockS
从ICS性能的时钟解决方案。该
装置有10个主机线和每个主机可以行
被传递到4数据端口。 10个通道
分配在DDR SDRAM应用如下： 8个数据
线， 1选通线和1 DQM线。主机/数据端口是
与单端SSTL- 2和设备兼容能操作
阿泰从一个2.5V电源。
ICS
保证低输出偏斜，使ICS83840理想
要求苛刻的应用程序需要明确界定perfor-
曼斯和可重复性。
S
IMPLIFIED
S
电气原理
L
逻辑
D
IAGRAM
HP0
R
ON
Sw
Sw
Sw
0DP0
1DP0
2DP0
Sw
3DP0
HPX
nDPx
400
HP9
R
ON
Sw
Sw
Sw
Sw
0DP9
1DP9
2DP9
3DP9
NSN
SW
nS0
nS1
nS2
P
IN
A
SSIGNMENT
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
2DP 9
1DP9
0DP9
1DP8
0DP8
3DP7
V
DD
nS2
nc
nS3
4
GND
2
NS 1
V
DD
nS3
GND
3DP9
HP9
3DP8
2DP8
HP8
GND
2DP7
3
nc
nS0
5
1DP0
0DP0
6
2DP0
HP0
7
3DP0
0DP1
8
1DP1
9
2DP1
HP1
10
3DP1
GND
惠普2
3DP2
0DP3
HP 3
GND
0DP4
惠普4
11
0DP2
1DP2
2DP2
1DP3
2DP3
3DP3
1DP4
2DP4
0DP5
REV 。一2003年12月22日
ICS83840
64球TFBGA
采用7mm x 7mm X 1.2毫米
包体
H封装
顶视图
惠普7
1DP7
0DP7
3DP6
2DP6
HP6
1DP6
GND
0DP6
3DP5
HP5
2DP5
3DP4
1DP5
83840AH
www.icst.com/products/hiperclocks.html
1
集成
电路
系统公司
ICS83840
DDR SDRAM MUX
T
ABLE
1. P
IN
D
ESCRIPTIONS
数
A1 ， B2
B4 ，B10， D 2， G10 ，K2， K7
A 3 ，C 1
A2，B1 ，C2， B3的
B6， B9 ，C10， F2 ，F10，
J2， J10 ，K3， K6 ，K9
A5，A6， A7 ，B5
A9， A10， B7，B8
A11， B11 ，C11， D10的
E10 ， E11 ， F11 ， G11
H10 ， J11 ， K10 ， K11
K8 ， L9 ， L10 ， L11
K5 ，L5，L6 ，L7
K4中，L1 ，L2，L3
G 2 ，H 2， J1， K1
E1，E2， F1， G1
名字
V
DD
GN
nc
60034-1 ， NS2，NS3， NS0
HP0 ， HP1 ， HP2 ， HP9 ， HP3 ，
HP8 ， HP4 ， HP7 ， HP6 ， HP5
1DP0 ， 2DP0 ， 3DP0 ， 0DP0
2DP1 ， 3DP1 ， 0DP1 ， 1DP1
0DP2 ， 1DP2 ， 2DP2 ， 3DP2
ODP3 ， 1DP3 ， 2DP3 ， 3DP3
0DP4 ， 1DP4 ， 3DP4 ， 2DP4
3DP5 ， 2DP5 ， 1DP5 ， 0DP5
3DP6 ， 2DP6 ， 1DP6 ， 0DP6
0DP7 ， 3DP7 ， 2DP7 ， 1DP7
3DP8 ， 2DP8 ， 1DP8 ， 0DP8
2DP9 ， 3DP9 ， 1DP9 ， 0DP9
TYPE
动力
动力
未使用
POR牛逼
POR牛逼
POR牛逼
POR牛逼
POR牛逼
POR牛逼
POR牛逼
POR牛逼
POR牛逼
POR牛逼
POR牛逼
POR牛逼
描述
正电源引脚。
电源接地。
无连接。
选择引脚。
主机POR TS 。
DIMM POR TS 。
DIMM POR TS 。
DIMM POR TS 。
DIMM POR TS 。
DIMM POR TS 。
DIMM POR TS 。
DIMM POR TS 。
DIMM POR TS 。
DIMM POR TS 。
DIMM POR TS 。
T
ABLE
2. P
IN
C
极特
符号参数
C
IN
C
ON
输入电容
通道导通电容
NSX
惠普X
测试条件
V
I
= 0V或V
DD
V
IN
= 1.5V
最低
典型
最大
5
12
单位
pF
pF
注：电容值在10MHz和偏置电压3V测量。电容是不是生产测试。
T
ABLE
3. F
油膏
T
ABLE
控制输入
NSX
L
H
功能
主持人POR T = DIMM POR吨
主持人POR T =断开
DIMM POR T = 400
到GND
83840AH
www.icst.com/products/hiperclocks.html
2
REV 。一2003年12月22日
集成
电路
系统公司
ICS83840
DDR SDRAM MUX
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
电源电压，V
DD
输入，V
I
端口
直流输入钳位电流，我
IK
封装的热阻抗，
θ
JA
贮藏温度，T
英镑
-50mA
50.04 ℃/ W（ 0多功能一体机）
-65 ℃150 ℃的
-0.5V至+ 3.3V
-0.3V到V
DD
+ 0.3 V
注：如果运行条件超出绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这些评价只强调规范。实用
产物在这些条件下或在任何条件操作BE-
彼处那些在上市
DC特性
or
AC Character-
istics
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响产品的可靠性。
T
ABLE
4A 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= 2.5V ± 0.2V ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号参数
V
DD
I
DD
正电源电压
电源电流
测试条件
最低
2.3
典型
2.5
最大
2.7
50
单位
V
A
T
ABLE
4B 。 DC
极特
,
V
DD
= 2.5V ± 0.2V ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号参数
V
IH
V
IL
V
IK
I
L
输入高电压
输入低电压
输入钳位电压
NSX
输入漏
当前
主机POR吨
DIMM POR吨
r
ON
导通电阻;注1
NSX
NSX
V
DD
= 2.3V ;我
I
= -18mA
V
DD
= 2.5V; V
I
= V
DD
或GND ;
纳秒= V
DD
纳秒= GND为我
白细胞介素（测试）
V
DD
= 2.5V; V
A
= 0.8V; V
B
= 1.0V
5
8
测试条件
最低
1.6
0.9
-1.2
±100
±100
±100
13
典型
最大
单位
V
V
V
A
A
A
5
8
13
V
DD
= 2.5V; V
A
= 1.7V; V
B
= 1.5V
注1 ：测量由所述主机和所述DIMM的端子之间的电流在所指示的电压在每一侧
交换机。
T
ABLE
5. AC - C
极特
,
V
DD
= 2.5V ± 0.2V ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号参数
测试条件
最小典型最大单位
传播延迟;
从HPX或xDPx到
t
PD
85
150
220
ps
注1 ，4-
xDPx或HPX
产量
从NSX到
1.7
ns
t
EN
启用时间
HPX或nDPx
产量
从NSX到
t
DIS
1.6
ns
禁止时间
HPX或nDPx
输出偏斜;
任何POR吨至任何POR吨
120
ps
t
OSK
注2 ，4-
银行倾斜;
任何POR吨至任何POR吨
45
ps
t
BSK
注3,4
在同一家银行
注1 ：从V测
DD
输入到V / 2的
DD
输出的/ 2 。
注2 ：定义为输出之间的偏移，在相同的电源电压，并以相等的负载条件。测量V
DDO
/2.
注3 ：银行具有相同负载条件中定义的扭曲。
注4 ：未经生产测试，性能可以保证。
83840AH
www.icst.com/products/hiperclocks.html
3
REV 。一2003年12月22日
集成
电路
系统公司
ICS83840
DDR SDRAM MUX
P
ARAMETER
M
EASUREMENT
I
载文信息
V
DD
= 1.25V ± 0.1V
V
DD
范围
nDPx
V
DD
2
LVCMOS
GND
Qx
V
DD
nDPy
2
t
SK （ O）
-1.25V ± 0.1V
该电路仅用于测试目的，
不
适用于应用程序的使用。
2.5V
安输出
L
OAD
AC牛逼
美东时间
C
IRCUIT
O
安输出
S
KEW
XDP0 ： XDP9
V
DD
2
Sn
（低电平
使能）
2.5V
1.25V
1.25V
0V
XDP0 ： XDP9
V
DD
2
t
SK （ O）
t
PZH
→
输出nDPx
（见注）
1.25V
t
PHZ
→
←
V
OH
V
OH
- 0.15V
V
OL
注：输出为高，除去由锡控制禁用时。
B
ANK
S
KEW
(
其中X表示在同一组的输出
)
3-S
TATE
O
安输出
E
NABLE
/D
ISABLE
T
IMES
△或▽
V
DD
2
H或D，
t
PD
V
DD
2
P
ROPAGATION
D
ELAY
83840AH
www.icst.com/products/hiperclocks.html
4
REV 。一2003年12月22日
集成
电路
系统公司
ICS83840
DDR SDRAM MUX
R
ELIABILITY
I
载文信息
T
ABLE
6.
θ
JA
VS
. A
IR
F
低
T
ABLE
θ
JA
通过速度（每秒毫米英尺）
0
双层PCB板， JEDEC标准测试板
50.04°C/W
1
43.18°C/W
2
41.17°C/W
注意：
大多数现代PCB设计使用多层电路板。在第二行中的数据涉及到大多数设计。
T
RANSISTOR
C
'mount
晶体管数量为ICS83840是： 320
83840AH
www.icst.com/products/hiperclocks.html
5
REV 。一2003年12月22日
集成
电路
系统公司
ICS83840
DDR SDRAM MUX
F
EATURES
40低偏斜单端DIMM接口
4 SSTL - 2兼容使能输入
最高开关速度：为3ns
输出偏斜： 120ps （最大）
银行歪斜： 45ps （最大）
r
on
= 8Ω （典型值）
全2.5V供电方式
0 ° C至70 ° C的环境工作温度
引脚与CBTV4010兼容
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
该ICS83840是DDR SDRAM MUX ，是
在HiPerClock S系列高成员
HiPerClockS
从ICS性能的时钟解决方案。该
装置有10个主机线和每个主机可以行
被传递到4数据端口。 10个通道
分配在DDR SDRAM应用如下： 8个数据
线， 1选通线和1 DQM线。主机/数据端口是
与单端SSTL- 2和设备兼容能操作
阿泰从一个2.5V电源。
ICS
保证低输出偏斜，使ICS83840理想
要求苛刻的应用程序需要明确界定perfor-
曼斯和可重复性。
S
IMPLIFIED
S
电气原理
L
逻辑
D
IAGRAM
HP0
R
ON
Sw
Sw
Sw
0DP0
1DP0
2DP0
Sw
3DP0
HPX
nDPx
400
HP9
R
ON
Sw
Sw
Sw
Sw
0DP9
1DP9
2DP9
3DP9
NSN
SW
nS0
nS1
nS2
P
IN
A
SSIGNMENT
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
2DP 9
1DP9
0DP9
1DP8
0DP8
3DP7
V
DD
nS2
nc
nS3
4
GND
2
NS 1
V
DD
nS3
GND
3DP9
HP9
3DP8
2DP8
HP8
GND
2DP7
3
nc
nS0
5
1DP0
0DP0
6
2DP0
HP0
7
3DP0
0DP1
8
1DP1
9
2DP1
HP1
10
3DP1
GND
惠普2
3DP2
0DP3
HP 3
GND
0DP4
惠普4
11
0DP2
1DP2
2DP2
1DP3
2DP3
3DP3
1DP4
2DP4
0DP5
REV 。一2003年12月22日
ICS83840
64球TFBGA
采用7mm x 7mm X 1.2毫米
包体
H封装
顶视图
惠普7
1DP7
0DP7
3DP6
2DP6
HP6
1DP6
GND
0DP6
3DP5
HP5
2DP5
3DP4
1DP5
83840AH
www.icst.com/products/hiperclocks.html
1
集成
电路
系统公司
ICS83840
DDR SDRAM MUX
T
ABLE
1. P
IN
D
ESCRIPTIONS
数
A1 ， B2
B4 ，B10， D 2， G10 ，K2， K7
A 3 ，C 1
A2，B1 ，C2， B3的
B6， B9 ，C10， F2 ，F10，
J2， J10 ，K3， K6 ，K9
A5，A6， A7 ，B5
A9， A10， B7，B8
A11， B11 ，C11， D10的
E10 ， E11 ， F11 ， G11
H10 ， J11 ， K10 ， K11
K8 ， L9 ， L10 ， L11
K5 ，L5，L6 ，L7
K4中，L1 ，L2，L3
G 2 ，H 2， J1， K1
E1，E2， F1， G1
名字
V
DD
GN
nc
60034-1 ， NS2，NS3， NS0
HP0 ， HP1 ， HP2 ， HP9 ， HP3 ，
HP8 ， HP4 ， HP7 ， HP6 ， HP5
1DP0 ， 2DP0 ， 3DP0 ， 0DP0
2DP1 ， 3DP1 ， 0DP1 ， 1DP1
0DP2 ， 1DP2 ， 2DP2 ， 3DP2
ODP3 ， 1DP3 ， 2DP3 ， 3DP3
0DP4 ， 1DP4 ， 3DP4 ， 2DP4
3DP5 ， 2DP5 ， 1DP5 ， 0DP5
3DP6 ， 2DP6 ， 1DP6 ， 0DP6
0DP7 ， 3DP7 ， 2DP7 ， 1DP7
3DP8 ， 2DP8 ， 1DP8 ， 0DP8
2DP9 ， 3DP9 ， 1DP9 ， 0DP9
TYPE
动力
动力
未使用
POR牛逼
POR牛逼
POR牛逼
POR牛逼
POR牛逼
POR牛逼
POR牛逼
POR牛逼
POR牛逼
POR牛逼
POR牛逼
POR牛逼
描述
正电源引脚。
电源接地。
无连接。
选择引脚。
主机POR TS 。
DIMM POR TS 。
DIMM POR TS 。
DIMM POR TS 。
DIMM POR TS 。
DIMM POR TS 。
DIMM POR TS 。
DIMM POR TS 。
DIMM POR TS 。
DIMM POR TS 。
DIMM POR TS 。
T
ABLE
2. P
IN
C
极特
符号参数
C
IN
C
ON
输入电容
通道导通电容
NSX
惠普X
测试条件
V
I
= 0V或V
DD
V
IN
= 1.5V
最低
典型
最大
5
12
单位
pF
pF
注：电容值在10MHz和偏置电压3V测量。电容是不是生产测试。
T
ABLE
3. F
油膏
T
ABLE
控制输入
NSX
L
H
功能
主持人POR T = DIMM POR吨
主持人POR T =断开
DIMM POR T = 400
到GND
83840AH
www.icst.com/products/hiperclocks.html
2
REV 。一2003年12月22日
集成
电路
系统公司
ICS83840
DDR SDRAM MUX
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
电源电压，V
DD
输入，V
I
端口
直流输入钳位电流，我
IK
封装的热阻抗，
θ
JA
贮藏温度，T
英镑
-50mA
50.04 ℃/ W（ 0多功能一体机）
-65 ℃150 ℃的
-0.5V至+ 3.3V
-0.3V到V
DD
+ 0.3 V
注：如果运行条件超出绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这些评价只强调规范。实用
产物在这些条件下或在任何条件操作BE-
彼处那些在上市
DC特性
or
AC Character-
istics
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响产品的可靠性。
T
ABLE
4A 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= 2.5V ± 0.2V ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号参数
V
DD
I
DD
正电源电压
电源电流
测试条件
最低
2.3
典型
2.5
最大
2.7
50
单位
V
A
T
ABLE
4B 。 DC
极特
,
V
DD
= 2.5V ± 0.2V ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号参数
V
IH
V
IL
V
IK
I
L
输入高电压
输入低电压
输入钳位电压
NSX
输入漏
当前
主机POR吨
DIMM POR吨
r
ON
导通电阻;注1
NSX
NSX
V
DD
= 2.3V ;我
I
= -18mA
V
DD
= 2.5V; V
I
= V
DD
或GND ;
纳秒= V
DD
纳秒= GND为我
白细胞介素（测试）
V
DD
= 2.5V; V
A
= 0.8V; V
B
= 1.0V
5
8
测试条件
最低
1.6
0.9
-1.2
±100
±100
±100
13
典型
最大
单位
V
V
V
A
A
A
5
8
13
V
DD
= 2.5V; V
A
= 1.7V; V
B
= 1.5V
注1 ：测量由所述主机和所述DIMM的端子之间的电流在所指示的电压在每一侧
交换机。
T
ABLE
5. AC - C
极特
,
V
DD
= 2.5V ± 0.2V ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号参数
测试条件
最小典型最大单位
传播延迟;
从HPX或xDPx到
t
PD
85
150
220
ps
注1 ，4-
xDPx或HPX
产量
从NSX到
1.7
ns
t
EN
启用时间
HPX或nDPx
产量
从NSX到
t
DIS
1.6
ns
禁止时间
HPX或nDPx
输出偏斜;
任何POR吨至任何POR吨
120
ps
t
OSK
注2 ，4-
银行倾斜;
任何POR吨至任何POR吨
45
ps
t
BSK
注3,4
在同一家银行
注1 ：从V测
DD
输入到V / 2的
DD
输出的/ 2 。
注2 ：定义为输出之间的偏移，在相同的电源电压，并以相等的负载条件。测量V
DDO
/2.
注3 ：银行具有相同负载条件中定义的扭曲。
注4 ：未经生产测试，性能可以保证。
83840AH
www.icst.com/products/hiperclocks.html
3
REV 。一2003年12月22日
集成
电路
系统公司
ICS83840
DDR SDRAM MUX
P
ARAMETER
M
EASUREMENT
I
载文信息
V
DD
= 1.25V ± 0.1V
V
DD
范围
nDPx
V
DD
2
LVCMOS
GND
Qx
V
DD
nDPy
2
t
SK （ O）
-1.25V ± 0.1V
该电路仅用于测试目的，
不
适用于应用程序的使用。
2.5V
安输出
L
OAD
AC牛逼
美东时间
C
IRCUIT
O
安输出
S
KEW
XDP0 ： XDP9
V
DD
2
Sn
（低电平
使能）
2.5V
1.25V
1.25V
0V
XDP0 ： XDP9
V
DD
2
t
SK （ O）
t
PZH
→
输出nDPx
（见注）
1.25V
t
PHZ
→
←
V
OH
V
OH
- 0.15V
V
OL
注：输出为高，除去由锡控制禁用时。
B
ANK
S
KEW
(
其中X表示在同一组的输出
)
3-S
TATE
O
安输出
E
NABLE
/D
ISABLE
T
IMES
△或▽
V
DD
2
H或D，
t
PD
V
DD
2
P
ROPAGATION
D
ELAY
83840AH
www.icst.com/products/hiperclocks.html
4
REV 。一2003年12月22日
集成
电路
系统公司
ICS83840
DDR SDRAM MUX
R
ELIABILITY
I
载文信息
T
ABLE
6.
θ
JA
VS
. A
IR
F
低
T
ABLE
θ
JA
通过速度（每秒毫米英尺）
0
双层PCB板， JEDEC标准测试板
50.04°C/W
1
43.18°C/W
2
41.17°C/W
注意：
大多数现代PCB设计使用多层电路板。在第二行中的数据涉及到大多数设计。
T
RANSISTOR
C
'mount
晶体管数量为ICS83840是： 320
83840AH
www.icst.com/products/hiperclocks.html
5
REV 。一2003年12月22日
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