集成
电路
系统公司
ICS8312
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-12
LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
F
EATURES
12 LVCMOS / LVTTL输出
LVCMOS / LVTTL时钟输入
最大输出频率： 250MHz的
输出偏斜： 150ps的（最大）
工作电源模式：
核心/输出
3.3V/3.3V,
2.5V/2.5V,
1.8V/1.8V,
3.3V/2.5V,
3.3V/1.8V,
2.5V/1.8V
0 ° C至85°C的工作环境温度
无铅封装
可应要求提供工业级温度信息
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
该ICS8312是一种低歪斜， 1至12 LVCMOS /
LVTTL扇出缓冲器和的一员
HiPerClockS
HiPerClocks 系列高性能时钟
从IC解决方案。该ICS8312单端
时钟输入接受LVCMOS或LVTTL输入列弗
ELS 。低阻抗LVCMOS输出被设计成
驱动50Ω串联或并联端接传输线。该
有效的扇出可以从12增加到24 ，利用
输出来驱动两个串联的能力，终止线。
ICS
该ICS8312的特点是在全3.3V ， 2.5V和1.8V ，
混合3.3V / 2.5V ， 3.3V / 1.8V和2.5V / 1.8V输出工作
供应模式。保证输出部分，以部分煤焦歪斜
Cucumis Sativus查阅全文连同1.8V输出能力使得
ICS8312非常适用于高性能，单端应用
系统蒸发散，也需要限制输出电压。
B
LOCK
D
IAGRAM
P
IN
A
SSIGNMENT
GND
GND
V
DDO
V
DDO
Q0
Q1
Q2
Q3
CLK_EN
nD
Q
LE
12
GND
V
DD
Q0:Q11
CLK_EN
CLK
GND
OE
V
DD
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
32 31 30 29 28 27 26 25
24
23
22
Q4
V
DDO
Q5
GND
Q6
V
DDO
Q7
GND
CLK
ICS8312
21
20
19
18
17
OE
9 10 11 12 13 14 15 16
Q11
V
DDO
Q10
GND
Q9
V
DDO
Q8
GND
32引脚LQFP
采用7mm x 7mm X 1.4毫米体封装
Pacakge
顶视图
8312AY
http://www.icst.com/products/hiperclocks.html
1
REV 。 2004年6月14日
集成
电路
系统公司
ICS8312
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-12
LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
TYPE
动力
动力
输入
输入
输入
描述
电源接地。
核心供电引脚。
同步控制启用和禁用时钟输出。
上拉
LVCMOS / LVTTL接口电平。
下拉时钟输入。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
输出使能。控制启用和禁用输出
上拉
Q0通Q11 。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
T
ABLE
1. P
IN
D
ESCRIPTIONS
数
1, 5, 8, 12,
16, 17, 21,
25, 29
2, 7
3
4
6
名字
GND
V
DD
CLK_EN
CLK
OE
9, 11, 13, 15,
Q11, Q10, Q9, Q8,
18, 20, 22,
Q7, Q6, Q5,
产量
Q0通Q11输出。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
24, 26, 28,
Q4, Q3, Q2,
30, 32
Q1, Q0
10, 14, 19,
V
DDO
动力
输出电源引脚。
23, 27, 31
注意：
上拉
和
下拉
是指内部输入电阻。见表2 ，引脚特性，为典型值。
T
ABLE
2. P
IN
C
极特
符号
C
IN
C
PD
R
上拉
R
下拉
R
OUT
参数
输入电容
功率耗散电容
（每路输出）
输入上拉电阻
输入下拉电阻
V
DDO
= 3.3V ± 5%
输出阻抗
V
DDO
= 2.5V ± 5%
V
DDO
= 1.8V ± 0.2V
V
DDO
= 3.465V
V
DDO
= 2.625V
V
DDO
= 2V
51
51
7
7
10
测试条件
最低
典型
4
19
18
16
最大
单位
pF
pF
pF
pF
K
K
T
ABLE
3A 。
安输出
E
NABLE
控制输入
OE
0
1
1
和
C
LOCK
E
NABLE
F
油膏
T
ABLE
产量
Q0:Q11
高阻
低
如下CLK输入
CLK_EN
X
0
1
T
ABLE
3B 。
LOCK
I
NPUT
F
油膏
T
ABLE
输入
OE
1
1
8312AY
输出
CLK
0
1
Q0:Q11
低
高
http://www.icst.com/products/hiperclocks.html
2
REV 。 2004年6月14日
CLK_EN
1
1
集成
电路
系统公司
ICS8312
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-12
LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
4.6V
-0.5V到V
DD
+ 0.5 V
-0.5V到V
DDO
+ 0.5V
47.9 ℃/ W（ 0 LFPM ）
-65 ℃150 ℃的
注：如果运行条件超出绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这些评价只强调规范。实用
产物在这些条件下或在任何条件操作BE-
彼处那些在上市
DC特性
or
AC Character-
istics
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响产品的可靠性。
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
电源电压，V
DD
输入，V
I
产出，V
O
封装的热阻抗，
θ
JA
贮藏温度，T
英镑
T
ABLE
4A 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
85°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
核心供电电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
测试条件
最低
3.135
3.135
典型
3.3
3.3
最大
3.465
3.465
10
10
单位
V
V
A
A
T
ABLE
4B 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 2.5V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
85°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
核心供电电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
参数
核心供电电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
参数
核心供电电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
测试条件
最低
2.375
2.375
典型
2.5
2.5
最大
2.625
2.625
10
10
单位
V
V
A
A
单位
V
V
A
A
单位
V
V
A
A
T
ABLE
4C 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 1.8V ± 0.2V ，T
A
= 0°C
TO
85°C
测试条件
最低
1.6
1.6
典型
1.8
1.8
最大
2.0
2.0
10
10
测试条件
最低
3.135
2.375
典型
3.3
2.5
最大
3.465
2.625
10
10
T
ABLE
4D 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= 3.3V±5%, V
DDO
= 2.5V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
85°C
T
ABLE
4E 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= 3.3V±5%, V
DDO
= 1.8V ± 0.2V ，T
A
= 0°C
TO
85°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
8312AY
参数
核心供电电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
参数
核心供电电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
测试条件
最低
3.135
1.6
典型
3.3
1.8
最大
3.465
2.0
10
10
单位
V
V
A
A
单位
V
V
A
A
T
ABLE
4F 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= 2.5V±5%, V
DDO
= 1.8V ± 0.2V ，T
A
= 0°C
TO
85°C
测试条件
最低
2.375
1.6
典型
2.5
1.8
最大
2.625
2.0
10
10
http://www.icst.com/products/hiperclocks.html
3
REV 。 2004年6月14日
集成
电路
系统公司
ICS8312
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-12
LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
测试条件
V
DD
= 3.3V ± 5%
CLK
V
DD
= 2.5V ± 5%
V
DD
= 1.8V ± 0.2V
V
DD
= 3.3V ± 5%
CLK_EN ， OE
V
DD
= 2.5V ± 5%
V
DD
= 1.8V ± 0.2V
V
DD
= 3.3V ± 5%
CLK
V
DD
= 2.5V ± 5%
V
DD
= 1.8V ± 0.2V
V
DD
= 3.3V ± 5%
CLK_EN ， OE
V
DD
= 2.5V ± 5%
V
DD
= 1.8V ± 0.2V
V
DD
= 3.3V ± 5%
CLK
V
DD
= 2.5V ± 5%
V
DD
= 1.8V ± 0.2V
V
DD
= 3.3V ± 5%
CLK_EN ， OE
V
DD
= 2.5V ± 5%
V
DD
= 1.8V ± 0.2V
V
DD
= 3.3V ± 5%
CLK
V
DD
= 2.5V ± 5%
V
DD
= 1.8V ± 0.2V
V
DD
= 3.3V ± 5%
CLK_EN ， OE
V
DD
= 2.5V ± 5%
V
DD
= 1.8V ± 0.2V
V
DDO
= 3.3V ±5％ ;注1
V
DDO
= 2.5V ±5％ ;我
OH
= -1mA
-5
-5
-5
-150
-150
-150
2.6
2
1.8
V
DD
- 0.2
V
DD
- 0.3
0.5
0.4
0.45
0.2
0.35
最低
2
1.7
0.65*V
DD
2
1.7
0.65*V
DD
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
典型
最大
V
DD
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
1.3
0.7
0.35*V
DD
1.3
0.7
0.35*V
DD
150
150
150
5
5
5
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
A
A
A
A
A
A
A
A
A
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
T
ABLE
4F 。 LVCMOS DC
极特
,
T
A
= 0°C
TO
85°C
符号
参数
V
IH
输入高电压
V
IL
输入低电压
I
IH
输入高电流
I
IL
输入低电平电流
V
OH
输出高电压
V
DDO
= 2.5V ±5％ ;注1
V
DDO
= 1.8V ±0.2V ;我
OH
= -100uA
V
DDO
= 1.8V ±0.2V ;注1
V
DDO
= 3.3V ±5％ ;注1
V
DDO
= 2.5V ±5％ ;我
OL
= 1毫安
V
OL
输出低电压
V
DDO
= 2.5V ±5％ ;注1
V
DDO
= 1.8V ±0.2V ;我
OL
=为100uA
V
DDO
= 1.8V ±0.2V ;注1
注1 ：输出端接50
到V
DDO
/ 2 。参见参数测量部分， "Load测试Circuit"图。
8312AY
http://www.icst.com/products/hiperclocks.html
4
REV 。 2004年6月14日
集成
电路
系统公司
ICS8312
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-12
LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
测试条件
f
≤
250MHz
最低
典型
最大单位
250
1.2
1.9
2.5
125
800
20 ％至80％
f
≤
200MHz
200
45
700
55
兆赫
ns
ps
ps
ps
%
T
ABLE
5A 。 AC - C
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
85°C
符号参数
f
最大
tp
LH
输出频率
传输延迟低到高;注1
输出偏斜;注2： 5
帕吨至帕吨倾斜;注3 ， 5
输出上升时间;注4
输出占空比
t
SK （ O）
t
SK （PP）的
t
R
/t
F
ODC
在f测量所有参数
最大
除非另有说明。
请参阅下表5C上市注意事项1到5。
T
ABLE
5B 。 AC - C
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 2.5V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
85°C
符号参数
f
最大
tp
LH
输出频率
传输延迟低到高;注1
输出偏斜;注2： 5
帕吨至帕吨倾斜;注3 ， 5
输出上升时间;注4
输出占空比
20 ％至80％
f
≤
150MHz
200
45
f
≤
250MHz
1.4
2.3
测试条件
最低
典型
最大单位
250
3.2
150
1.1
700
55
兆赫
ns
ps
ns
ps
%
t
SK （ O）
t
SK （PP）的
t
R
/t
F
ODC
所有参数测量的Fmax ，除非另有说明。
请参阅下表5C上市，注意事项1 ，通过
T
ABLE
5C 。 AC - C
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 1.8V ± 0.2V ，T
A
= 0°C
TO
85°C
符号参数
f
最大
tp
LH
输出频率
传输延迟低到高;注1
输出偏斜;注2： 5
帕吨至帕吨倾斜;注3 ， 5
输出上升时间;注4
输出占空比
20 ％至80％
f
≤
100MHz
200
45
f
≤
200MHz
1.6
3.3
测试条件
最低
典型
最大单位
200
4.8
140
2.3
800
55
兆赫
ns
ps
ns
ps
%
t
SK （ O）
t
SK （PP）的
t
R
/t
F
ODC
在f测量所有参数
最大
除非另有说明。
注1 ：从V测
DD
输入到V / 2的
DDO
输出的/ 2 。
注2 ：定义为输出之间的偏移，在相同的电源电压，并以相等的负载条件。测量V
DDO
/2.
注3 ：定义为在不同的设备输出，在相同的电源电压，并以同样的操作之间的偏移
负载条件。使用同一类型的每个设备上的输入，输出在V测量
DDO
/2.
注4 ：这些参数由特性保证。在生产中测试。
注5 ：此参数定义符合JEDEC标准65 。
8312AY
http://www.icst.com/products/hiperclocks.html
5
REV 。 2004年6月14日
集成
电路
系统公司
ICS8312
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-12
LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
F
EATURES
12 LVCMOS / LVTTL输出
LVCMOS / LVTTL时钟输入
最大输出频率： 250MHz的
输出偏斜： 150ps的（最大）
工作电源模式：
核心/输出
3.3V/3.3V,
2.5V/2.5V,
1.8V/1.8V,
3.3V/2.5V,
3.3V/1.8V,
2.5V/1.8V
0 ° C至85°C的工作环境温度
无铅封装
可应要求提供工业级温度信息
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
该ICS8312是一种低歪斜， 1至12 LVCMOS /
LVTTL扇出缓冲器和的一员
HiPerClockS
HiPerClocks 系列高性能时钟
从IC解决方案。该ICS8312单端
时钟输入接受LVCMOS或LVTTL输入列弗
ELS 。低阻抗LVCMOS输出被设计成
驱动50Ω串联或并联端接传输线。该
有效的扇出可以从12增加到24 ，利用
输出来驱动两个串联的能力，终止线。
ICS
该ICS8312的特点是在全3.3V ， 2.5V和1.8V ，
混合3.3V / 2.5V ， 3.3V / 1.8V和2.5V / 1.8V输出工作
供应模式。保证输出部分，以部分煤焦歪斜
Cucumis Sativus查阅全文连同1.8V输出能力使得
ICS8312非常适用于高性能，单端应用
系统蒸发散，也需要限制输出电压。
B
LOCK
D
IAGRAM
P
IN
A
SSIGNMENT
GND
GND
V
DDO
V
DDO
Q0
Q1
Q2
Q3
CLK_EN
nD
Q
LE
12
GND
V
DD
Q0:Q11
CLK_EN
CLK
GND
OE
V
DD
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
32 31 30 29 28 27 26 25
24
23
22
Q4
V
DDO
Q5
GND
Q6
V
DDO
Q7
GND
CLK
ICS8312
21
20
19
18
17
OE
9 10 11 12 13 14 15 16
Q11
V
DDO
Q10
GND
Q9
V
DDO
Q8
GND
32引脚LQFP
采用7mm x 7mm X 1.4毫米体封装
Pacakge
顶视图
8312AY
http://www.icst.com/products/hiperclocks.html
1
REV 。 2004年6月14日
集成
电路
系统公司
ICS8312
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-12
LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
TYPE
动力
动力
输入
输入
输入
描述
电源接地。
核心供电引脚。
同步控制启用和禁用时钟输出。
上拉
LVCMOS / LVTTL接口电平。
下拉时钟输入。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
输出使能。控制启用和禁用输出
上拉
Q0通Q11 。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
T
ABLE
1. P
IN
D
ESCRIPTIONS
数
1, 5, 8, 12,
16, 17, 21,
25, 29
2, 7
3
4
6
名字
GND
V
DD
CLK_EN
CLK
OE
9, 11, 13, 15,
Q11, Q10, Q9, Q8,
18, 20, 22,
Q7, Q6, Q5,
产量
Q0通Q11输出。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
24, 26, 28,
Q4, Q3, Q2,
30, 32
Q1, Q0
10, 14, 19,
V
DDO
动力
输出电源引脚。
23, 27, 31
注意：
上拉
和
下拉
是指内部输入电阻。见表2 ，引脚特性，为典型值。
T
ABLE
2. P
IN
C
极特
符号
C
IN
C
PD
R
上拉
R
下拉
R
OUT
参数
输入电容
功率耗散电容
（每路输出）
输入上拉电阻
输入下拉电阻
V
DDO
= 3.3V ± 5%
输出阻抗
V
DDO
= 2.5V ± 5%
V
DDO
= 1.8V ± 0.2V
V
DDO
= 3.465V
V
DDO
= 2.625V
V
DDO
= 2V
51
51
7
7
10
测试条件
最低
典型
4
19
18
16
最大
单位
pF
pF
pF
pF
K
K
T
ABLE
3A 。
安输出
E
NABLE
控制输入
OE
0
1
1
和
C
LOCK
E
NABLE
F
油膏
T
ABLE
产量
Q0:Q11
高阻
低
如下CLK输入
CLK_EN
X
0
1
T
ABLE
3B 。
LOCK
I
NPUT
F
油膏
T
ABLE
输入
OE
1
1
8312AY
输出
CLK
0
1
Q0:Q11
低
高
http://www.icst.com/products/hiperclocks.html
2
REV 。 2004年6月14日
CLK_EN
1
1
集成
电路
系统公司
ICS8312
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-12
LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
4.6V
-0.5V到V
DD
+ 0.5 V
-0.5V到V
DDO
+ 0.5V
47.9 ℃/ W（ 0 LFPM ）
-65 ℃150 ℃的
注：如果运行条件超出绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这些评价只强调规范。实用
产物在这些条件下或在任何条件操作BE-
彼处那些在上市
DC特性
or
AC Character-
istics
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响产品的可靠性。
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
电源电压，V
DD
输入，V
I
产出，V
O
封装的热阻抗，
θ
JA
贮藏温度，T
英镑
T
ABLE
4A 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
85°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
核心供电电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
测试条件
最低
3.135
3.135
典型
3.3
3.3
最大
3.465
3.465
10
10
单位
V
V
A
A
T
ABLE
4B 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 2.5V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
85°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
核心供电电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
参数
核心供电电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
参数
核心供电电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
测试条件
最低
2.375
2.375
典型
2.5
2.5
最大
2.625
2.625
10
10
单位
V
V
A
A
单位
V
V
A
A
单位
V
V
A
A
T
ABLE
4C 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 1.8V ± 0.2V ，T
A
= 0°C
TO
85°C
测试条件
最低
1.6
1.6
典型
1.8
1.8
最大
2.0
2.0
10
10
测试条件
最低
3.135
2.375
典型
3.3
2.5
最大
3.465
2.625
10
10
T
ABLE
4D 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= 3.3V±5%, V
DDO
= 2.5V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
85°C
T
ABLE
4E 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= 3.3V±5%, V
DDO
= 1.8V ± 0.2V ，T
A
= 0°C
TO
85°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
8312AY
参数
核心供电电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
参数
核心供电电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
测试条件
最低
3.135
1.6
典型
3.3
1.8
最大
3.465
2.0
10
10
单位
V
V
A
A
单位
V
V
A
A
T
ABLE
4F 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= 2.5V±5%, V
DDO
= 1.8V ± 0.2V ，T
A
= 0°C
TO
85°C
测试条件
最低
2.375
1.6
典型
2.5
1.8
最大
2.625
2.0
10
10
http://www.icst.com/products/hiperclocks.html
3
REV 。 2004年6月14日
集成
电路
系统公司
ICS8312
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-12
LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
测试条件
V
DD
= 3.3V ± 5%
CLK
V
DD
= 2.5V ± 5%
V
DD
= 1.8V ± 0.2V
V
DD
= 3.3V ± 5%
CLK_EN ， OE
V
DD
= 2.5V ± 5%
V
DD
= 1.8V ± 0.2V
V
DD
= 3.3V ± 5%
CLK
V
DD
= 2.5V ± 5%
V
DD
= 1.8V ± 0.2V
V
DD
= 3.3V ± 5%
CLK_EN ， OE
V
DD
= 2.5V ± 5%
V
DD
= 1.8V ± 0.2V
V
DD
= 3.3V ± 5%
CLK
V
DD
= 2.5V ± 5%
V
DD
= 1.8V ± 0.2V
V
DD
= 3.3V ± 5%
CLK_EN ， OE
V
DD
= 2.5V ± 5%
V
DD
= 1.8V ± 0.2V
V
DD
= 3.3V ± 5%
CLK
V
DD
= 2.5V ± 5%
V
DD
= 1.8V ± 0.2V
V
DD
= 3.3V ± 5%
CLK_EN ， OE
V
DD
= 2.5V ± 5%
V
DD
= 1.8V ± 0.2V
V
DDO
= 3.3V ±5％ ;注1
V
DDO
= 2.5V ±5％ ;我
OH
= -1mA
-5
-5
-5
-150
-150
-150
2.6
2
1.8
V
DD
- 0.2
V
DD
- 0.3
0.5
0.4
0.45
0.2
0.35
最低
2
1.7
0.65*V
DD
2
1.7
0.65*V
DD
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
典型
最大
V
DD
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
1.3
0.7
0.35*V
DD
1.3
0.7
0.35*V
DD
150
150
150
5
5
5
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
A
A
A
A
A
A
A
A
A
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
T
ABLE
4F 。 LVCMOS DC
极特
,
T
A
= 0°C
TO
85°C
符号
参数
V
IH
输入高电压
V
IL
输入低电压
I
IH
输入高电流
I
IL
输入低电平电流
V
OH
输出高电压
V
DDO
= 2.5V ±5％ ;注1
V
DDO
= 1.8V ±0.2V ;我
OH
= -100uA
V
DDO
= 1.8V ±0.2V ;注1
V
DDO
= 3.3V ±5％ ;注1
V
DDO
= 2.5V ±5％ ;我
OL
= 1毫安
V
OL
输出低电压
V
DDO
= 2.5V ±5％ ;注1
V
DDO
= 1.8V ±0.2V ;我
OL
=为100uA
V
DDO
= 1.8V ±0.2V ;注1
注1 ：输出端接50
到V
DDO
/ 2 。参见参数测量部分， "Load测试Circuit"图。
8312AY
http://www.icst.com/products/hiperclocks.html
4
REV 。 2004年6月14日
集成
电路
系统公司
ICS8312
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-12
LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
测试条件
f
≤
250MHz
最低
典型
最大单位
250
1.2
1.9
2.5
125
800
20 ％至80％
f
≤
200MHz
200
45
700
55
兆赫
ns
ps
ps
ps
%
T
ABLE
5A 。 AC - C
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
85°C
符号参数
f
最大
tp
LH
输出频率
传输延迟低到高;注1
输出偏斜;注2： 5
帕吨至帕吨倾斜;注3 ， 5
输出上升时间;注4
输出占空比
t
SK （ O）
t
SK （PP）的
t
R
/t
F
ODC
在f测量所有参数
最大
除非另有说明。
请参阅下表5C上市注意事项1到5。
T
ABLE
5B 。 AC - C
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 2.5V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
85°C
符号参数
f
最大
tp
LH
输出频率
传输延迟低到高;注1
输出偏斜;注2： 5
帕吨至帕吨倾斜;注3 ， 5
输出上升时间;注4
输出占空比
20 ％至80％
f
≤
150MHz
200
45
f
≤
250MHz
1.4
2.3
测试条件
最低
典型
最大单位
250
3.2
150
1.1
700
55
兆赫
ns
ps
ns
ps
%
t
SK （ O）
t
SK （PP）的
t
R
/t
F
ODC
所有参数测量的Fmax ，除非另有说明。
请参阅下表5C上市，注意事项1 ，通过
T
ABLE
5C 。 AC - C
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 1.8V ± 0.2V ，T
A
= 0°C
TO
85°C
符号参数
f
最大
tp
LH
输出频率
传输延迟低到高;注1
输出偏斜;注2： 5
帕吨至帕吨倾斜;注3 ， 5
输出上升时间;注4
输出占空比
20 ％至80％
f
≤
100MHz
200
45
f
≤
200MHz
1.6
3.3
测试条件
最低
典型
最大单位
200
4.8
140
2.3
800
55
兆赫
ns
ps
ns
ps
%
t
SK （ O）
t
SK （PP）的
t
R
/t
F
ODC
在f测量所有参数
最大
除非另有说明。
注1 ：从V测
DD
输入到V / 2的
DDO
输出的/ 2 。
注2 ：定义为输出之间的偏移，在相同的电源电压，并以相等的负载条件。测量V
DDO
/2.
注3 ：定义为在不同的设备输出，在相同的电源电压，并以同样的操作之间的偏移
负载条件。使用同一类型的每个设备上的输入，输出在V测量
DDO
/2.
注4 ：这些参数由特性保证。在生产中测试。
注5 ：此参数定义符合JEDEC标准65 。
8312AY
http://www.icst.com/products/hiperclocks.html
5
REV 。 2004年6月14日
集成
电路
系统公司
ICS8312
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-12
LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
F
EATURES
12 LVCMOS / LVTTL输出
LVCMOS / LVTTL时钟输入
最大输出频率： 250MHz的
输出偏斜： 150ps的（最大）
工作电源模式：
核心/输出
3.3V/3.3V,
2.5V/2.5V,
1.8V/1.8V,
3.3V/2.5V,
3.3V/1.8V,
2.5V/1.8V
0 ° C至85°C的工作环境温度
无铅封装
可应要求提供工业级温度信息
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
该ICS8312是一种低歪斜， 1至12 LVCMOS /
LVTTL扇出缓冲器和的一员
HiPerClockS
HiPerClocks 系列高性能时钟
从IC解决方案。该ICS8312单端
时钟输入接受LVCMOS或LVTTL输入列弗
ELS 。低阻抗LVCMOS输出被设计成
驱动50Ω串联或并联端接传输线。该
有效的扇出可以从12增加到24 ，利用
输出来驱动两个串联的能力，终止线。
ICS
该ICS8312的特点是在全3.3V ， 2.5V和1.8V ，
混合3.3V / 2.5V ， 3.3V / 1.8V和2.5V / 1.8V输出工作
供应模式。保证输出部分，以部分煤焦歪斜
Cucumis Sativus查阅全文连同1.8V输出能力使得
ICS8312非常适用于高性能，单端应用
系统蒸发散，也需要限制输出电压。
B
LOCK
D
IAGRAM
P
IN
A
SSIGNMENT
GND
GND
V
DDO
V
DDO
Q0
Q1
Q2
Q3
CLK_EN
nD
Q
LE
12
GND
V
DD
Q0:Q11
CLK_EN
CLK
GND
OE
V
DD
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
32 31 30 29 28 27 26 25
24
23
22
Q4
V
DDO
Q5
GND
Q6
V
DDO
Q7
GND
CLK
ICS8312
21
20
19
18
17
OE
9 10 11 12 13 14 15 16
Q11
V
DDO
Q10
GND
Q9
V
DDO
Q8
GND
32引脚LQFP
采用7mm x 7mm X 1.4毫米体封装
Pacakge
顶视图
8312AY
http://www.icst.com/products/hiperclocks.html
1
REV 。 2004年6月14日
集成
电路
系统公司
ICS8312
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-12
LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
TYPE
动力
动力
输入
输入
输入
描述
电源接地。
核心供电引脚。
同步控制启用和禁用时钟输出。
上拉
LVCMOS / LVTTL接口电平。
下拉时钟输入。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
输出使能。控制启用和禁用输出
上拉
Q0通Q11 。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
T
ABLE
1. P
IN
D
ESCRIPTIONS
数
1, 5, 8, 12,
16, 17, 21,
25, 29
2, 7
3
4
6
名字
GND
V
DD
CLK_EN
CLK
OE
9, 11, 13, 15,
Q11, Q10, Q9, Q8,
18, 20, 22,
Q7, Q6, Q5,
产量
Q0通Q11输出。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
24, 26, 28,
Q4, Q3, Q2,
30, 32
Q1, Q0
10, 14, 19,
V
DDO
动力
输出电源引脚。
23, 27, 31
注意：
上拉
和
下拉
是指内部输入电阻。见表2 ，引脚特性，为典型值。
T
ABLE
2. P
IN
C
极特
符号
C
IN
C
PD
R
上拉
R
下拉
R
OUT
参数
输入电容
功率耗散电容
（每路输出）
输入上拉电阻
输入下拉电阻
V
DDO
= 3.3V ± 5%
输出阻抗
V
DDO
= 2.5V ± 5%
V
DDO
= 1.8V ± 0.2V
V
DDO
= 3.465V
V
DDO
= 2.625V
V
DDO
= 2V
51
51
7
7
10
测试条件
最低
典型
4
19
18
16
最大
单位
pF
pF
pF
pF
K
K
T
ABLE
3A 。
安输出
E
NABLE
控制输入
OE
0
1
1
和
C
LOCK
E
NABLE
F
油膏
T
ABLE
产量
Q0:Q11
高阻
低
如下CLK输入
CLK_EN
X
0
1
T
ABLE
3B 。
LOCK
I
NPUT
F
油膏
T
ABLE
输入
OE
1
1
8312AY
输出
CLK
0
1
Q0:Q11
低
高
http://www.icst.com/products/hiperclocks.html
2
REV 。 2004年6月14日
CLK_EN
1
1
集成
电路
系统公司
ICS8312
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-12
LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
4.6V
-0.5V到V
DD
+ 0.5 V
-0.5V到V
DDO
+ 0.5V
47.9 ℃/ W（ 0 LFPM ）
-65 ℃150 ℃的
注：如果运行条件超出绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这些评价只强调规范。实用
产物在这些条件下或在任何条件操作BE-
彼处那些在上市
DC特性
or
AC Character-
istics
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响产品的可靠性。
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
电源电压，V
DD
输入，V
I
产出，V
O
封装的热阻抗，
θ
JA
贮藏温度，T
英镑
T
ABLE
4A 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
85°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
核心供电电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
测试条件
最低
3.135
3.135
典型
3.3
3.3
最大
3.465
3.465
10
10
单位
V
V
A
A
T
ABLE
4B 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 2.5V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
85°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
核心供电电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
参数
核心供电电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
参数
核心供电电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
测试条件
最低
2.375
2.375
典型
2.5
2.5
最大
2.625
2.625
10
10
单位
V
V
A
A
单位
V
V
A
A
单位
V
V
A
A
T
ABLE
4C 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 1.8V ± 0.2V ，T
A
= 0°C
TO
85°C
测试条件
最低
1.6
1.6
典型
1.8
1.8
最大
2.0
2.0
10
10
测试条件
最低
3.135
2.375
典型
3.3
2.5
最大
3.465
2.625
10
10
T
ABLE
4D 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= 3.3V±5%, V
DDO
= 2.5V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
85°C
T
ABLE
4E 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= 3.3V±5%, V
DDO
= 1.8V ± 0.2V ，T
A
= 0°C
TO
85°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
8312AY
参数
核心供电电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
参数
核心供电电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
测试条件
最低
3.135
1.6
典型
3.3
1.8
最大
3.465
2.0
10
10
单位
V
V
A
A
单位
V
V
A
A
T
ABLE
4F 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= 2.5V±5%, V
DDO
= 1.8V ± 0.2V ，T
A
= 0°C
TO
85°C
测试条件
最低
2.375
1.6
典型
2.5
1.8
最大
2.625
2.0
10
10
http://www.icst.com/products/hiperclocks.html
3
REV 。 2004年6月14日
集成
电路
系统公司
ICS8312
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-12
LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
测试条件
V
DD
= 3.3V ± 5%
CLK
V
DD
= 2.5V ± 5%
V
DD
= 1.8V ± 0.2V
V
DD
= 3.3V ± 5%
CLK_EN ， OE
V
DD
= 2.5V ± 5%
V
DD
= 1.8V ± 0.2V
V
DD
= 3.3V ± 5%
CLK
V
DD
= 2.5V ± 5%
V
DD
= 1.8V ± 0.2V
V
DD
= 3.3V ± 5%
CLK_EN ， OE
V
DD
= 2.5V ± 5%
V
DD
= 1.8V ± 0.2V
V
DD
= 3.3V ± 5%
CLK
V
DD
= 2.5V ± 5%
V
DD
= 1.8V ± 0.2V
V
DD
= 3.3V ± 5%
CLK_EN ， OE
V
DD
= 2.5V ± 5%
V
DD
= 1.8V ± 0.2V
V
DD
= 3.3V ± 5%
CLK
V
DD
= 2.5V ± 5%
V
DD
= 1.8V ± 0.2V
V
DD
= 3.3V ± 5%
CLK_EN ， OE
V
DD
= 2.5V ± 5%
V
DD
= 1.8V ± 0.2V
V
DDO
= 3.3V ±5％ ;注1
V
DDO
= 2.5V ±5％ ;我
OH
= -1mA
-5
-5
-5
-150
-150
-150
2.6
2
1.8
V
DD
- 0.2
V
DD
- 0.3
0.5
0.4
0.45
0.2
0.35
最低
2
1.7
0.65*V
DD
2
1.7
0.65*V
DD
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
典型
最大
V
DD
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
1.3
0.7
0.35*V
DD
1.3
0.7
0.35*V
DD
150
150
150
5
5
5
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
A
A
A
A
A
A
A
A
A
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
T
ABLE
4F 。 LVCMOS DC
极特
,
T
A
= 0°C
TO
85°C
符号
参数
V
IH
输入高电压
V
IL
输入低电压
I
IH
输入高电流
I
IL
输入低电平电流
V
OH
输出高电压
V
DDO
= 2.5V ±5％ ;注1
V
DDO
= 1.8V ±0.2V ;我
OH
= -100uA
V
DDO
= 1.8V ±0.2V ;注1
V
DDO
= 3.3V ±5％ ;注1
V
DDO
= 2.5V ±5％ ;我
OL
= 1毫安
V
OL
输出低电压
V
DDO
= 2.5V ±5％ ;注1
V
DDO
= 1.8V ±0.2V ;我
OL
=为100uA
V
DDO
= 1.8V ±0.2V ;注1
注1 ：输出端接50
到V
DDO
/ 2 。参见参数测量部分， "Load测试Circuit"图。
8312AY
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4
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集成
电路
系统公司
ICS8312
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-12
LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
测试条件
f
≤
250MHz
最低
典型
最大单位
250
1.2
1.9
2.5
125
800
20 ％至80％
f
≤
200MHz
200
45
700
55
兆赫
ns
ps
ps
ps
%
T
ABLE
5A 。 AC - C
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
85°C
符号参数
f
最大
tp
LH
输出频率
传输延迟低到高;注1
输出偏斜;注2： 5
帕吨至帕吨倾斜;注3 ， 5
输出上升时间;注4
输出占空比
t
SK （ O）
t
SK （PP）的
t
R
/t
F
ODC
在f测量所有参数
最大
除非另有说明。
请参阅下表5C上市注意事项1到5。
T
ABLE
5B 。 AC - C
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 2.5V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
85°C
符号参数
f
最大
tp
LH
输出频率
传输延迟低到高;注1
输出偏斜;注2： 5
帕吨至帕吨倾斜;注3 ， 5
输出上升时间;注4
输出占空比
20 ％至80％
f
≤
150MHz
200
45
f
≤
250MHz
1.4
2.3
测试条件
最低
典型
最大单位
250
3.2
150
1.1
700
55
兆赫
ns
ps
ns
ps
%
t
SK （ O）
t
SK （PP）的
t
R
/t
F
ODC
所有参数测量的Fmax ，除非另有说明。
请参阅下表5C上市，注意事项1 ，通过
T
ABLE
5C 。 AC - C
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 1.8V ± 0.2V ，T
A
= 0°C
TO
85°C
符号参数
f
最大
tp
LH
输出频率
传输延迟低到高;注1
输出偏斜;注2： 5
帕吨至帕吨倾斜;注3 ， 5
输出上升时间;注4
输出占空比
20 ％至80％
f
≤
100MHz
200
45
f
≤
200MHz
1.6
3.3
测试条件
最低
典型
最大单位
200
4.8
140
2.3
800
55
兆赫
ns
ps
ns
ps
%
t
SK （ O）
t
SK （PP）的
t
R
/t
F
ODC
在f测量所有参数
最大
除非另有说明。
注1 ：从V测
DD
输入到V / 2的
DDO
输出的/ 2 。
注2 ：定义为输出之间的偏移，在相同的电源电压，并以相等的负载条件。测量V
DDO
/2.
注3 ：定义为在不同的设备输出，在相同的电源电压，并以同样的操作之间的偏移
负载条件。使用同一类型的每个设备上的输入，输出在V测量
DDO
/2.
注4 ：这些参数由特性保证。在生产中测试。
注5 ：此参数定义符合JEDEC标准65 。
8312AY
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5
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