集成
电路
系统公司
ICS8304I
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-4
LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
F
EATURES
4 LVCMOS / LVTTL输出
LVCMOS时钟输入
CLK可以接受以下的输入电平： LVCMOS ， LVTTL
最大输出频率： 166MHz的
输出偏斜： 60ps的（最大）
部分到部分偏斜： 650ps （最大）
小型8引脚SOIC封装可节省电路板空间
3.3V输入，输出可以是3.3V或2.5V电源模式
-40 ° C至85°C的工作环境温度
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
该ICS8304I是一种低歪斜， 1至4扇出
缓冲器和HiPerClockS的成员
HiPerClockS
系列高性能时钟解决方案
从ICS 。该ICS8304I的特点是在
全3.3V的输入V
DD
和混合3.3V和
2.5V输出工作电源模式（V
DDO
） 。瓜拉尼
开球输出和零件到部件歪斜的特性使
在ICS8304I适合那些时钟分配
苛刻的良好定义的性能和应用
重复性。
,&6
B
LOCK
D
IAGRAM
Q0
P
IN
A
SSIGNMENT
V
DDO
V
DD
CLK
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
Q3
Q2
Q1
Q0
Q1
CLK
Q2
ICS8304I
8引脚SOIC
3.8毫米X 4.8毫米， X 1.47毫米包体
男包
顶视图
Q3
8304AMI
www.icst.com/products/hiperclocks.html
1
REV 。 B 2002年4月4日
集成
电路
系统公司
ICS8304I
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-4
LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
TYPE
动力
动力
输入
动力
产量
产量
产量
产量
下拉
描述
输出电源引脚。连接到3.3V或2.5V 。
正电源引脚。连接到3.3V 。
LVCMOS / LVTTL时钟输入。
电源接地。连接到地面。
单时钟输出。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
单时钟输出。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
单时钟输出。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
单时钟输出。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
T
ABLE
1. P
IN
D
ESCRIPTIONS
数
1
2
3
4
5
6
7
8
名字
V
DDO
V
DD
CLK
GND
Q0
Q1
Q2
Q3
注意：
上拉
和
下拉
是指内部输入电阻。见表2 ，引脚特性，为典型值。
T
ABLE
2. P
IN
C
极特
符号
C
IN
C
PD
R
上拉
R
下拉
R
OUT
参数
输入电容
功率耗散电容
（每路输出）
输入上拉电阻
输入下拉电阻
输出阻抗
测试条件
最低
典型
最大
4
V
DD
, V
DDO
= 3.465V
51
51
7
15
单位
pF
pF
K
K
8304AMI
www.icst.com/products/hiperclocks.html
2
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集成
电路
系统公司
ICS8304I
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-4
LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
4.6V
-0.5V到V
DD
+ 0.5V
-0.5V到V
DDO
+ 0.5V
112.7 ℃/ W（ 0 LFPM ）
-65 ℃150 ℃的
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
电源电压，V
DDX
输入，V
I
产出，V
O
封装的热阻抗，
θ
JA
贮藏温度，T
英镑
超出上述绝对最大额定值强调可能会造成永久性损坏设备。这些评级
只强调规范。产物在这些条件下或超出任何条件中所列出的功能操作
DC特性
or
AC特性
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下围
消耗臭氧层物质可能会影响产品的可靠性。
T
ABLE
3A 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 3.3V ±5％ ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
电源电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
测试条件
最低
3.135
3.135
典型
3.3
3.3
最大
3.465
3.465
18
11
单位
V
V
mA
mA
T
ABLE
3B 。 LVCMOS / LVTTL DC
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 3.3V ±5％ ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
V
OH
参数
输入高电压
输入低电压
输入高电流
输入低电平电流
输出高电压
V
DD
= V
IN
= 3.465V
V
DD
= 3.465V, V
IN
= 0V
请参阅附注1
I
OH
= -16mA
I
OH
= -100uA
请参阅附注1
V
OL
输出低电压
I
OL
= 16毫安
I
OL
=为100uA
-5
2.6
2.9
3
0.5
0.25
0.15
测试条件
最低
2
-0.3
典型
最大
V
DD
+ 0.3
1.3
150
单位
V
V
A
A
V
V
V
V
V
V
注1 ：输出端接50
到V
DDO
/ 2 。参见参数测量部分， "3.3V输出负载测试Circuit" 。
8304AMI
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3
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电路
系统公司
ICS8304I
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-4
LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
测试条件
≤ 166MHz的
F = 133MHz的
30 ％至70％
30 ％至70％
250
250
最低
2
典型
最大
166
3.3
50
600
500
500
60
单位
兆赫
ns
ps
ps
ps
ps
%
T
ABLE
4A 。 AC - C
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 3.3V ±5％ ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号参数
f
最大
tp
LH
输出频率
传输延迟低到高;注1
输出偏斜;注2： 4
帕吨至帕吨倾斜;注3，注4
输出上升时间
输出下降时间
t
SK （ O）
t
SK （PP）的
t
R
t
F
ODC
输出占空比
40
所有参数测量频率为166MHz ，除非另有说明。
注1 ：从V测
DD
输入到V / 2的
DDO
输出的/ 2 。
注2 ：定义为输出之间的偏移，在相同的电源电压，并以相等的负载条件。
测量V
DDO
/2.
注3 ：定义为扭曲在不同的设备输出，在相同的电源电压下工作的
并且以相同的负载条件。使用同一类型的每个设备上的输入，输出被测量
在V
DDO
/2.
注4 ：该参数定义符合JEDEC标准65 。
T
ABLE
3C 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= 3.3V±5%, V
DDO
= 2.5V ±5％ ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
正电源电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
测试条件
最低
3.135
2.375
典型
3.3
2.5
最大
3.465
2.625
18
11
单位
V
V
mA
mA
T
ABLE
3D 。 LVCMOS / LVTTL DC
极特
,
V
DD
= 3.3V±5%, V
DDO
= 2.5V ±5％ ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
V
OH
参数
输入高电压
输入低电压
输入高电流
输入低电平电流
输出高电压;注1
V
DD
= V
IN
= 3.465V
V
DD
= 3.465V, V
IN
= 0V
-5
2.1
0.5
测试条件
最低
2
-0.3
典型
最大
V
DD
+ 0.3
1.3
150
单位
V
V
A
A
V
V
输出低电压;注1
V
OL
注1 ：输出端接50
到V
DDO
/ 2 。参见参数测量部分，
"3.3V / 2.5V输出负载测试Circuit" 。
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电路
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ICS8304I
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-4
LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
测试条件
≤ 166MHz的
F = 133MHz的
30 ％至70％
30 ％至70％
250
250
最低
2.3
典型
最大
166
3.7
60
650
500
500
60
单位
兆赫
ns
ps
ps
ps
ps
%
T
ABLE
4B 。 AC - C
极特
,
V
DD
= 3.3V±5%, V
DDO
= 2.5V ±5％ ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号参数
f
最大
tp
LH
输出频率
传输延迟低到高;注1
输出偏斜;注2： 4
帕吨至帕吨倾斜;注3，注4
输出上升时间
输出下降时间
t
SK （ O）
t
SK （PP）的
t
R
t
F
ODC
输出占空比
40
所有参数测量频率为166MHz ，除非另有说明。
注1 ：从V测
DD
输入到V / 2的
DDO
输出的/ 2 。
注2 ：定义为输出之间的偏移，在相同的电源电压，并以相等的负载条件。
测量V
DDO
/2.
注3 ：定义为扭曲在不同的设备输出，在相同的电源电压下工作的
并且以相同的负载条件。使用同一类型的每个设备上的输入，输出被测量
在V
DDO
/2.
注4 ：该参数定义符合JEDEC标准65 。
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电路
系统公司
ICS8304I
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-4
LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
F
EATURES
4 LVCMOS / LVTTL输出
LVCMOS时钟输入
CLK可以接受以下的输入电平： LVCMOS ， LVTTL
最大输出频率： 166MHz的
输出偏斜： 60ps的（最大）
部分到部分偏斜： 650ps （最大）
小型8引脚SOIC封装可节省电路板空间
3.3V输入，输出可以是3.3V或2.5V电源模式
-40 ° C至85°C的工作环境温度
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
该ICS8304I是一种低歪斜， 1至4扇出
缓冲器和HiPerClockS的成员
HiPerClockS
系列高性能时钟解决方案
从ICS 。该ICS8304I的特点是在
全3.3V的输入V
DD
和混合3.3V和
2.5V输出工作电源模式（V
DDO
） 。瓜拉尼
开球输出和零件到部件歪斜的特性使
在ICS8304I适合那些时钟分配
苛刻的良好定义的性能和应用
重复性。
,&6
B
LOCK
D
IAGRAM
Q0
P
IN
A
SSIGNMENT
V
DDO
V
DD
CLK
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
Q3
Q2
Q1
Q0
Q1
CLK
Q2
ICS8304I
8引脚SOIC
3.8毫米X 4.8毫米， X 1.47毫米包体
男包
顶视图
Q3
8304AMI
www.icst.com/products/hiperclocks.html
1
REV 。 B 2002年4月4日
集成
电路
系统公司
ICS8304I
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-4
LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
TYPE
动力
动力
输入
动力
产量
产量
产量
产量
下拉
描述
输出电源引脚。连接到3.3V或2.5V 。
正电源引脚。连接到3.3V 。
LVCMOS / LVTTL时钟输入。
电源接地。连接到地面。
单时钟输出。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
单时钟输出。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
单时钟输出。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
单时钟输出。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
T
ABLE
1. P
IN
D
ESCRIPTIONS
数
1
2
3
4
5
6
7
8
名字
V
DDO
V
DD
CLK
GND
Q0
Q1
Q2
Q3
注意：
上拉
和
下拉
是指内部输入电阻。见表2 ，引脚特性，为典型值。
T
ABLE
2. P
IN
C
极特
符号
C
IN
C
PD
R
上拉
R
下拉
R
OUT
参数
输入电容
功率耗散电容
（每路输出）
输入上拉电阻
输入下拉电阻
输出阻抗
测试条件
最低
典型
最大
4
V
DD
, V
DDO
= 3.465V
51
51
7
15
单位
pF
pF
K
K
8304AMI
www.icst.com/products/hiperclocks.html
2
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集成
电路
系统公司
ICS8304I
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-4
LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
4.6V
-0.5V到V
DD
+ 0.5V
-0.5V到V
DDO
+ 0.5V
112.7 ℃/ W（ 0 LFPM ）
-65 ℃150 ℃的
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
电源电压，V
DDX
输入，V
I
产出，V
O
封装的热阻抗，
θ
JA
贮藏温度，T
英镑
超出上述绝对最大额定值强调可能会造成永久性损坏设备。这些评级
只强调规范。产物在这些条件下或超出任何条件中所列出的功能操作
DC特性
or
AC特性
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下围
消耗臭氧层物质可能会影响产品的可靠性。
T
ABLE
3A 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 3.3V ±5％ ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
电源电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
测试条件
最低
3.135
3.135
典型
3.3
3.3
最大
3.465
3.465
18
11
单位
V
V
mA
mA
T
ABLE
3B 。 LVCMOS / LVTTL DC
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 3.3V ±5％ ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
V
OH
参数
输入高电压
输入低电压
输入高电流
输入低电平电流
输出高电压
V
DD
= V
IN
= 3.465V
V
DD
= 3.465V, V
IN
= 0V
请参阅附注1
I
OH
= -16mA
I
OH
= -100uA
请参阅附注1
V
OL
输出低电压
I
OL
= 16毫安
I
OL
=为100uA
-5
2.6
2.9
3
0.5
0.25
0.15
测试条件
最低
2
-0.3
典型
最大
V
DD
+ 0.3
1.3
150
单位
V
V
A
A
V
V
V
V
V
V
注1 ：输出端接50
到V
DDO
/ 2 。参见参数测量部分， "3.3V输出负载测试Circuit" 。
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电路
系统公司
ICS8304I
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-4
LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
测试条件
≤ 166MHz的
F = 133MHz的
30 ％至70％
30 ％至70％
250
250
最低
2
典型
最大
166
3.3
50
600
500
500
60
单位
兆赫
ns
ps
ps
ps
ps
%
T
ABLE
4A 。 AC - C
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 3.3V ±5％ ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号参数
f
最大
tp
LH
输出频率
传输延迟低到高;注1
输出偏斜;注2： 4
帕吨至帕吨倾斜;注3，注4
输出上升时间
输出下降时间
t
SK （ O）
t
SK （PP）的
t
R
t
F
ODC
输出占空比
40
所有参数测量频率为166MHz ，除非另有说明。
注1 ：从V测
DD
输入到V / 2的
DDO
输出的/ 2 。
注2 ：定义为输出之间的偏移，在相同的电源电压，并以相等的负载条件。
测量V
DDO
/2.
注3 ：定义为扭曲在不同的设备输出，在相同的电源电压下工作的
并且以相同的负载条件。使用同一类型的每个设备上的输入，输出被测量
在V
DDO
/2.
注4 ：该参数定义符合JEDEC标准65 。
T
ABLE
3C 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= 3.3V±5%, V
DDO
= 2.5V ±5％ ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
正电源电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
测试条件
最低
3.135
2.375
典型
3.3
2.5
最大
3.465
2.625
18
11
单位
V
V
mA
mA
T
ABLE
3D 。 LVCMOS / LVTTL DC
极特
,
V
DD
= 3.3V±5%, V
DDO
= 2.5V ±5％ ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
V
OH
参数
输入高电压
输入低电压
输入高电流
输入低电平电流
输出高电压;注1
V
DD
= V
IN
= 3.465V
V
DD
= 3.465V, V
IN
= 0V
-5
2.1
0.5
测试条件
最低
2
-0.3
典型
最大
V
DD
+ 0.3
1.3
150
单位
V
V
A
A
V
V
输出低电压;注1
V
OL
注1 ：输出端接50
到V
DDO
/ 2 。参见参数测量部分，
"3.3V / 2.5V输出负载测试Circuit" 。
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4
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L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-4
LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
测试条件
≤ 166MHz的
F = 133MHz的
30 ％至70％
30 ％至70％
250
250
最低
2.3
典型
最大
166
3.7
60
650
500
500
60
单位
兆赫
ns
ps
ps
ps
ps
%
T
ABLE
4B 。 AC - C
极特
,
V
DD
= 3.3V±5%, V
DDO
= 2.5V ±5％ ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号参数
f
最大
tp
LH
输出频率
传输延迟低到高;注1
输出偏斜;注2： 4
帕吨至帕吨倾斜;注3，注4
输出上升时间
输出下降时间
t
SK （ O）
t
SK （PP）的
t
R
t
F
ODC
输出占空比
40
所有参数测量频率为166MHz ，除非另有说明。
注1 ：从V测
DD
输入到V / 2的
DDO
输出的/ 2 。
注2 ：定义为输出之间的偏移，在相同的电源电压，并以相等的负载条件。
测量V
DDO
/2.
注3 ：定义为扭曲在不同的设备输出，在相同的电源电压下工作的
并且以相同的负载条件。使用同一类型的每个设备上的输入，输出被测量
在V
DDO
/2.
注4 ：该参数定义符合JEDEC标准65 。
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QQ：2881677436 复制
