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RECTRON
半导体
技术规格
ISR2020C
THRU
ISR2060C
肖特基势垒整流器
电压范围为20 60伏特电流20安培
特点
*
*
*
*
*
*
*
低开关噪声
低正向压降
低热阻
高电流能力
高开关功能
高浪涌capabitity
高可靠性
.114(2.9)
.098(2.5)
.406(10.3)
.382(9.7)
.138(3.5)
.122(3.1)
.185(4.7)
.169(4.3)
.134(3.4)
.110(2.8)
ITO-220
机械数据
*
*
*
*
*
案例： ITO -220模压塑料
环氧树脂：设备具有UL可燃性分类94V -O
导语： MIL -STD- 202E方法208C保证
安装位置：任意
重量： 2.24克
.602(15.3)
.579(14.7)
.154 (3.9)
.138 (3.5)
.531(13.5)
.492(12.5)
.114(2.9)
.098(2.5)
.071(1.8)
.055(1.4)
最大额定值和电气特性
25评分
o
C环境温度，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
.055(1.4)
.039(1.0)
.035(0.9)
.020(0.5)
.108(2.75)
.091(2.30)
.031(0.8)
.016 (0.4)
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值
（在T
A
= 25
o
C除非另有说明）
评级
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
在降额外壳温度
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
典型热阻（注1 ）
典型结电容（注3 ）
工作温度范围
存储温度范围
符号
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
R
θ
JC
C
J
T
J
T
英镑
700
-55到+ 150
-55到+ 150
ISR2020C ISR2030C ISR2035C ISR2040CISR2045C ISR2050CISR2060C单位
20
14
20
30
21
30
35
25
35
40
28
40
20
150
3
500
45
32
45
50
35
50
60
42
60
伏
伏
伏
安培
安培
0
C / W
pF
0
0
C
C
电气特性
（在T
A
= 25
o
C除非另有说明）
特征
最大正向电压在10.0A DC
最大平均反向电流
在额定阻断电压DC
@T
C
= 25 C
@T
C
= 100
o
C
o
符号
V
F
I
R
ISR2020C ISR2030C ISR2035C ISR2040CISR2045C ISR2050CISR2060C单位
.65
10
100
.75
伏
毫安
毫安
2002-11
注：1.热阻结到管壳。
2.后缀“A” =共阳极。
3.测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
额定值和特性曲线（ ISR2020C THRU ISR2060C ）
图。 1 - 典型正向电流降额曲线
20
16
C~
50
20
我SR
平均正向电流（ A）
图。 2 - 典型的反向特性
10
瞬时反向电流（毫安）
TC = 150
12
8
4
0
0
50
100
外壳温度（
单相半波
60Hz的感应或
阻性负载
1.0
TC = 125
峰值正向浪涌电流（ A）
图。 3 - 最大非重复正向浪涌电流
2
SR
~I
0C
02
R2
IS
C
60
20
ISR
TC = 75
5C
04
.1
TC = 25
150
)
175
150
125
100
75
50
25
1
2
5
10
20
50
循环次数在60Hz
100
.01
ISR2020C~ISR2045C
ISR2050C~ISR2060C
8.3ms单半正弦波
（ JEDED方法）
.001
0
20
40
60
80
100
120
140
额定峰值百分比
反向电压， （％）
4000
瞬时正向电流（ A）
图。 4 - 典型结电容
图。 5 - 典型瞬时
正向特性
50
TJ = 125
结电容（PF ）
2000
1000
800
600
400
ISR2020C~ISR2045C
10
TJ = 25
1.0
ISR2050C~ISR2060C
200
脉冲宽度= 300US
1 ％占空比
100
.1
0.1
.1
.2
.3
.4
.5
.6
.7
.8
.9
瞬时正向电压（V）的
.4
1.0
4
10
反向电压， （V）的
40
80 100
RECTRON
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IRKHF81-08DL
IRKH71-08
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