集成
电路
系统公司
ICS8302-01
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-2 LVCMOS / LVTTL
F
ANOUT
B
UFFER W
/ C
OMPLEMENTARY
O
安输出
F
EATURES
互补LVCMOS / LVTTL输出
LVCMOS / LVTTL时钟输入接受LVCMOS
或LVTTL输入电平
最大输出频率： 250MHz的
输出偏斜： 165ps （最大）
部件到部件歪斜： 800PS （最大值）
小型8引脚SOIC封装可节省电路板空间
全3.3V或3.3V核心， 2.5V电源模式
0 ° C至70 ° C的环境工作温度
可根据要求提供工业级温度信息
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
吨他ICS 8 3 0 2-01 isalowskew ， 1 - 到 - 2
LVCMOS / LVTTL扇出缓冲器W /互为
HiPerClockS
tary输出和HiPerClockS成员
系列高性能时钟解决方案
从ICS 。该ICS8302-01具有单端
时钟输入。单端时钟输入接受LVCMOS
或LVTTL输入电平。该ICS8302-01的特点
全3.3V的输入V
DD
和混合3.3V和2.5V的
outputoperatingsupply模式（V
DDO
） 。摹ü A R A N T E E D
输出部分，以部分偏移特性使
ICS 8 3 0 2-01 idealfor时钟分配应用程序
苛刻的良好定义的性能和可重复性。
,&6
B
LOCK
D
IAGRAM
Q
CLK
nQ
P
IN
A
SSIGNMENT
V
DDO
V
DD
CLK
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
Q
GND
V
DDO
nQ
ICS8302-01
8引脚SOIC
3.8毫米X 4.8毫米， X 1.47毫米包体
男包
顶视图
8302AM-01
www.icst.com/products/hiperclocks.html
1
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集成
电路
系统公司
ICS8302-01
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-2 LVCMOS / LVTTL
F
ANOUT
B
UFFER W
/ C
OMPLEMENTARY
O
安输出
TYPE
动力
动力
输入
动力
产量
产量
下拉
描述
输出电源引脚。
核心供电引脚。
LVCMOS / LVTTL时钟输入。
电源接地。
互补的时钟输出。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
时钟输出。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
T
ABLE
1. P
IN
D
ESCRIPTIONS
数
1, 6
2
3
4,7
5
8
名字
V
DDO
V
DD
CLK
GND
nQ
Q
注意：
上拉
和
下拉
是指内部输入电阻。见表2 ，引脚特性，为典型值。
T
ABLE
2. P
IN
C
极特
符号
C
IN
C
PD
R
上拉
R
下拉
R
OUT
参数
输入电容
功率耗散电容
（每路输出）
输入上拉电阻
输入下拉电阻
输出阻抗
V
DD
, V
DDO
= 3.465V
V
DD
= 3.465V, V
DDO
= 2.625V
22
16
51
51
7
测试条件
最低
典型
最大
4
单位
pF
pF
pF
K
K
8302AM-01
www.icst.com/products/hiperclocks.html
2
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电路
系统公司
ICS8302-01
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-2 LVCMOS / LVTTL
F
ANOUT
B
UFFER W
/ C
OMPLEMENTARY
O
安输出
4.6V
-0.5V到V
DD
+ 0.5 V
-0.5V到V
DDO
+ 0.5V
112.7 ℃/ W（ 0 LFPM ）
-65 ℃150 ℃的
注：如果运行条件超出绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这些评价只强调规范。实用
产物在这些条件下或在任何条件操作BE-
彼处那些在上市
DC特性
or
AC Character-
istics
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响产品的可靠性。
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
电源电压，V
DD
输入，V
I
产出，V
O
封装的热阻抗，
θ
JA
贮藏温度，T
英镑
T
ABLE
3A 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
核心供电电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
测试条件
最低
3.135
3.135
典型
3.3
3.3
最大
3.465
3.465
13
4
单位
V
V
mA
mA
T
ABLE
3B 。 LVCMOS / LVTTL DC
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
V
OH
V
OL
参数
输入高电压
输入低电压
输入高电流
输入低电平电流
输出高电压
输出低电压
CLK
CLK
V
DD
= V
IN
= 3.465V
V
DD
= 3.465V, V
IN
= 0V
50
到V
DDO
/2
I
OH
= -100A
50
到V
DDO
/2
I
OL
= 100A
-5
2.6
2.9
0.5
0.2
测试条件
最低
2
-0.3
典型
最大
V
DD
+ 0.3
1.3
150
单位
V
V
A
A
V
V
V
V
T
ABLE
4A 。 AC - C
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号参数
f
最大
tp
LH
输出频率
传输延迟低到高;注1
输出偏斜;注2： 4
帕吨至帕吨倾斜;注3，注4
输出上升/下降时间
输出占空比
20 ％至80％
≤ 133MHz的
300
45
1.8
2.18
50
测试条件
最低
典型
最大
250
2.7
165
800
800
55
60
单位
兆赫
ns
ps
ps
ps
%
%
t
SK （ O）
t
SK （PP）的
t
R
/ t
F
ODC
133MHz的<
≤
250MHz
40
注1 ：从V测
DD
输入到V / 2的
DDO
输出的/ 2 。
注2 ：定义为输出之间的偏移，在相同的电源电压，并以相等的负载条件。
测量V
DDO
/2.
注3 ：定义为扭曲在不同的设备输出，在相同的电源电压下工作的
并且以相同的负载条件。使用同一类型的每个设备上的输入，输出被测量
在V
DDO
/2.
注4 ：该参数定义符合JEDEC标准65 。
8302AM-01
www.icst.com/products/hiperclocks.html
3
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L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-2 LVCMOS / LVTTL
F
ANOUT
B
UFFER W
/ C
OMPLEMENTARY
O
安输出
测试条件
最低
3.135
2.375
典型
3.3
2.5
最大
3.465
2.625
13
4
单位
V
V
mA
mA
T
ABLE
3C 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= 3.3V±5%, V
DDO
= 2.5V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
正电源电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
T
ABLE
3D 。 LVCMOS / LVTTL DC
极特
,
V
DD
= 3.3V±5%, V
DDO
= 2.5V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
V
OH
V
OL
参数
输入高电压
输入低电压
输入高电流
输入低电平电流
输出高电压
输出低电压
CLK
CLK
V
DD
= V
IN
= 3.465V
V
DD
= 3.465V, V
IN
= 0V
50
到V
DDO
/2
I
OH
= -100A
50
到V
DDO
/2
I
OL
= 100A
-5
1.8
2.2
0.5
0.2
测试条件
最低
2
-0.3
典型
最大
V
DD
+ 0.3
1.3
150
单位
V
V
A
A
V
V
V
V
T
ABLE
4B 。 AC - C
极特
,
V
DD
= 3.3V±5%, V
DDO
= 2.5V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号参数
f
最大
tp
LH
输出频率
传输延迟低到高;注1
输出偏斜;注2： 4
帕吨至帕吨倾斜;注3，注4
输出上升/下降时间
输出占空比
20 ％至80％
≤ 133MHz的
250
45
1.9
测试条件
最低
典型
最大
250
2.9
250
900
650
55
60
单位
兆赫
ns
ps
ps
ps
%
%
t
SK （ O）
t
SK （PP）的
t
R
/ t
F
ODC
133MHz的<
≤
250MHz
40
注1 ：从V测
DD
输入到V / 2的
DDO
输出的/ 2 。
注2 ：定义为输出之间的偏移，在相同的电源电压，并以相等的负载条件。
测量V
DDO
/2.
注3 ：定义为扭曲在不同的设备输出，在相同的电源电压下工作的
并且以相同的负载条件。使用同一类型的每个设备上的输入，输出被测量
在V
DDO
/2.
注4 ：该参数定义符合JEDEC标准65 。
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4
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L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-2 LVCMOS / LVTTL
F
ANOUT
B
UFFER W
/ C
OMPLEMENTARY
O
安输出
P
ARAMETER
M
EASUREMENT
I
载文信息
V
DD
, V
DDO
= 1.65V±5%
2.05V±5% 1.25V±5%
范围
LVCMOS
Qx
V
DD
V
DDO
范围
Qx
LVCMOS
GND = -1.65V ± 5％的
GND = -1.25V ± 5％的
3.3V
安输出
L
OAD
AC牛逼
美东时间
C
IRCUIT
V
3.3V / 2.5V
安输出
L
OAD
AC牛逼
美东时间
C
IRCUIT
V
Q
DD
CLK
2
V
DDO
DDO
2
V
Q
nQ
V
2
DDO
nQ
DDO
2
2
t
PD
TSK （ O）
P
ROPAGATION
D
ELAY
第1部分
Q
第2部分
Q
nQ
V
V
DD
O
安输出
S
KEW
2
V
DDO
80%
80%
2
时钟输出
DDO
20%
t
R
20%
t
F
2
TSK （ PP）
P
艺术
-
TO
-P
艺术
S
KEW
O
安输出
R
ISE
/F
所有
T
IME
nQ
V
DDO
V
DDO
2
Q
2
t
PW
t
期
t
PW
t
期
ODC =
ODC &吨
P
ERIOD
8302AM-01
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5
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ICS8302-01
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-2 LVCMOS / LVTTL
F
ANOUT
B
UFFER W
/ C
OMPLEMENTARY
O
安输出
F
EATURES
互补LVCMOS / LVTTL输出
LVCMOS / LVTTL时钟输入接受LVCMOS
或LVTTL输入电平
最大输出频率： 250MHz的
输出偏斜： 165ps （最大）
部件到部件歪斜： 800PS （最大值）
小型8引脚SOIC封装可节省电路板空间
全3.3V或3.3V核心， 2.5V电源模式
0 ° C至70 ° C的环境工作温度
可根据要求提供工业级温度信息
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
吨他ICS 8 3 0 2-01 isalowskew ， 1 - 到 - 2
LVCMOS / LVTTL扇出缓冲器W /互为
HiPerClockS
tary输出和HiPerClockS成员
系列高性能时钟解决方案
从ICS 。该ICS8302-01具有单端
时钟输入。单端时钟输入接受LVCMOS
或LVTTL输入电平。该ICS8302-01的特点
全3.3V的输入V
DD
和混合3.3V和2.5V的
outputoperatingsupply模式（V
DDO
） 。摹ü A R A N T E E D
输出部分，以部分偏移特性使
ICS 8 3 0 2-01 idealfor时钟分配应用程序
苛刻的良好定义的性能和可重复性。
,&6
B
LOCK
D
IAGRAM
Q
CLK
nQ
P
IN
A
SSIGNMENT
V
DDO
V
DD
CLK
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
Q
GND
V
DDO
nQ
ICS8302-01
8引脚SOIC
3.8毫米X 4.8毫米， X 1.47毫米包体
男包
顶视图
8302AM-01
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1
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电路
系统公司
ICS8302-01
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-2 LVCMOS / LVTTL
F
ANOUT
B
UFFER W
/ C
OMPLEMENTARY
O
安输出
TYPE
动力
动力
输入
动力
产量
产量
下拉
描述
输出电源引脚。
核心供电引脚。
LVCMOS / LVTTL时钟输入。
电源接地。
互补的时钟输出。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
时钟输出。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
T
ABLE
1. P
IN
D
ESCRIPTIONS
数
1, 6
2
3
4,7
5
8
名字
V
DDO
V
DD
CLK
GND
nQ
Q
注意：
上拉
和
下拉
是指内部输入电阻。见表2 ，引脚特性，为典型值。
T
ABLE
2. P
IN
C
极特
符号
C
IN
C
PD
R
上拉
R
下拉
R
OUT
参数
输入电容
功率耗散电容
（每路输出）
输入上拉电阻
输入下拉电阻
输出阻抗
V
DD
, V
DDO
= 3.465V
V
DD
= 3.465V, V
DDO
= 2.625V
22
16
51
51
7
测试条件
最低
典型
最大
4
单位
pF
pF
pF
K
K
8302AM-01
www.icst.com/products/hiperclocks.html
2
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集成
电路
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ICS8302-01
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-2 LVCMOS / LVTTL
F
ANOUT
B
UFFER W
/ C
OMPLEMENTARY
O
安输出
4.6V
-0.5V到V
DD
+ 0.5 V
-0.5V到V
DDO
+ 0.5V
112.7 ℃/ W（ 0 LFPM ）
-65 ℃150 ℃的
注：如果运行条件超出绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这些评价只强调规范。实用
产物在这些条件下或在任何条件操作BE-
彼处那些在上市
DC特性
or
AC Character-
istics
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响产品的可靠性。
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
电源电压，V
DD
输入，V
I
产出，V
O
封装的热阻抗，
θ
JA
贮藏温度，T
英镑
T
ABLE
3A 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
核心供电电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
测试条件
最低
3.135
3.135
典型
3.3
3.3
最大
3.465
3.465
13
4
单位
V
V
mA
mA
T
ABLE
3B 。 LVCMOS / LVTTL DC
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
V
OH
V
OL
参数
输入高电压
输入低电压
输入高电流
输入低电平电流
输出高电压
输出低电压
CLK
CLK
V
DD
= V
IN
= 3.465V
V
DD
= 3.465V, V
IN
= 0V
50
到V
DDO
/2
I
OH
= -100A
50
到V
DDO
/2
I
OL
= 100A
-5
2.6
2.9
0.5
0.2
测试条件
最低
2
-0.3
典型
最大
V
DD
+ 0.3
1.3
150
单位
V
V
A
A
V
V
V
V
T
ABLE
4A 。 AC - C
极特
,
V
DD
= V
DDO
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号参数
f
最大
tp
LH
输出频率
传输延迟低到高;注1
输出偏斜;注2： 4
帕吨至帕吨倾斜;注3，注4
输出上升/下降时间
输出占空比
20 ％至80％
≤ 133MHz的
300
45
1.8
2.18
50
测试条件
最低
典型
最大
250
2.7
165
800
800
55
60
单位
兆赫
ns
ps
ps
ps
%
%
t
SK （ O）
t
SK （PP）的
t
R
/ t
F
ODC
133MHz的<
≤
250MHz
40
注1 ：从V测
DD
输入到V / 2的
DDO
输出的/ 2 。
注2 ：定义为输出之间的偏移，在相同的电源电压，并以相等的负载条件。
测量V
DDO
/2.
注3 ：定义为扭曲在不同的设备输出，在相同的电源电压下工作的
并且以相同的负载条件。使用同一类型的每个设备上的输入，输出被测量
在V
DDO
/2.
注4 ：该参数定义符合JEDEC标准65 。
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3
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L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-2 LVCMOS / LVTTL
F
ANOUT
B
UFFER W
/ C
OMPLEMENTARY
O
安输出
测试条件
最低
3.135
2.375
典型
3.3
2.5
最大
3.465
2.625
13
4
单位
V
V
mA
mA
T
ABLE
3C 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= 3.3V±5%, V
DDO
= 2.5V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
正电源电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
T
ABLE
3D 。 LVCMOS / LVTTL DC
极特
,
V
DD
= 3.3V±5%, V
DDO
= 2.5V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
V
OH
V
OL
参数
输入高电压
输入低电压
输入高电流
输入低电平电流
输出高电压
输出低电压
CLK
CLK
V
DD
= V
IN
= 3.465V
V
DD
= 3.465V, V
IN
= 0V
50
到V
DDO
/2
I
OH
= -100A
50
到V
DDO
/2
I
OL
= 100A
-5
1.8
2.2
0.5
0.2
测试条件
最低
2
-0.3
典型
最大
V
DD
+ 0.3
1.3
150
单位
V
V
A
A
V
V
V
V
T
ABLE
4B 。 AC - C
极特
,
V
DD
= 3.3V±5%, V
DDO
= 2.5V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号参数
f
最大
tp
LH
输出频率
传输延迟低到高;注1
输出偏斜;注2： 4
帕吨至帕吨倾斜;注3，注4
输出上升/下降时间
输出占空比
20 ％至80％
≤ 133MHz的
250
45
1.9
测试条件
最低
典型
最大
250
2.9
250
900
650
55
60
单位
兆赫
ns
ps
ps
ps
%
%
t
SK （ O）
t
SK （PP）的
t
R
/ t
F
ODC
133MHz的<
≤
250MHz
40
注1 ：从V测
DD
输入到V / 2的
DDO
输出的/ 2 。
注2 ：定义为输出之间的偏移，在相同的电源电压，并以相等的负载条件。
测量V
DDO
/2.
注3 ：定义为扭曲在不同的设备输出，在相同的电源电压下工作的
并且以相同的负载条件。使用同一类型的每个设备上的输入，输出被测量
在V
DDO
/2.
注4 ：该参数定义符合JEDEC标准65 。
8302AM-01
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4
REV 。一2002年12月10日
集成
电路
系统公司
ICS8302-01
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-2 LVCMOS / LVTTL
F
ANOUT
B
UFFER W
/ C
OMPLEMENTARY
O
安输出
P
ARAMETER
M
EASUREMENT
I
载文信息
V
DD
, V
DDO
= 1.65V±5%
2.05V±5% 1.25V±5%
范围
LVCMOS
Qx
V
DD
V
DDO
范围
Qx
LVCMOS
GND = -1.65V ± 5％的
GND = -1.25V ± 5％的
3.3V
安输出
L
OAD
AC牛逼
美东时间
C
IRCUIT
V
3.3V / 2.5V
安输出
L
OAD
AC牛逼
美东时间
C
IRCUIT
V
Q
DD
CLK
2
V
DDO
DDO
2
V
Q
nQ
V
2
DDO
nQ
DDO
2
2
t
PD
TSK （ O）
P
ROPAGATION
D
ELAY
第1部分
Q
第2部分
Q
nQ
V
V
DD
O
安输出
S
KEW
2
V
DDO
80%
80%
2
时钟输出
DDO
20%
t
R
20%
t
F
2
TSK （ PP）
P
艺术
-
TO
-P
艺术
S
KEW
O
安输出
R
ISE
/F
所有
T
IME
nQ
V
DDO
V
DDO
2
Q
2
t
PW
t
期
t
PW
t
期
ODC =
ODC &吨
P
ERIOD
8302AM-01
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5
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