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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第14页 > ICS650-41
ICS650-41
扩频时钟合成器
描述
该ICS650-41是一个扩频时钟合成器
用于投影视频应用。它产生
一级EMI优化的50 MHz的时钟信号(EMI峰值
3日减少7 14 dB至19次谐波)
通过使用扩频技术,从一个
25 MHz晶振或时钟输入。对于50 MHz的输出,
调制速率是50kHz 。
除了EMI的优化时钟信号,该装置
产生48 MHz的时钟USB 。
特点
封装采用16引脚TSSOP ( 173万)
电源电压: VDD = 3.3 V , VDDO = 2.5 V
峰到峰抖动: ± 125 ps的典型值
输出占空比五十五分之四十五% (最坏情况)
担保+ 85 ° C时的操作条件
25 MHz晶体或参考时钟输入
对所有输出的时钟为零(0) ppm的频率误差
先进的低功耗CMOS工艺
工业温度范围
框图
VDD
25 MHz晶体
或时钟输入
X1/CLKIN
水晶
OSC
X2
外部电容
与晶体所需
输入。
VDDO
3
与PLL1
传播
SPECTRUM
50M
FS3 : 0
SS_EN
控制
逻辑
PLL2
48M
GND
2
PDTS
MDS 650-41 F
集成电路系统公司
1
525马街,圣何塞,加利福尼亚95126
修订版082305
电话:( 408 ) 297-1201
www.icst.com
ICS650-41
扩频时钟合成器
引脚分配
X1/CLKIN
FS0
FS1
SS_EN
VDD
GND
FS3
48M
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
X2
VDD
PDTS
FS2
VDD
GND
VDDO
50M
扩频和输出
配置表
FS2 FS3
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
1
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
FS1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
FS0
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
传播类型
中心
中心
中心
中心
中心
中心
中心
中心
SS OUT
±0.25
±0.50
±0.75
±1.00
±1.25
±1.50
±1.75
±2.00
-0.5
-0.75
-1.0
-1.25
-1.5
-1.75
-2.0
-2.25
16引脚( 173 mil)的TSSOP
MDS 650-41 F
集成电路系统公司
2
525马街,圣何塞,加利福尼亚95126
修订版082305
电话:( 408 ) 297-1201
www.icst.com
ICS650-41
扩频时钟合成器
引脚说明
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
引脚名称
X1/CLKIN
FS0
FS1
SS_EN
VDD
GND
FS3
48M
50M
VDDO
GND
VDD
FS2
PDTS
VDD
X2
TYPE
输入
输入
输入
输入
动力
动力
输入
产量
产量
动力
动力
动力
输入
输入
动力
产量
引脚说明
晶振输入。该引脚连接到一个25 MHz的晶振或外部输入
时钟。
选择引脚0内部上拉电阻。见第2页上的表。
选择引脚1内部上拉电阻。见第2页上的表。
扩频使能引脚。内部上拉电阻。启用=高。
连接至+3.3 V.
连接到地面。
选择引脚3.内部上拉电阻。见第2页上的表。
固定的48 MHz的输出。内部弱上拉下来的时候三态。
扩频输出。当三态内部弱上拉了下来。
连接至+2.5 V.
连接到地面。
连接至+3.3 V.
选择引脚2.内部上拉电阻。见第2页上的表。
关断整个芯片。三态CLK输出低电平时。国内
拉。
连接至+3.3 V.
晶振输出。该引脚连接到一个25 MHz的晶振。如果不连接
时钟输入。
外部元件
去耦电容
对于任何高性能的混合信号IC,该
ICS650-41必须从系统的电源分离
噪音进行优化。
0.01μF的去耦电容必须连接
每个VDD与PCB地平面之间。
晶体负载电容
该器件晶振连接应包括垫
小电容器从X1到地面和从X2到
地面上。这些电容器用于调节的杂散
电路板的电容相匹配的名义上
所需的晶体负载电容。由于负载
电容只能在此修整增加
过程中,要保持杂散电容到是很重要的
最低用很短的PCB走线(无孔)
晶体和器件之间。水晶电容器
必须从每一个引脚的X1和X2 ,以进行连接
地面上。
这些水晶瓶盖的值(单位为pF )应该等于
(C
L
-6 pF的)* 2 。在这个方程,C
L
=晶体负载
电容的单位为pF 。例如:对于一个16 pF的晶体
负载电容,每个晶体电容器将是20
pF的〔 ( 16-6 )×2 〕 = 20 。
系列终端电阻
时钟输出走线超过一英寸应该用系列
终止。以系列终止50Ω迹线(一
常用的走线阻抗) ,放置一个33Ω的电阻
串联在时钟线,尽量靠近时钟输出
销越好。时钟的标称阻抗
输出为20Ω 。
MDS 650-41 F
集成电路系统公司
3
525马街,圣何塞,加利福尼亚95126
修订版082305
电话:( 408 ) 297-1201
www.icst.com
ICS650-41
扩频时钟合成器
PCB布局建议
为确保最佳的设备性能和最低的输出
相位噪声,遵循以下原则应该是
观察到。
1) 0.01μF去耦电容应
安装在电路板的元件侧靠近
VDD引脚越好。没有通孔,应使用
之间的去耦电容和VDD引脚。该
PCB走线连接到VDD引脚应尽可能的短
可能的话,也应在PCB走线通过地面。
2)外部晶振应安装就在旁边
该设备具有短的走线。 X1和X2的痕迹
不应该被路由成彼此相邻以最小
空间,相反,他们应该分开并远离
其他痕迹。
3 )为了减少EMI,在33Ω串联端接电阻
(如果需要的话)应放置在靠近给时钟输出。
4)优化布局之一,在所有组件
电路板的同一侧,通过其他最大限度地减少通孔
信号层。其他信号走线应
离ICS650-41 。这包括信号线
只是在器件下方,或在邻近的层
设备所使用的接地平面层。
MDS 650-41 F
集成电路系统公司
4
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修订版082305
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ICS650-41
扩频时钟合成器
绝对最大额定值
上面讲下面列出的收视率可能会导致该ICS650-41永久性损坏。这些评价,
这对于ICS商业额定零件标准值,只是应力额定值。功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件的业务部门所标明
规格是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间可以
影响产品的可靠性。电气参数只能在推荐工作保障
温度范围。
电源电压(VDD)
所有输入和输出
工作环境温度
储存温度
结温
( 10秒以内)焊接温度
7V
等级
-0.5 V至VDD + 0.5 V
0到+ 85C
-65到+ 150°C
125°C
260°C
推荐工作条件
参数
工作环境温度
电源电压(相对于GND测量)
电源电压( VDDO )
电源斜坡时间,图4
分钟。
0
+3.135
+2.375
典型值。
+3.3
+2.5
马克斯。
+85
+3.465
+2.625
4
单位
°C
V
V
ms
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ICS650-41
扩频时钟合成器
描述
该ICS650-41是一个扩频时钟合成器
用于投影视频应用。它产生
一级EMI优化的50 MHz的时钟信号(EMI峰值
3日减少7 14 dB至19次谐波)
通过使用扩频技术,从一个
25 MHz晶振或时钟输入。对于50 MHz的输出,
调制速率是50kHz 。
除了EMI的优化时钟信号,该装置
产生48 MHz的时钟USB 。
特点
封装采用16引脚TSSOP ( 173万)
电源电压: VDD = 3.3 V , VDDO = 2.5 V
峰到峰抖动: ± 125 ps的典型值
输出占空比五十五分之四十五% (最坏情况)
担保+ 85 ° C时的操作条件
25 MHz晶体或参考时钟输入
对所有输出的时钟为零(0) ppm的频率误差
先进的低功耗CMOS工艺
工业温度范围
框图
VDD
25 MHz晶体
或时钟输入
X1/CLKIN
水晶
OSC
X2
外部电容
与晶体所需
输入。
VDDO
3
与PLL1
传播
SPECTRUM
50M
FS3 : 0
SS_EN
控制
逻辑
PLL2
48M
GND
2
PDTS
MDS 650-41 F
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1
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ICS650-41
扩频时钟合成器
引脚分配
X1/CLKIN
FS0
FS1
SS_EN
VDD
GND
FS3
48M
1
2
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11
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X2
VDD
PDTS
FS2
VDD
GND
VDDO
50M
扩频和输出
配置表
FS2 FS3
0
0
0
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0
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1
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1
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1
传播类型
中心
中心
中心
中心
中心
中心
中心
中心
SS OUT
±0.25
±0.50
±0.75
±1.00
±1.25
±1.50
±1.75
±2.00
-0.5
-0.75
-1.0
-1.25
-1.5
-1.75
-2.0
-2.25
16引脚( 173 mil)的TSSOP
MDS 650-41 F
集成电路系统公司
2
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修订版082305
电话:( 408 ) 297-1201
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扩频时钟合成器
引脚说明
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
引脚名称
X1/CLKIN
FS0
FS1
SS_EN
VDD
GND
FS3
48M
50M
VDDO
GND
VDD
FS2
PDTS
VDD
X2
TYPE
输入
输入
输入
输入
动力
动力
输入
产量
产量
动力
动力
动力
输入
输入
动力
产量
引脚说明
晶振输入。该引脚连接到一个25 MHz的晶振或外部输入
时钟。
选择引脚0内部上拉电阻。见第2页上的表。
选择引脚1内部上拉电阻。见第2页上的表。
扩频使能引脚。内部上拉电阻。启用=高。
连接至+3.3 V.
连接到地面。
选择引脚3.内部上拉电阻。见第2页上的表。
固定的48 MHz的输出。内部弱上拉下来的时候三态。
扩频输出。当三态内部弱上拉了下来。
连接至+2.5 V.
连接到地面。
连接至+3.3 V.
选择引脚2.内部上拉电阻。见第2页上的表。
关断整个芯片。三态CLK输出低电平时。国内
拉。
连接至+3.3 V.
晶振输出。该引脚连接到一个25 MHz的晶振。如果不连接
时钟输入。
外部元件
去耦电容
对于任何高性能的混合信号IC,该
ICS650-41必须从系统的电源分离
噪音进行优化。
0.01μF的去耦电容必须连接
每个VDD与PCB地平面之间。
晶体负载电容
该器件晶振连接应包括垫
小电容器从X1到地面和从X2到
地面上。这些电容器用于调节的杂散
电路板的电容相匹配的名义上
所需的晶体负载电容。由于负载
电容只能在此修整增加
过程中,要保持杂散电容到是很重要的
最低用很短的PCB走线(无孔)
晶体和器件之间。水晶电容器
必须从每一个引脚的X1和X2 ,以进行连接
地面上。
这些水晶瓶盖的值(单位为pF )应该等于
(C
L
-6 pF的)* 2 。在这个方程,C
L
=晶体负载
电容的单位为pF 。例如:对于一个16 pF的晶体
负载电容,每个晶体电容器将是20
pF的〔 ( 16-6 )×2 〕 = 20 。
系列终端电阻
时钟输出走线超过一英寸应该用系列
终止。以系列终止50Ω迹线(一
常用的走线阻抗) ,放置一个33Ω的电阻
串联在时钟线,尽量靠近时钟输出
销越好。时钟的标称阻抗
输出为20Ω 。
MDS 650-41 F
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3
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ICS650-41
扩频时钟合成器
PCB布局建议
为确保最佳的设备性能和最低的输出
相位噪声,遵循以下原则应该是
观察到。
1) 0.01μF去耦电容应
安装在电路板的元件侧靠近
VDD引脚越好。没有通孔,应使用
之间的去耦电容和VDD引脚。该
PCB走线连接到VDD引脚应尽可能的短
可能的话,也应在PCB走线通过地面。
2)外部晶振应安装就在旁边
该设备具有短的走线。 X1和X2的痕迹
不应该被路由成彼此相邻以最小
空间,相反,他们应该分开并远离
其他痕迹。
3 )为了减少EMI,在33Ω串联端接电阻
(如果需要的话)应放置在靠近给时钟输出。
4)优化布局之一,在所有组件
电路板的同一侧,通过其他最大限度地减少通孔
信号层。其他信号走线应
离ICS650-41 。这包括信号线
只是在器件下方,或在邻近的层
设备所使用的接地平面层。
MDS 650-41 F
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4
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ICS650-41
扩频时钟合成器
绝对最大额定值
上面讲下面列出的收视率可能会导致该ICS650-41永久性损坏。这些评价,
这对于ICS商业额定零件标准值,只是应力额定值。功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件的业务部门所标明
规格是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间可以
影响产品的可靠性。电气参数只能在推荐工作保障
温度范围。
电源电压(VDD)
所有输入和输出
工作环境温度
储存温度
结温
( 10秒以内)焊接温度
7V
等级
-0.5 V至VDD + 0.5 V
0到+ 85C
-65到+ 150°C
125°C
260°C
推荐工作条件
参数
工作环境温度
电源电压(相对于GND测量)
电源电压( VDDO )
电源斜坡时间,图4
分钟。
0
+3.135
+2.375
典型值。
+3.3
+2.5
马克斯。
+85
+3.465
+2.625
4
单位
°C
V
V
ms
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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