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IC62C1024AL
文档标题
128K ×8低功耗CMOS SRAM
修订历史
版本号
0A
历史
最初的草案
草案日期
五月7,2002
备注
所附的说明书是由ICSI提供。集成电路解决方案公司保留更改规格的权利和
产品。 ICSI会回答有关设备的问题。如果您有任何疑问,请联系ICSI办事处。
集成电路解决方案公司
ALSR009-0A 2002年5月7日
1
IC62C1024AL
128K ×8低功耗CMOS静态RAM
特点
高速存取时间: 35 , 45 , 55 , 70纳秒
低有功功率: 450毫瓦(典型值)
低待机功率: 150 μW (典型值) CMOS
待机
输出使能( OE )和两个芯片使能
( CE1和CE2 )输入,便于应用
全静态操作:无时钟或刷新
需要
TTL兼容的输入和输出
单5V ( ± 10 % )电源
描述
ICSI
IC62C1024AL是一款低功耗, 131,072字由8位
CMOS静态RAM 。它是使用制造
ICSI
的高
高性能CMOS技术。这种高度可靠的过程
再加上创新的电路设计技术,产生高
高性能和低功耗的器件。
CE1
为高或CE2为低(未选中)时,器件
假设待机模式,在该功率耗散能
通过使用CMOS输入电平被减少。
易存储器扩展,通过使用两个芯片使能提供
输入,
CE1
和CE2 。该低电平有效写使能( WE)
同时控制写入和读取的存储器。
该IC62C1024L可在32引脚600mil DIP , SOP 450mil
8 * 20毫米TSOP- 1封装。
功能框图
A0-A16
解码器
512 x 2048
存储阵列
VCC
GND
I / O
数据
电路
I/O0-I/O7
列I / O
CE1
CE2
OE
WE
控制
电路
ICSI保留随时更改其产品在任何时候,恕不另行通知,以改进设计和提供最好的产品的权利。我们对任何错误概不负责
它可能出现在本出版物中。 版权所有2000年,集成电路解决方案公司
2
集成电路解决方案公司
ALSR009-0A 2002年5月7日
IC62C1024AL
引脚配置
32引脚SOP和DIP
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A15
CE2
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE1
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
引脚配置
32针8x20mm的TSOP -1
A11
A9
A8
A13
WE
CE2
A15
VCC
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CE1
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
GND
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
A3
引脚说明
A0-A16
CE1
CE2
OE
WE
I/O0-I/O7
VCC
GND
地址输入
芯片使能输入1
芯片使能输入2
输出使能输入
写使能输入
输入/输出
动力
工作范围
范围
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
5V
±
10%
5V
±
10%
真值表
模式
未选择
(掉电)
输出禁用
WE
X
X
H
H
L
CE1
H
X
L
L
L
CE2
X
L
H
H
H
OE
X
X
H
L
X
I / O操作
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
D
IN
VCC电流
I
SB
1
, I
SB
2
I
SB
1
, I
SB
2
I
CC
I
CC
I
CC
集成电路解决方案公司
ALSR009-0A 2002年5月7日
3
IC62C1024AL
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
相对于GND端子电压
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流(低)
价值
-0.5 + 7.0
-45 + 85
-65到+ 150
1.5
20
单位
V
°C
°C
W
mA
注意事项:
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能操作
器件在这些或以上的任何其他条件的业务部门所标明
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下,
长时间会影响其可靠性。
电容
(1,2)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注意事项:
1.测试开始后任何设计或工艺变化,可能会影响这些参数。
2.测试条件:T已
A
= 25 ° C,F = 1MHz时, VCC = 5.0V 。
DC电气特性
(以上经营范围)
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
(1)
输入漏
输出漏
测试条件
V
CC
=最小值,我
OH
= -1.0毫安
V
CC
=最小值,我
OL
= 2.1毫安
分钟。
2.4
2.2
–0.3
–2
–10
–2
–10
马克斯。
0.4
V
CC
+ 0.5
0.8
2
10
2
10
单位
V
V
V
V
A
A
GND
V
IN
V
CC
GND
V
OUT
V
CC
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
注意事项:
1. V
IL
= -3.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
电源特性
(1)
(以上经营范围)
符号参数
I
CC
I
SB
1
VCC工作动态
电源电流
TTL待机电流
( TTL输入)
CMOS待机
电流( CMOS输入)
测试条件
V
CC
=最大,
CE
= V
IL
I
OUT
= 0 mA时,女= F
最大
COM 。
IND 。
-35 NS
分钟。马克斯。
100
110
10
15
500
750
-45 NS
分钟。马克斯。
90
100
10
15
500
750
-55 NS
分钟。马克斯。
80
90
10
15
500
750
-70 NS
分钟。马克斯。
70
80
10
15
500
750
单位
mA
mA
V
CC
=最大,
COM 。
V
IN
= V
IH
或V
IL
,
CE1
V
IH
印第安纳州。
或CE2
V
IL
, f = 0
V
CC
=最大,
COM 。
CE1
V
CC
– 0.2V,
IND 。
CE2
0.2V, V
IN
& GT ; V
CC
– 0.2V,
或V
IN
0.2V , F = 0
I
SB
2
A
注意:
1.在f = F
最大
,地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0,表示无输入线发生变化。
4
集成电路解决方案公司
ALSR009-0A 2002年5月7日
IC62C1024AL
读周期开关特性
(1)
(以上经营范围)
符号
参数
读周期时间
地址访问时间
输出保持时间
CE1
存取时间
CE2访问时间
OE
存取时间
-35
分钟。马克斯。
35
3
0
0
3
3
0
35
35
35
10
10
10
-45
分钟。马克斯。
45
3
0
0
5
5
0
45
45
45
20
15
15
-55
分钟。马克斯。
55
3
0
0
7
7
0
55
55
55
25
20
20
-70
分钟。马克斯。
70
3
0
0
10
10
0
70
70
70
35
25
25
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
1
t
ACE
2
t
美国能源部
t
LZOE
(2)
OE
以低Z输出
t
HZOE
(2)
OE
到输出高阻态
t
LZCE
1
(2)
CE1
以低Z输出
t
LZCE
2
(2)
CE2为低-Z输出
t
HZCE
(2)
CE1
或CE2到输出高阻态
注意事项:
1.测试条件假设为5纳秒或更少的信号转换时间,定时1.5V的参考电平, 0输入脉冲电平为3.0V
和指定的图1a的输出负载。
2.测试,与图1b中的负荷。转变是从稳态电压测量± 500 mV的。未经100%测试。
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序
和参考电平
输出负载
单位
0V至3.0V
5纳秒
1.5V
请参阅图1a和1b
AC测试负载
480
5V
5V
480
产量
100 pF的
INCLUDING
夹具
范围
255
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
255
图1A 。
集成电路解决方案公司
ALSR009-0A 2002年5月7日
图1B 。
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