HIGH -SPEED 8K ×16
顺序访问
随机存取存储器（ SARAM ）
集成设备技术有限公司
IDT70825S
/
L
产品特点：
8K ×16顺序存取随机存取记忆体
（ SARAM
)
- 从一个端口和标准随机顺序访问
从另一个端口访问
- 单独的上层字节和的低字节控制
随机接入端口
高速运行
- 为20ns吨
AA
用于随机接入端口
- 为20ns吨
CD
对于连续的端口
- 25ns的时钟周期时间
基于双口RAM的细胞结构
静电放电> 2001V ， Ⅱ类
兼容英特尔BMIC和82430 PCI套装
宽度和深度扩展
顺序方
- 基于地址的标志缓冲控制
- 指针逻辑支持两个内部缓冲区
电池备份操作-2V的数据保留
TTL兼容，单5V （ ± 10 ％ ）电源
提供80引脚TQFP和84引脚PGA
军用产品符合MIL -STD- 883 。
工业级温度范围（ -40 ° C至+ 85°C ）是可用的，
测试军用电气规范。
描述：
该IDT70825是一个高速8K ×16位的顺序
访问随机存取存储器（ SARAM ） 。在SARAM
提供单芯片解决方案，以缓冲数据依次在一个
端口，并随机地（异步地）通过访问
另一端口。该装置具有双端口RAM的基
体系结构与标准SRAM接口用于随机
（异步）接入端口，并配有主频接口
对于顺序（同步）访问计数器测序
端口。
采用CMOS高性能技术制造，
这种存储设备一般工作在低于900MW
功率最大的高速时钟到数据随机
访问。自动断电功能，通过控制
CE
,
允许执行片上的电路的每个端口的输入非常低的
备用电源模式。
该IDT70825封装在一个80引脚薄型塑料四方
扁平封装（ TQFP ）或84引脚陶瓷针栅阵列（ PGA ） 。
军用级产品的制造符合
MIL -STD - 883 ， B类的最新版本，使之成为理想的
适用于军用温度要求苛刻的应用程序的
最高级别的性能和可靠性。
功能框图
A
0-12
13
SCLK
随机
ACCESS
PORT
控制
顺序
ACCESS
PORT
控制
R/
最低位
最高位
1
2
8K ×16
内存
ARRAY
I/O0-15
16
13
SR /
16
16
数据
L
ADDR
L
13
数据
R
ADDR
R
注册。
13
SI/O0-15
RST
13
13
13
指针/
计数器
起始地址缓冲区＃ 1
结束地址缓冲区＃ 1
起始地址缓冲区＃ 2
结束地址缓冲区＃ 2
流量控制缓冲区
标志状态
13
1
比较
2
3016 DRW 01
IDT标志为注册商标， SARAM是集成设备技术公司的商标。
军用和商用温度范围
1996集成设备技术有限公司
有关最新信息，请联系IDT的网站www.idt.com或传真点播在408-492-8391 。
1996年10月
DSC-3016/6
6.31
1
IDT70825S/L
HIGH -SPEED 8K ×16顺序存取随机存取存储器
军用和商用温度范围
销刀豆网络gurations
(1,2)
SI / O
2
SI / O
3
V
CC
SI / O
4
SI / O
5
SI / O
6
SI / O
7
GND
SI / O
8
SI / O
9
SI / O
10
SI / O
11
V
CC
SI / O
12
SI / O
13
SI / O
14
SI / O
15
GND
N / C
A
12
80 79 78 77 76 75 74 73 72 71 70 69 68 67 66 65 64 63 62 61
60
59
2
58
3
1
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
指数
SI / O
1
SI / O
0
GND
N / C
SCE
RST
SR /
W
SSTRT
2
SSTRT
1
SLD
IDT70825
PN80-1
TQFP
顶部
VIEW(3)
CNTEN
EOB
2
EOB
1
GND
GND
国有企业
A
11
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
V
CC
V
CC
A
1
A
0
SCLK
GND
CMD
CE
LB
UB
R/
V
CC
I / O
0
42
41
20
21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40
OE
W
I / O
1
GND
I / O
2
I / O
3
V
CC
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
GND
I / O
8
I / O
9
I / O
10
I / O
11
V
CC
I / O
12
I / O
13
I / O
14
I / O
15
GND
63
61
60
58
55
54
3016 DRW 02
I / O
1
66
V
CC
64
EOB
1
62
51
48
46
45
42
GND
CNTEN
GND
SSTRT
2
SR / W NC
59
56
GND
43
NC
40
11
10
09
08
07
06
05
04
03
02
01
I / O
2
67
NC
65
I / O
0
EOB
2
国有企业
49
RST
SLD SCE
52
50
47
44
SI / O
0
SI / O
1
SI / O
3
41
39
57
53
I / O
3
69
GND
68
SCLK GND
SSTRT
1
SI / O
2
V
CC
38
37
I / O
4
72
V
CC
71
73
33
SI / O
4
SI / O
5
35
34
I / O
7
75
I / O
6
GND
70
74
IDT70825
G84-3
84针PGA
TOP VIEW （ 3 ）
SI / O
8
SI / O
7
GND
32
31
36
I / O
9
76
I / O
5
77
I / O
8
78
SI / O
9
SI / O
10
SI / O
6
28
29
30
I / O
10
I / O
11
V
CC
79
80
SI / O
12
V
CC
SI / O
11
26
27
I / O
12
I / O
13
81
83
7
SI / O
14
SI / O
13
I / O
14
82
1
NC
2
CMD
A
0
11
12
23
25
V
CC
10
A
2
14
17
20
NC SI / O
15
22
24
I / O
15
GND
84
3
OE
5
LB
8
V
CC
15
A
4
13
A
7
16
A
10
18
A
12
19
GND
21
NC
A
指数
R/
W
4
UB
C
6
CE
D
9
A
1
E
A
5
F
A
3
G
A
6
H
A
8
J
A
9
K
A
11
L
B
3016 DRW 03
注意事项：
1.所有V
CC
引脚必须连接到电源。
2.所有GND引脚都必须连接到接地电源。
3.本文并不表示实际的部分标记的方向。
6.31
2
IDT70825S/L
HIGH -SPEED 8K ×16顺序存取随机存取存储器
军用和商用温度范围
引脚说明：随机访问端口
符号
A
0
-A
12
CE
名字
地址线
芯片使能
I / O
(1)
I
I
I
描述
地址输入以访问8192字（16位）的存储器阵列。
随机接入数据的输入/对16位宽的数据输出。
当
CE
为低时，该随机接入端口被启用。当
CE
为高电平时，在随机接入
端口被禁用进入掉电模式和I / O输出处于高阻抗状态。所有
在数据保留
CE
= VIH，除非它是通过连续的端口改变。
CE
和
CMD
不得
是低的，在同一时间。
当
CMD
为低电平时，地址线A
0
-A
2
, R/
W
和输入/输出I /
O0
-I/
O11
中，使用以
访问控制寄存器，标志寄存器，以及缓冲寄存器的开始和结束。
CMD
和
CE
未必低同时。
If
CE
低并且
CMD
是高电平时，数据被写入到所述阵列，当R /
W
为低电平，读的出
阵列时， R /
W
高。如果
CE
为HIGH和
CMD
为低电平时，读/
W
用于访问缓冲的COM
命令寄存器。
CE
和
CMD
未必低同时。
当
OE
为低电平且R /
W
是高电平时， I / O0 -I / O15输出被使能。当
OE
为高电平时，I / O
输出处于高阻抗状态。
当
LB
为低电平时， I / O0 -I / O7是读访问和写操作。当
LB
为高电平时， I /
O0
-
I/
O7
处于三态时读取和封锁和写入操作。
UB
访问控制的I / O8-
I/
O15
以相同的方式，是从异步
LB
.
七+ 5V电源引脚。所有的Vcc引脚都必须连接到相同的+ 5V V
CC
供应量。
十大接地引脚。所有接地引脚都必须连接到相同的地面供电。
3016 TBL 01
I/
O0
-I/
O15
输入/输出
CMD
控制寄存器
启用
读/写使能
I
R/
W
I
OE
OUTPUT ENABLE
低字节，上
字节使能
电源
地
I
I
LB UB
,
V
CC
GND
引脚说明：顺序访问端口
符号
SCLK
名字
时钟
I / O
(1)
I / O
I
描述
连续数据的输入/对16位宽的数据输出。
SI /
O0
-SI /
O15
,
SCE
， SR /
W
和
SLD
注册在SCLK的低到高的转变。
此外，顺序存取端口地址指针增加1上的每个低到高
当SCLK过渡
CNTEN
是低的。
当
SCE
低，顺序访问端口上的低到高的转变启用
SCLK 。当
SCE
是高电平时，顺序存取端口被禁用插入掉电模式
SCLK的低到高的转变，以及SI / O输出处于高阻抗状态。所有
数据将被保留，除非改变了随机接入端口。
当
CNTEN
为低，在SCLK低到高的跳变的地址指针递增。
这个函数是独立的
SCE
.
当SR /
W
和
SCE
低，一个写周期上的低到高的转变开始
SCLK 。当SR /
W
为高电平，并
SCE
和
国有企业
都为低，一个读周期就开始
低到高SCLK的转变。终止写入周期为低到高进行
SCLK的transistion如果SR /
W
or
SCE
为高。
当
SLD
被取样为低，有一个周期的地址指针之前的内部延迟
变化。当
SLD
为低电平，在输入数据SI /
O0
-SI /
O11
被加载到一个数据寄存器中
在SCLK低到高的跳变。在周期以下
SLD
时，地址指针
包含在数据寄存器中的变化的地址位置。
SSTRT
1
和
SSTRT
2
五月
不低，而
SLD
为LOW或循环过程中以下
SLD
.
当
SSTRT
1
or
SSTRT
2
为低时，地址的起始寄存器＃1或＃2被装载到
解决在SCLK的低到高的转变指针。的起始地址被存储在
内部寄存器。
SSTRT
1
和
SSTRT
2
未必低，而
SLD
为LOW或循环过程中
以下
SLD
.
or
EOB
2
是当地址指针递增，以匹配地址输出低电平
存储在缓冲寄存器中的末端。这些标志可以通过ASSERTING被清除
RST
或低
通过写入0到第0位和/或位的控制寄存器1的地址101 。
EOB
1
和
EOB
2
是
依赖于独立的内部寄存器，因此单独匹配的地址。
EOB
1
SI / O0-15输入
SCE
芯片使能
I
CNTEN
柜台启用
读/写使能
I
I
SR /
W
SLD
地址指针
负荷控制
I
1,
SSTRT
2
SSTRT
负载启动的
地址寄存器
I
1,
EOB
2
EOB
缓冲区标志结束
O
国有企业
OUTPUT ENABLE
I
控制数据输出和独立SCLK的。当
国有企业
为低时，输出缓冲器
和顺序寻址数据被输出。当
国有企业
为高电平时， SI / O输出总线是
高阻抗状态。
国有企业
是异步到SCLK 。
国有企业
RST
RESET
I
当
RST
为低电平时，所有内部寄存器都被设置为默认状态，地址指针设置
到零，并且
EOB
1
和
EOB
2
标志设置为高。
RST
是异步到SCLK 。
3016 TBL 02
注意：
1. "I / O"是双向的输入和输出。 "I"是输入和"O"输出。
6.31
3
IDT70825S/L
HIGH -SPEED 8K ×16顺序存取随机存取存储器
军用和商用温度范围
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
(2)
等级
广告
军事
-0.5到+7.0
单位
V
端电压-0.5到+7.0
对于
到GND
操作
温度
温度
在偏置
存储
温度
DC输出
当前
0至+70
-55到+125
-55到+125
50
推荐工作
温度和电源电压
GRADE
军事
广告
环境
温度
-55 ° C至+ 125°C
0 ° C至+ 70°C
GND
0V
0V
VCC
5.0V
±
10%
5.0V
±
10%
3016 TBL 04
T
A
T
BIAS
T
英镑
I
OUT
-55到+125
-65到+135
-65到+150
50
°C
°C
°C
mA
建议的直流工作
条件
符号
V
CC
GND
V
IH
V
IL
参数
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
分钟。
4.5
0
2.2
–0.5
(1)
典型值。
5.0
0
—
—
马克斯。
5.5
0
6.0
(2)
0.8
单位
V
V
V
V
3016 TBL 05
注意事项：
3016 TBL 03
1.强调超过绝对最大额定上市
INGS可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力等级
该器件在这些或任何其他条件只与功能操作
以上这些表明，在业务部门的这种规范不是
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响其可靠性。
2. V
TERM
不得超过VCC + 0.5V对循环时间的25％以上
或为10ns最大，并且被限制为< 20毫安为Ⅴ的周期
TERM
＆ GT ; VCC
+ 0.5V.
注意事项：
1. V
IL
> -1.5V脉冲宽度小于10ns的。
2. V
TERM
不得超过VCC + 0.5V。
电容
(1)
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）仅TQFP
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
产量
电容
条件
(2)
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
马克斯。
9
10
单位
pF
pF
注意事项：
3016 TBL 06
1，这个参数是由器件特性决定的，而不是
生产测试。
2. 3DV引用当输入和内插的输出电容
信号转换为0V至3V或3V至0V 。
DC电气特性在整个工作温度
及电源电压范围（V
CC
= 5.0V
±
10%)
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
(1)
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
测试条件
V
CC
=最大。 V
IN
= GND到V
CC
V
CC
=最大。
CE
和
SCE
= V
IH
V
OUT
= GND到V
CC
I
OL
= 4毫安，V
CC
=最小值。
I
OH
= -4mA ，V
CC
=最小值。
IDT70825S
分钟。
马克斯。
—
—
—
2.4
5.0
5.0
0.4
—
IDT70825L
分钟。
马克斯。
—
—
—
2.4
1.0
1.0
0.4
—
单位
A
A
V
V
3016 TBL 07
注意：
1.在Vcc
≤
2.0V输入泄漏是不确定的。
6.31
4
IDT70825S/L
HIGH -SPEED 8K ×16顺序存取随机存取存储器
军用和商用温度范围
DC电气特性在整个工作温度
与电源电压范围
(1)
（VCC = 5.0V
±
10%)
符号
I
CC
参数
工作动态
当前
（两个端口均有效）
I
SB
1
待机电流
（这两个港口 - TTL电平
输入）
I
SB
2
待机电流
（单端口 - TTL电平
INPUT）
I
SB
3
全待机电流
（这两个端口 - CMOS
电平输入）
I
SB
4
全待机电流
（单端口 - CMOS
电平输入）
CE
TEST
条件
= V
IL
，输出
开放的，
SCE
= V
IL
(5)
f = f
最大
(3)
SCE
VERSION
米尔。
S
L
70825X20
70825X25
Com'l 。只有Com'l 。只
典型值。
(2)
马克斯。典型值。
(2)
马克斯。
—
—
180
180
—
—
25
25
—
115
115
—
—
1.0
0.2
—
—
110
110
—
—
380
330
—
—
70
50
—
——
260
230
—
—
15
5
—
—
240
200
—
—
170
170
—
—
25
25
—
—
105
105
—
—
1.0
0.2
—
—
100
100
—
—
360
310
—
—
70
50
—
—
250
220
—
—
15
5
—
—
230
190
70825X35
70825X45
典型值。
(2)
马克斯。典型值。
(2)
MAX 。 UNIT
160
160
160
160
20
20
20
20
95
95
95
95
1.0
0.2
1.0
0.2
90
90
90
90
400
340
340
290
85
65
70
50
290
250
240
210
30
10
15
5
260
215
220
180
155
155
155
155
16
16
16
16
90
90
90
90
1.0
0.2
1.0
0.2
85
85
85
85
400
340
340
290
85
65
70
50
290
250
240
210
30
10
15
5
260
215
220
180
mA
mA
mA
mA
mA
和
CE
＆ GT ;
V
IH
(7)
CMD
= V
IH
f = f
最大
(3)
COM'L 。 S
L
米尔。
S
L
CE
or
SCE
=
V
IH
有源端口输出
开放式中，f = F
最大
(3)
COM'L 。 S
L
米尔。
S
L
COM'L 。 S
L
S
L
这两个端口
CE
和
米尔。
(6,7)
SCE
≥
V
CC
- 0.2V
V
IN
≥
V
CC
- 0.2V或
V
IN
≤
0.2V ， F = 0
(4)
一个端口
CE
or
(6)
SCE
≥
V
CC
- 0.2V
输出打开
COM'L 。 S
L
米尔。
S
L
（活动端口），F = F
最大
(3)
COM'L 。 S
V
IN
≥
V
CC
- 0.2V或
V
IN
≤
0.2V
L
注意事项：
3016 TBL 08
1. "X"部分数字表示额定功率（S或L ） 。
2. V
CC
= 5V ，TA = + 25°C ;根据设备特性保证，但未经生产测试。
3.在f = F
最大
，地址，控制线（除输出使能） ，和SCLK循环以1 / tRC的最高频率的读周期。
4， F = 0表示无地址或控制线变化。
5.
SCE
可转变的，但是低（
SCE
=V
IL
）时，由SCLK时钟输入。
6.
SCE
可能是
≤
0.2V后，它的时钟频率中，由于SCLK = V
IH
时钟必须在之前断电。
7.如果一个端口被启用（或者
CE
or
SCE
=低），那么另一个端口被禁用（
SCE
or
CE
=高，分别） 。 CMOS高>的Vcc - 0.2V和
低< 0.2V ，而TTL高= V
IH
低= V
IL
.
数据保持特性在所有温度范围
（只有L型）
(V
LC
＆ LT ; 0.2V ，V
HC
＆ GT ; V
CC
- 0.2V)
符号
V
DR
I
CCDR
t
CDR
(3)
t
R
(3)
参数
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
CE
测试条件
V
CC
= 2V
= V
HC
=
V
HC
(4)
米尔。
Com'l 。
当SCLK =
V
IN
= V
HC
或者V
LC
SCE
CMD
分钟。
2.0
—
—
0
t
RC
(2)
典型值。
(1)
—
100
100
—
—
马克斯。
—
4000
1500
—
—
单位
V
A
ns
ns
3016 TBL 09
= V
HC
注意事项：
1. T
A
= + 25 ° C，V
CC
= 2V ;根据设备特性保证，但未经生产测试。
2. t
RC
=读周期时间
3.此参数是由设备特性保证，但未经生产测试。
4.要启动数据保留，
SCE
= V
IH
必须移入。
6.31
5
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