IC61LV2568
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256K ×8海特高速SRAM与3.3V
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0A
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九月12,2001
所附的说明书是由ICSI提供。集成电路解决方案公司保留更改规格的权利和
产品。 ICSI会回答有关设备的问题。如果您有任何疑问，请联系ICSI办事处。
集成电路解决方案公司
AHSR023-0A
09/12/2001
1
IC61LV2568
256K ×8高速CMOS静态RAM
特点
高速存取时间：
- 8 ，10，12和15纳秒
高性能与特点，低功耗的CMOS工艺
多中心的电源和接地引脚
更大的噪声抗扰度
易于扩展的内存使用
CE
和
OE
选项
CE
掉电
CMOS功率： 540毫瓦@ 10纳秒
36 mW的待机模式
TTL兼容的输入和输出
单3.3V
±
10 ％的电力供应
??可用的软件包：
- 36引脚400mil SOJ
- 44针TSOP- 2
描述
该
ICSI
IC61LV2568是一个非常高速，低功耗，
262,144字由8位COMS静态RAM 。该IC61LV2568是
使用制造
ICSI
的高性能CMOS技术。
这再加上创新的电路高度可靠的工艺
设计技术，得到更高的性能与低功耗
consumotion设备。
当
CE
为高（取消） ，器件处于待机
模式，在其中的功耗可被降低至
36毫瓦（最大）与CMOS输入电平。
该IC61LV2568采用3.3V单电源供电，并
所有的输入是TTL兼容的。
该IC61LV2568是采用36引脚， 400mil SOJ和44引脚可用
TSOP -2封装。
功能框图
A0-A17
解码器
256K ×8
存储阵列
VCC
GND
I / O
数据
电路
I/O0-I/O7
列I / O
CE
OE
WE
控制
电路
ICSI保留随时更改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供最好的产品的权利。我们对任何错误概不负责
它可能出现在本出版物中。 版权所有2000年，集成电路解决方案公司
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集成电路解决方案公司
AHSR023-0A
09/12/2001
IC61LV2568
引脚配置
36引脚SOJ
A4
A3
A2
A1
A0
CE
I/O0
I/O1
VCC
GND
I/O2
I/O3
WE
A17
A16
A15
A14
A13
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
NC
A5
A6
A7
A8
OE
I/O7
I/O6
GND
VCC
I/O5
I/O4
A9
A10
A11
A12
NC
NC
引脚配置
44引脚TSOP- 2
NC
NC
A4
A3
A2
A1
A0
CE
I/O0
I/O1
VCC
GND
I/O2
I/O3
WE
A17
A16
A15
A14
A13
NC
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
NC
NC
NC
A5
A6
A7
A8
OE
I/O7
I/O6
GND
VCC
I/O5
I/O4
A9
A10
A11
A12
NC
NC
NC
NC
引脚说明
A0-A17
CE
OE
WE
I/O0-I/O7
VCC
GND
NC
地址输入
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
输入/输出
动力
地
无连接
真值表
模式
未选择
（掉电）
输出禁用
读
写
WE
X
H
H
L
CE
H
L
L
L
OE
X
H
L
X
I / O操作
高-Z
高-Z
D
OUT
D
IN
VCC电流
I
SB
1
, I
SB
2
I
CC
I
CC
I
CC
绝对最大额定值
(1)
符号
V
CC
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
D
I
OUT
参数
电源电压相对于GND
相对于GND端子电压
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流
价值
单位
-0.5到+4.6
V
-0.5 VCC + 0.5 V
-10至+85
°C
-45至+90
-65到+150
°C
1
W
±20
mA
COM 。
IND 。
注意事项：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致永久性的
损坏设备。这是一个额定值，设备的功能操作在这些或任何
以上这些在本规范的业务部门所标明的其他条件是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
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AHSR023-0A
09/12/2001
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IC61LV2568
工作范围
范围
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
3.3V
±
10%
3.3V
±
10%
DC电气特性
（以上经营范围）
符号参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
(1)
输入漏
输出漏
GND
≤
V
IN
≤
V
CC
GND
≤
V
OUT
≤
V
CC
，输出禁用
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
分钟。
2.4
—
2.0
–0.3
–1
–5
–1
–5
马克斯。
—
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
1
5
1
5
单位
V
V
V
V
A
A
注意事项：
1. V
IL
（分钟） = -0.3V （DC） ; V
IL
（分钟） = -2.0V （脉冲宽度
≤
2.0纳秒） 。
V
IH
（最大值） - V
CC
+ 0.3V （DC） ; V
IH
（最大）= Vcc的+ 2.0V （脉冲宽度
≤
2.0纳秒） 。
2. Vcc操作范围为8 ns为3.3V + 10 ％， - 5 ％ 。
电源特性
(1)
（以上经营范围）
-8 NS
符号。
I
CC
I
SB
1
参数
测试条件
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
分钟。
马克斯。
-10 NS
分钟。
马克斯。
-12 NS
分钟。
马克斯。
-15 NS
分钟。
马克斯。
单位
VCC动态工作V
CC
=最大，
CE
= V
IL
电源电流
I
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
TTL待机电流
（ TTL输入）
CMOS待机
电流（ CMOS输入）
V
CC
=最大，
V
IN
= V
IH
或V
IL
CE
≥
V
IH
, f = 0
V
CC
=最大，
CE
≤
V
CC
– 0.2V,
V
IN
≥
V
CC
- 0.2V ，或
V
IN
≤
0.2V ， F = 0
—
—
—
—
—
—
170
180
30
40
10
15
—
—
—
—
—
—
150
160
30
40
10
15
—
—
—
—
—
—
140
150
30
40
10
15
—
—
—
—
—
—
130
140
30
40
10
15
mA
mA
I
SB
2
mA
注意事项：
1.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0，表示无输入线发生变化。
电容
(1,2)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注意事项：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
2.测试条件：T已
A
= 25 ° C，F = 1MHz时， VCC = 3.3V 。
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IC61LV2568
读周期开关特性
(1)
（以上经营范围）
-8 NS
符号
参数
读周期时间
地址访问时间
输出保持时间
CE
存取时间
OE
存取时间
分钟。马克斯。
-10 NS
分钟。马克斯。
-12 NS
分钟。马克斯。
-15 NS
分钟。马克斯。
单位
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
8
—
3
—
—
0
0
3
0
—
8
—
8
3
—
3
—
3
10
—
3
—
—
0
0
3
0
—
10
—
10
4
—
4
—
4
12
—
3
—
—
0
0
3
0
—
12
—
12
5
—
5
—
5
15
—
3
—
—
0
0
3
0
—
15
—
15
6
—
6
—
6
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
LZOE
(2)
OE
以低Z输出
t
HZOE
(2)
OE
到输出高阻态
t
LZCE
(2)
CE
以低Z输出
t
HZCE
(2)
CE
到输出高阻态
注意事项：
1.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平，
0输入脉冲电平为3.0V ，输出负载，如图1中指定。
2.在图测试与负载2的过渡，从稳态电压测量± 200毫伏。不
100 ％测试。
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序
和参考电平
输出负载
单位
0V至3.0V
3纳秒
1.5V
参见图1和2
注意事项：
1. Vcc操作范围为8 ns为3.3V + 10 ％， - 5 ％ 。
AC测试负载
319
3.3V
3.3V
319
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
353
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
353
图1 。
集成电路解决方案公司
AHSR023-0A
09/12/2001
图2中。
5
QQ：2881677436 复制
