IC61C256AH
文档标题
32K ×8的高速SRAM
修订历史
版本号
0A
0B
0C
0D
历史
最初的草案
吨的修改错字
HA
第7页
添加SOP封装类型
SOP的大小在2,9页修改错字
草案日期
三月23,2001
十月18,2001
二月18,2002
四月19,2002
备注
所附的说明书是由ICSI提供。集成电路解决方案公司保留更改规格的权利和
产品。 ICSI会回答有关设备的问题。如果您有任何疑问，请联系ICSI办事处。
集成电路解决方案公司
AHSR010-0D 2002年4月19日
1
IC61C256AH
32K ×8高速CMOS静态RAM
特点
高速存取时间： 10，12， 15，20， 25纳秒
低有功功率： 400毫瓦（典型值）
低待机功耗
-- 250
W
（典型值） CMOS待机
- 55毫瓦（典型值） TTL待机
全静态操作：无时钟或刷新
需要
TTL兼容接口和输出
单5V电源
描述
该
ICSI
IC61C256AH非常高速，低功耗， 32,768
字由8位的静态RAM 。他们使用的是制造
ICSI
's
高性能CMOS技术。这种高度可靠的亲
塞斯加上创新的电路设计技术，产量
访问时间以最快的速度最大为8 ns 。
当
CE
为高（取消） ，器件处于待机
模式，在其中的功耗减小到
50
W（典型值）， CMOS输入电平。
易存储器扩展是通过使用低有效提供
芯片使能（ CE） 。该低电平有效写使能（ WE）控制
写入和读取的存储器。
该IC61C256AH的引脚与其它的32k x兼容
8
静态存储器
并在28引脚PDIP 300MIL ， 300MIL SOJ可用，
8 * 13.4毫米TSOP- 1封装， 330万SOP 。
功能框图
A0-A14
解码器
32K ×8
存储阵列
VCC
GND
I / O
数据
电路
I/O0-I/O7
列I / O
CE
OE
WE
控制
电路
ICSI保留随时更改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供最好的产品的权利。我们对任何错误概不负责
它可能出现在本出版物中。 版权所有2000年，集成电路解决方案公司
2
集成电路解决方案公司
AHSR010-0D 2002年4月19日
IC61C256AH
引脚配置
28引脚DIP和SOJ和SOP
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
引脚配置
8x13.4mm TSOP - 1
OE
A11
A9
A8
A13
WE
VCC
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
22
23
24
25
26
27
28
1
2
3
4
5
6
7
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
GND
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
引脚说明
A0-A14
CE
OE
WE
I/O0-I/O7
VCC
GND
地址输入
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
输入/输出
动力
地
真值表
模式
未选择
（掉电）
输出禁用
读
写
WE
X
H
H
L
CE
H
L
L
L
OE
X
H
L
X
I / O操作
高-Z
高-Z
D
OUT
D
IN
VCC电流
I
SB
1
, I
SB
2
I
CC
1
,I
CC
2
I
CC
1
, I
CC
2
I
CC
1
, I
CC
2
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
D
I
OUT
参数
相对于GND端子电压
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流（低）
价值
-0.5到+7.0
-55到+125
-65到+150
1.5
20
单位
V
°C
°C
W
mA
注意事项：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致永久性的
损坏设备。这是一个额定值，设备的功能操作在这些或任何
以上这些在本规范的业务部门所标明的其他条件是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
集成电路解决方案公司
AHSR010-0D 2002年4月19日
3
IC61C256AH
工作范围
范围
广告
产业
注意事项：
1.8 ns的初步。
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
速度
-10, -12
-15, -20
-12
-15, -20, -25
V
CC
5V, ± 5%
5V ± 10%
5V ± 5%
5V± 10%
DC电气特性
（以上经营范围）
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
(1)
输入低电压
(2)
输入漏
输出漏
GND
≤
V
IN
≤
V
CC
GND
≤
V
OUT
≤
V
CC
,
输出禁用
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
分钟。
2.4
—
2.2
–0.5
–5
–10
–5
–10
马克斯。
—
0.4
V
CC
+ 0.5
0.8
5
10
5
10
单位
V
V
V
V
A
A
注意事项：
1. V
IH
=V
CC
+ 3.0V的脉冲宽度小于10ns的。
2. V
IL
= -3.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
电源特性
(1)
（以上经营范围）
-10
符号。参数
I
CC
I
SB
1
VCC工作动态
电源电流
TTL待机电流
（ TTL输入）
CMOS待机
电流（ CMOS输入）
测试条件
V
CC
=最大，
CE
= V
IL
I
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
V
CC
=最大，
V
IN
= V
IH
或V
IL
CE
≥V
IH
, f = 0
V
CC
=最大，
CE
≥
V
CC
– 0.2V,
V
IN
≥
V
CC
- 0.2V ，或
V
IN
≤
0.2V ， F = 0
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
分钟。马克斯。
-12
分钟。马克斯。
-15
分钟。马克斯。
-20
分钟。马克斯。
-25
分钟。马克斯。
单位
— 145
— 180
— 25
— 30
— 2
— 10
— 135
— 170
— 25
— 30
— 2
— 10
— 125
— 160
— 25
— 30
— 2
— 10
— 120
— 150
— 25
— 30
— 2
— 10
— 120
— 140
— 25
— 30
— 2
— 10
mA
mA
I
SB
2
mA
注意事项：
1.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0，表示无输入线发生变化。
电容
(1,2)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
8
10
单位
pF
pF
注意事项：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
2.测试条件：T已
A
= 25 ° C，F = 1MHz时， VCC = 5V 。
4
集成电路解决方案公司
AHSR010-0D 2002年4月19日
IC61C256AH
读周期开关特性
(1)
（以上经营范围）
-10
符号参数
分钟。
马克斯。
分钟。
-12
马克斯。
分钟。
-15
马克斯。
分钟。
-20
马克斯。
分钟。
-25
马克斯。
单位
t
RC
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
读周期时间
输出保持时间
CE
存取时间
OE
存取时间
10
—
2
—
—
0
—
2
—
0
—
—
10
—
10
5
—
5
—
5
—
10
12
—
2
—
—
0
—
3
—
0
—
—
12
—
12
5
—
6
—
7
—
12
15
—
2
—
—
0
—
3
—
0
—
—
15
—
15
7
—
7
—
8
—
15
20
—
2
—
—
0
—
3
—
0
—
—
20
—
20
8
—
9
—
9
—
18
25
—
2
—
—
0
—
3
—
0
—
—
25
—
25
9
—
10
—
10
—
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
AA
地址访问时间
t
LZOE
(2)
OE
以低Z输出
t
HZOE
(2)
OE
到输出高阻态
t
LZCE
(2)
CE
以低Z输出
t
HZCE
(2)
CE
到输出高阻态
t
PU
(3)
CE
到上电
t
PD
(3)
CE
掉电
注意事项：
1.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平为3.0V
并规定在图1的输出负载。
2.在图测试与负载2的过渡，从稳态电压测量± 200毫伏。未经100％测试。
3.未经100％测试。
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序
和参考电平
输出负载
单位
0V至3.0V
3纳秒
1.5V
参见图1和2
AC测试负载
480
5V
5V
480
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
255
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
255
图1 。
集成电路解决方案公司
AHSR010-0D 2002年4月19日
图2中。
5
QQ：2881677436 复制
