1 + " 5& ？
.eatures
1MEG ×8位×2组（ 16兆位）
同步动态RAM
描述
1+51
的16Mb的同步DRAM IC42S8200组织
作为1MEG ×8位×2银行为改进的性能。该
同步DRAM实现高速数据传输
采用流水线结构。所有输入和输出信号
参考时钟输入的上升沿。
时钟频率： 166 ， 143 ， 125 ， 100 MHz的
?? .ully同步;引用到的所有信号
时钟上升沿
两个银行可以同时操作，
独立地
通过A11双控制内部银行（银行选择）
单3.3V电源
LVTTL接口
可编程突发长度
- （ 1，2， 4，8，全页）
可编程突发序列：
顺序/交错
自动刷新，自刷新
4096刷新周期每128毫秒
随机列地址每个时钟周期
可编程
+)5
延迟（2,3时钟）
突发读取/写入和突发读/写单
作战能力
突发终止突发停止和预充电
命令
??包装400mil 44引脚TSOP- 2
PIN CON.IGURATIONS
44引脚TSOP- 2
VCC
I/O0
GNDQ
I/O1
VCCQ
I/O2
GNDQ
I/O3
VCCQ
NC
NC
WE
CAS
RAS
CS
A11
A10
A0
A1
A2
A3
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
GND
I/O7
GNDQ
I/O6
VCCQ
I/O5
GNDQ
I/O4
VCCQ
NC
NC
DQM
CLK
CKE
NC
A9
A8
A7
A6
A5
A4
GND
引脚说明
A0-A11
A0-A10
A11
A0-A8
I / O0至I / O7
CLK
CKE
CS
RAS
地址输入
行地址输入
银行选择地址
列地址输入
数据I / O
系统时钟输入
时钟使能
芯片选择
行地址选通命令
CAS
WE
DQM
VCC
GND
VCCQ
GNDQ
NC
列地址选通命令
写使能
输入/输出的掩码
动力
地
电源的I / O引脚
地面的I / O引脚
无连接
ICSI保留随时更改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供最好的产品的权利。我们对任何错误概不负责
它可能出现在本出版物中。 版权所有2000年，集成电路解决方案公司
集成电路解决方案公司
DR018-0A 2001年7月10日
1
1 + " 5& ？
PIN .UNCTIONS
PIN号
17至21
24至29
符号
A0-A10
TYPE
输入引脚
.unction （详细）
A0到A10是地址输入。 A0 - A10是在主动作为行地址输入
在读或写命令的命令输入， A0 -A7为地址栏输入
输入。 A10也用在其它的命令，以确定在预充电模式。如果
A10是预充电命令在低， A11所选择的银行进行预充电，
但如果A10为高电平时，两家银行将预充电。
当A10是高的读或写命令周期，预充电开始automati-
之后美云的突发访问。
这些信号成为操作码的模式寄存器设置命令中的一部分
输入。
A11是所述存储体选择信号。当A11为低电平时，选择Bank 0时
高，银行1被选中。该信号成为操作码的过程模式部分
注册set命令的输入。
CAS ，
在与结合
RAS
和
WE ，
形成设备的命令。见
＆ QUOT ;命令真值表＆ QUOT ;关于设备命令的详细信息资料。
所述CKE输入决定了装置内的CLK输入是否被使能。
当是CKE高电平时，在CLK信号的下一个上升沿将是有效的，并且当
低，无效的。当CKE为低电平时，器件会无论是在掉电模式下，
时钟暂停模式或自刷新模式。所述CKE是一个异步输入。
CLK是主时钟输入此设备。除CKE ，所有输入到该
装置被同步于该引脚的上升沿取得。
该
CS
输入决定了装置内的指令输入是否被使能。
指令输入时启用
CS
低，与残疾人
CS
为HIGH 。该
设备保持在以前的状态时
CS
为高。
I / O0到I / O7是I / O引脚。
在读取模式下， DQM的控制输出缓冲器。当DQM为低电平时，相应
ING缓冲区的字节使能，而当高，残障人士。输出去
对
高阻抗状态时， DQM高。此功能对应
OE
in
传统的DRAM 。在写入模式下， DQM控制输入缓冲器。当DQM是
低，相应的缓冲器字节使能，并且数据可以被写入到
装置。当DQM为高电平时，输入数据被屏蔽，并且不能写入到
装置。
RAS ，
与联
CAS
和
WE ，
形成设备的命令。见
＆ QUOT ;命令真值表＆ QUOT ;关于设备命令的详细信息资料。
WE ，
与联
RAS
和
CAS ，
形成设备的命令。见
＆ QUOT ;命令真值表＆ QUOT ;关于设备命令的详细信息资料。
V
CC
Q是输出缓冲器的电源。
V
CC
是设备内部电源。
GNDQ是输出缓冲器地面。
GND是设备内部的地面上。
16
A11
输入引脚
13
31
CAS
CKE
输入引脚
输入引脚
32
15
2,4,6,8
37,39,41,43
33
CLK
CS
I / O0至
I/O7
DQM ，
输入引脚
输入引脚
I / O引脚
输入引脚
14
12
5,9,36,40
1,22
3,7,38,42
23,44
RAS
WE
V
CC
Q
V
CC
GNDQ
GND
输入引脚
输入引脚
电源引脚
电源引脚
电源引脚
电源引脚
2
集成电路解决方案公司
DR018-0A 2001年7月10日
1 + " 5& ？
绝对最大额定值
(1)
符号
V
CC MAX
V
CCQ MAX
V
IN
V
OUT
P
MAX
I
CS
T
OPR
T
英镑
参数
最大电源电压
最大电源电压为输出缓冲
输入电压
输出电压
允许功耗
输出短路电流
工作温度
储存温度
等级
-1.0到+4.6
-1.0到+4.6
-1.0到+4.6
-1.0到+4.6
1
50
0至+70
-55到+150
单位
V
V
V
V
W
mA
°C
°C
DC推荐工作条件
(2)
(
在T
A
= 0至+ 70 ° C）
符号
V
CC
, V
CC
Q
V
IH
V
IL
参数
电源电压
输入高电压
(3)
输入低电压
(4)
分钟。
3.0
2.0
-0.3
典型值。
3.3
马克斯。
3.6
V
DD
+ 0.3
+0.8
单位
V
V
V
电容特性
(1,2)
（在T
A
= 0至+ 25 ° C， VCC = VCCQ = 3.3 ± 0.3V ， F = 1兆赫）
符号
C
IN
1
C
IN
2
CI / O
参数
输入电容： A0 -A11
输入电容（ CLK ， CKE ，
CS ， RAS ， CAS，WE ，
LDQM ， UDQM ）
数据输入/输出电容： I / O0 -I / O15
典型值。
马克斯。
4
4
5
单位
p.
p.
p.
注意事项：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。
这是一个额定值，器件运行在超过或在标明的任何其他条件
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响其可靠性。
2.所有电压参考GND 。
3. V
IH
（MAX） = V
CCQ
+ 2.0V的脉冲宽度< 3纳秒。
4. V
IL
（分钟） = GND - 2.0V带脉＆ LT ; 3 NS和-1.5V带脉＆ LT ;为5ns 。
4
集成电路解决方案公司
DR018-0A 2001年7月10日
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DC电气特性
（推荐工作条件，除非另有说明。 ）
符号参数
I
IL
I
OL
V
OH
V
OL
I
CC
1
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压电平
输出低电压电平
工作电流
(1,2)
测试条件
0V ＆ LT ; V
IN
＆ LT ; V
CC
，比其他引脚
在0V测试针
输出被禁止
0V ＆ LT ; V
OUT
＆ LT ; V
CC
I
OUT
= -2毫安
I
OUT
= 2毫安
一家银行工作，
突发长度= 1
t
RC
＆ GT ;吨
RC
（分）
I
OUT
= 0毫安
CKE < V
IL
(
最大
)
CKE > V
IH
(
民
)
t
CK
= t
CK
(
民
)
I
OUT
= 0毫安
t
RC
= t
RC
(
民
)
CAS
延时= 3
-6
-7
-8
-6
-7
-8
-6
-7
-8
速度
分钟。
5
10
2.4
6
7
8
马克斯。
5
10
0.4
145
140
135
2
45
40
35
140
130
100
90
80
70
1
单位
A
A
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
I
CC
2
I
CC
3
I
CC
4
预充电待机电流
（掉电模式）
主动待机电流
（在非掉电模式）
工作电流
（在突发模式）
(1)
自动刷新当前
t
CK
= t
CK
(
民
)
t
CK
= t
CK
(
民
)
I
CC
5
I
CC
6
自刷新电流
CKE < 0.2V
注意事项：
1.这些是在最小循环时间的值。由于电流瞬变，这些值减小，周期时间
增加。还要注意的是至少为0.01 μ的一个旁路电容。应Vcc和GND之间插入的每个
内存芯片来抑制电源噪声电压（电压降），由于这些瞬态电流。
2. ICC1和ICC4依赖于输出负载。
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DR018-0A 2001年7月10日
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