IC41SV4105
文档标题
1Mx4位动态RAM具有快速页面模式
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版本号
0A
历史
最初的草案
草案日期
十月29,2001
备注
初步
所附的说明书是由ICSI提供。集成电路解决方案公司保留更改规格的权利和
产品。 ICSI会回答有关设备的问题。如果您有任何疑问，请联系ICSI办事处。
集成电路解决方案公司
DR032-0A 2001年10月29日
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IC41SV4105
初步
1M ×4 （ 4兆位）动态RAM
与快速页面模式
特点
快速页模式访问周期
TTL兼容的输入和输出
刷新间隔：
- 1024次/ 16毫秒
刷新模式：
RAS-只，
CAS先于RAS
（CBR） ，及隐藏
?? JEDEC标准引脚
单电源供电：
1.9V
2.4V
描述
该
ICSI
4105系列是1,048,576 ×4位高性能
CMOS动态随机存取存储器。快速页面
模式允许在一行中1024随机访问
存取周期时间尽可能短，每4位的字20纳秒。
这些特性使得4105系列非常适合于数字
信号处理，并且低功耗便携式音频应用。
在4105系列封装在一个20引脚300MIL SOJ和20
脚TSOP - 2
关键时序参数
参数
RAS
访问时间（吨
RAC
)
CAS
访问时间（吨
CAC
)
列地址访问时间（t
AA
)
快速页模式周期时间（t
PC
)
读/写周期时间（T
RC
)
-50
50
14
25
20
90
-70
-100
单位
70
20
35
45
130
100
25
50
60
180
ns
ns
ns
ns
ns
引脚配置
20 （ 26 ）引脚SOJ ， TSOP- 2
I/O0
I/O1
WE
RAS
A9
1
2
3
4
5
26
25
24
23
22
GND
I/O3
I/O2
CAS
OE
引脚说明
A0-A9
I/O0-3
WE
OE
RAS
CAS
VCC
地址输入
数据输入/输出
写使能
OUTPUT ENABLE
行地址选通
列地址选通
动力
地
A0
A1
A2
A3
VCC
9
10
11
12
13
18
17
16
15
14
A8
A7
A6
A5
A4
GND
ICSI保留随时更改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供最好的产品的权利。我们对任何错误概不负责
它可能出现在本出版物中。 版权所有2000年，集成电路解决方案公司
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集成电路解决方案公司
DR032-0A 2001年10月29日
IC41SV4105
功能说明
该IC41SV4105是CMOS的DRAM的高优化
高速带宽，低功耗的应用。在读
或写周期，每一位通过独特的解决
10个地址位。这些被输入的10位（ A0- A9）在
一时间。的行地址由行地址锁存
选通脉冲（RAS）的。列地址被锁存
列地址选通（ CAS） 。
RAS
用于锁存所述
前十位，
CAS
使用后者的10比特。
刷新周期
保留数据， 1024刷新周期需要在每
16毫秒的时间。有两种方法来刷新存储器：
1.计时每1024行地址（ A0
通过A9）与RAS至少每16毫秒。任何
读，写，读 - 修改 - 写或RAS只重周期
freshes被寻址的行。
2.使用
CAS先于RAS
刷新周期。
CAS-直至─
RAS
刷新由下降沿激活
RAS ，
同时举行
CAS
低。在
CAS先于RAS
刷新
周期，内部10位计数器提供的AD-行
礼服和外部地址输入将被忽略。
CAS先于RAS
是刷新-only模式，没有数据
访问或设备的选择是允许的。因此，输出
在循环过程中保持在高阻状态。
存储周期
存储器周期是由带启动
RAS
低，这是
通过返回两个终止
RAS
和
CAS
HIGH 。对
保证器件正常工作和数据完整性的任何
存储器周期，一旦启动，不能结束或中止
最低吨前
RAS
时间已经过期。一个新的周期
不能启动，直到最小的预充电时间t
RP
,
t
CP
是否已经过去。
POWER- ON
应用在V后
CC
供应的初始暂停
200 μs的需要之后至少8初始
化周期（含周期的任意组合
RAS
信号）。
上电过程中，则建议
RAS
与跟踪
V
CC
或在一个有效的V举行
IH
为了避免电流浪涌。
读周期
读周期由下降沿启动
CAS
or
OE ，
为准过去，一边拿着
WE
HIGH 。该
列地址必须对指定的最小时间
经t
AR
。数据输出变为有效只有当T
RAC
, t
AA
, t
CAC
和T
OE
都不满意。其结果是，在存取时间是
依赖于它们之间的定时关系
参数。
写周期
写周期是由下降沿启动
CAS
和
WE ，
为准过去。输入数据必须是有效的或
下降沿之前
CAS
or
WE ，
以先到为准
最后。
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IC41SV4105
绝对最大额定值
(1)
符号
V
T
V
CC
I
OUT
P
D
T
A
T
英镑
参数
任何引脚相对于GND电压
电源电压
输出电流
功耗
商业工作温度
储存温度
等级
0.5
到+2.6
0.5
到+2.6
50
0.2
0至+70
55
+125
单位
V
V
mA
W
o
C
o
C
注意：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致永久性的
损坏设备。这是一个压力等级的设备仅运行在这些
或高于任何其他条件本规范的业务部门所标明是
不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响
可靠性。
推荐工作条件
（电压参考GND ）。
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
商业环境温度
分钟。
1.9
1.4
0.3
0
典型值。
2.2
马克斯。
2.4
V
CC
+ 0.3
0.6
70
单位
V
V
V
o
C
电容
(1,2)
符号
C
IN
1
C
IN
2
C
IO
参数
输入电容： A0 -A9
输入电容：
RAS ， CAS，WE ， OE
数据输入/输出电容： I / O0 -I / O3
马克斯。
5
7
7
单位
pF
pF
pF
注意事项：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
2.测试条件：T已
A
= 25
o
C，F = 1兆赫。
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