IC41C82002S
IC41LV82002S
文档标题
2Mx8位动态RAM与EDO页面模式
修订历史
版本号
0A
历史
最初的草案
草案日期
八月20,2001
备注
所附的说明书是由ICSI提供。集成电路解决方案公司保留更改规格的权利和
产品。 ICSI会回答有关设备的问题。如果您有任何疑问，请联系ICSI办事处。
集成电路解决方案公司
DR022-0A 2001年8月20日
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IC41C82002S
IC41LV82002S
2M ×8 （ 16兆位）动态RAM
与EDO页模式
特点
扩展数据输出（ EDO ）页面模式
访问周期
TTL兼容的输入和输出
刷新间隔：
- 2048次/ 32毫秒
刷新模式： RAS-只，
CAS先于RAS （ CBR ） ，和隐藏
自刷新模式2048次/ 64ms的
?? JEDEC标准引脚
单电源供电：
5V ± 10％或3.3V ± 10％的
通过字节和写字节读取操作
CAS
描述
该
ICSI
82002S系列是2097152 ×8位的高性
曼斯的CMOS动态随机存取存储器。江户
页模式允许在一行中2048随机访问
与存取周期时间尽可能短，每8位字20纳秒。
这些特性使得82002S系列非常适合于高
带宽的图形，数字信号处理，高性能
计算系统和外围设备的应用程序。
该82002S系列封装在一个28引脚300MIL SOJ和
28引脚400mil TSOP- 2
产品系列概述
产品型号
IC41C82002S
IC41LV82002S
刷新
2K
2K
电压
5V ± 10%
3.3V ± 10%
关键时序参数
参数
RAS访问时间（t
RAC
)
CAS存取时间（t
CAC
)
列地址访问时间（t
AA
)
EDO页面模式周期时间（t
PC
)
读/写周期时间（T
RC
)
-50
50
13
25
20
84
-60
60
15
30
25
104
单位
ns
ns
ns
ns
ns
引脚配置
28引脚SOJ ， TSOP- 2
引脚说明
A0-A10
I/O0-7
WE
OE
RAS
CAS
VCC
GND
NC
地址输入
数据输入/输出
写使能
OUTPUT ENABLE
行地址选通
列地址选通
动力
地
无连接
ICSI保留随时更改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供最好的产品的权利。我们对任何错误概不负责
它可能出现在本出版物中。 版权所有2000年，集成电路解决方案公司
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DR022-0A 2001年8月20日
IC41C82002S
IC41LV82002S
功能说明
该IC41C82002S和IC41LV82002S是CMOS DRAM的
高速带宽进行了优化，低功率
应用程序。在读或写周期，每个位
通过11位地址唯一解决。这些
输入11位（ A0 - A10）的时间为2K刷新
装置。的行地址由行地址锁存
选通脉冲（RAS）的。列地址被锁存
列地址选通（ CAS） 。 RAS被用来锁存
前11位和CAS用来锁存后10比特。
刷新周期
保留数据， 2048刷新周期需要在每
32毫秒的时间。有两种方法来刷新存储器：
1.计时每2048行地址（ A0
通过A10）与RAS至少每32毫秒。任何
读，写，读 - 修改 - 写或RAS只重周期
freshes被寻址的行。
2.使用CAS先于RAS的刷新周期。 CAS-直至─
RAS的刷新是由RAS的下降沿激活，
而持有CAS低。在CAS先于RAS刷新
周期时，内部11位计数器提供的行AD-
礼服和外部地址输入将被忽略。
CAS先于RAS是一个刷新的唯一模式和无数据
访问或设备的选择是允许的。因此，输出
在循环过程中保持在高阻状态。
存储周期
存储器周期是由带RAS LOW发起，它是
通过返回两个RAS和CAS HIGH终止。对
保证器件正常工作和数据完整性的任何
存储器周期，一旦启动，不能结束或
最低吨前中止
RAS
时间已经过期。新
周期不能启动，直到最小的预充电
时间T
RP
, t
CP
是否已经过去。
自刷新周期
在自刷新允许用户动态刷新，数据
保留模式在64毫秒延长更新周期。
也就是说，每排31.25微秒使用分布式CBR刷新的时候。
该功能还允许用户的一个充分的选择静态
低功耗数据保持方式。可选的自刷新
功能是通过执行一个CBR刷新周期开始和
持有RAS低指定吨
RASS
.
在自刷新模式时，通过驱动RAS的终止
高为吨的最小时间
RP
。这个延迟使得对于
任何内部刷新周期的完成，可能是在
进程的RAS低到高的跳变的时间。
如果该DRAM控制器采用分布式刷新序列
在退出自刷新不要求脉冲串刷新。
然而，如果在DRAM控制器利用一个RAS或只
爆刷新序列，所有2048行必须刷新
平均内部刷新速率内，前
恢复正常工作。
读周期
读周期是由中国科学院或OE的下降沿开始，
两者同时保持我们HIGH时最后。该
列地址必须对指定的最小时间
经t
AR
。数据输出变为有效只有当T
RAC
, t
AA
, t
CAC
和T
OE
都不满意。其结果是，在存取时间是
依赖于它们之间的定时关系
参数。
写周期
写周期是由CAS和WE的下降沿开始，
为准过去。输入数据必须是有效的或
CAS或WE的下降沿之前，以先到为准
最后。
POWER- ON
应用在V后
CC
供应的初始暂停
200 μs的需要之后至少8初始
化周期（含周期的任意组合
RAS信号） 。
上电过程中，建议RAS与追踪
V
CC
或在一个有效的V举行
IH
为了避免电流浪涌。
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IC41C82002S
IC41LV82002S
绝对最大额定值
(1)
符号
V
T
V
CC
I
OUT
P
D
T
A
T
英镑
参数
任何引脚相对于GND电压
电源电压
输出电流
功耗
商业工作温度
储存温度
5V
3.3V
5V
3.3V
等级
-1.0到+7.0
-0.5到+4.6
-1.0到+7.0
-0.5到+4.6
50
1
0至+70
-55到+125
单位
V
V
mA
W
°C
°C
注意：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致永久性的
损坏设备。这是一个压力等级的设备仅运行在这些
或高于任何其他条件本规范的业务部门所标明是
不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响
可靠性。
推荐工作条件
（电压参考GND ）。
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
商业环境温度
5V
3.3V
5V
3.3V
5V
3.3V
分钟。
4.5
3.0
2.4
2.0
–1.0
–0.3
0
典型值。
5.0
3.3
—
—
—
—
—
马克斯。
5.5
3.6
V
CC
+ 1.0
V
CC
+ 0.3
0.8
0.8
70
单位
V
V
V
°C
电容
(1,2)
符号
C
IN
1
C
IN
2
C
IO
参数
输入电容： A0 -A10
输入电容： RAS ， CAS ， WE ， OE
数据输入/输出电容： I / O0 -I / O7
马克斯。
5
7
7
单位
pF
pF
pF
注意事项：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
2.测试条件：T已
A
= 25 ° C，F = 1兆赫。
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