HZN6.8ZMFA
硅平面齐纳二极管的浪涌吸收
ADE - 208-1456 （ Z）
Rev.0
2001年11月
特点
HZN6.8ZMFA有一个整体式四装置，并能吸收浪涌。
VSON - 5封装是适合于高密度的表面安装。
订购信息
型号
HZN6.8ZMFA
激光标记
68(
:
让我们以每月码）
封装代码
VSON-5
管脚配置
1
2
1.阴极
2.阴极
3.阴极
5
4
3
4.阳极
5.阴极
（ TOP VIEW ）
HZN6.8ZMFA
硅平面齐纳二极管的浪涌吸收
REJ03G0032-0100Z
（上一个： ADE- 208-1456 ）
Rev.1.00
May.08 。 2003
特点
HZN6.8ZMFA有一个整体式四装置，并能吸收浪涌。
VSON -5T包是适合于高密度的表面安装。
订购信息
型号
HZN6.8ZMFA
激光标记
68(
:
让我们以每月码）
封装代码
VSON-5T
管脚配置
1
2
5
4
3
（ TOP VIEW ）
1.阴极
2.阴极
3.阴极
4.阳极
5.阴极
Rev.1.00 ， May.08.2003 ，页6 1
HZN6.8ZMFA
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
功耗
结温
储存温度
注意：
符号
PD *
Tj
TSTG
1
价值
150
150
-55到+150
单位
mW
°C
°C
1.四设备总，请参阅图2 。
电气特性*
（ TA = 25°C ）
项
齐纳电压
反向电流
电容
动态电阻
防静电能力* *
2
3
1
符号
V
Z
I
R
C
r
d
—
民
6.47
—
—
—
25
典型值
—
—
—
—
—
最大
7.00
0.5
25
30
—
单位
V
A
pF
kV
测试条件
I
Z
= 5毫安， 40毫秒的脉冲
V
R
= 3.5 V
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
I
Z
= 5毫安
C = 150 pF的， R = 330
,
向前
和反向脉冲10
注：1。每一个设备。
2.破坏准则;我
R
＆ GT ;
0.5
A
在V
R
= 3.5 V.
3.阴极和阳极之间。
本月码
制造个月
一月
二月
三月
四月
五月
六月
本月码
A
B
C
D
E
F
制造个月
七月
八月
九月
十月
十一月
十二月
本月码
G
H
J
K
L
M
Rev.1.00 ， May.08.2003 ， 6 2页
HZN6.8ZMFA
主要特点
10
-2
250
20h
×
15w
×
0.8t
0.3
单位：mm
齐纳电流I
Z
(A)
2.45
10
-3
功耗，Pd （MW ）
1.0
1.75
1.5
150
聚酰亚胺板
10
-4
100
10
-5
50
10
-6
0
2
4
6
8
齐纳电压V
Z
(V)
10
0
0
50
100
150
200
环境温度Ta （C ）
图1齐纳电流与齐纳电压
图2功耗与环境温度
非重复性浪涌电源反转P
RSM
(W)
10
4
P
RSM
t
10
3
TA = 25
°
C
不重复
10
2
10
1.0
10
–5
10
–4
10
–3
时间t （S ）
10
–2
10
–1
1.0
图3浪涌反向功率额定值
Rev.1.00 ， May.08.2003 ， 6个3页
3.0 3.8
200
HZN6.8ZMFA
主要特点
（续）
10
4
瞬态热阻抗第Z （ ° C / W）
10
3
10
2
10
1.0
10
–2
10
–1
1.0
时间t （S ）
10
10
2
10
3
图4瞬态热阻抗
Rev.1.00 ， May.08.2003 ， 6 4页
HZN6.8ZMFA
包装尺寸
1.6
±
0.05
截至， 2003年1月
(0.1)
5 – 0.2
–0.05
+0.1
单位：mm
1.6
±
0.05
1.2
±
0.1
0.2
0.2
0.5
1.0
±
0.1
0.5
0.5最大
封装代码
JEDEC
JEITA
质谱（参考值）
VSON-5T
—
—
0.002 g
Rev.1.00 ， May.08.2003 ， 6个5页
0.12
–0.05
+0.1
(0.1)
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