韩光
HMF2M32M8G
FLASH- ROM模块现象8字节（ 2M ×32位） ， 72PIN - SIMM ， 5V
产品型号HMF2M32M8G
概述
该HMF2M32M8G是只读组织在存储器（ FROM ）含有2,097,152字模块高速闪存
x32bit配置。该模块包括八个1M ×8从装在一个72针，双面FR4印刷电路
板。
2
该HMF2M32M8完全引脚和指令集JEDEC标准4M比特ê PROM的兼容。命令
写入到使用标准的微处理器写定时的命令寄存器。
寄存器的内容作为输入到内部的状态机，它控制了擦除和编程电路。写
周期也在内部锁存地址和所需的编程数据和擦除操作。读出数据的
设备类似于从12.0V闪存或EPROM器件读取。
八个芯片使能输入（ / CE_UU1 ， / CE_UM1 ， / CE_LM1 ， / CE_LL1 ， / CE_UU2 ， / CE_UM2 ， / CE_LM2 ， / CE_LL2 ）被用于
独立启用该模块的4个字节。输出使能（ / OE ）和写使能（ / WE）可以设置内存和输入
输出。
当从模块被禁止状态，模块正在成为功耗待机模式，系统设计人员可以得到低能源
设计。所有的模块组件可以从一个单一的+ 5V直流电源供电，所有输入和输出为TTL -
兼容。
引脚分配
特点
w
访问时间： 75 ， 90和120ns的
w
高密度的现象8字节的设计
w
高可靠性，低功耗设计
w
+ 5V单
±
0.5V电源
w
易内存扩展
w
所有的输入和输出为TTL兼容
w
FR4 - PCB设计
w
低调72针SIMM
w
最低百万写入/擦除周期
w
行业擦除架构
w
行业组保护
w
临时业集团解除保护
w
所使用的设备是Am29F080B
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
符号
VSS
A3
A2
A1
A0
VCC
A11
/ OE
A10
/ RESET
/CE_LL2
/CE_LL1
DQ7
DQ0
DQ1
DQ2
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
/ WE
A17
A14
A13
针
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
符号
NC
DQ8
DQ9
DQ10
/CE_LM2
VCC
/CE_LM1
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
DQ11
A18
A16
VSS
A6
/ RY_BY
A5
A4
VCC
/CE_UM2
/CE_UM1
DQ23
DQ16
针
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
符号
DQ17
DQ18
DQ22
DQ21
DQ20
DQ19
A19
A15
A12
A7
VCC
A8
A9
DQ24
DQ25
DQ26
/CE_UU2
/CE_UU1
DQ31
DQ30
DQ29
DQ28
DQ27
VSS
选项
w
定时
75ns存取
为90ns存取
120ns的访问
w
套餐
72引脚的SIMM
记号
-75
-90
-120
17
18
19
20
21
22
23
24
M
72引脚的SIMM
网址： www.hbe.co.kr
REV.02(August,2002)
顶视图
韩光科贸有限公司
1
韩光
绝对最大额定值
参数
电压相对于地所有其他引脚
电压相对于地的Vcc
储存温度
工作温度
符号
V
IN，OUT
V
CC
T
英镑
T
A
HMF2M32M8G
等级
-2.0V至+ 7.0V
-2.0V至+ 7.0V
-65oC至+ 125℃
-55℃ + 125摄氏度
电源Dissapation
P
D
8W
w
应力大于下"绝对最大Ratings"可能会导致永久性损坏设备。
这是一个额定值，器件运行在超过或任何其他条件标明
本说明书中的操作部分，是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响其可靠性。
建议的直流工作条件
参数
VCC为
±5%
器件电源电压
VCC为
±
10 ％的设备电源电压
地
符号
V
CC
VCC
V
SS
民
4.75V
4.5V
0
0
典型值。
最大
5.25V
5.5V
0
DC和工作特性
(0oC
≤
TA
≤
70摄氏度; VCC = 5V
±
0.5V )
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
VCC工作电流为读（ 1 ）
VCC工作电流为计划
/ CE = V
IL
， / OE = V
IH
或擦除（ 2 ）
VCC待机电流
低VCC锁定电压
注意事项：
1.上市ICC流通常比2毫安/ MHz的少，与/ OE在V
IH
.
2.电流Icc积极而嵌入算法（编程或擦除）正在进行中
3.最大电流Icc电流规格与测试的Vcc = VCC最大
/ CE≥ V
IH
I
CC3
V
LKO
3.2
1.0
4.2
mA
V
I
CC2
60
mA
测试条件
VCC = VCC最大值，V
IN
= GND到Vcc
VCC = VCC最大， VOUT = GND到Vcc
I
OH
= -2.5mA ， VCC = VCC最小值
I
OL
= 12毫安， VCC = VCC最小值
/ CE = V
IL
， / OE = V
IH
,
符号
I
L1
I
L0
V
OH
V
OL
I
CC1
2.4
0.45
40
民
最大
±1.0
±1.0
单位
A
A
V
V
mA
擦除和编程性能
范围
参数
分钟。
扇区擦除时间
-
典型值。
1
马克斯。
排除00H编程
8
美国证券交易委员会
对擦除之前
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单位
评论
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HMF2M32M8G
FLASH- ROM模块现象8字节（ 2M ×32位） ， 72PIN - SIMM ， 5V
产品型号HMF2M32M8G
概述
该HMF2M32M8G是只读组织在存储器（ FROM ）含有2,097,152字模块高速闪存
x32bit配置。该模块包括八个1M ×8从装在一个72针，双面FR4印刷电路
板。
2
该HMF2M32M8完全引脚和指令集JEDEC标准4M比特ê PROM的兼容。命令
写入到使用标准的微处理器写定时的命令寄存器。
寄存器的内容作为输入到内部的状态机，它控制了擦除和编程电路。写
周期也在内部锁存地址和所需的编程数据和擦除操作。读出数据的
设备类似于从12.0V闪存或EPROM器件读取。
八个芯片使能输入（ / CE_UU1 ， / CE_UM1 ， / CE_LM1 ， / CE_LL1 ， / CE_UU2 ， / CE_UM2 ， / CE_LM2 ， / CE_LL2 ）被用于
独立启用该模块的4个字节。输出使能（ / OE ）和写使能（ / WE）可以设置内存和输入
输出。
当从模块被禁止状态，模块正在成为功耗待机模式，系统设计人员可以得到低能源
设计。所有的模块组件可以从一个单一的+ 5V直流电源供电，所有输入和输出为TTL -
兼容。
引脚分配
特点
w
访问时间： 75 ， 90和120ns的
w
高密度的现象8字节的设计
w
高可靠性，低功耗设计
w
+ 5V单
±
0.5V电源
w
易内存扩展
w
所有的输入和输出为TTL兼容
w
FR4 - PCB设计
w
低调72针SIMM
w
最低百万写入/擦除周期
w
行业擦除架构
w
行业组保护
w
临时业集团解除保护
w
所使用的设备是Am29F080B
针
1
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3
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符号
VSS
A3
A2
A1
A0
VCC
A11
/ OE
A10
/ RESET
/CE_LL2
/CE_LL1
DQ7
DQ0
DQ1
DQ2
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
/ WE
A17
A14
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针
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符号
NC
DQ8
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/CE_LM2
VCC
/CE_LM1
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
DQ11
A18
A16
VSS
A6
/ RY_BY
A5
A4
VCC
/CE_UM2
/CE_UM1
DQ23
DQ16
针
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符号
DQ17
DQ18
DQ22
DQ21
DQ20
DQ19
A19
A15
A12
A7
VCC
A8
A9
DQ24
DQ25
DQ26
/CE_UU2
/CE_UU1
DQ31
DQ30
DQ29
DQ28
DQ27
VSS
选项
w
定时
75ns存取
为90ns存取
120ns的访问
w
套餐
72引脚的SIMM
记号
-75
-90
-120
17
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19
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72引脚的SIMM
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绝对最大额定值
参数
电压相对于地所有其他引脚
电压相对于地的Vcc
储存温度
工作温度
符号
V
IN，OUT
V
CC
T
英镑
T
A
HMF2M32M8G
等级
-2.0V至+ 7.0V
-2.0V至+ 7.0V
-65oC至+ 125℃
-55℃ + 125摄氏度
电源Dissapation
P
D
8W
w
应力大于下"绝对最大Ratings"可能会导致永久性损坏设备。
这是一个额定值，器件运行在超过或任何其他条件标明
本说明书中的操作部分，是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响其可靠性。
建议的直流工作条件
参数
VCC为
±5%
器件电源电压
VCC为
±
10 ％的设备电源电压
地
符号
V
CC
VCC
V
SS
民
4.75V
4.5V
0
0
典型值。
最大
5.25V
5.5V
0
DC和工作特性
(0oC
≤
TA
≤
70摄氏度; VCC = 5V
±
0.5V )
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
VCC工作电流为读（ 1 ）
VCC工作电流为计划
/ CE = V
IL
， / OE = V
IH
或擦除（ 2 ）
VCC待机电流
低VCC锁定电压
注意事项：
1.上市ICC流通常比2毫安/ MHz的少，与/ OE在V
IH
.
2.电流Icc积极而嵌入算法（编程或擦除）正在进行中
3.最大电流Icc电流规格与测试的Vcc = VCC最大
/ CE≥ V
IH
I
CC3
V
LKO
3.2
1.0
4.2
mA
V
I
CC2
60
mA
测试条件
VCC = VCC最大值，V
IN
= GND到Vcc
VCC = VCC最大， VOUT = GND到Vcc
I
OH
= -2.5mA ， VCC = VCC最小值
I
OL
= 12毫安， VCC = VCC最小值
/ CE = V
IL
， / OE = V
IH
,
符号
I
L1
I
L0
V
OH
V
OL
I
CC1
2.4
0.45
40
民
最大
±1.0
±1.0
单位
A
A
V
V
mA
擦除和编程性能
范围
参数
分钟。
扇区擦除时间
-
典型值。
1
马克斯。
排除00H编程
8
美国证券交易委员会
对擦除之前
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