HYS 72Vx2xxGR
PC100 SDRAM注册模块
3.3 V 168针SDRAM注册模块
64 MB ， 128 MB ， 256 MB ， 512 MB & 1 GB的密度
168引脚JEDEC标准，已注册8字节
双列直插式SDRAM模块
用于PC和服务器主内存的应用
一个银行8M
×
72, 16M
×
72, 32M
×
72和
64M
×
72组织，
两张银行128M
×
72组织
非常低的优化ECC应用
输入电容
编程潜伏期：
产品速度
-8
-8A
PC100
PC100
CL
2
3
t
RCD
t
RP
可编程CAS延迟，突发长度，
和包裹序列（序列&
交错）
自动刷新（ CBR）和自刷新
所有输入和输出都是LVTTL兼容
串行存在检测为E
2
舞会
利用SDRAM的在TSOPII -54封装
与寄存器和PLL 。
这两个银行的模块使用堆叠TSOP54
包。
卡片尺寸： 133.35毫米
×
38.1 mm/
43.18 mm
×
4,00 / 6.50毫米与黄金接触
PADS
此规范遵循英特尔的“ PC
SDRAM DIMM注册规范“
修订版1.2
2
2
2
2
单+ 3.3V（ ± 0.3 V ）电源
性能：
-8
PC100
f
CK
t
CK
t
AC
-8A
PC100
100
10
6
单位
时钟频率（最大）
时钟周期时间（min 。 ）
时钟存取时间（分钟）
100
10
6
兆赫
ns
ns
该HYS 72Vx2x0GR家人工业标准168针8字节双列直插式内存模块
（ DIMM）的该组织为8M
×
72, 16M
×
72, 32M
×
72, 64M
×
72 & 128M
×
72高速
设计的同步DRAM（SDRAM ），用于ECC的应用程序的存储器阵列。在32M X 72
（ 256MByte ）注册的DIMM模块有两个版本（ 12或13行地址）提供。所有
控制和地址信号被登记在- DIMM和设计采用的PLL电路，用于
时钟输入。使用一个板上寄存器减小容性负载上的输入信号，但
通过一个循环中到达SDRAM器件延迟。去耦电容器被安装在
PC板。在使用的DIMM串行存在检测方案通过串行é实施
2
舞会
使用2针I
2
C协议。第128个字节是由该DIMM制造商，所利用的
128字节是提供给最终用户。所有英飞凌168针DIMM内存模块提供高
性能，在133.35毫米长的足迹灵活的8字节接口。
数据手册
1
3.00
HYS 72Vx2xxGR
PC100 SDRAM注册模块
订购信息
TYPE
HYS 72V8200GR - 8
HYS 72V16200GR - 8
HYS 72V16201GR - 8
HYS 72V32201GR - 8
HYS 72V32200GR - 8
HYS 72V32200GR -8A
HYS 72V64200GR - 8
HYS 72V64200GR -8A
合规
CODE
描述
SDRAM
技术
64兆位
64兆位
128兆位
128兆位
256兆
256兆
256兆比特（叠）
PC100-222-622R一家银行64 MB注册。 DIMM
PC100-222-622R一家银行128 MB注册。 DIMM
PC100-222-622R一家银行128 MB注册。 DIMM
PC100-222-622R一家银行256 MB注册。 DIMM
PC100-222-622R一家银行256 MB注册。 DIMM
PC100-322-622R
PC100-222-622R一家银行512 MB注册。 DIMM
PC100-322-622R
HYS 72V128220GR - 8
PC100-222-622R两张银行1 GB的注册。 DIMM
HYS 72V128220GR -8A PC100-322-622R
注：所有的部件号结束与一个地方代码（未示出） ，指定的模具修改。请教
工厂的当前版本。例如： HYS 64V8200GR - 8 -C ，说明版本C模具使用
对于SDRAM组件。
数据手册
2
3.00
HYS 72Vx2xxGR
PC100 SDRAM注册模块
RCS0
RDQMB0
DQ0-DQ7
CS
DQM
DQ0-DQ7
D0
CS
DQM
DQ0-DQ7
D1
CS WE
DQM
DQ0-DQ7
D8
RDQMB4
DQ32-DQ39
CS
DQM
DQ0-DQ7
D4
CS
DQM
DQ0-DQ7
D5
RDQMB1
DQ8-DQ15
RDQMB5
DQ40-DQ47
RCB0-RCB7
RCS2
RDQMB2
DQ16-DQ23
CS
DQM
DQ0-DQ7
D2
CS
DQM
DQ0-DQ7
D3
RDQMB4
DQ48-DQ55
CS
DQM
DQ0-DQ7
D6
CS
DQM
DQ0-DQ7
D7
E
2
舞会
（ 256字×8位）
SA0
SA0
SA1
SA1 SDA
SA2
WP
SA2
SCL
SCL
RDQMB3
DQ24-DQ31
RDQMB7
DQ56-DQ63
V
CC
C
V
SS
CLK0
12 pF的
CS0/CS2
DQMB0-7
BA0 ， BA1
A0-A11,12*
)
RAS
CAS
CKE0
WE
雷杰
10 k
PLL
D0 - D8 ，注册。 ， DLL
D0 - D8 ，注册。 ， DLL
47 k
SDRAM的D0 -D8
RCS0/RCS2
RDQMB0-7
RBA0 ， RBA1
RA0-11,12
RRAS
RCAS
RCKE0
RWE
注意事项：
1)
DQ wirding可以不同于
描述下在这个图。
然而， DQ / DQB关系
必须保持如图所示
2)
所有的电阻10
除非
另有说明
)
* A12仅适用于32一M× 72
组织
CLK1 ， CLK2 ， CLK3
12 pF的
SPB04130
SDRAM的D0 -D8
SDRAM的D0 -D8
SDRAM的D0 -D8
SDRAM的D0 -D8
SDRAM的D0 -D8
SDRAM的D0 -D8
V
CC
框图：一是银行8M
×
72 ， 16M X 72 & 32M
×
72 SDRAM DIMM模块
HYS 72V8200GR ， HYS72V16201GR和HYS 72V32200GR使用X8有组织的SDRAM
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5
3.00
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