微波公司
v03.0604
HMC345LP3
特点
宽带绩效： DC - 8.0 GHz的
高隔离度：35 dB的6 GHz的
低插入损耗2.2 dB的6 GHz的
综合正电源2 ： 4 TTL解码器
3毫米x 3毫米x 1毫米SMT封装
砷化镓MMIC SP4T不反光
正控制开关， DC * - 8.0 GHz的
典型应用
此开关是适合使用的DC - 8.0 GHz的
50欧姆和75欧姆的系统：
宽带
光学纤维
开关式滤波器组
低于8 GHz无线
工作原理图
概述
该HMC345LP3是宽带非重佛罗里达州ective
在一种低成本的GaAs MESFET的SP4T开关铅
更少的表面贴装封装。覆盖DC 8
GHz时，该交换机能够提供高隔离度，低
插入损耗。该交换机还包括一个
板二进制译码器电路，其减少了
需要的逻辑控制线为两个。开关
运行时使用0 / + 5V的正控制电压，
并要求+ 5V一个固定偏差。
14
开关 - SMT
*隔直电容必须在港口和RFC
RF1， 2，3， & 4.它们的值将确定的最低
发送频率。
电气连接特定的阳离子，
T
A
= + 25°C ，0 / + 5V控制， 50欧姆系统
参数
频率
DC - 2.0 GHz的
DC - 6.0 GHz的
DC - 8.0 GHz的
DC - 2.0 GHz的
DC - 4.0 GHz的
DC - 6.0 GHz的
DC - 8.0 GHz的
DC - 2.0 GHz的
DC - 4.0 GHz的
DC - 6.0 GHz的
DC - 8.0 GHz的
2.0 - 8.0 GHz的
2.0 - 8.0 GHz的
2.0 - 8.0 GHz的
DC - 8.0 GHz的
50
120
ns
ns
37
32
31
27
10
8
7
6
6
17
37
分钟。
典型值。
2.0
2.2
2.4
42
37
35
32
13
11
10
9
10
21
45
马克斯。
2.4
2.6
2.9
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
插入损耗
隔离
回波损耗
“在状态”
回波损耗（ RF1 - RF4 ）
输入功率为1 dB压缩
“关闭状态”
输入三阶截
（双音输入功率= +7 dBm的每一个音调， 1MHz的色调分离）
开关特性
TRISE ， TFALL （10 /90％ RF）
的tON ， tOFF的（50％的CTL 10 /90％ RF）的
14 - 194
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
12伊丽莎白车道，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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v03.0604
HMC345LP3
砷化镓MMIC SP4T不反光
正控制开关， DC - 8.0 GHz的
砷化镓MMIC SUB-谐
隔离
PUMPED
插入损耗与温度的关系
0
0
-10
-1
RF1
RF2
RF3
RF4
MIXER 17 - 25 GHz的
插入损耗（dB ）
-20
-2
隔离度（dB ）
+25 C
-40 C
+85 C
-30
-40
-50
-60
-70
-3
-4
-5
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
频率（GHz ）
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
频率（GHz ）
回波损耗
0
RFC
RF1,2,3,4在
RF1,2,3,4关闭
0.1-1 dB输入压缩点
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
1
2
3
4
-5
-15
-20
0.1分贝压缩点
1dB压缩点
-25
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
频率（GHz ）
5
6
7
8
频率（GHz ）
输入三阶截点
输入三阶截（ DBM）
60
55
50
45
40
35
30
1
2
3
4
5
6
7
8
频率（GHz ）
RF1
RF2
RF3
RF4
*隔离被记录在上面开关的输出端测得的插入损耗& 。
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14 - 195
开关 - SMT
-10
输入压缩点（ DBM）
14
回波损耗（分贝）
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HMC345LP3
砷化镓MMIC SP4T不反光
正控制开关， DC - 8.0 GHz的
真值表
控制输入
A
低
高
低
高
B
低
低
高
高
信号路径状态
RFCOM到：
RF1
RF2
RF3
RF4
偏置电压电流&
控制电压
状态
国际直拨电话（最大）
（MA ）
6.0
低
高
偏置条件
0至+0.8伏直流@ 5微安的典型
+2.0至+5.0伏@ 60微安的典型
14
开关 - SMT
VDD范围= 5.0伏±10 ％
VDD
（ VDC）的
+5.0
国际直拨电话（典型值）。
（MA ）
3.0
14 - 196
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砷化镓MMIC SP4T不反光
正控制开关， DC - 8.0 GHz的
绝对最大额定值
偏置电压范围（ VDD）
控制电压范围
（A & B）
通道温度
热阻
（插入损耗路径）
热阻
（终止路径）
储存温度
工作温度
最大输入功率
7.0伏
-0.5V至VDD +1.0伏
150 °C
143 ° C / W
注：隔直流电容器，需要在端口
RFC和RF1， 2，3， 4， &其值将确定
最低的传输频率。
1030 ° C / W
-65至+150°C
-40至+85 C
+24 dBm的
外形绘图
14
开关 - SMT
注意事项：
1.材质包裹体：低应力注塑成型
塑料二氧化硅和硅浸渍。
2.铅和地面桨材料：铜合金
3.铅和地面PADDLE电镀：锡/铅焊接
4.尺寸单位：英寸[毫米]为单位。
5.引线间距有容乃非累积
6. PAD BURR长度应0.15毫米最大。
PAD毛刺高度应0.05毫米最大。
7.包装WARP不得超过0.05毫米。
8.所有接地引线和接地焊盘必须焊接
PCB的RF接地。
9.按照HITTITE应用说明中建议的PCB
焊盘图形。
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砷化镓MMIC SP4T不反光
正控制开关， DC - 8.0 GHz的
引脚说明
引脚数
1, 4,
9, 12, 15
功能
RF4 ， RF3 ，
RF2 ， RF1 ， RFC
描述
该引脚的直流耦合，匹配50欧姆。闭塞
电容器。
接口示意图
2, 3,
10, 11, 13
N / C
该引脚应连接到PCB RF地面最大化
隔离。
5, 14, 16
GND
包装底部有裸露的金属焊盘，还必须
连接到PCB RF地面。
14
开关 - SMT
6
VDD
电源电压+ 5V ±10 ％
7
CTLB
见真值表和控制电压表。
8
CTLA
见真值表和控制电压表。
14 - 198
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