2007年6月
HYS72T64400HFA–[2.5/3S/3.7]–B
HYS72T128420HFA–[2.5/3S/3.7]–B
HYS72T256420HFA–[2.5/3S/3.7]–B
240针全缓冲DDR2 SDRAM模组
DDR2 SDRAM
符合RoHS标准的产品
互联网数据表
Rev.1.01
互联网数据表
HYS72T[64/128/256]4[00/20]HFA–[2.5/3S/3.7]–B
全缓冲DDR2 SDRAM模组
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qag_techdoc_rev411 / 3.31质量保证小组/ 2007-01-22
10062006-RQWY-GI6S
2
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HYS72T[64/128/256]4[00/20]HFA–[2.5/3S/3.7]–B
全缓冲DDR2 SDRAM模组
1
1.1
概观
特点
检测通道上的错误，并报告给主机
存储器控制器。
自动DDR2 DRAM总线校准。
自动通道校准。
在DDR2的DRAM的完整主机控制。
过温检测和报警。
热添加式和热移除能力。
MBIST和IBIST测试功能。
透明模式的DRAM测试支持。
低调： 133.35毫米X 30.35毫米
240引脚镀金卡连接器1.00毫米接触
中心（ JEDEC标准待定） 。
基于JEDEC标准参考卡设计（JEDEC
标准待定） 。
SPD （串行存在检测） ，256字节串行
E
2
PROM.Performance ：
符合RoHS标准的产品
1)
本章介绍了240针全缓冲DDR2 SDRAM模组系列产品的主要特点。
240针全缓冲ECC双列直插式DDR2 SDRAM
模块的PC ，工作站和服务器主内存
应用程序。
一个等级64M
×
72 ，双级128M
×
72, 256M
×
72
模块组织和64M
×
8, 128M
×
4芯片
组织
标准双倍数据速率 - 双同步DRAM
（ DDR2 SDRAM ），采用单+ 1.8 V （ ± 0.1 V）电源
供应
建有chipsize包2GB ， 1GB ， 512MB模块
PG-TFBGA-60
重新驱动和全地址，命令，时钟重新同步和
使用AMB （高级内存缓冲器）的数据信号。
高速差分点至点连接接口为1.5
V（ JEDEC标准待定） 。
主机接口和AMB组件行业标准
兼容的。
支持SMBus协议接口，用于访问AMB
CON组fi guration寄存器。
表1
性能表
质量保证小组的速度代码
DRAM速度等级
模块速度等级
CAS- RCD -RP潜伏期
马克斯。时钟频率
CL3
CL5
CL4
CL6
分钟。 RAS -CAS延迟
分钟。行预充电时间
–2.5
DDR2–800E
PC2–6400E
6–6–6
–3S
DDR2–667D
PC2–5300D
5–5–5
200
333
266
–
15
15
–3.7
DDR2–533C
PC2–4200C
4–4–4
200
266
266
–
15
15
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
单位
f
CK3
f
CK5
f
CK4
f
CK6
t
RCD
t
RP
200
333
266
400
15
15
1 ）符合RoHS产品：使用某些有害物质指令（RoHS ）的电气和电子设备中限制的定义
在指令2002/95 /由27理事会，欧洲议会和2003年1月发行的这些物质包括汞EC ，
铅，镉，六价铬，多溴联苯和多溴联苯醚。
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全缓冲DDR2 SDRAM模组
质量保证小组的速度代码
DRAM速度等级
模块速度等级
CAS- RCD -RP潜伏期
分钟。行活动时间
分钟。行周期时间
–2.5
DDR2–800E
PC2–6400E
6–6–6
–3S
DDR2–667D
PC2–5300D
5–5–5
45
60
–3.7
DDR2–533C
PC2–4200C
4–4–4
45
60
单位
t
RAS
t
RC
45
60
ns
ns
1.2
描述
AMB与主控制器和/或所述通信
用一位业内人士对系统板相邻的DIMM
标准的高速差分点至点链接
在1.5 V接口
高级内存缓冲器还可以缓冲
存储流量，支持大内存容量。所有
用于DRAM存储器控制驻留在主机中，其中包括
内存请求启动，计时，刷新，擦洗，备用，
配置访问和电源管理。该
高级内存缓冲器接口负责处理
信道和存储请求，并从本地的DIMM
以及将请求转发到其他的DIMM的内存
通道。全缓冲DIMM提供了高内存
带宽，大容量信道解决方案，它具有窄的
主机接口。最大内存容量为DDR2 288
每个通道或8个DIMM SDRAM器件。
本文档介绍了电气和机械
一个240引脚的功能， PC2-4200F ， PC2-5300F ， ECC的类型，
全缓冲双数据速率两个同步DRAM
双列直插式内存模块（ DDR2 SDRAM的FB-DIMM ） 。
全缓冲DIMM使用商品的DRAM从隔离
DIMM上的缓冲区后面的内存通道。他们是
当安装在系统打算用作主存储器
如服务器和工作站。 PC2-4200F ， PC2-5300F ，
指指示DDR2 DIMM的命名约定
在266 ， 333 MHz的时钟速度，并提供运行的SDRAM
4200 ， 5300 ， MB / s的峰值带宽。 FB- DIMM拥有
新颖的建筑，包括高级内存缓冲器。
此单芯片组件，位于每个中心
DIMM ，充当中继器和缓冲器的所有信号，
这是主机控制器之间交换的命令
和DDR2 SDRAM的数据，包括输入和输出。该
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全缓冲DDR2 SDRAM模组
表2
对于符合RoHS的产品订货信息
产品类型
1)
PC2-6400
HYS72T64400HFA–2.5–B
512MB 1R × 8 PC2-6400F - 666-11 -A0
1等级， ECC
2级， ECC
2级， ECC
2级， ECC
2级， ECC
1等级， ECC
2级， ECC
2级， ECC
1等级， ECC
512Mbit的（ × 8 ）
512Mbit的（ × 8 ）
512Mbit的（ × 4 ）
512Mbit的（ × 8 ）
512Mbit的（ × 4 ）
512Mbit的（ × 8 ）
512Mbit的（ × 8 ）
512Mbit的（ × 4 ）
512Mbit的（ × 8 ）
HYS72T128020HFA–2.5–B
1GB 2R × 8 PC2-6400F - 666-11 -B0
HYS72T256020HFA–2.5–B
2GB 2R × 4 PC2-6400F - 666-11 -H0
PC2-5300
HYS72T128020HFA–3S–B
1GB 2R × 8 PC2-5300F - 555-11 -B0
HYS72T256020HFA–3S–B
2GB 2R × 4 PC2-5300F - 555-11 -H0
HYS72T64400HFA–3S–B
PC2-4200
HYS72T128020HFA–3.7–B
1GB 2R × 8 PC2-4200F - 444-11 -B0
HYS72T256020HFA–3.7–B
2GB 2R × 4 PC2-4200F - 444-11 -H0
HYS72T64400HFA–3.7–B
512MB 1R × 8 PC2-4200F - 444-11 -A0
512MB 1R × 8 PC2-5300F - 555-11 -A0
合规守则
2)
描述
SDRAM技术
1 ）有关奇梦达的产品型号请参见本数据表的章"Product类型Nomenclature"的详细信息。
2 ）合规守则印在模块标签上，并描述了速度等级，例如"PC2-6400F - 666-11 - A0"哪里6400F
指全缓冲DIMM模块6.40 GB /秒的带宽模块和"666-11"指列地址选通（ CAS ）延迟
= 6 ，排列延时（ RCD）的延迟= 6，行预充电（ RP ）延迟= 6采用了最新的JEDEC SPD 1.1版并制作
对原卡"A" 。
表3
地址格式
DIMM
密度
2GB
1GB
512MB
模块
组织
256M
×
72
128M
×
72
64M
×
72
内存
秩
2
2
1
ECC /
非ECC
ECC
ECC
ECC
＃的＃的SDRAM行/行/列
位
36
18
9
14/2/11
14/2/10
14/2/10
生
卡
H, H
B, B
A, A
表4
在模块组件
产品类型
1)2)
HYS72T256020HFA
HYS72T128020HFA
HYS72T64400HFA
DRAM组件
1)
HYB18T512400BF
HYB18T512800BF
HYB18T512800BF
DRAM密度
512Mbit
512Mbit
512Mbit
DRAM组织
128M
×
4
64M
×
8
64M
×
8
1 ）绿色产品
2）关于这些模块在DRAM元件的所有功能的详细描述，请参见组件数据表。
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